CN102160202A - 用于照明模块的光盘 - Google Patents

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Abstract

一种在将从发光二极管芯片发射的光转换成白光中使用的光盘。该光盘包括锥形表面，使得盘的中央区域具有比盘的外部区域的宽度更大的宽度。该光盘由具有至少一个重量百分比磷光体混合物的硅树脂形成。还介绍了该一般描述的光盘的各个实施例。

Description

用于照明模块的光盘
技术领域
本发明涉及用于照明模块的光盘。更具体而言，本发明涉及用于影响从发光二极管芯片发射的光的光盘。
背景技术
发光二极管（LED）是在受电量激励时发光的半导体器件。一般而言，LED包括布置在封装内的LED芯片。LED芯片是用杂质注入或掺杂以形成p-n结的半导电材料（或材料组合）。当电流流经正向偏置的LED芯片时，电子“跳过”p-n结且发光。封装通常是具有将LED芯片耦合到电流源的电连接的塑料或陶瓷材料。LED封装的主要缺点在于封装的热阻可能非常大（即，大于100℃/W），这恶化了LED芯片的寿命和性能。术语“发光二极管芯片”、“LED芯片”、“芯片”或“LED管芯（die）”用于表示半导电p-n结，且由此区别于术语LED，所述LED一般包括芯片及其封装二者。
LED是比白炽光源更高效的光源。然而，使用LED作为一般照明应用的光源的一大挑战在于从单独的LED芯片获得充足的光。换句话说，与例如钨灯丝的其他光源相比，单独的LED芯片不提供足够的光。然而，当若干LED组合成LED阵列时，阵列中所有LED芯片的组合和累积效应产生具有充足光的光源。
LED正经历增多地应用于照明应用。LED在照明器材中的早期使用倾向于采用一般被称为照明模块的分组在一起的高功率LED（典型地，1W芯片）。于是可以在照明器材中采用一个或更多照明模块。为了产生均匀的光源，LED必须布置得足够靠近以通过漫射体“调和（blend）”光。另外，存在最小化照明器材的厚度的增加的要求，这要求LED布置得更加靠近。当LED移动得更加靠近时，存在外来热管理解决方案（例如，风扇、冷却肋片、热管等）的增加的需要。
除了热问题之外，使用LED的照明模块必须被设计为解决诸如颜色均匀性和分档（binning）的光学问题。例如，取决于使用的半导电材料，LED芯片可以发出不同颜色的光。为了产生白光，一般采用两种技术。在一种技术中，三个LED芯片（一个红色、一个蓝色以及一个绿色）捆绑在一起，使得累积输出导致白光源。第二种技术采用涂覆或封装有磷光体的UV/蓝LED芯片。LED芯片发射特定波长（UV或蓝色区域中）的光。发射的光激励磷光体，这导致白光的发射。然而，当制造LED芯片时，单个半导电晶片可以产生变化波长的LED芯片。LED芯片制造商于是必须采用昂贵的分档过程来通过波长组织（或分档）LED芯片。为了确保均匀性，LED照明模块的制造商将需要来自分档的小范围的LED芯片。这种限制增加了照明模块的制造成本。
发明内容
此处提出一种在将从发光二极管芯片发射的光转换成白光中使用的光盘。一般而言，光盘包括锥形表面，使得盘的中央区域具有比盘的外部区域的宽度更大的宽度。光盘一般由具有至少一个重量百分比磷光体混合物的硅树脂形成。还介绍这些一般描述的光盘的各种实施例。
附图说明
结合在此且形成本说明书一部分的附图说明本发明的实施例。与提供的说明一起，附图用于解释本发明的原理且由此使得相关领域技术人员能够构成和利用本发明。
图1是根据一个实施例的照明模块的示意图。
图2示出根据一个实施例的照明模块200。
图3示出替代照明模块布置的部分侧视图。
图4示出替代照明模块布置的部分侧视图。
图5示出替代照明模块布置的部分侧视图。
图6示出图5的照明模块布置的部分平面图。
图7示出替代照明模块布置的部分侧视图。
图8示出替代照明模块布置的部分侧视图。
图9示出图8的光盘的侧视图。
图10示出光杯（optical cup）的透视图。
图11A示出替代光杯的透视顶视图。
