CN113422291A - 一种激光器及其制造方法与应用 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种激光器及其制造方法与应用，包括：衬底；至少两个发光阵列，设置在所述衬底上，所述发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个所述发光单元之间串联连接；隔离结构，设置所述衬底上，位于至少两个所述发光阵列之间，所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；其中，所述发光阵列包括：第一反射层，设置在所述衬底上，所述第一反射层包括至少一层第一半导体层，所述第一半导体层与所述衬底接触，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反，所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。本发明可以提高激光器的质量和可靠性。

Description

一种激光器及其制造方法与应用

技术领域

本发明涉及激光技术领域，特别涉及一种激光器及其制造方法与应用。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是以砷化镓半导体材料为基础研制，有别于LED(发光二极管)和LD(Laser Diode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。

VCSEL从诞生起就作为新一代光存储和光通信应用的核心器件，为互联网的需求和光学存储密度的不断提高提供了一条新途径。随着VCSEL的研究深入以及应用需求的拓展，VCSEL不仅在手机、消费性电子等领域发挥越来越重要的作用，VCSEL还可以用来进行人脸识别、3D感测、手势侦测和VR(虚拟现实)/AR(增强现实)/MR(混合现实)等。

在一些应用中，VCSEL阵列需要与在同一衬底上的其他VCSEL阵列形成电隔离，因此多使用半绝缘衬底，但是半绝缘衬底具有更多的晶体缺陷，因此导致该VCSEL阵列的质量降低。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种激光器及其制造方法与应用，本发明在衬底上形成多个发光阵列，并且能够实现衬底与发光阵列的电隔离，同时可以提高发光阵列的质量和可靠性。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种激光器，包括：

衬底；

至少两个发光阵列，设置在所述衬底上，所述发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个所述发光单元之间串联连接；

隔离结构，设置所述衬底上，位于至少两个所述发光阵列之间，所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；

其中，所述发光阵列包括：

第一反射层，设置在所述衬底上，所述第一反射层包括至少一层第一半导体层，所述第一半导体层与所述衬底接触，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反，所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。

进一步地，所述第一反射层还包括至少一层第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述第二半导层的离子掺杂类型相反。

进一步地，所述第一半导体层包括P型半导体层，所述第二半导体层包括N型半导体层，或者，所述第二半导体层包括N型半导体层和电流扩散层的层叠结构。

进一步地，所述电流扩散层的离子掺杂类型与所述第一半导体层的离子掺杂类型相反。

进一步地，所述隔离结构为离子掺杂区，所述离子掺杂区位于所述第一半导体层和第二半导体层内。

进一步地，所述隔离结构为沟槽，所述沟槽暴露出所述衬底。

进一步地，所述离子掺杂区与所述衬底接触。

进一步地，所述沟槽的底部和侧壁上包括绝缘层。

进一步地，所述发光阵列包括：

有源层，设置在所述第一反射层上；

第二反射层，设置在所述有源层上。

进一步地，所述发光阵列还包括支撑单元，所述支撑单元位于所述发光单元的一侧。

进一步地，所述发光单元上包括第一电极，所述支撑单元上包括第二电极，所述第一电极和所述第二电极的高度平齐。

进一步地，至少两个所述发光单元共用所述第二电极。

进一步地，本发明还提出一种激光器的制造方法，包括：

提供一衬底；

形成至少两个发光阵列于所述衬底上，所述发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个所述发光单元之间串联连接；

形成隔离结构于所述衬底上，所述隔离结构位于至少两个所述发光阵列之间，所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；

其中，所述发光阵列包括：

第一反射层，设置在所述衬底上，所述第一反射层包括至少一层第一半导体层，所述第一半导体层与所述衬底接触，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反，所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。

进一步地，本发明还提出一种激光设备，包括：

基板；

至少一激光器，设置在所述激光设备上，其中，所述激光器包括：

衬底；

至少两个发光阵列，设置在所述衬底上，所述发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个所述发光单元之间串联连接；

隔离结构，设置所述衬底上，位于至少两个所述发光阵列之间，所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；

