CN102163537A - 一种废弃芯片单元回收利用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种废弃芯片单元回收利用方法,所述方法包括如下步骤:(1)选取引线框架,所述引线框架的引脚数量大于所述废弃芯片单元中的焊点数量;(2)将所述废弃芯片单元封装至所述引线框架,并将所述废弃芯片单元上的预留焊点电连接至所述引线框架中未使用的引脚;(3)通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构。本发明提供的方法使得在前段测试过程中废弃的芯片单元得以重新利用,打破废弃的芯片单元因数据线结构而形成的用途上的限制,变废为宝。从而减少了环境污染,提高了企业的经济效益。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装测试领域,尤其涉及一种废弃芯片单元回收利用方法。
背景技术
目前,在半导体行业的存储器晶片测试过程中,某些芯片单元可能会由于其自身具有某些缺陷而没有通过测试,例如需要生产DDRI 512Mbit(64Mbit×8)产品,该产品需有8根数据线,而前端测试中发现生产出来的产品只有4根数据线,即为DDRI 512Mbit(128Mbit×4),由于数据线结构限制而导致该产品没有通过测试。没有通过测试的芯片单元通常不能直接被利用。因此,这些芯片单元在塑封之前从晶片上被切割下来而淘汰和废弃掉。将测试出来的有缺陷的芯片单元直接报废,既对环境造成污染,又降低了企业的经济效益。
发明内容
本发明的目的在于提供一种废弃芯片单元回收利用方法,用于对半导体存储器中的因数据线结构限制而废弃的芯片单元进行回收利用,以解决半导体存储器中测试出来的有缺陷的芯片单元被直接报废,对环境造成污染,降低企业的经济效益的问题。
为解决上述问题,本发明提出一种废弃芯片单元回收利用方法,所述方法包括如下步骤:
选取引线框架,所述引线框架的引脚数量大于所述废弃芯片单元中的焊点数量;
将所述废弃芯片单元封装至所述引线框架,并将所述废弃芯片单元上的预留焊点电连接至所述引线框架中未使用的引脚;
通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构。
可选的,所述方法还包括:对所述经过回收的废弃芯片单元进行电压、电流的测试和功能性的测试,判断经过转换的数据线结构是否符合目标数据线结构。
可选的,所述通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构包括以下步骤:
对所述废弃芯片单元进行断路/短路测试和功能性测试,选出性能符合要求的废弃芯片单元;
对所述废弃芯片单元进行信号输入,用数字脉冲控制所述信号输入,并在与所述预留焊点相连接的引脚上加7V~9V的高电压脉冲信号,实现所述废弃芯片单元数据线结构的转化;
对所述预留焊点相连接的引脚降压;
对数据线结构转换后的所述废弃芯片单元的数据线进行功能测试。
可选的,所述废弃芯片单元的型号为4根数据线的DDRI 512Mbit(128Mbit×4)。
可选的,所述引线框架的型号为16根数据线的DDRI 512Mbit(32Mbit×16)。
本发明所提供的废弃芯片单元回收利用方法可对前段测试过程中废弃的芯片单元进行重新利用,打破废弃的芯片单元因数据线结构而形成的用途上的限制,变废为宝,从而减少了环境污染,提高了企业的经济效益。
附图说明
图1为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法的步骤流程示意图;
图2为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法的引线框架选取示意图;
图3为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法的封装打线示意图;
图4为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用形成合格产品封装后的效果图;
图5为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法中的改变产品数据结构的步骤流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的废弃芯片单元回收利用方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于,提供一种废弃芯片单元回收利用方法,该方法通过在封装测试阶段转换产品的数据线结构,使得在前段测试过程中废弃的芯片单元得以重新利用,打破废弃的芯片单元因数据线结构而形成的用途上的限制,变废为宝,从而减少了环境污染,提高了企业的经济效益。
下面将详细介绍对只有4根数据线而没有通过测试的DDRI 512Mbit(128Mbit×4)废弃芯片单元进行回收利用,转换为符合要求的含有8根数据线的DDRI 512Mbit(64Mbit×8)产品的过程。所述DDRI为双倍速率同步动态随机存储器。
请参考图1,图1为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法的步骤流程示意图,如图2所示,对只有4根数据线的DDRI 512Mbit(128Mbit×4)废弃芯片单元进行回收利用,转换为含有8根数据线的DDRI 512Mbit(64Mbit×8)产品的方法包括以下步骤:
选取引线框架,所述引线框架的内侧布有引线,外部具有引脚,所述引线用于将芯片单元的焊点引出到所述引脚,使得对焊点进行的各种操作可通过对所述引脚进行,所述引脚的数量大于所述废弃芯片单元中的实际需要用到的焊点数量;
将所述废弃芯片单元封装至所述引线框架,即将所述废弃芯片单元中的焊点与所述引线框架上的的引线相连,所述引线框架上的的引线与所述引线框架外部的引脚相连,并将所述废弃芯片单元上的预留焊点电连接至所述引线框架中未使用的引脚。通常,任意芯片单元上都存在一个或者一个以上的预留焊点,所述预留焊点用于改变芯片单元的某些特性,这是因为生产出来的芯片单元,其所有特性即定,不能更改,而这对将来的应用会有所限制,设置预留焊点的目的就是通过它来改变芯片单元的某些特性。在正常情况下,所述预留焊点未与芯片外部的引脚导通。