图11B示出图11A的光杯的透视底视图。
图12示出说明制作根据本发明的照明模块的方法的流程图。
图13说明制备照明模块的方法。
图14说明用于使用此处描述的任意照明模块服务于客户的方法。
图15A-15C提供支持此处提出的另一实施例的说明。
具体实施方式
此处提出一般包括基底板（base panel）和直接附接到基底板的多个发光二极管（LED）芯片的照明模块。介绍该一般概念的各个实施例。另外，介绍制备照明模块的方法以及照明模块的系统组件。参考图描述提供的实施例，其中，相似的参考数字一般表示相同或功能类似的元件。同样，每个参考数字的最左边数字一般对应于首次使用该参考数字的图。尽管讨论特定配置和布置，应当理解，这样做仅用于说明目的。相关领域技术人员应当意识到，可以在不偏离所附权利要求的精神和范围的情况下使用其他配置和布置。
图1是根据此处提出的一个实施例的照明模块100的示意图。照明模块100包括布置在衬底或基底板111上的LED芯片110的阵列。LED芯片110直接附接到基底板111。如在此使用的，术语“直接附接”意指广义地表示LED芯片到衬底的粘附或其他附接而没有基础的封装。在一个实施例中，LED芯片110使用充满Ag的胶粘合到基底板111。其他技术可用于将LED芯片110直接附接到基底板111。例如，LED芯片110可以使用共晶焊接直接附接到基底板111。
在所示实施例中，LED芯片110电耦合到并联电路中的第一和第二导电迹线112和114。尽管在并联电路中示出LED芯片110，本领域技术人员将容易知道如何在等效串联电路中布置LED芯片110。如图1中所示，LED芯片110直接附接到与第一导电迹线112接触的基底板111，且通过引线接合（wire bond）120电耦合到第二导电迹线114。第一和第二导电迹线112、114于是耦合到从电源140接收功率的电流调整器130。电源140典型地是AC电源。来自电源140的AC功率然后在电流调整器130处转换成DC电流。本领域技术人员应当理解，在此使用的术语“功率源”意指广义地表示用于向LED芯片输送必要电流或电压的任意装置。这样，合适的功率源可以是单个DC电源或与AC/DC转换器和/或电流调整器组合的AC电源。
电流调整器130、电源140和导电迹线112、114及等效结构用作通过使输送到照明模块100的电流量封顶（capping）向LED芯片110输送降额（de-rated）电流且提供可靠的低噪声电流的装置。在一个实施例中，例如，电流调整器130设计为提供低至0.050安培的电流，其中噪声变化不大于约0.010安培。可以使用替代等效结构，最终结果是产生具有电耦合到功率源和阴极/阳极连接的多个LED芯片110的电路。
LED芯片110一般是小的低功率LED芯片。例如，LED芯片110可以小至约260μm宽×约450μm长，且具有约20mA的额定电流，其中正向电压约3.2V。在替代实施例中，LED芯片110可以大至约500μm宽×约500μm长，且具有约88mA的额定电流和约3.2V的正向电压。
在一个实施例中，基底板111是具有导电迹线112和114的印刷电路板（PCB）。如本领域技术人员将已知的，各种衬底可以用作用于维持多个LED芯片的装置。衬底材料的选择部分地取决于照明模块的所需属性，且更具体而言取决于将收容照明模块的照明应用和/或照明器材的结构需求。例如，一个照明应用可能需要电绝缘的陶瓷衬底，而替代照明应用可能需要导热金属或陶瓷衬底。另外，衬底的厚度可以针对特定应用被调节。示例衬底包括铝箔、阳极氧化铝、金属铠装印刷电路板、氮化铝和各种其他金属或陶瓷衬底。替代实施例包括衬底上的涂层。例如，在一个实施例中，衬底可以由顶部涂覆有电介质层的阳极氧化铝形成。电介质层可以是Al2O3的阳极化层（anodized layer）。在替代实施中，衬底可以涂覆有聚合物电介质。聚合物电介质可以是填充有诸如Al2O3、SiO2或TiO2的陶瓷颗粒的硅树脂。在另一实施例中，衬底可以涂覆有TiO2嵌入式硅树脂。
