JP2012136749A - 光反射基板 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、高い反射率を示すと共に、反射率の異方性が小さく、等方性に優れた発光を得ることができる光反射基板、および、それを用いた発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】アルミニウム基板と、その上にアルミニウムの陽極酸化皮膜とを備える光反射基板であって、前記陽極酸化皮膜表面における第一の方向の表面粗さＲａ１と、前記第一の方向と直交する第２の方向の表面粗さＲａ２との比（但し、Ｒａ１およびＲａ２のうち、より大きな値の方を分母とし、値の小さい方を分子とする。なお、Ｒａ１およびＲａ２が同じ値である場合は、いずれが分母であってもよい。）が０．４〜１．０であり、Ｒａ１およびＲａ２が、それぞれ０．１〜０．４μｍである、光反射基板。
【選択図】なし

Description

本発明は、光反射基板に関するものであり、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いられる光反射基板に関するものである。

一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
特に、白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０〜１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０〜１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
これにより、蛍光灯にかわり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。

このようなＬＥＤの発光出力を向上させる目的で、アルミニウムの金属基板と、その上に陽極酸化皮膜とを備える光反射基板を使用する提案がなされている（特許文献１）。

特開２００７−２５１１７６号公報

近年、ＬＥＤ素子の使用範囲が室内外の照明、自動車ヘッドライト、ディスプレイ装置のバックライトユニットなど様々な分野に拡がっており、光が均一に放射されることが信頼性、意匠性などの観点からより重要となっている。
一方、本発明者らは、特許文献１を参照して、アルミニウムの金属基板と、その上に陽極酸化皮膜とを備える光反射基板について検討を行った結果、光の入射方向による反射率の異方性が発生する場合があることを明らかにした。より具体的には、反射率の測定の際に、ある方向で測定した反射率と、その方向に直交する方向で測定した反射率が異なることを見出した。このような異方性があると、発光素子を光反射基板上に配置する向きによって、得られる発光ユニットの発光効率が異なってくるため、発光ユニットのロッド間で性能のバラツキが生じるおそれがある。
さらに、従来の光反射基板では、必ずしも反射率自体が近年要求されるレベルを十分に満たしているとは言えなかった。

そこで、本発明は、上記実情に鑑みて、高い反射率を示すと共に、反射率の異方性が小さく、等方性に優れた発光を得ることができる光反射基板、および、それを用いた発光素子を提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、陽極酸化皮膜上の表面粗さＲａを所定の範囲とすることにより、全反射率の異方性を抑制することができることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、以下の（１）〜（６）を提供する。

（１） アルミニウム基板と、その上にアルミニウムの陽極酸化皮膜とを備える光反射基板であって、
前記陽極酸化皮膜表面における第一の方向の表面粗さＲａ１と、前記第一の方向と直交する第２の方向の表面粗さＲａ２との比（但し、Ｒａ１およびＲａ２のうち、より大きな値の方を分母とし、値の小さい方を分子とする。なお、Ｒａ１およびＲａ２が同じ値である場合は、いずれが分母であってもよい。）が０．４〜１．０であり、
Ｒａ１およびＲａ２が、それぞれ０．１〜０．４μｍである、光反射基板。

（２） 前記陽極酸化皮膜表面の断面曲線における平均長さＰｓｍが５０以上である、（１）に記載の光反射基板。
（３） 前記陽極酸化皮膜中のマイクロポアの深さに対する前記マイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）が、１．０〜１．２である、（１）または（２）に記載の光反射基板。

（４） アルミニウム基板に対して粗面化処理として電気化学的粗面化処理のみを行った後、１５ｇ／ｍ²以上のエッチング量でエッチング処理を行い、さらに陽極酸化処理を施すことによって得られる、（１）〜（３）のいずれかに記載の光反射基板。
（５） 前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、（４）に記載の光反射基板。

（６） （１）〜（５）のいずれかに記載の光反射基板上に青色発光素子を有し、その周りおよび／または上部に蛍光発光体を備える白色系ＬＥＤ発光素子。

本発明によれば、高い反射率を示すと共に、反射率の異方性が小さく、等方性に優れた発光を得ることができる光反射基板、および、それを用いた発光素子を提供することができる。

本発明の光反射基板の製造の一例における陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。 本発明の光反射基板の製造の一例における電気化学的粗面化処理に用いられる交番波形電流波形図の一例を示すグラフである。 本発明の光反射基板の製造の一例における交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられるラジアル型セルの一例を示す概略図である。 本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。 図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本発明の別の構成例の光反射基板を用いた白色系発光装置を説明する概略図である。 本発明の光反射基板の作製における機械的粗面化処理に用いられるブラシグレイニングの工程の概念を示す概略図である。 実施例で使用した圧延機の概要図である。 図８（Ａ）は、実施例でのアルミニウム基板の圧延方向に平行に触針が移動する方向（Ｌ方向）での測定概略図であり、図８（Ｂ）は、圧延方向に垂直に触針が移動する方向（ＬＴ方向）での測定概要図である。 図９（Ａ）は、実施例でのアルミニウム基板の圧延方向に平行な方向（Ｌ方向）での反射率測定図であり、図９（Ｂ）は、圧延方向に垂直な方向（ＬＴ方向）での反射率測定図である。 本発明の光反射基板の製造の一例における電気化学的粗面化処理に用いられる電流波形図の一例を示すグラフである。

以下に、本発明の光反射基板について詳述する。
本発明の光反射基板は、アルミニウム基板と、その上にアルミニウムの陽極酸化皮膜とを有し、陽極酸化皮膜表面の表面粗さが所定の関係を満たす。
まず、光反射基板を構成するアルミニウム基板、陽極酸化皮膜について詳述する。

＜アルミニウム基板＞
本発明の光反射基板に用いられるアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができる。例えば、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法（例えば、鋳造方法等）等については特に限定されず、特開２００７−２４５１１６号公報の段落［００２４］〜［００４４］に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
なお、一般的には、アルミニウム基板は、圧延処理が施されて製造される。本発明においても、圧延処理（熱間圧延、冷間圧延など）を施して製造されたアルミニウム基板を使用することができる。

上記アルミニウム基板のアルミニウム純度は、高い方が好ましい。具体的には、アルミニウム純度が、９９．９質量％以上であるのが好ましく、９９．９５質量％以上であるのがより好ましく、９９．９８質量％以上であるのがさらに好ましい。
アルミニウム純度が上記範囲であると、後述する陽極酸化処理によって得られる陽極酸化皮膜中のマイクロポアがより直管状の構造をとり、結果として光反射基板の反射率がより向上すると共に、反射率の異方性もより抑制される点で好ましい。

なお、不純物としてのケイ素（Ｓｉ）と鉄（Ｆｅ）との含有量の合計は、０．００５質量％以下であることが好ましい。Ｓｉ、Ｆｅは、アルミニウム中で金属間化合物や析出物を容易に形成する元素であり、金属間化合物や析出物の粒子状物質が陽極酸化皮膜中に存在すると電圧負荷時に該粒子を起点として絶縁が破れる。したがって、これらの合計をより低レベルに維持すれば、絶縁耐圧の高い光反射基板が得られる。ＳｉとＦｅとの含有量の合計は、０．００５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．００１質量％以下、さらに好ましくは０．０００５質量％以下である。
また、鋳造時に回避できない不可避不純物も光反射率や耐電圧に悪影響を及ぼす場合がある。不可避不純物の合計量は、０．０１質量％以下であると、光反射率、耐電圧性がより向上する。したがって、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｎ以外のその他の不可避不純物の合計量は、０．０１質量％以下であることが好ましい。