其中，所述发光阵列包括：

第一反射层，设置在所述衬底上，所述第一反射层包括至少一层第一半导体层，所述第一半导体层与所述衬底接触，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反，所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。

因此，本发明提出一种激光器及其制造方法与应用，通过在衬底上形成至少两个发光阵列，每个发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个发光单元串联连接。在至少两个发光阵列之间还包括隔离结构，隔离结构可以电隔离至少两个发光阵列。发光阵列包括第一反射层，第一反射层包括至少一层第一半导体层，第一半导体层与衬底接触，第一半导体层的离子掺杂类型与衬底的离子掺杂类型相反。第一反射层还可以包括第二半导体层，第二半导体层位于第一半导体层上，第一半导体层的离子掺杂类型与第二半导体层的离子掺杂类型相反。当对发光阵列通入电流时，第一半导体层和第二半导体层会形成反向偏置的PN结，因此电流无法进入衬底中，从而实现发光阵列与衬底的电隔离。同时由于本发明采用导电衬底，导电衬底具有较低的缺陷，因此可以提高发光阵列的质量和可靠性。

附图说明

图1：本发明中激光器的制造方法流程图。

图2：本发明中步骤S1-S2对应的结构图。

图3：本发明中步骤S3对应的结构图。

图4：本发明中电流限制层的结构图。

图5：本发明中绝缘层的结构图。

图6：本发明中步骤S4对应的结构图。

图7：本发明中激光器的另一结构图。

图8：本发明中激光器的另一结构图。

图9：本发明中激光器的另一结构图。

图10：本发明中激光设备的结构图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1所示，本实施例提出一种激光器的制造方法，可用于制造垂直腔面发射激光器。通过该制造方法形成的激光器可以具有更高的可靠性和更好的质量。

如图1所示，本实施例提出一种激光器的制造方法，包括：

S1：提供一衬底；

S2：在所述衬底上依次形成第一反射层，有源层和第二反射层；

S3：进行刻蚀步骤，以在所述衬底上形成多个台型结构；

S4：在多个所述台型结构内形成电流限制层，以定义发光单元。

如图2所示，在步骤S1-S2中，首先提供一衬底101，在本实施例中，该衬底101可以是任意适于形成垂直腔面发射激光器的材料，例如为砷化镓(GaAs)。衬底101可以为导电衬底，衬底101可以是N型掺杂的半导体衬底，也可以是P型掺杂的半导体衬底，掺杂可以降低后续形成的电极与半导体衬底之间欧姆接触的接触电阻，在本实施例中，该衬底101例如为N型掺杂半导体衬底。该衬底101可以具有较低的晶体缺陷，因此在衬底101上形成的外延结构同样具有较低的晶体缺陷，因此可以提高外延结构的质量。

如图2所示，在本实施例中，在提供衬底101之后，然后在衬底101上形成第一反射层102。第一反射层102可以由例如包括AlGaAs和GaAs，或者高铝组分的AlGaAs和低铝组分的AlGaAs两种不同折射率的材料层叠构成，也就是说第一半导体层102可以包括多个半导体层堆叠形成。在本实施例中，该第一反射层102可以包括至少一层第一半导体层1021和至少一层第二半导体层1022。第二半导体层1022位于第一半导体层1021上，第一半导体层1021与衬底101接触。第一半导体层1021的离子掺杂类型与衬底101的离子掺杂类型相反，第二半导体层1022的离子掺杂类型与第一半导体层1021的离子掺杂类型相反。当在第二半导体层1022上施加正电压时，第一半导体层1021与第二半导体层1022会形成反向偏置的PN结，因此电流无法穿过该第一反射层102进入到衬底101中，因此可以实现衬底101与发光阵列的电隔离。在本实施例中，第一半导体层1021可以为P型下布拉格反射镜，第二半导体层1022可以为N型下布拉格反射镜。