在一个实施例中，根据特定充填密度，基底板111填充有LED芯片110。与倾向于使用小数量高功率封装LED的常用LED照明模块相反，此处提出的照明模块通过采用相对大数量的低功率LED芯片解决热和光问题。LED芯片直接附接到基底板且通过向LED芯片输送“降额”电流而供电。芯片的降额由此维持一般较低总操作温度且增加单独的芯片的输出效率。
照明模块100的充填密度（pack-density）考虑：仅当对流和辐射被认为是热损耗机制时，对于给定区域（以及温度上升）的热输入具有限制。换句话说，基底板111可以根据最大热通量或每单位面积热输入填充有LED芯片110。在一个实施例中，例如，充填密度依照下面的数学关系：
Figure 884483DEST_PATH_IMAGE001
。
对于例如60℃的最大板温（Tb）和例如20℃的恒定环境温度（To），该方程式平衡左手边的每单位面积热输入（Q/A）与右手边的辐射和对流。在方程式的辐射部分，符号是σ（斯台范玻耳兹曼常数（Stefan-Boltzman constant））和ε（发射率，其是恒定的且任意假设为0.5；或者对于黑体设置为1）。在方程式的对流部分，符号hair是对流系数且假设为恒定且任意选择为15 W/m2K（但可以从10-100 W/m2K变化）。
上述分析仅是示例，因为它过于简化且依赖于发射率和对流系统的任意值。然而，上述分析允许每单位面积最大热输入的估算作为设计指导。例如，每单位面积热输入（Q/A）可以约为0.5 W/in2。在替代实施例中，每单位面积热输入（Q/A）可以分布在从约0.1W/in2至约0.7W/in2的范围内。这种估算于是“固定”每单位面积最大芯片数，如果芯片以其额定电流驱动的话。通过使用较小芯片且减小用于每个芯片的驱动电流，更多的芯片可以放置在给定区域，而无增加的板温。例如，典型的1mm“高功率”芯片在约3.2V的正向电压（Vf）情况下以350mA的额定正向电流操作，导致1.12W的输入功率。典型地，1mm芯片在该正向电流约20%有效，所以约0.9W必须作为热消散。从上面的分析，该芯片要求约1.8 in2来通过对流和辐射消散热，且由此限制板温为约60℃。（作为副作用，从板到LED芯片具有约10-20℃的附加温度上升，使得芯片的实际温度（称作结温（Ti））上升到约70-80℃）。因而，1mm芯片的充填密度约为每1.8 in2 1个芯片。使用0.5 mm“低功率”芯片，且降额正向电流到约45mA，导致约0.14 W的每芯片热输入。使用低功率芯片使可允许的充填密度增加到约每平方英寸4个芯片。净效应是具有更多单独光源的照明模块（每两平方英寸8个芯片对每两平方英寸1个芯片）。另外，这种照明模块不需要辅助散热技术。
上述分析例如可以在图13中提供的方法中采用。图13说明制备具有基底板和多个LED芯片的照明模块的方法1300，其中，该照明模块设计为具有低于60℃的操作温度。方法1300开始于步骤1301，其中，根据辐射和对流计算每单位面积热输入。在步骤1303，基于LED芯片的额定正向电流，计算LED芯片的热输入。在步骤1305，LED芯片直接附接到基底板。在步骤1307，向多个芯片输送降额电流。
在替代实施例中，根据特定流明密度度量，基底板111填充有LED芯片。如在此使用的，“流明密度度量”缩写为LD且定义为：
Figure 644628DEST_PATH_IMAGE002
其中Ab是基底板的面积，Ah是总对流面积，Aem是发射面积（即，芯片的大小乘以芯片的总数），L是流明，且LPW是流明每瓦。在一个示例性实施例中，提供具有直接附接到约4英寸×4英寸的基底板的25个LED芯片的照明模块。每个LED芯片约为500μm×500μm，具有约3.2+/-0.3伏特的正向电压以及约0.080+/-.010安培的额定电流。这种照明模块估算为具有约2.9×106流明平方每面积瓦（lumens squared per area watt）（lm2/mm2W）的LD。对照地，发明人估算现有技术照明模块具有小于约1.0×106 lm2/mm2W的LD。例如，LCD背光模块估算为具有约7.0×105-8.1×105 lm2/mm2W的LD。OSRAM光电半导体公司出售的OSTAR®LE W E3B照明模块具有约1,500 lm2/mm2W的估算LD。用于比较目的，相比于用于各个现有技术照明模块的估算的流明密度度量，下面的图表略述上述示例性实施例的估算的流明密度度量。