アルミニウム基板は、単独で使用してもよいし、必要に応じて、鋼板等の他の金属板、ガラス板、セラミック板、樹脂製板等に積層して設けられてもよい。
アルミニウム基板の厚さは限定されないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍの厚さが好ましい。
アルミニウム基板の形状は平坦な板状であってもよいし、発光素子等の素子を実装するための凹部を有するものであってもよい。凹部は、上側に向かうに伴って外側に広がるように傾斜していることが好ましい。これによって、凹部の底部に実装された発光素子から側方に放射された光を、効率よく上方に反射することができる。
アルミニウム基板の表面に設けられる陽極酸化皮膜はアルミニウム基板の一方の主面（表面）に設けられてもよいし、一方の主面とそれに平行な主面（裏面）に設けられてもよい。場合によっては、他の４つの端面を含む６面全てに設けられてもよい。

＜陽極酸化皮膜＞
上記アルミニウム基板上には、アルミニウムの陽極酸化皮膜（陽極酸化アルミニウム皮膜）が設けられる。陽極酸化皮膜を構成する主な材料は、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）である。
陽極酸化皮膜表面における第一の方向の表面粗さＲａ１と、該第一の方向と直交する第２の方向の表面粗さＲａ２との比（但し、Ｒａ１およびＲａ２のうち、より大きな値の方を分母とし、値の小さい方を分子とする。なお、Ｒａ１およびＲａ２が同じ値である場合は、いずれが分母であってもよい。）は、０．４〜１．０であり、本発明の効果がより優れる点で、０．６〜１．０が好ましい。より具体的には、直交する二つの方向での表面粗さＲａ１とＲａ２のうち、Ｒａ１の値がＲａ２の値よりも大きい場合は、Ｒａ２／Ｒａ１の比が上記範囲であればよい。また、Ｒａ１とＲａ２とが同値である場合は、いずれが分母であってもよい。
該比が上記範囲であれば、反射率の異方性の発生が抑制されると共に、高い反射率を示す光反射基板を得ることができる。
Ｒａ１とＲａ２との比が０．４未満、または、１．０超の場合、反射率の異方性が実用上問題ある程度まで大きくなる、または反射率自体が劣る。

Ｒａ１およびＲａ２は、それぞれ反射効率の異方性がより抑制され、高反射率を達成できる点で、０．１〜０．４μｍであり、０．１５〜０．３５μｍがより好ましい。
Ｒａ１およびＲａ２が、０．１μｍ未満、または、０．４μｍ超の場合、反射率の異方性が実用上問題ある程度まで大きくなる、または反射率自体が劣る。

表面粗さＲａ１の測定方向である第１の方向は任意の方向であるが、上記アルミニウム基板の圧延方向であることが好ましい。概して、圧延処理が施され、製造されたアルミニウム基板の圧延方向の表面粗さＲａ（Ｌ）と、圧延方向に直交する方向の表面粗さＲａ（ＬＴ）との差が大きい場合が多い。そのため、第１の方向が上記アルミニウム基板の圧延方向である場合に、上記Ｒａ（Ｌ）とＲａ（ＬＴ）との比が上記関係を満たしていれば、得られる光反射基板の全反射率の異方性がより抑制され好ましい。

表面粗さＲａは、触針式の表面粗さ計（例えば、ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ(東京精密)社製 表面粗さ測定装置ＳＵＲＦＣＯＭ４８０Ａ）を用いて測定した、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠する算術平均粗さである。

また、陽極酸化皮膜の断面曲線における平均長さＰｓｍは、反射効率の異方性がより抑制される点で、５０μｍ以上が好ましく、上限としては２００μｍ程度が好ましい。
平均長さＰｓｍの測定方向は特に制限されないが、反射効率の異方性がより抑制される点で、アルミニウム基板の圧延方向に直交する方向において、上記範囲であることが好ましい。
平均長さＰｓｍは、触針式の表面粗さ計（例えば、ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ(東京精密)社製 表面粗さ測定装置ＳＵＲＦＣＯＭ４８０Ａ）を用いて測定した、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠する平均長さである。

陽極酸化皮膜の厚さは１〜２００μｍであるのが好ましい。１μｍ未満であると絶縁性に乏しく耐電圧が低下する場合があり、２００μｍを超えると製造に多大な電力が必要となり、経済的に不利となる。陽極酸化皮膜の厚さは、２〜１００μｍであるのがより好ましく、２０〜７０μｍであるのがさらに好ましい。

陽極酸化皮膜は、アルミニウム基板とは反対側の陽極酸化皮膜の表面から厚さ方向にのびるマイクロポアを有しており、マイクロポアの深さに対するマイクロポアの中心線の長さの比（長さ／深さ）が、１．０〜１．２であることが好ましく、１．０〜１．１であるのがより好ましく、１．０〜１．０５であるのがさらに好ましい。マイクロポアの形状がこの範囲であると、得られる光反射基板の光反射率がより向上する。
陽極酸化皮膜が多孔質である場合、マイクロポアの平均ポア径は５〜１０００ｎｍ程度（より好ましくは２０〜２００ｎｍ）であることが好ましく、平均ポア密度は１×１０⁶〜１×１０¹⁰／ｍｍ²（より好ましくは４０〜１００／ｍｍ²）程度であることが好ましい。

＜光反射基板＞
本発明の光反射基板は、反射率の異方性が小さい、言い換えると反射率の等方性が高い。ある方向で測定した反射率Ｒ１と、該方向と直交する方向で測定した反射率Ｒ２との比率（Ｒ１およびＲ２のいずれか一方の数値の大きい方を分子とし、数値の小さい方を分母とした比率）は、実用上の観点から、１．０５以下の範囲であることが好ましく、１．０３未満であることがより好ましい。下限としては１であることが好ましい。
特に、アルミニウム基板の圧延方向と、圧延方向に直交する方向とにおける反射率が上記範囲であることが好ましい。
また、光反射基板のＲ１とＲ２とを平均した平均反射率は、実用上の観点から、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。

＜光反射基板の製造方法＞
以下に、本発明の光反射基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明の光反射基板の製造方法は特に制限されず、陽極酸化皮膜表面の表面粗さが所定の関係を満たすように、光反射基板を製造すればよい。例えば、アルミニウム基板と陽極酸化皮膜とを別々に製造して接着してもよい。
なかでも、本発明の光反射基板の製造方法の好適態様としては、アルミニウム基板に対して、陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備えることが好ましい。

（陽極酸化処理工程）
陽極酸化処理工程は、上記アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して、上記アルミニウム基板を被覆する陽極酸化皮膜を形成する工程である。該工程により、酸化アルミニウムからなる陽極酸化皮膜がアルミニウム基板の表面に形成され、多孔質または非孔質の表面絶縁層が得られる。必要に応じて、アルミニウム基板の主平面ばかりでなく、アルミニウム基板に設けられたスルーホールの内部、または、アルミニウム基板の端面にも陽極酸化皮膜を形成することができる。

陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、従来公知の方法で行うことができる。
陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
特定形状のマイクロポアを有するように陽極酸化処理条件を制御するには、特開２００８−２７０１５８号公報の［００５５］〜［０１０８］段落に記載された自己規則化法や定電圧処理等を用いてもよい。

この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が、電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。

また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ²、電圧１〜６００Ｖ、電解時間１５秒〜２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。

また、特開昭５４−８１１３３号、特開昭５７−４７８９４号、特開昭５７−５１２８９号、特開昭５７−５１２９０号、特開昭５７−５４３００号、特開昭５７−１３６５９６号、特開昭５８−１０７４９８号、特開昭６０−２００２５６号、特開昭６２−１３６５９６号、特開昭６３−１７６４９４号、特開平４−１７６８９７号、特開平４−２８０９９７号、特開平６−２０７２９９号、特開平５−２４３７７号、特開平５−３２０８３号、特開平５−１２５５９７号、特開平５−１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。

中でも、特開昭５４−１２８５３号公報および特開昭４８−４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、１〜２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２〜１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０〜２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。

陽極酸化処理工程においては、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
アルミニウム基板に直流を印加する場合においては、アルミニウム基板と対極との間に一定の電圧を印加するのが望ましく、１０Ｖ〜５０Ｖの範囲の電圧を印加するのが望ましい。

陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８−２６６３８号、特開昭４７−１８７３９号、特公昭５８−２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図１に示す装置が好適に用いられる。図１は、アルミニウム基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置４１０において、アルミニウム基板４１６は、図１中矢印で示すように搬送される。電解液４１８が貯溜された給電槽４１２にてアルミニウム基板４１６は給電電極４２０によって（＋）に荷電される。そして、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２においてローラ４２２によって上方に搬送され、ニップローラ４２４によって下方に方向変換された後、電解液４２６が貯溜された電解処理槽４１４に向けて搬送され、ローラ４２８によって水平方向に方向転換される。ついで、アルミニウム基板４１６は、電解電極４３０によって（−）に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽４１４を出たアルミニウム基板４１６は後工程に搬送される。陽極酸化処理装置４１０において、ローラ４２２、ニップローラ４２４およびローラ４２８によって方向転換手段が構成され、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２と電解処理槽４１４との槽間部において、ローラ４２２、４２４および４２８により、山型および逆Ｕ字型に搬送される。給電電極４２０と電解電極４３０とは、直流電源４３４に接続されている。

図１の陽極酸化処理装置４１０の特徴は、給電槽４１２と電解処理槽４１４とを１枚の槽壁４３２で仕切り、アルミニウム基板４１６を槽間部において山型および逆Ｕ字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるアルミニウム基板４１６の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置４１０の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、アルミニウム基板４１６を山型および逆Ｕ字型に搬送することによって、各槽４１２および４１４の槽壁４３２にアルミニウム基板４１６を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽４１２および４１４内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。

（好適態様）
得られる光反射基板の反射率の異方性がより低減される点から、陽極酸化処理を施す前に、アルミニウム基板に対して、粗面化処理を含む表面処理を施すことが好ましい。一般的に、陽極酸化処理をアルミニウム基板に施しても、処理前後において、表面粗さの変化は小さい。そこで、陽極酸化処理を施す前に、上述した表面粗さＲａの関係を満たすアルミニウム基板を用意して、陽極酸化処理を施し、所望の光反射基板を得ることができる。

上記表面処理としては、例えば、後述する機械的粗面化処理や、電気化学的粗面化処理など従来公知の粗面化処理方法を適用することができる。

なかでも、アルミニウム基板に対して、粗面化処理として電解液を用いた電気化学的粗面化処理のみを実施し、その後エッチング処理（なかでも、アルカリエッチング処理が好ましい）を順次施す方法が好ましい。この態様において、粗面化処理としては、機械的粗面化処理を実施せず、電気化学的粗面化処理のみを実施する。
上記方法を実施することにより、アルミニウム基板を製造する際に基板表面に生じる圧延スジを小さくすることができ、結果として得られる光反射基板の全反射の異方性を抑制することができる。
特に、上記エッチング処理において、１５ｇ／ｍ²以上のアルミニウム溶解量でエッチング処理を行うことが好ましく、１６〜３０ｇ／ｍ²がより好ましく、１８〜２０ｇ／ｍ²がさらに好ましい。上記範囲であれば、表面粗さの違いが小さくなると共に、Ｐｓｍを大きくすることが出来る点で好ましい。なお、例えば、エッチング処理として、アルカリエッチング処理および電解研磨処理を連続して行う場合は、両者の合計が上記範囲であればよい。
なお、Ｐｓｍを大きくするために粗面化後の溶解量を適宜調整することが好ましく、エッチング処理のなかでも、電解研磨処理はその機構から粗面化された表面凹凸の凸部を優先的に溶解でき、特に好ましい。

なお、アルミニウム基板の表面処理の他の態様としては、上述したように、粗面化処理（なかでも、電解液を用いた電気化学的粗面化処理が好ましい）と、その後に実施されるエッチング処理（なかでも、アルカリエッチング処理が好ましい）とが含まれていれば、他の方法であってもよい。例えば、脱脂処理、機械的粗面化処理、アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理、電解液を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法；アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理、電解液を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法；等が挙げられる。なお、これらの処理は複数回行ってもよい。
次に、これらの表面処理の方法について詳述する。

（脱脂処理）
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。

脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５〜２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０〜２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０〜５０℃でアルミニウム基板表面に１５〜６０秒間接触させ、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。

これらのうち、アルミニウム基板表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウム基板の溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。

また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。

（機械的粗面化処理）
機械的粗面化処理を行う場合は、電気化学的粗面化処理と比較して、より安価に、平均波長５〜１００μｍの凹凸のある表面を形成することができるため、大波構造を形成させる粗面化処理の手段として有効である。
機械的粗面化処理としては、例えば、アルミニウム基板の表面を金属ワイヤーでひっかくワイヤーブラシグレイン法、研磨球と研磨剤でアルミニウム基板の表面を砂目立てするボールグレイン法、特開平６−１３５１７５号公報および特公昭５０−４００４７号公報に記載されているナイロンブラシと研磨剤で表面を砂目立てするブラシグレイン法を用いることができる。
また、凹凸面をアルミニウム基板に圧接する転写方法を用いることもできる。即ち、特開昭５５−７４８９８号、特開昭６０−３６１９５号、特開昭６０−２０３４９６号の各公報に記載されている方法のほか、転写を数回行うことを特徴とする特開平６−５５８７１号公報、表面が弾性であることを特徴とする特開平６−２４１６８号公報に記載されている方法も適用可能である。
また、放電加工、ショットブラスト、レーザ、プラズマエッチング等を用いて、微細な凹凸を食刻した転写ロールを用いて繰り返し転写を行う方法や、微細粒子を塗布した凹凸のある面を、アルミニウム基板に接面させ、その上より複数回繰り返し圧力を加え、アルミニウム基板に微細粒子の平均直径に相当する凹凸パターンを複数回繰り返し転写させる方法を用いることもできる。転写ロールへ微細な凹凸を付与する方法としては、特開平３−８６３５号、特開平３−６６４０４号、特開昭６３−６５０１７号の各公報等に記載されている公知の方法を用いることができる。また、ロール表面にダイス、バイト、レーザ等を使って２方向から微細な溝を切り、表面に角形の凹凸をつけてもよい。このロール表面には、公知のエッチング処理等を行って、形成させた角形の凹凸が丸みを帯びるような処理を行ってもよい。
また、表面の硬度を上げるために、焼き入れ、ハードクロムめっき等を行ってもよい。
そのほかにも、機械的粗面化処理としては、特開昭６１−１６２３５１号公報、特開昭６３−１０４８８９号公報等に記載されている方法を用いることもできる。
本発明においては、生産性等を考慮して上述したそれぞれの方法を併用することもできる。これらの機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理の前に行うのが好ましい。

以下、機械的粗面化処理として好適に用いられるブラシグレイン法について説明する。ブラシグレイン法は、一般に、円柱状の胴の表面に、ナイロン（商標）、プロピレン、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂からなる合成樹脂毛等のブラシ毛を多数植設したローラ状ブラシを用い、回転するローラ状ブラシに研磨剤を含有するスラリー液を噴きかけながら、上記アルミニウム基板の表面の一方または両方を擦ることにより行う方法である。上記ローラ状ブラシおよびスラリー液の代わりに、表面に研磨層を設けたローラである研磨ローラを用いることもできる。ローラ状ブラシを用いる場合、曲げ弾性率が好ましくは１０，０００〜４０，０００ｋｇｆ／ｃｍ²、より好ましくは１５，０００〜３５，０００ｋｇｆ／ｃｍ²であり、かつ、毛腰の強さが好ましくは５００ｇｆ以下、より好ましくは４００ｇｆ以下であるブラシ毛を用いる。ブラシ毛の直径は、一般的には、０．２〜０．９ｍｍである。ブラシ毛の長さは、ローラ状ブラシの外径および胴の直径に応じて適宜決定することができるが、一般的には、１０〜１００ｍｍである。