如图2所示，形成第一反射层102之后，然后在第一反射层102上依次形成有源层103和第二反射层104。有源层103包括层叠设置的量子阱复合结构，由GaAs和AlGaAs，或者InGaAs和AlGaAs材料层叠排列构成，有源层103用以将电能转换为光能。第二反射层104可包括由AlGaAs和GaAs，或者高铝组分的AlGaAs和低铝组分的AlGaAs两种不同折射率的材料层叠构成，第二反射层104可以为P型反射镜，具体地，第二反射层104可以为P型上布拉格反射镜。第一反射层102和第二反射层104用于对有源层103产生的光线进行反射增强，然后从第二反射层104的表面射出。

如图2所示，在一些实施例中，第一反射层102或第二反射层104包括一系列不同折射率材料的交替层，其中每一交替层的有效光厚度(该层厚度乘以该层折射率)是四分之一垂直腔面发射激光器的工作波长的奇数整数倍，即每一交替层的有效光厚度为垂直腔面发射激光器的工作波长的奇数整数倍的四分之一。用于形成第一反射层102或第二反射层104交替层的合适介电材料包括钽氧化物，钛氧化物，铝氧化物，钛氮化物，氮硅化物等。用于形成第一反射层102或第二反射层104交替层的合适半导材料包括镓氮化物，铝氮化物和铝镓氮化物。然不限于此，在一些实施例中，第一反射层102和第二反射层104也可由其他的材料所形成。在本实施例中，第一反射层102的层叠数可以大于第二反射层104的层叠数，也就是说第一半导体层1021和第二半导体层1022的层叠数之和大于第二反射层104的层叠数，由此实现第一反射层102的反射率大于第二反射层104的反射率，从而形成正面发射的激光器结构。在本实施例中，第一半导体层1021或者第二半导体层1033的层叠数也可以大于第二反射层104的层叠数。

如图2所示，在一些实施例中，该有源层103可以包括一个或多个氮化物半导体层，该半导体层包括夹在相应对的阻挡层之间的一个或多个量子阱层或一个或多个量子点层。

如图2所示，在一些实施例中，可例如通过化学气相沉积的方法形成第一反射层102，有源层103及第二反射层104，即通过化学气相沉积的方法形成外延结构。

如图3所示，在步骤S3中，在形成第一反射层102，有源层103和第二反射层104之后，然后对第二反射层104进行刻蚀，从而在衬底101上形成多个沟槽，从而在衬底101上形成多个台型结构。本实施例可以在衬底101上形成第一沟槽105，第一沟槽105暴露出衬底101。在形成第一沟槽105时，可以先通过刻蚀工艺暴露出第一反射层102，然后再次通过刻蚀工艺对第一反射层102进行刻蚀，从而使得第一沟槽105暴露出衬底101。第一沟槽105可以用于电隔离发光阵列。

如图3所示，在本实施例中，在第一沟槽105的左侧还包括第二沟槽106和第三沟槽107。第二沟槽106和第三沟槽107可以用于隔离出多个台型结构。第二沟槽106和第三沟槽107仅对第二反射层104和有源层103进行刻蚀，即第二沟槽106和第三沟槽107暴露出第二反射层102，因此第二沟槽106和第三沟槽107在第一反射层102上隔离出多个台型结构。本实施例可以将最左侧的台型结构定义为第一台型结构1081，例如将第一台型结构1081右侧的台型结构定义为第二台型结构1082。第一台型结构1081和第二台型结构1082的结构相同。第一台型结构1081例如用于形成支撑单元，第二台型结构1082例如用于形成发光单元。在本实施例中，第一台型结构1081位于第二台型结构1082的一侧，因此可以使得相邻的两个第二台型结构1082可以通过金属层连接起来，从而形成串联的发光单元。当然，第一台型结构1081还可以位于两个第二台型结构1082之间，因此可以将这两个第二台型结构1082隔离开来，从而可以单独控制每个发光单元。

如图4所示，在本实施例中，在形成第一台型结构1081和第二台型结构1082之后，然后在第二台型结构1082形成电流限制层109，以在第二台型结构1082内形成发光孔。本实施例通过高温氧化高掺铝的方法，对第二台型结构1082的侧壁进行氧化，以在第二反射层104内形成电流限制层109。在本实施例中，每个第二台型结构1082内的电流限制层109为圆环形结构。当第二台型结构1082的俯视图为矩形时，电流限制层109也可以为矩形环状。