Figure 849345DEST_PATH_IMAGE003
图2示出根据一个实施例的照明模块200的侧视图。如图2中所示，多个LED芯片110直接附接到基底板111而无标准LED封装。LED芯片110经由引线接合120与导电迹线（未示出）电通信。尽管示出了引线接合技术，电耦合LED芯片110到阳极/阴极连接的其他手段处于本领域技术人员的范围内。例如，替代实施例可以使用“倒装（flip-chip）”技术来向LED芯片输送电流。
照明模块200包括分离器单元230以从漫射板240间隔基底板111。漫射板240用作漫射从多个LED芯片110发射的光的装置。这样，照明模块200的观看者看不见像素状的芯片阵列，而是看见均匀的光源。漫射板240还可以具有嵌入其中的磷光体，使得当使用蓝/UV LED芯片时，漫射板240内的磷光体将蓝/UV光转换成白光。在一个实施例中，漫射板240可以涂覆有磷光体或磷光体混合物。替代地，漫射板240可以点缀有磷光体或磷光体混合物。
图3示出替代照明模块布置300的部分侧视图。如图3中所示，LED芯片110直接附接到基底板111。LED芯片110可以是蓝/UV LED芯片。通过用磷光体掺杂的涂层/材料301覆盖LED芯片110，从LED芯片110发射的光于是可以转换成白光。在所示实施例中，涂层301具有覆盖LED芯片110的“气泡”形式。在替代实施例中，涂层301可以简单地覆盖LED芯片110的表面或一部分。
图4示出替代照明模块布置400的部分侧视图。如图4中所示，LED芯片110直接附接到基底板111。LED芯片110可以是蓝/UV LED芯片。通过直接在LED芯片110上方附接磷光体掺杂的穹顶401到基底板111，从LED芯片110发射的光于是可以转换成白光。
图5示出替代照明模块布置500的部分侧视图。图6示出照明模块布置500的部分平面图。LED芯片110直接附接到基底板111，使得LED芯片110经由引线接合120与第一和第二导电迹线112、114电通信。光杯501然后附接到基底板111以环绕LED芯片110。光杯501由向上延伸的外围壁504和倾斜的内表面505形成。在一个实施例中，光杯501在内表面505上涂覆有反射涂层。在替代实施例中，光杯501本身可以由反射材料形成以避免反射涂层的需要。光杯501还包括口区域530。光杯501以及等效结构用作重定向从LED芯片110发射的光的装置。如下面所讨论的，图10、11A以及11B分别示出替代光杯501和1101的各个视图。
图7示出替代照明模块布置700的部分侧视图。LED芯片110直接附接到基底板111。光杯501安装在基底板111上，以环绕LED芯片110。在图7中所示的实施例中，至少一个透明材料层布置在光杯501内。例如，第一硅树脂层702布置在LED芯片110上方。如所示，第二硅树脂层704于是可以施加在第一硅树脂层702上方。如果采用蓝/UV LED，这种层可用于使用磷光体将从LED芯片110发射的光转换成白光。
图8示出替代照明模块布置800的部分侧视图。如图8中所示，LED芯片110直接附接到基底板111。光杯501环绕LED芯片110。光盘801布置在光杯501内。光盘801可用于将从LED芯片110发射的光转换成白光。例如，光盘801可以是磷光体掺杂的，从而将从蓝/UV LED芯片110发射的光转换成白光。这样，光盘801以及等效结构用作从LED芯片发射的光的远程磷光体转换的装置。可选地，硅树脂或粘合剂布置在光盘801和LED芯片110之间的区域802内。