研磨剤は公知の物を用いることができる。例えば、パミストン、ケイ砂、水酸化アルミニウム、アルミナ粉、炭化ケイ素、窒化ケイ素、火山灰、カーボランダム、金剛砂等の研磨剤；これらの混合物を用いることができる。中でも、パミストン、ケイ砂が好ましい。特に、ケイ砂は、パミストンに比べて硬く、壊れにくいので粗面化効率に優れる点で好ましい。研磨剤の平均粒径は、粗面化効率に優れ、かつ、砂目立てピッチを狭くすることができる点で、３〜５０μｍであるのが好ましく、６〜４５μｍであるのがより好ましい。研磨剤は、例えば、水中に懸濁させて、スラリー液として用いる。スラリー液には、研磨剤のほかに、増粘剤、分散剤（例えば、界面活性剤）、防腐剤等を含有させることができる。スラリー液の比重は０．５〜２であるのが好ましい。

機械的粗面化処理に適した装置としては、例えば、特公昭５０−４００４７号公報に記載された装置を挙げることができる。

（電気化学的粗面化処理）
電気化学的粗面化処理（以下、「電解粗面化処理」ともいう。）には、例えば、通常の交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられる電解液を用いることができる。中でも、塩酸または硝酸を主体とする電解液を用いるのが、上述した表面形状を得やすいので好ましい。
また、大波の形成手法として、直流電解粗面化処理を用いることもできる。大電気量の直流を用いて電気化学的粗面化処理する方法であり、大きく深い凹凸を形成させることができ表面粗さＲａを調整できる。
ここで、該直流電解粗面化処理においては、基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、５０〜１５００Ｃ／ｄｍ²であり、電流密度は２０〜２００Ａ／ｄｍ²であることが好ましい。処理時間は、上記電気量等の条件に従い適宜選択される。なお、該直流電解粗面化処理に用いられる電解液、電解槽等は、特に限定されず、通常の交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられるものを選択できる。

電解粗面化処理は、例えば、特公昭４８−２８１２３号公報および英国特許第８９６，５６３号明細書に記載されている電気化学的グレイン法（電解グレイン法）に従うことができる。この電解グレイン法は、正弦波形の交流電流を用いるものであるが、特開昭５２−５８６０２号公報に記載されているような特殊な波形を用いて行ってもよい。また、特開平３−７９７９９号公報に記載されている波形を用いることもできる。また、特開昭５５−１５８２９８号、特開昭５６−２８８９８号、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭６０−１９０３９２号、特開昭５８−１２０５３１号、特開昭６３−１７６１８７号、特開平１−５８８９号、特開平１−２８０５９０号、特開平１−１１８４８９号、特開平１−１４８５９２号、特開平１−１７８４９６号、特開平１−１８８３１５号、特開平１−１５４７９７号、特開平２−２３５７９４号、特開平３−２６０１００号、特開平３−２５３６００号、特開平４−７２０７９号、特開平４−７２０９８号、特開平３−２６７４００号、特開平１−１４１０９４号の各公報に記載されている方法も適用できる。また、前述のほかに、電解コンデンサーの製造方法として提案されている特殊な周波数の交番電流を用いて電解することも可能である。例えば、米国特許第４，２７６，１２９号明細書および同第４，６７６，８７９号明細書に記載されている。

電解槽および電源については、種々提案されているが、米国特許第４２０３６３７号明細書、特開昭５６−１２３４００号、特開昭５７−５９７７０号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８２３号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特開昭６２−１２７５００号、特開平１−５２１００号、特開平１−５２０９８号、特開昭６０−６７７００号、特開平１−２３０８００号、特開平３−２５７１９９号の各公報等に記載されているものを用いることができる。また、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−１２７３９号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８３３号、特開昭５３−３２８２４号、特開昭５３−３２８２５号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特公昭４８−２８１２３号、特公昭５１−７０８１号、特開昭５２−１３３８３８号、特開昭５２−１３３８４０号、特開昭５２−１３３８４４号、特開昭５２−１３３８４５号、特開昭５３−１４９１３５号、特開昭５４−１４６２３４号の各公報等に記載されているもの等も用いることができる。

電解液である酸性溶液としては、硝酸、塩酸のほかに、米国特許第４，６７１，８５９号、同第４，６６１，２１９号、同第４，６１８，４０５号、同第４，６００，４８２号、同第４，５６６，９６０号、同第４，５６６，９５８号、同第４，５６６，９５９号、同第４，４１６，９７２号、同第４，３７４，７１０号、同第４，３３６，１１３号、同第４，１８４，９３２号の各明細書等に記載されている電解液を用いることもできる。

酸性溶液の濃度は０．５〜２．５質量％であるのが好ましいが、スマット除去処理での使用を考慮すると、０．７〜２．０質量％であるのが特に好ましい。また、液温は２０〜８０℃であるのが好ましく、３０〜６０℃であるのがより好ましい。

塩酸または硝酸を主体とする水溶液は、濃度１〜１００ｇ／Ｌの塩酸または硝酸の水溶液に、硝酸アルミニウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等の硝酸イオンを有する硝酸化合物または塩化アルミニウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等の塩酸イオンを有する塩酸化合物の少なくとも一つを１ｇ／Ｌから飽和するまでの範囲で添加して使用することができる。また、塩酸または硝酸を主体とする水溶液には、鉄、銅、マンガン、ニッケル、チタン、マグネシウム、シリカ等のアルミニウム合金中に含まれる金属が溶解していてもよい。好ましくは、塩酸または硝酸の濃度０．５〜２質量％の水溶液にアルミニウムイオンが３〜５０ｇ／Ｌとなるように、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム等を添加した液を用いることが好ましい。

更に、Ｃｕと錯体を形成しうる化合物を添加して使用することにより、Ｃｕを多く含有するアルミニウム基板に対しても均一な砂目立てが可能になる。Ｃｕと錯体を形成しうる化合物としては、例えば、アンモニア；メチルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）等のアンモニアの水素原子を炭化水素基（脂肪族、芳香族等）等で置換して得られるアミン類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸塩類が挙げられる。また、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩も挙げられる。温度は１０〜６０℃が好ましく、２０〜５０℃がより好ましい。

電気化学的粗面化処理に用いられる交流電源波は、特に限定されず、サイン波、矩形波、台形波、三角波等が用いられるが、矩形波または台形波が好ましく、台形波が特に好ましい。台形波とは、図２に示したものをいう。この台形波において電流がゼロからピークに達するまでの時間（ＴＰ）は１〜３ｍｓｅｃであるのが好ましい。１ｍｓｅｃ未満であると、アルミニウム基板の進行方向と垂直に発生するチャタマークという処理ムラが発生しやすい。ＴＰが３ｍｓｅｃを超えると、特に硝酸電解液を用いる場合、電解処理で自然発生的に増加するアンモニウムイオン等に代表される電解液中の微量成分の影響を受けやすくなり、均一な砂目立てが行われにくくなる。

台形波交流のｄｕｔｙ比は１：２〜２：１のものが使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているように、アルミニウムにコンダクタロールを用いない間接給電方式においてはｄｕｔｙ比が１：１のものが好ましい。台形波交流の周波数は０．１〜１２０Ｈｚのものを用いることが可能であるが、５０〜７０Ｈｚが設備上好ましい。５０Ｈｚよりも低いと、主極のカーボン電極が溶解しやすくなり、また、７０Ｈｚよりも高いと、電源回路上のインダクタンス成分の影響を受けやすくなり、電源コストが高くなる。

