CN102122485B - 显示装置、光检测方法以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了显示装置、光检测方法以及电子设备，该显示装置包括：像素电路，以矩阵形式设置在信号线与扫描线彼此相交的位置上且各自包括发光元件；发光驱动部，对每个像素电路施加信号值以使电路以一定亮度发光；以及光检测部，设置在每个像素电路中，并且包括传感器-开关兼用元件和检测信号输出晶体管，该传感器-开关兼用元件通过在导通状态与截止状态之间切换而运行，并且在其截止状态下用作用于检测来自像素电路的发光元件的光的光传感器，该检测信号输出晶体管连接至光检测线，以用于将与截止状态下的传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息输出至光检测线。

Description

显示装置、光检测方法以及电子设备

相关申请的参考

本发明包含涉及于2010年1月7日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2010-001877中所公开的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及在像素电路中使用诸如有机电致发光器件(有机EL器件)的自发光器件的显示装置、用于设置在像素电路中的光检测部的光检测方法以及电子设备。

背景技术

在有机电致(EL：电致发光)发光元件用作像素的有源矩阵型显示装置中，通过有源器件(通常为每个像素电路中设置的薄膜晶体管(TFT))控制流入每个像素电路中的发光元件的电流。由于有机EL器件是电流发光元件，所以通过控制流入EL器件的电流量获得显色(发色，colordevelopment)的灰度级。

具体地，在包括有机EL器件的像素电路中，向有机EL器件提供对应于施加的信号值电压的电流以根据信号值执行灰度级的发光。

在使用自发光器件的显示装置(诸如使用上述这种有机EL器件的显示装置)中，去除像素间发光亮度的离散(离差，dispersion)以消除出现在屏幕上的不均匀性是重要的。

当像素间发光亮度的离散还以面板制造时的初始状态出现时，离散通过依赖于时间的变化而引起。

时间的流逝劣化了有机EL器件的发光效率。具体地，即使相同的电流流过，发光亮度随着时间的流逝而劣化。

结果，例如，如图59A所示，如果在黑色背景上显示白色窗口图案然后在全屏上显示白色，那么显示窗口图案的部分的亮度降低。

在JP-T-2007-501953或JP-T-2008-518263(下文分别称作专利文献1和2)中公开了防止上述这种情况的对策。具体地，专利文献1公开了在每个像素电路中设置光传感器且向系统反馈光传感器的检测值以校正发光亮度的装置。专利文献2公开了从光传感器向系统反馈检测值以执行发光亮度的校正的装置。

发明内容

本发明涉及一种显示装置，其中为像素电路设置用于检测来自像素电路的发光元件的光的光检测部。实现了该显示装置，其中根据通过光检测部检测的光量信息校正信号值以防止这种上述屏幕烧灼(screen burn)。本发明还提供了可以高精度执行检测且可以由少量元件和少量控制线构成的光检测部。

根据本发明实施方式，提供了一种显示装置，包括：

多个像素电路，以矩阵形式设置在多条信号线与多条扫描线彼此相交的位置上，并且各自包括发光元件；

发光驱动部，用于对每个像素电路施加信号值，以使像素电路发出对应于信号值的亮度的光；以及

光检测部，设置在每个像素电路中，并且包括传感器-开关兼用元件以及检测信号输出晶体管，该传感器-开关兼用元件通过在其导通状态与截止状态之间切换而用作开关元件，并且在其截止状态下用作用于检测来自像素电路的发光元件的光的光传感器，该检测信号输出晶体管连接至光检测线，以用于将与截止状态下的传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息输出至光检测线。

根据本发明另一实施方式，提供了一种用于显示装置的光检测方法，该显示装置包括具有发光元件的像素电路以及用于检测来自像素电路的发光元件的光且输出光检测信息的光检测部，该光检测部包括传感器-开关兼用元件以及检测信号输出晶体管，该传感器-开关兼用元件通过在其导通状态与截止状态之间切换而用作开关元件且在其截止状态下用作用于检测来自像素电路的发光元件的光的光传感器，该检测信号输出晶体管连接至光检测线，以用于将与截止状态下的传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息输出至光检测线，该光检测方法包括以下步骤：

将与在传感器-开关兼用元件的截止状态下流入传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息从检测信号输出晶体管输出至光检测线。

根据本发明又一实施方式，提供了一种电子设备，包括：

多个像素电路，以矩阵形式设置在多条信号线与多条扫描线彼此相交的位置上，并且各自包括发光元件；

发光驱动部，用于将信号值施加至每个像素电路以使像素电路发出对应于信号值的亮度的光；以及

光检测部，包括传感器-开关兼用元件以及检测信号输出晶体管，该传感器-开关兼用元件通过在其导通状态与截止状态之间切换而用作开关元件，并且在其截止状态下用作用于检测来自像素电路的发光元件的光的光传感器，该检测信号输出晶体管连接至光检测线，以用于将与截止状态下的传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息输出至光检测线。