如图4所示，在一些实施例中，电流限制层109包括空气柱型电流限制结构，离子注入型电流限制结构，掩埋异质结型电流限制结构与氧化限制型电流限制结构的一种，本实施例中采用的是氧化限制型电流限制结构。

如图5所示，在本实施例中，在形成电流限制层109之后，还可以在第一台型结构1081和第二台型结构1082上形成绝缘层110。绝缘层110完全覆盖第一台型结构1081和第二台型结构1082。同时绝缘层110还位于第一沟槽105，第二沟槽106和第三沟槽107内。第一沟槽105的侧壁和底部上均包括绝缘层110，位于底部的绝缘层110还与衬底101接触。位于第二沟槽106或第三沟槽107内的绝缘层110还与第一反射层102接触。

如图5所示，绝缘层110的材料可以是氮化硅或氧化硅或其他绝缘材料，该绝缘层110的厚度可在100-300nm，该绝缘层110可以保护电流限制层109，还可以有效隔离相邻的台型结构。在本实施例中，可例如通过化学气相沉积的方式形成该绝缘层110。

如图5-图6所示，在步骤S4中，在形成绝缘层110之后，然后通过化学气相沉积的方式在第一台型结构1081和第二台型结构1082上分别形成第二电极112和第一电极111。本实施例以在左侧的第二台型结构1082上形成第一电极111为例进行说明。在形成第一电极111之前，首先通过刻蚀工艺将位于第二台型结构1082顶部上的部分绝缘层110移除掉，即暴露出第二反射层104，即在第二反射层104的顶部形成开口，然后通过化学气相沉积的方式在开口的两侧形成第一电极111，第一电极111还通过开口与第二反射层104接触，第一电极111未遮挡电流限制层109形成的发光孔。第一电极111还填充在第二沟槽106内，也就是说通过第一电极111将两个第二台型结构1082连接起来，也就是可以将两个发光单元串联起来。在本实施例中，第二电极112位于第一台型结构1081上，且第二电极112沿着第一台型结构1081的侧壁与第一反射层102连接。第二电极112的形成过程可以参考第一电极111的形成过程。在本实施例中，第一电极111例如为P型电极，第一电极111还可以作为阳极。第二电极112例如为N型电极，第二电极112例如为阴极。

如图5-图6所示，在本实施例中，在形成第一电极111和第二电极112之后，即在第一反射层102上形成了多个发光单元，例如在第一反射层102上显示出第一发光单元113和第四发光单元114。第一发光单元113和第二发光单元114可以通过第一电极111串联起来。由于在第一台型结构1081上仅设置有第二电极112，因此当对第一台型结构1081上施加电流时，无法形成电流回路，因此第一台型结构1081无法发射激光束，因此将第一台型结构1081定义为支撑单元。本实施例将第一发光单元113和第二发光单元114定义为发光阵列115。当然，该发光阵列115还可以包括三个或更多个发光单元。图6中例如显示出两个发光阵列115，这两个发光阵列115可以位于第一沟槽105的两侧，这两个发光阵列115的结构相同，当然也可以设置不同结构的两个发光阵列115。当然，当衬底101上包括更多个第一沟槽105时，在衬底101上还可以形成更多个发光阵列115。

如图6所示，在本实施例中，该发光阵列115包括第一发光单元113和第二发光单元114。第一发光单元113和第二发光单元114通过第一电极111串联。第一发光单元113和第二发光单元114共同使用第二电极112。同时由于支撑单元1081的作用，使得第一电极111和第二电极112的高度平齐，因此当将该发光阵列115固定在基板上时，不需要打线，由此可以减少电感影响。

如图6所示，使用该激光器时，在第一电极111上施加正电压，在第二电极112上施加负电压，由此电流由第一电极112流向第二反射层104，有源层103及第一反射层102。当电流流向第一反射层102时，第二半导体层1022与第一半导体层1021形成反向偏置的PN结，因此电流通过流入第二电极112中，因此电流无法流向衬底101中，由此实现发光阵列115与衬底101的电隔离。同时由于第一沟槽105的作用，因此可以将两个发光阵列115电隔离，从而可以单独控制任意一个或同时控制两个发光阵列115。