電解槽には１個以上の交流電源を接続することができる。主極に対向するアルミニウム板に加わる交流の陽極と陰極との電流比をコントロールし、均一な砂目立てを行うことと、主極のカーボンを溶解することとを目的として、図３に示したように、補助陽極１８を設置し、交流電流の一部を分流させることが好ましい。図３において、１１はアルミニウム板であり、１２はラジアルドラムローラであり、１３ａおよび１３ｂは主極であり、１４は電解処理液であり、１５は電解液供給口であり、１６はスリットであり、１７は電解液通路であり、１８は補助陽極であり、１９ａおよび１９ｂはサイリスタであり、２０は交流電源であり、４０は主電解槽であり、５０は補助陽極槽である。整流素子またはスイッチング素子を介して電流値の一部を二つの主電極とは別の槽に設けた補助陽極に直流電流として分流させることにより、主極に対向するアルミニウム板上で作用するアノード反応にあずかる電流値と、カソード反応にあずかる電流値との比を制御することができる。主極に対向するアルミニウム板上で、陰極反応と陽極反応とにあずかる電気量の比（陰極時電気量／陽極時電気量）は、０．３〜０．９５であるのが好ましい。

電解槽は、縦型、フラット型、ラジアル型等の公知の表面処理に用いる電解槽が使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているようなラジアル型電解槽が特に好ましい。電解槽内を通過する電解液は、アルミニウムウェブの進行方向に対してパラレルであってもカウンターであってもよい。

（硝酸電解）
硝酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理により、平均開口径０．５〜５μｍの凹凸（中波構造）を形成させることができる。ただし、電気量を比較的多くしたときは、電解反応が集中し、波長５μｍを超える凹凸も生成する。
このような表面形状を得るためには、電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１００〜１０００Ｃ／ｄｍ²であるのが好ましい。この際の電流密度は２０〜１００Ａ／ｄｍ²であるのが好ましい。
また、例えば、高濃度、例えば、硝酸濃度１５〜３５質量％の硝酸電解液を用いて３０〜６０℃で電解を行ったり、硝酸濃度０．７〜２質量％の硝酸電解液を用いて高温、例えば、８０℃以上で電解を行ったりすることで、平均開口径０．０１〜０．２μｍの凹凸（小波構造）を形成させることもできる。

（塩酸電解）
塩酸はそれ自身のアルミニウム溶解力が強いため、わずかな電解を加えるだけで表面に微細な凹凸を形成させることが可能である。この微細な凹凸は、平均開口径が０．０１〜０．２μｍの小波構造であり、アルミニウム基板の表面の全面に均一に生成する。
このような表面形状を得るためには電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１００〜１０００Ｃ／ｄｍ²であるのが好ましい。この際の電流密度は２０〜５０Ａ／ｄｍ²であるのが好ましい。

このような塩酸を主体とする電解液での電気化学的粗面化処理では、アノード反応にあずかる電気量の総和を４００〜２０００Ｃ／ｄｍ²と大きくすることでクレーター状の大きなうねりを同時に形成することも可能である。
この場合、平均波長１０〜３０μｍのクレーター状のうねりに重畳して、平均波長０．０１〜０．４μｍの微細な凹凸が全面に生成する。この場合、平均波長０．５〜５μｍの中波構造は生成しない。

上記の硝酸、塩酸等の電解液中で行われる電解粗面化処理の前および／または後に、アルミニウム基板に陰極電解処理を行うことも好ましい。この陰極電解処理により、アルミニウム基板表面にスマットが生成するとともに、水素ガスが発生してより均一な電解粗面化処理が可能となる。
陰極電解処理は、酸性溶液中で陰極電気量が好ましくは３〜８０Ｃ／ｄｍ²、より好ましくは５〜３０Ｃ／ｄｍ²で行われる。陰極電気量が３Ｃ／ｄｍ²未満であると、スマット付着量が不足する場合があり、また、８０Ｃ／ｄｍ²を超えると、スマット付着量が過剰となる場合がある。電解液は、電解粗面化処理で使用する溶液と同一であっても異なっていてもよい。

（エッチング処理）
エッチング処理としてはアルカリエッチング処理、酸エッチング処理、電解研磨処理などを用いることができるが、いずれも上記アルミニウム基板の表層を溶解させる処理である。

（アルカリエッチング処理）
アルカリエッチング処理は、上記アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させる処理である。
電解粗面化処理より前に行われるアルカリエッチング処理は、機械的粗面化処理を行っていない場合には、アルミニウム基板（圧延アルミ）の表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等を除去することを目的として、また、既に機械的粗面化処理を行っている場合には、機械的粗面化処理によって生成した凹凸のエッジ部分を溶解させ、急峻な凹凸を滑らかなうねりを持つ表面に変えることを目的として行われる。
なお、アルカリエッチング処理のエッチング量は、後述する電解研磨処理などによるエッチング量との総量で、１５ｇ／ｍ²以上であるのが好ましい。

電解粗面化処理の直後に行うアルカリエッチング処理は、酸性電解液中で生成したスマットを溶解させることと、電解粗面化処理により形成された凹凸のエッジ部分を溶解させることを目的として行われる。電解粗面化処理で形成される凹凸は電解液の種類によって異なるためにその最適なエッチング量も異なるが、電解粗面化処理後に行うアルカリエッチング処理のエッチング量は、５〜２０ｇ／ｍ²であるのが好ましい。硝酸電解液を用いた場合、塩酸電解液を用いた場合よりもエッチング量は多めに設定する必要がある。電解粗面化処理が複数回行われる場合には、それぞれの処理後に、必要に応じてアルカリエッチング処理を行うことができる。

アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩；炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩；アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩；グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩；第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。

アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、１〜５０質量％であるのが好ましく、１０〜３５質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、０．０１〜１０質量％であるのが好ましく、３〜８質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は２０〜９０℃であるのが好ましい。処理時間は１〜１２０秒であるのが好ましい。

アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルカリ溶液を入れた槽の中にアルミニウム基板を通過させる方法、アルカリ溶液を入れた槽の中にアルミニウム基板を浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。

（酸エッチング処理）
酸エッチング処理としては各種の酸を用いる事が出来るが、エッチング速度の早い腐食性の高い塩素化合物によるエッチングでは局部溶解が進み、望ましくない。局部溶解が発生しにくいリン酸、硫酸あるいはその混酸などを用いる事が望ましい。

（電解研磨処理）
電解研磨処理には、例えば、リン酸、または、リン酸と他の酸性溶液との混酸を用いることができる。混酸におけるリン酸の比率は、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましい。
凸部の選択溶解を進める上では、極間距離を制御する事が重要である。極間距離は処理条件により最適化を図る必要があるが、１０〜５０ｍｍであることが好ましい。
対極は、カーボン、白金、チタン、アルミニウム、ステンレスなどを用いることができる。アルミニウム基板を陽極とし、定電圧で直流電解を行なうことが好ましい。電解電圧は３Ｖから２０Ｖの間で行うことが好ましい。
アルミニウム溶解量（エッチング量）は主に処理時間で制御するが、３〜８ｇ／ｍ²の範囲で行うことが好ましい。
電解処理後はスプレーによる水洗を行い、表面をよく洗浄することが好ましい。

（デスマット処理）
電解粗面化処理またはアルカリエッチング処理を行った後、表面に残留する汚れ（スマット）を除去するために酸洗い（デスマット処理）が行われるのが好ましい。
用いられる酸としては、例えば、硝酸、硫酸、リン酸、クロム酸、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸が挙げられる。上記デスマット処理は、例えば、上記アルミニウム基板を塩酸、硝酸、硫酸等の濃度０．５〜３０質量％の酸性溶液（アルミニウムイオン０．０１〜５質量％を含有する。）に接触させることにより行う。アルミニウム基板を酸性溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、酸性溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法などが挙げられる。デスマット処理においては、酸性溶液として、上述した電解粗面化処理において排出される硝酸を主体とする水溶液もしくは塩酸を主体とする水溶液の廃液、または、後述する陽極酸化処理において排出される硫酸を主体とする水溶液の廃液を用いることができる。デスマット処理の液温は、２５〜９０℃であるのが好ましい。また、処理時間は、１〜１８０秒であるのが好ましい。デスマット処理に用いられる酸性溶液には、アルミニウムおよびアルミニウム合金成分が溶け込んでいてもよい。