图9示出了布置在光杯501内的光盘801的侧视图。光盘801包括下表面904和上表面905。下和/或上表面904、905是锥形的，使得光盘801的中央区域具有比光盘801的周围表面909的宽度910更大的宽度。表面904、905可以被修改为凸面的、平凹的或新月形的。光盘801也可以是磷光体掺杂的，由此用作从LED芯片发射的光的远程磷光体转换的装置。在操作中，来自LED芯片110的光射线透射过光盘801，使得每个射线具有透过光盘801的基本相似的路径长度；优选地，路径长度不相差大于百分之一。
光盘801被设计为在盘的表面区域上均匀地转换蓝/UV光。磷光体一般用于将蓝/UV光转换成白光。转换过程且尤其是蓝/UV光相互作用的磷光体的量确定光提取的效率。如果使用太少的磷光体，则所得的光具有较低通量，且存在基本未转换的蓝/UV光，这降低了转换过程的总效率。如果使用太多的磷光体，转换的光将太黄。另外，来自标准表面发射蓝/UV LED芯片的光发射在所有方向中并不相同。例如，光强在正向方向中达到峰值。如果LED芯片被均匀厚度的磷光体封装，则所得的光将不均匀白。这种效果在商业可购得的封装LED中常见。光盘801的形状解决该问题。
例如，光盘801的形状可以被配置，使得蓝/UV光的吸收路径长度在所有方向大约相等。不均匀厚度的光盘801导致LED芯片110的相对均匀的白光分布、更好的颜色控制和/或更高的总效率。参考图9，考虑的尺寸是：光盘801的端部厚度910；光杯501的内部高度920；光盘801的直径930；光杯501的中央开口直径940；LED芯片高度（未编号）；LED宽度（未编号）；和/或光盘801的曲率半径（未编号）。光盘801的磷光体加载可以在0.5个重量百分比和10个重量百分比之间。在一个实施例中，光盘801是磷光体掺杂的液体硅树脂橡胶，诸如LSR-70。
图10示出光杯501的透视图。如图10中所示，光杯501包括中央开口1007。当光杯501胶合到基底板111时，可以在光杯501的下表面1011上形成气泡。图11A示出替代光杯1101的透视顶视图。图11B示出光杯1101的透视底视图。至少一个切口1112沿着杯1101的外围壁1104形成，形成腿1103。切口1112允许空气流动且使杯1101通风。这样，在光杯110下，气泡不变成锥形。光杯1101的结构用作最小化光杯的底表面上气泡形成的装置。
磷光体
如上所述，如一般的照明应用所需要的，为了产生白光，可以与布置在LED芯片的光路径中的磷光体组合地采用蓝/UV LED芯片。从LED芯片发射的蓝/UV光激励磷光体，且发射的光和磷光体激励的累积效应产生白光。可以采用若干蓝/UV LED芯片和磷光体组合。下面提供可以在此处提供的任意实施例中采用的芯片/磷光体组合。提供的组合仅是示例且不是穷举。其他组合处于本领域技术人员的范围内。例如，整体通过引用结合于此的美国专利No.7,224,000和7,176,502公开了其他芯片和磷光体组合。
例如，在一个示例性实施例中可以使用蓝LED和发射黄色YAG:Ce的磷光体。在替代实施例中，可以采用下面的组合：蓝LED芯片和TAG:Ce磷光体；发射深UV的LED芯片（从约230-270nm发射）与发射红色的Y2O3:Eu磷光体；发射深UV的LED芯片与发射绿色的La(PO4):Ce或(Ce,Tb)MgAlxOy:Ce、Tb或ZnSiO4:Mn磷光体；发射深UV的LED芯片和发射蓝色的BaMgxAlyOz:Eu或Sr(Cl)(PO4)3:Eu磷光体。在替代实施例中，来自蓝LED芯片的蓝光与绿色、黄色和红色磷光体发射相混合以产生白光。磷光体层完成具有黄色和红色成分的发射光谱以产生所期望的色温的白光。
用于LED光激励的磷光体的颗粒大小典型地处于约1-10微米的范围中。也可采用大于10微米的颗粒大小。散射由于较小颗粒大小而变得更强且增加反射回芯片的蓝光的量，具有降低小尺寸（例如纳米）磷光体的量子效率的附加复杂化。磷光体涂层厚度典型地处于5-100微米的范围中，且优选地处于10-30微米之间。该范围取决于颗粒大小和使用的每个成分的催化剂浓度以及在直接受非吸收的蓝光的量影响的CCT和CRI方面的所期望的结果。