如图7所示，本实施例还提出另一种激光器，图7与图6的区别在于，在形成第一沟槽105时，第一沟槽105仅刻蚀至第一反射层102的表面，即第一沟槽105暴露出第一反射层102的表面。然后对第一反射层102进行离子掺杂，从而在第一反射层102内形成离子掺杂区116，离子掺杂区116可以与衬底101接触。由于离子掺杂区116的存在，因此电流无法通过该离子掺杂区116，由此使得两个发光阵列115电隔离。当然，在一些实施例中，离子掺杂区116还可以位于衬底101内。

如图8所示，本实施例还提出另一种激光器，图8与图6的区别在于，图6中的第一反射层102包括第一半导体层1021和第二半导体层1022，第一半导体层为P型下布拉格反射镜，第二半导体层1022为N型下布拉格反射镜。而图8中第二半导体层1022包括N型半导体层1023和电流扩散层1024，电流扩散层1024位于N型半导体层1023上，电流扩散层1024的离子掺杂类型与N型半导体层1023的离子掺杂类型相同，即电流扩散层1024的离子掺杂类型与第一半导体层1021的离子掺杂类型相反，电流扩散层1024例如为N型电流扩散层。当在第一电极111上施加正电压，在第二电极112上施加负电压时，由此电流由第一电极112流向第二反射层104，有源层103及第一反射层102。当电流流向第一半导体层1021时，第一半导体层1021与电流扩散层1024(即第二半导体层1022)形成反向偏置的PN结，因此电流通过流入第二电极112中，因此电流无法流向衬底101中，由此实现发光阵列115与衬底101的电隔离。同时由于第一沟槽105的作用，因此可以将两个发光阵列115电隔离，从而可以单独控制任意一个或同时控制两个发光阵列115。当然，在一些实施例中，第二半导体层1022还可以仅包括电流扩散层1024，即电流扩散层1024直接与第一半导体层1021接触，从而电流扩散层1024与第一半导体层1021形成反向偏置的PN结，由此实现发光阵列115与衬底101的电隔离。同时由于第二半导体层1022的结构更加简单，使得制造工艺更加简单。

如图9所示，本实施例还提出另一种激光器，图9与图8的区别在于，在形成第一沟槽105时，第一沟槽105刻蚀至电流扩散层1024，即暴露出电流扩散层1024的表面。然后对电流扩散层1024和第一半导体层1031进行离子掺杂，从而在第二半导体层1022和第一半导体层1021内形成离子掺杂区116，由于离子掺杂区116的存在，因此电流无法通过该离子掺杂区116，从而实现两个发光阵列115电隔离。当然，在一些实施例中，离子掺杂区116还可以位于衬底101内。

如图6-图9所示，在本实施例中，通过形成共阳极(第一电极111)的发光阵列115，还可以将阳极与阴极(第二电极112)设置在同一侧，从而可以进行倒装芯片和表面安装应用。共阳极的发光阵列115的阳极和阴极可以省去键合线(bonding wire)来进一步减小3D传感模块的尺寸。

如图6-图9所示，在本实施例中，该衬底101为N型掺杂衬底(导电衬底)，N型掺杂衬底具有更少的晶体缺陷，因此第一反射层102也可以具有更少的晶体缺陷。因此可以提高该激光器的质量和可靠性。在一些实施例中，该衬底101还可以为P型掺杂衬底。当衬底101为P型掺杂衬底时，第一反射层102可以为N型下布拉格反射镜，衬底101和第一反射层102会形成反向偏置的PN结，从而实现发光阵列115与衬底101的电隔离。

如图10所示，本实施例还提出一种激光设备200，该激光设备200可以包括基板201和激光器202。激光器202设置在基板201上，基板201可以为PCB基板，激光器202可以为垂直腔面发射激光器，激光器202的结构可以参考上述描述。该激光设备200可以为激光雷达，红外摄像头，3D深度识别探测器，图像信号处理。在一些实施例中，该激光器201还可用于光通信中光源，例如光纤模块的光收发模块中的激光器。