＜スルーホール加工、並びに、ルーティング加工＞
本発明においては、発光素子を実装するにあたり、適宜配線部を設けるためのスルーホール加工、並びに、最終製品を想定してのチップ化を行うためのルーティング加工を行う工程を設けてもよい。スルーホール加工は、表面処理、陽極酸化工程の前に行ってもよいし後に行ってもよい。陽極酸化処理前に上記加工を行うと、陽極酸化で形成される陽極酸化皮膜への亀裂を防ぐ観点、及び、上記加工により生じる基板端面部への絶縁性を保持することができる。陽極酸化処理後で行えば、陽極酸化処理工程の効率を上げられ、また最終製品のサイズに精度よく加工することができる。
スルーホール加工、ルーティング加工を施す好適な方法は特に制限されず、例えば、ドリル加工、金型によるプレス加工、ダイサーによるダイシング加工、レーザ加工、等が挙げられる。

＜封孔処理＞
本発明においては、必要に応じて陽極酸化皮膜が多孔質の場合、存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６−１２５１８号公報、特開平４−４１９４号公報、特開平５−２０２４９６号公報、特開平５−１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。

＜水洗処理＞
上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。水洗後、さらに酸またはアルカリの溶液に１〜６０秒間浸漬後、水洗してもよい。

＜保護層＞
また、本発明の光反射基板は、後述するＬＥＤへの電気信号伝送のための金属配線層形成加工、パターン加工、ＬＥＤ実装部への金属層形成加工等、後処理にて使用する各種溶剤に対応させるべく、保護処理を施すことができる。
具体的には、保護処理は、特開２００８−９３６５２号公報、特開２００９−６８０７６号公報等に記載のように、陽極酸化皮膜表面の親／疎水性（親／疎油性）の性質を適宜変えることができるほか、酸／アルカリ等に耐性を付与する方法も、適宜用いることができる。

＜配線層＞
本発明の光反射基板は、発光素子（ＬＥＤ）を実装するに当たり、配線層（金属配線層）を有していてもよい。
配線層は、例えば、光反射基板の陽極酸化皮膜上に設けられ、発光素子を実装するために用いられる。配線層は発光素子が実装される陽極酸化皮膜上に設けられてもよいし、発光素子が実装される陽極酸化皮膜とは反対側の裏面側に設けられて発光素子実装面とはスルーホールを介して電気的に接続されてもよい。

上記配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。

また、上記配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。

上記配線層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜／均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。

上記めっき処理は、陽極酸化皮膜に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきを用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分（例えば、金属塩、還元剤等）と補助成分（例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等）から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、ＳＥ−６５０・６６６・６８０、ＳＥＫ−６７０・７９７、ＳＦＫ−６３（いずれも日本カニゼン社製）、メルプレートＮＩ−４１２８、エンプレートＮＩ−４３３、エンプレートＮＩ−４１１（いずれもメルテックス社製）等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。

このようにして形成される配線層は、ＬＥＤ実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にＬＥＤが実装される箇所には、再度金属層（半田も含む）を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすいように適宜加工することができる。
好適な金属層としては、半田、または、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属素材が好ましく、加熱によるＬＥＤの実装の観点では、半田、または、Ｎｉを介してのＡｕ、Ａｇを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。

配線層の形成方法として以下で説明する金属インクを用いてインクジェット印刷法またはスクリーン印刷法により陽極酸化皮膜上にパターンを形成すれば、凹凸のある表面に多くの工程を必要とせずに簡易にパターンを有する配線層を形成することができる。該方法によれば、陽極酸化皮膜のマイクロポアによるアンカー効果が高いので、配線層と光反射基板との密着性にも優れる。

（インクジェット印刷法）
導体金属を含む金属インクを用いてインクジェット印刷法により、陽極酸化皮膜上の所望の部位に、配線層を形成することができる。具体的には、金属インクで配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。

金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子；酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子；Ｃｒ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｎ、Ｍｎ−Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅなどの複合合金の微粒子；銀めっき、銅などのめっき複合体の微粒子；等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。

微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。
金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点から、１〜２０ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。

（スクリーン印刷法）
導体金属を含む金属インクを用いてスクリーン印刷法により、陽極酸化皮膜上の所望の部位に配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。

＜光反射基板の利用＞
本発明の光反射基板は、用いるＬＥＤの種類、及び発光素子の形状等に、特に限定はなく、種々の用途に用いることができる。また、従来公知のＬＥＤを用いる発光装置の光反射基板として用いることができる。

例えば、図４に示すように、本発明の光反射基板１４０を用いることで発光装置１００の輝度を向上させることができる。図４において、発光装置１００は白色系ＬＥＤ発光装置であり、外部接続用の電極１２０、１３０を有する光反射基板１４０に、青色ＬＥＤ等の発光素子１１０がフェースダウンボンディングされており、該青色ＬＥＤ１１０をＹＡＧ系の蛍光粒子１５０を混入した透明樹脂１６０でモールドしている。ＹＡＧ系の蛍光粒子１５０によって励起された光と、青色ＬＥＤ１１０の残光により、白色系ＬＥＤ発光装置１００から白色系光が発光面側の矢印方向に発光される。

また、本発明の光反射基板上に青色ＬＥＤを設置し、公知の樹脂で封止し、その上部に蛍光発光体を有するバルブ金属の陽極酸化層である微細構造体（蛍光発光ユニット）を備える構成の蛍光発光装置としてもよい。これらの蛍光発光装置については、特願２００９−１３４００７号明細書、特願２００９−１３９２６１号明細書に記載されている。

図５（Ａ）は、芯材である例えばＳＵＳ金属板１０の表面にアルミニウム基板１とその表面に陽極酸化皮膜２とを有する本発明の光反射基板３０を示す。さらに光反射基板３０上に載置された発光素子１１０を、蛍光粒子１５０を有する透明樹脂１６０で封止した蛍光発光装置１００を示す断面図である。金属板１０は芯材として本発明の光反射基板の機械的強度、可とう性を担っている。また、ヒートシンクとなって放熱性に寄与してもよい。発光素子１１０はワイヤ９でボンデイングされ、陽極酸化皮膜２上に形成された図示しない配線層の必要箇所と電気的に接続される。
図５（Ｂ）は、アルミニウム基板１１とその表面に陽極酸化皮膜２とを有する本発明の光反射基板３０上に載置された発光素子１１０を、蛍光粒子１５０を有する透明樹脂１６０で封止した蛍光発光装置１００を示す断面図である。
アルミニウム基板１１の発光素子１１０が実装される箇所は凹部３が設けられ、凹部３は上側に向かうに伴って外側に広がるように傾斜している。発光素子１１０は光反射基板３０上にダイボンデイング等で載置され、光反射基板３０の下部にはヒートシンク７が設けられてもよい。発光素子１１０はワイヤ９でボンデイングされ、陽極酸化皮膜２上に形成された図示しない配線層の必要箇所と電気的に接続される。本発明の光反射基板３０は、絶縁性が高く可視光領域における全反射率が高いので、これを基板として用いる発光装置１００の発光効率が高い。

発光素子は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
透明樹脂１６０の材質は熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特に、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。透明樹脂１６０は、発光素子３０を保護するため硬質のものが好ましい。また、透明樹脂１６０は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。透明樹脂１６０は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。

蛍光粒子１５０は、発光素子３０からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体・βサイアロン系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体、または、Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。

上記のように、本発明の光反射基板は、紫外〜青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤ発光素子の光反射基板として用いることもできる。
これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色ＬＥＤ光源１チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」である。このほかにも、例えば、紫外〜近紫外ＬＥＤ光源１チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットの発光素子の基板に本発明の光反射基板を用いることができる。

配線層に発光素子を実装する方法は、加熱による実装を伴うことが好ましい。例えば、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０〜３５０℃が好ましく、２４０〜３２０℃がより好ましく、２６０〜３００℃が特に好ましい。またこれらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
また同加熱処理における本発明の光反射基板の、アルミニウム基板とアルミ陽極酸化層の熱膨張率差に起因するアルミ陽極酸化層へのクラック発生を抑止する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で５秒〜１０分、より好ましくは１０秒〜５分、特に好ましくは２０秒〜３分の熱処理を施す方法をとることもできる。この場合、所望の一定温度としては、８０〜２００℃であることが好ましく、１００〜１８０℃がより好ましく、１２０〜１６０℃が特に好ましい。これらの温度・時間未満であると素子の実装が不十分となる恐れがあり、これらの温度・時間超であると基板が劣化する恐れがある。