方法
图12示出说明制作根据本发明的实施例的照明模块的方法1200的流程图。方法1200开始于步骤1201，其中LED芯片直接附接到基底板上以与导电迹线电通信。在步骤1203，在每个LED芯片周围，光杯被附接到板。在步骤1205，光杯被填充有清澈硅树脂或硅树脂磷光体混合物。在替代实施例中，代替或者除了用清澈硅树脂混合物填充光杯之外，如图8和9中所示的光盘可以布置在光杯内。
图14示出说明使用此处描述的任意照明模块服务于客户的方法1400的流程图。在步骤1401，根据上述结构实施例之一制作照明模块。照明模块填充有第一和第二组LED芯片。在步骤1403，对第一组LED芯片供电。第二组LED芯片被设立，使得第二组并不与第一组一起激活。第二组芯片仅当第一芯片阵列故障或烧断时才被激活。在步骤1405，服务程序（servicer）禁用第一组LED芯片且对第二组LED芯片供电。销售这种系统的制造商由此可以提供一种有效地提供“双寿命”的系统，因为当第一组LED芯片故障时，服务程序可以激活第二组LED芯片而无需替换整体系统。第二组芯片还可以在第一组芯片意外故障时用作紧急照明系统。
工业适用性
在操作中，此处提出的照明模块可以被分布且销售为用于一般照明应用的LED灯。可以采用诸如螺栓、螺丝钉、夹具、胶、铆钉的附接装置或者其他附接装置来将照明模块附接到用于任意给定照明应用的任意给定照明器材。
示例
下面的段落用作上述系统的示例。除非明确声明，提供的示例是预言性示例。
示例1
在一个示例中，照明模块配备有附接到基底板的多个矩形LED芯片（260μm×450μm）。LED芯片一般具有约20mA的额定电流和约3.2V的正向电压。在操作中，14mA的正向电流（降额电流）被输送到LED芯片。这样，每芯片输入功率约为0.064W。用于此示例的设计充填密度约为每平方英寸4个芯片。该示例的板温约为56℃。由于以较低电流驱动芯片，因为LED芯片的效率随减小电流而增加，该示例还具有增加的芯片效率的附加优点。例如，以14mA的降额电流驱动的260μm×450μm芯片的效率约为30％（即，输入功率的30%转换成光，剩余的70%是热），而以20mA的其额定电流驱动的相同芯片的效率约为27％。这样，通过降额芯片，通过减小的输入功率和较高的效率而减少了热。
示例2
在另一示例中，照明模块配备有附接到基底板的多个正方形LED芯片（500μm×500μm）。LED芯片一般具有约150mA的额定电流和约3.2V的正向电压。在操作中，以约45mA的降额电流驱动芯片。这种照明模块的设计充填密度约为每平方英寸1个芯片。
示例3
在另一示例中，照明模块配备有接合到印刷电路板的63个LED芯片管芯（相等地相间隔，即9行的7个芯片）。反射光杯然后布置在每个芯片周围且填充有装载磷光体的硅树脂（即，1-2重量百分比的磷光体）。成型的光盘然后布置在光杯顶部。盘被设计为适合于杯子内且不接触引线接合或芯片。在替代实施例中，在每个光杯内布置两个或更多LED芯片。
这种照明模块组合了板上芯片（COB（chip-on-board））LED构造的热优点与封装的分立LED构造的增强的光提取，以形成2D LED阵列照明模块。照明模块用接合到具有在单独的芯片周围所构建的光杯、硅树脂、磷光体转换和光学设备的印刷电路板的2D阵列芯片管芯构建。
示例4
下面的表格提供用于光盘801和光杯501的样品尺寸和规格。
Figure 985928DEST_PATH_IMAGE004
示例5
图15A-15C提供支持此处提出的另一实施例的说明。具体而言，图15A-15C说明制备照明模块1500的迭代步骤。首先，提供基底板1511。基底板1511可以是印刷电路板，诸如是具有在一个表面上布置的绝缘层的铝板。导电迹线1512被施加在绝缘层上。如图15A中所示，导电迹线1512不同于图1的导电迹线112、114之处在于，导电迹线1512呈现用于向LED芯片输送电流的串联电路。提供用于将导电迹线1512电连接到表面安装连接器（未示出）的导线1530。表面安装连接器然后连接到用于向导电迹线1512输送电流的功率源。功率源可以是DC电源或者是与AC/DC转换器和/或电流调整器组合的AC电源。