通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构。对所述废弃芯片进行电压、电流的测试和功能性的测试,筛选出符合目标数据线结构的芯片。
下面将对上述步骤分别进行详细介绍,对于选取引线框架,请参考图2,图2为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法的引线框架选取示意图,如图2所示,在选取引线框架时,应满足引脚数量大于所述废弃芯片单元中的焊点数量,例如在将4根数据线的DDRI 512Mbit(128Mbit×4)废弃芯片单元转换为8根数据线的DDRI 512Mbit(64Mbit×8)时,若选用512Mbit(64Mbit×8)的引线框架,就不可能在预留焊点1上引出一条金线来,因为所有的引线框架上的引线都被占满了,没有多出来的引线。解决这个问题的方法就是用512Mbit(32Mbit×16)的引线框架,从而就有可利用的引线,所述可利用的引线未与任何焊点相连,如引线2。
对于将废弃芯片单元封装至引线框架请参考图3,图3为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法的封装打线示意图,如图3所示,选取了合适的引线框架后,在封装打线时,用金线将预留焊点1和可利用的引线2连接起来,从而把预留焊点1与外部引脚3接通。
请继续参考图4,图4为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用形成合格产品封装后的效果图,由于封装之后,所述预留焊点1与外部引脚3接通,因此对该预留焊点1的操作,如加7V~9V的脉冲高电压,可通过该外部引脚3进行,即只需在外部引脚3上加7V~9V的脉冲高电压即可。
对于通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构,请继续参考图5,图5为本发明实施例提供的废弃芯片单元回收利用方法中的改变产品数据结构的步骤流程图,如图5所示,对于通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构包括以下步骤:
对所述废弃芯片单元进行断路/短路测试和功能性测试,选出性能符合目标数据线结构的废弃芯片单元;
对所述废弃芯片单元进行信号输入,用数字脉冲控制所述信号输入,并在与所述预留焊点相连接的引脚上加7V~9V的高电压脉冲信号,实现所述废弃芯片单元数据线结构的转化;
对所述预留焊点相连接的引脚降压,恢复产品的普通模式;
对数据线结构转换后的废弃芯片单元的数据线进行功能测试。
在本发明的一个具体实施例中,所述废弃芯片单元回收利用方法是描述成将4根数据线的DDRI 512Mbit(128Mbit×4)废弃芯片单元回收利用,转换为8根数据线的DDRI 512Mbit(64Mbit×8)的方法,然而应该认识到,所述废弃芯片单元回收利用方法还可以对由于数据线结构限制而未通过测试的其它的存储器产品进行回收利用。
综上所述,本发明提供了一种废弃芯片单元回收利用方法,该方法通过在封装测试阶段转换产品的数据线结构,使得在前段测试过程中废弃的芯片单元得以重新利用,打破废弃的芯片单元因数据线结构而形成的用途上的限制,变废为宝,从而减少了环境污染,提高了企业的经济效益。
显然,本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (5)
1.一种废弃芯片单元回收利用方法,用于对半导体存储器中的因数据线结构限制而废弃的芯片单元进行回收利用,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
选取引线框架,所述引线框架的引脚数量大于所述废弃芯片单元中的焊点数量;
将所述废弃芯片单元封装至所述引线框架,并将所述废弃芯片单元上的预留焊点电连接至所述引线框架中未使用的引脚;
通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构。
2.如权利要求1所述的废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述方法还包括:对所述经过回收的废弃芯片单元进行电压、电流的测试和功能性的测试,判断经过转换的数据线结构是否符合目标数据线结构。
3.如权利要求1所述的一种废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构包括以下步骤:
对所述废弃芯片单元进行断路/短路测试和功能性测试,选出性能符合要求的废弃芯片单元;
对所述废弃芯片单元进行信号输入,用数字脉冲控制所述信号输入,并在与所述预留焊点相连接的引脚上加7V~9V的高电压脉冲信号,实现所述废弃芯片单元数据线结构的转化;
对所述预留焊点相连接的引脚降压;
对数据线结构转换后的所述废弃芯片单元的数据线进行功能测试。
4.如权利要求1所述的一种废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述废弃芯片单元的型号为4根数据线的DDRI 512Mbit。
5.如权利要求1所述的一种废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述引线框架的型号为16根数据线的DDRI 512Mbit。
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CN106920738A (zh) * | 2017-02-20 | 2017-07-04 | 深圳市昱燊科技有限公司 | 一种报废ic重新使用的方法 |
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