综上所述，本发明提出一种激光器及其制造方法与应用，通过在衬底上形成至少两个发光阵列，每个发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个发光单元串联连接。在至少两个发光阵列之间中还包括隔离结构，隔离结构可以电隔离至少两个发光阵列。发光阵列包括第一反射层，第一反射层包括至少一层第一半导体层，第一半导体层与衬底接触，第一半导体层的离子掺杂类型与衬底的离子掺杂类型相反。第一反射层包括第二半导体层，第二半导体层位于第一半导体层上，第一半导体层的离子掺杂类型与第二半导体层的离子掺杂类型相反。当对发光阵列通入电流时，第一半导体层和第二半导体层会形成反向偏置的PN结，因此电流无法进入衬底中，从而实现发光阵列与衬底的电隔离。同时由于本发明采用导电衬底，导电衬底具有较低的缺陷，因此可以提高发光阵列的质量和可靠性。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明，本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案，例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

除说明书所述的技术特征外，其余技术特征为本领域技术人员的已知技术，为突出本发明的创新特点，其余技术特征在此不再赘述。

Claims (14)

1.一种激光器，其特征在于，包括：

衬底；

至少两个发光阵列，设置在所述衬底上，所述发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个所述发光单元之间串联连接；

隔离结构，设置所述衬底上，位于至少两个所述发光阵列之间，所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；

其中，所述发光阵列包括：

第一反射层，设置在所述衬底上，所述第一反射层包括至少一层第一半导体层，所述第一半导体层与所述衬底接触，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反，所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一反射层还包括至少一层第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述第二半导层的离子掺杂类型相反。

3.根据权利要求2所述的激光器，其特征在于，所述第一半导体层包括P型半导体层，所述第二半导体层包括N型半导体层，或者，所述第二半导体层包括N型半导体层和电流扩散层的层叠结构。

4.根据权利要求3所述的激光器，其特征在于，所述电流扩散层的离子掺杂类型与所述第一半导体层的离子掺杂类型相反。

5.根据权利要求2所述的激光器，其特征在于，所述隔离结构为离子掺杂区，所述离子掺杂区位于所述第一半导体层和第二半导体层内。

6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述隔离结构为沟槽，所述沟槽暴露出所述衬底。

7.根据权利要求5所述的激光器，其特征在于，所述离子掺杂区与所述衬底接触。

8.根据权利要求6所述的激光器，其特征在于，所述沟槽的底部和侧壁上包括绝缘层。

9.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述发光阵列包括：

有源层，设置在所述第一反射层上；

第二反射层，设置在所述有源层上。

10.根据权利要求1的激光器，其特征在于，所述发光阵列还包括支撑单元，所述支撑单元位于所述发光单元的一侧。

11.根据权利要求10所述的激光器，其特征在于，所述发光单元上包括第一电极，所述支撑单元上包括第二电极，所述第一电极和所述第二电极的高度平齐。

12.根据权利要求11所述的激光器，其特征在于，至少两个所述发光单元共用所述第二电极。

13.一种激光器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成至少两个发光阵列于所述衬底上，所述发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个所述发光单元之间串联连接；

形成隔离结构于所述衬底上，所述隔离结构位于至少两个所述发光阵列之间，所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；

其中，所述发光阵列包括：

第一反射层，设置在所述衬底上，所述第一反射层包括至少一层第一半导体层，所述第一半导体层与所述衬底接触，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反，所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。

14.一种激光设备，其特征在于，包括：

基板；

至少一激光器，设置在所述激光设备上，其中，所述激光器包括：

衬底；

至少两个发光阵列，设置在所述衬底上，所述发光阵列包括至少两个发光单元，至少两个所述发光单元之间串联连接；

隔离结构，设置所述衬底上，位于至少两个所述发光阵列之间，所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；

其中，所述发光阵列包括：

第一反射层，设置在所述衬底上，所述第一反射层包括至少一层第一半导体层，所述第一半导体层与所述衬底接触，所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反，所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。

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