如图15B中所示，基底板1511覆盖有掩膜1540（即，焊接掩膜）。掩膜1540包括多个开口1542以露出导电迹线1512的必要部分。换句话说，掩膜1540用于覆盖不需要露出的导电迹线1512的部分。如图15C中所示，LED芯片110然后固定到导电迹线1512的管芯接合区域1550。电路然后被单独的LED芯片110和邻近导电迹线1512之间的引线接合1560闭合。以上提出的光杯501、1101和/或光盘801可以粘合到照明模块1500。
在提出的示例中，照明模块1500包括大小为约500μm×约500μm的25个LED芯片。约50mA的电流被输送到照明模块1500，电压约为80+/-7.5V。因此，每个芯片接收约50mA的正向电流和约3.2+/-0.3V的正向电压。如果照明模块1500并联布置，则25个LED芯片将需要在芯片之中共享约3.2V的电压和约1.25A的正向电流。每个LED芯片一般与最近的LED芯片相间隔约18mm。
结论
应当理解的是，详细说明部分、而非本发明的简述、示例和抽象部分意在用于解释权利要求。本发明的简述、示例和抽象部分可以阐明如（多个）发明人预期的本发明的一个或更多个但非全部的示例性实施例，且因而并不意在以任意方式限制本发明和所附权利要求。
特定实施例的上述描述因此将完全揭示本发明的一般性质，通过应用本技术领域内的知识，在不偏离本发明的一般概念的情况下下，其他人员无需过度的实验便可容易针对各种应用修改和/或适应这些特定实施例。因此，基于此处提出的教导和指引，这种适应和修改意在处于公开的实施例的等效的意义和范围内。应当理解，此处的措词或术语用于描述而非限制目的，使得根据教导和指导，本说明书的术语或措词可被技术人员解释。
本发明的宽度和范围不应受限于任意上述示例性实施例，而应仅根据下面的权利要求及其等效限定。

Claims (12)

1.一种在将从发光二极管芯片发射的光转换成白光中使用的光盘，包括：
锥形表面，使得盘的中央区域具有比盘的外部区域的宽度更大的宽度；
其中盘由具有至少一个重量百分比磷光体混合物的硅树脂形成。
2.根据权利要求1所述的光盘，其中硅树脂是LSR-70。
3.根据权利要求1所述的光盘，其中盘具有在1-10个重量百分比之间的磷光体混合物。
4.一种在将从发光二极管芯片发射的光转换成白光中使用的光盘，包括：
上表面、下表面和周围表面；
其中周围表面限定光盘的直径以及盘的端部厚度；
其中端部厚度约为1.0mm；
其中盘的直径约为3.0mm；并且
其中上表面具有约9.0mm的曲率半径。
5.根据权利要求4所述的光盘，其中硅树脂是LSR-70。
6.根据权利要求4所述的光盘，其中盘具有在1-10个重量百分比之间的磷光体混合物。
7.一种在将从发光二极管芯片发射的光转换成白光中使用的光盘，包括：
上表面、下表面和周围表面；
其中周围表面限定光盘的直径以及盘的端部厚度；
其中端部厚度约为0.5mm；
其中盘的直径约为3.0mm；并且
其中上表面具有约13mm的曲率半径。
8.根据权利要求7所述的光盘，其中硅树脂是LSR-70。
9.根据权利要求7所述的光盘，其中盘具有在1-10个重量百分比之间的磷光体混合物。
10.一种在将从LED芯片发射的光转换成白光中使用的光盘，包括：
上表面、下表面和周围表面；
其中周围表面限定光盘的直径以及盘的端部厚度；
其中端部厚度约为2.0mm；
其中盘的直径约为3.0mm；并且
其中上表面具有约8.5mm的曲率半径。
11.根据权利要求10所述的光盘，其中硅树脂是LSR-70。
12.根据权利要求10所述的光盘，其中盘具有在1-10个重量百分比之间的磷光体混合物。
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