またワイヤボンディングでの実装時の温度としては、上述同様に確実な実装を施す観点から、８０〜３００℃が好ましく、９０〜２５０℃がより好ましく、１００〜２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。

以下に、実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１〜７、および、比較例１〜１４）
１．アルミ反射基板の作製
高純度アルミニウムを通常の圧延手法に従い、圧延仕上げを行った圧延アルミ（圧延処理が施されて製造されたアルミニウム基板）（住友軽金属社製：アルミ純度９９．９８質量％、板厚：０．８ｍｍ、表面粗さＲａ：０．３５μｍ（圧延方向で測定）、表面粗さＲａ：０．２２μｍ（圧延方向に垂直な方向で測定））を用い、この板から４０ｃｍ×２０ｃｍ(圧延方向４０ｃｍ)の板を採取し、以下の表面処理を行ない、評価用基板を作製した。
なお、比較例１３、１４については圧延仕上げのみを「鏡面仕上げ（住友軽金属呼称ＸＬ材）」とした材料を用いた。

表面処理については、以下の（ａ）〜（ｈ）の各種処理を表１に示すように組み合わせて、試料を作製した。なお、各処理および水洗の後にはニップローラで液切りを行った。

（ａ）粗面化処理
（ａ−１）機械的粗面化処理
図６に示す装置を使って、研磨剤（パミス）と水との懸濁液（比重１．１２）を研磨スラリー液としてアルミニウム基板の表面に供給しながら、回転するローラ状ナイロンブラシにより機械的粗面化処理を行った。図６において、２０１はアルミニウム基板、２０２および２０４はローラ状ブラシ、２０３は研磨スラリー液、２０５、２０６、２０７および２０８は支持ローラである。研磨剤の平均粒径は４０μｍ、最大粒径は１００μｍであった。ナイロンブラシの材質は６・１０ナイロン、毛長は５０ｍｍ、毛の直径は０．３ｍｍであった。ナイロンブラシはφ３００ｍｍのステンレス製の筒に穴をあけて密になるように植毛した。回転ブラシは３本使用した。ブラシ下部の２本の支持ローラ（φ２００ｍｍ）の距離は３００ｍｍであった。ブラシローラはブラシを回転させる駆動モータの負荷が、ブラシローラをアルミニウム基板に押さえつける前の負荷に対して７ｋＷプラスになるまで押さえつけた。ブラシの回転方向はアルミニウム基板の移動方向と同じであった。ブラシの回転数は２００ｒｐｍであった。
なお、表１中では「ＢＧ」と表記する。

（ａ−２）塩酸電解処理Ｂ（ＥＧ）
実施例８、比較例７については大波を６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的粗面化処理Ｂ（ＥＧ）を行うことで形成した。このときの電解液は、塩酸１５．０ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを１０ｇ／Ｌを含む）、液温５０℃であった。交流電源波形は図１０に示した正弦波を用いて、カーボン電極を対極として行った。使用した電解槽は図３に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で２２Ａ／ｄｍ²、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で８００Ｃ／ｄｍ²であった。その後、スプレーによる水洗を行った。
なお、表１中では「ＥＧ」と表記する。

（ａ−３）転写処理
鋼製の圧延ロール（幅２００ｍｍ、１０ｃｍφ）表面にＹＡＧレーザーを用いて深さ１μｍ、ピッチ２００μｍの凹部を千鳥格子状に形成した。この圧延ロールを図７に示した圧延機に取り付け、圧下力４ｔｏｎで既出の圧延アルミを圧延し、凹凸構造を転写し、実施例１２に用いるアルミニウム基板とした。なお、図７中の圧延機は、圧延ロール（凹凸形成ロール）５０１と、エアシリンダー５０２を有する。更に、表面処理を施して試料を作製した。転写圧延時の圧下率は２０％であった。
なお、表１中では「転写」と表記する。

（ａ−４）直流電解粗面化処理
比較例１０においては圧延アルミに直流電解粗面化処理を施した。アルミニウム基板を陽極として用い、対極はカーボンを用いた。電解液は硝酸１０．０ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを４．５ｇ／Ｌ、アンモニウムイオンを０．００６質量％含む。）、液温５０℃であった。電流密度を３００Ｃ／ｄｍ²とし、４秒間処理を行なった。処理後スプレーによる水洗を行なった。
なお、表１中では「ＤＣ」と表記する。

（ｂ）アルカリエッチング処理Ａ
アルミニウム基板に対して、カセイソーダ濃度２．６質量％、アルミニウムイオン濃度６．５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を標準条件で６ｇ／ｍ²、Ｌａｒｇｅ条件で１０ｇ／ｍ²溶解した。その後、スプレーによる水洗を行った。さらに温度３０℃の硝酸濃度１質量％水溶液（アルミニウムイオンを０．５質量％含む。）をスプレーにより基板表面に吹き付けデスマット処理を行なった後、再度スプレーで水洗した。
なお、表１のアルカリエッチング処理Ａ欄中、標準条件で行った場合「ＳＴＤ」、Ｌａｒｇｅ条件で行った場合「Ｌａｒｇｅ」として表記する。

（ｃ）電気化学的粗面化処理Ａ
６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸１０．０ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを４．５ｇ／Ｌ、アンモニウムイオンを０．００６質量％含む。）、液温５０℃であった。交流電源波形は図２に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図３に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で２２Ａ／ｄｍ²、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で１７０Ｃ／ｄｍ²であった。実施例５については電気量を３００Ｃ／ｄｍ²に変更して実施した。補助陽極には電源から流れる電流の５％を分流させた。その後、スプレーによる水洗を行った。

（ｄ）アルカリエッチング処理Ｂ
アルミニウム基板に対して、カセイソーダ濃度５質量％、アルミニウムイオン濃度０．５質量％の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を３２℃で行った。アルミニウム基板を標準条件で７ｇ／ｍ²、Ｌａｒｇｅ条件で１５ｇ／ｍ²溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。その後、温度３０℃の硫酸濃度１５質量％水溶液（アルミニウムイオンを４．５質量％含む。）をスプレーにより基板表面に吹き付けデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。
なお、表１のアルカリエッチング処理Ｂ欄中、標準条件で行った場合「ＳＴＤ」、Ｌａｒｇｅ条件で行った場合「Ｌａｒｇｅ」として表記する。

（ｅ）電気化学的粗面化処理Ｂ（ＭＥ）
大波を６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行うことで形成した。このときの電解液は、塩酸１５．０ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを１０ｇ／Ｌを含む）、液温５０℃であった。交流電源波形は図１０に示した正弦波を用いて、カーボン電極を対極として行った。使用した電解槽は図３に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で２２Ａ／ｄｍ²、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で５０Ｃ／ｄｍ²であった。その後、スプレーによる水洗を行った。
なお、上記のように、実施例８および比較例７では、ＭＥ処理の代わりに、ＥＧ処理を行った。

（ｆ）アルカリエッチング処理Ｃ
アルミニウム基板に対して、カセイソーダ濃度５質量％、アルミニウムイオン濃度０．５質量％の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を３２℃で行った。アルミニウム基板を標準条件で２ｇ／ｍ²、Ｌａｒｇｅ条件で５ｇ／ｍ²溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。その後温度３０℃の硫酸濃度１５質量％水溶液（アルミニウムイオンを４．５質量％含む。）をスプレーにより基板表面に吹き付けデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。
なお、表１のアルカリエッチング処理Ｃ欄中、標準条件で行った場合「ＳＴＤ」、Ｌａｒｇｅ条件で行った場合「Ｌａｒｇｅ」として表記する。

（ｇ）電解研磨処理
５０％硫酸：３．５リットル、８５％リン酸：１０リットル、純水：３リットルの混合液に浸漬し、アルミニウム基板を陽極とし、カーボンを対極として極間距離を３０ｍｍに設定して電解研磨処理を行なった。液温は６５℃、電解電圧は１０Ｖとし、ＳＴＤ条件では溶解量が６ｇ／ｍ²となるよう、Ｌａｒｇｅ条件では１２ｇ／ｍ²となるよう、処理時間を設定した。電解処理後、スプレーによる水洗を行った。

（ｈ）陽極酸化処理
図１に示す構造の陽極酸化装置を用いて、陽極酸化処理を行った。電解液として、硫酸濃度１．８Ｍ、温度２０℃、電圧１６Ｖを印加した条件下で、２００分間行った。その後、スプレーによる水洗を行った。最終的な酸化皮膜の厚さは２５μｍであった。
実施例２においては、電解液として硫酸（硫酸濃度０．３Ｍ）を用い、温度１７℃、電圧２５Ｖの条件下で、８時間行った。その後、スプレーによる水洗を行った。最終的な酸化皮膜の厚さは４５μｍであった。
なお、後段に示す方法でマイクロポアの深さに対するマイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）の測定をおこなったところ、実施例２以外の態様では１．１０であり、実施例２の態様では１．１５であった。

２．光反射基板の表面形状の測定
上記で得られた光反射基板の表面の粗さについては、ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ(東京精密)社製 表面粗さ測定装置ＳＵＲＦＣＯＭ４８０Ａを用いて、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠した方法で１０点平均粗さＲａ、および、平均長さＰｓｍを測定した。
測定方向については最初に、アルミニウム基板の圧延方向に平行に触針が移動する方向での測定を行い、続いて圧延方向に垂直に触針が移動する方向での測定を行った（図８（Ａ）、（Ｂ）参照）。前者をＬ方向の測定と規定し、得られた１０点平均粗さをＲａ(Ｌ)とした。後者をＬＴ方向の測定と規定し、１０点平均粗さをＲａ(ＬＴ)とした。算術平均の結果からＲａ（Ｌ）とＲａ（ＬＴ）との比率（以後、表面粗さ異方性比率とも称する）を求めた。なお、上述したように、Ｒａ（Ｌ）とＲａ（ＬＴ）のうち、数値の大きい方を分母として、比率を求めた。数値が同じ場合は、Ｒａ（Ｌ）を分母として比率を求めた。
また、ＰｓｍについてはＬＴ方向での測定結果を用いた。

３．マイクロポアの深さに対するマイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）の測定
陽極酸化処理後に形成された陽極酸化皮膜について、その断面をＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所社製、Ｓ−４０００）で観察し、マイクロポアの深さに対するマイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）を測定し平均した。

４．光反射率の測定
得られた実施例、比較例の光反射基板は、エックスライト（Ｘ−ｒｉｔｅ）社製積分球分光測色計 ＳＰ−６４を用い、４ｍｍのアパーチャー径で反射率を測定した。得られた計測値のうち全反射率ＳＰＩＮの可視光領域（４００‐７００ｎｍ）における１０ｎｍごとの全反射率値３１点の平均値を「反射率」と規定した。
図９（Ａ）、（Ｂ）に示したようにＬ方向、および、ＬＴ方向での反射率の測定を行った。得られたＬ方向とＬＴ方向の反射率（Ｒ）のうち、値の大きい方を分子と、値の小さい方を分母として、その比率（以後、反射率異方性比率と称する）を求めた（なお、Ｌ方向とＬＴ方向の反射率（Ｒ）の値が同じ場合は、反射率異方性比率は１とした）。さらに、Ｌ方向とＬＴ方向の反射率（Ｒ）の算術平均値を平均反射率とした。

反射率異方性比率を、以下の基準に従って評価した。
「○」：反射率異方性比率が１．０５以下
「△」：反射率異方性比率が１．０５超１．０８以下
「×」：反射率異方性比率が１．０８超

また、平均反射率を、以下の基準に従って評価した。
「◎」：平均反射率が９０％以上
「○」：平均反射率が８０％以上９０％未満
「△」：平均反射率が７０％以上８０％未満
「×」：平均反射率が７０％未満
また、平均長さＰｓｍを、以下の基準に従って評価した。
「◎」：平均長さＰｓｍが１００以上
「〇」：平均長さＰｓｍが５０以上１００未満
「△」：平均長さＰｓｍが２０以上５０未満
「×」：平均長さＰｓｍが２０未満

上記反射率異方性比率および平均反射率の評価結果を表２に示す。なお、表２の項目中、反射率異方性比率、および、平均反射率の評価項目において、「△」「×」が含まれないことが実用上好ましい。

上記のように、所定の表面粗さの関係を満たす光反射基板は、反射率の異方性が小さく、かつ、反射率自体も優れていた。
一方、所定の関係を満たさない比較例においては、反射率の異方性、および／または、反射率に劣っていた。

１ アルミニウム基板
２ 陽極酸化皮膜
３ 凹部
７ ヒートシンク
９ ワイヤ
１０ 金属板
１１ アルミニウム基板
１２ ラジアルドラムローラ
１３ａ、１３ｂ 主極
１４ 電解処理液
１５ 電解液供給口
１６ スリット
１７ 電解液通路
１８ 補助陽極
１９ａ、１９ｂ サイリスタ
２０ 交流電源
２２、３７、１１０ 青色ＬＥＤ
２４、１６０ 透明樹脂
２６ 蛍光発光ユニット
３０、１４０ 光反射基板
３２ 陽極酸化皮膜
３３ アルミニウム基板
３５ スルーホール
３９ ヒートシンク
４０ 主電解槽
５０ 補助陽極槽
１００ 発光装置
１１０ 発光素子
１２０，１３０ 電極
１５０ 蛍光粒子
１６０ 透明樹脂
２０１ アルミニウム基板
２０２、２０４ ローラ状ブラシ
２０３ 研磨スラリー液
２０５、２０６、２０７、２０８ 支持ローラ
４１０ 陽極酸化処理装置
４１２ 給電槽
４１４ 電解処理槽
４１６ アルミニウム基板
４１８、４２６ 電解液
４２０ 給電電極
４２２、４２８ ローラ
４２４ ニップローラ
４３０ 電解電極
４３２ 槽壁
４３４ 直流電源
５０１ 圧延ロール
５０２ エアシリンダー

Claims (6)

1. アルミニウム基板と、その上にアルミニウムの陽極酸化皮膜とを備える光反射基板であって、
   前記陽極酸化皮膜表面における第一の方向の表面粗さＲａ１と、前記第一の方向と直交する第２の方向の表面粗さＲａ２との比（但し、Ｒａ１およびＲａ２のうち、より大きな値の方を分母とし、値の小さい方を分子とする。なお、Ｒａ１およびＲａ２が同じ値である場合は、いずれが分母であってもよい。）が０．４〜１．０であり、
   Ｒａ１およびＲａ２が、それぞれ０．１〜０．４μｍである、光反射基板。
2. 前記陽極酸化皮膜表面の断面曲線における平均長さＰｓｍが５０以上である、請求項１に記載の光反射基板。
3. 前記陽極酸化皮膜中のマイクロポアの深さに対する前記マイクロポアの中心線の長さ（長さ／深さ）が、１．０〜１．２である、請求項１または２に記載の光反射基板。
4. アルミニウム基板に対して粗面化処理として電気化学的粗面化処理のみを行った後、１５ｇ／ｍ²以上のエッチング量でエッチング処理を行い、さらに陽極酸化処理を施すことによって得られる、請求項１〜３のいずれかに記載の光反射基板。
5. 前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、請求項４に記載の光反射基板。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の光反射基板上に青色発光素子を有し、その周りおよび／または上部に蛍光発光体を備える白色系ＬＥＤ発光素子。
   

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