根据本发明又一实施方式，提供了一种显示装置，包括：

多个像素电路，以矩阵形式设置，并且各自包括发光元件；以及

光检测部，包括能够用作开关元件以及还用作用于检测来自发光元件的光的光传感器的传感器-开关兼用元件。

在具有如上所述的构造的显示装置、光检测方法和电子设备中，这样的传感器-开关兼用元件用作光检测元件：该传感器-开关兼用元件通过在导通状态与截止状态之间切换而用作开关元件，并且在其截止状态下用作用于检测来自发光元件的光的光传感器。因此，可以通过单个元件实现用于光检测部的检测的准备操作和检测操作。

此外，通过直接连接至光检测线的检测信号输出晶体管执行光检测信息的输出。

通过这种构造，可以实现光检测部的部件数量的减少以及用于操作控制的线和驱动器的数量的减少。

对于显示装置、光检测方法以及电子设备，通过将传感器-开关兼用元件用作光检测元件使得它在其导通状态下用作开关元件而在其截止状态下用作光检测元件、并且将检测信号输出晶体管直接连接至至光检测线，可以实现光检测部的构造的简化。

结果，可以实现产量的提高，并且可以采取防止由诸如屏幕烧灼的发光元件的效率劣化而引起的图像质量不良的对策。

结合通过相同的参考标号表示同样的部分或元件的附图，本发明的以上和其他目的、特征以及优点将从以下描述和所附权利要求中变得显而易见。

附图说明

图1是示出了根据本发明的实施方式的显示装置的框图；

图2是示出了图1的显示装置中的光检测部的配置实例的说明图；

图3是示出了在本发明的过程中所考虑的构造的电路图；

图4是示出了图3的电路操作的波形图；

图5是示出了在本发明的过程中所考虑的另一构造的电路图；

图6是示出了图5的电路操作的波形图；

图7至图9是示出了图5的电路操作的等效电路图；

图10是示出了在本发明的过程中所考虑的又一构造的电路图；

图11是示出了图10的电路操作的波形图；

图12至图15是示出了图10的电路操作的等效电路图；

图16是根据本发明第一实施方式的电路图；

图17A和图17B是示出了根据本发明实施方式的光检测期间的说明图；

图18A和图18B是示出了根据本发明实施方式的光检测操作期间的说明图；

图19是根据本发明第一实施方式的操作波形；

图20是示出了根据本发明第一实施方式的光检测操作的说明图；

图21至图25是示出了在根据本发明第一实施方式的光检测时的操作的等效电路图；

图26是根据本发明第二实施方式的电路图；

图27是根据本发明第二实施方式的操作波形；

图28是示出了根据本发明第二实施方式的光检测操作的波形图；

图29至图33是示出了在根据本发明第二实施方式的光检测时的操作的等效电路图；

图34是根据本发明第三实施方式的电路图；

图35是示出了根据本发明第三实施方式的光检测操作的波形图；

图36至图40是示出了在根据本发明第三实施方式的光检测操作的等效电路图；

图41是根据本发明第四实施方式的电路图；

图42是示出了根据本发明第四实施方式的光检测操作的波形图；

图43是根据本发明第五实施方式的电路图；

图44是示出了根据本发明第五实施方式的光检测操作的波形图；

图45是示出了根据本发明第六和第七实施方式的显示装置的框图；

图46是根据本发明第六实施方式的电路图；

图47是根据本发明第六实施方式的操作波形；

图48是示出了根据本发明第六实施方式的光检测操作的波形图；

图49是根据本发明第七实施方式的电路图；

图50是根据本发明第七实施方式的操作波形；

图51是示出了根据本发明第七实施方式的光检测操作的波形图；

图52至图56是示出了在根据本发明第七实施方式的光检测时的操作的等效电路图；

图57A和图57B是示出了本发明的修改例的波形图；

图58A和图58B是示出了本发明的应用例的示意图；以及

图59A和图59B是示出了防止屏幕烧灼的校正的示意图。

具体实施方式

下面，将以下列顺序描述本发明的实施方式。

<1.显示装置的构造>

<2.在本发明的过程中所考虑的：构成例1至3>

<3.第一实施方式>

[3-1.电路构造]

[3-2.光检测操作期间]

[3-3.光检测操作]

<4.第二实施方式>

<5.第三实施方式>

<6.第四实施方式>

<7.第五实施方式>

<8.第六实施方式>

<9.第七实施方式>

<10.修改例以及应用例>

<1.显示装置的构造>

在图1中示出了根据本发明实施方式的有机EL显示装置的构造。有机EL显示装置作为显示装置集成在各种电子设备中。具体地，有机EL显示装置集成在诸如例如电视接收机、监控设备、记录和再生设备、通信设备、计算机设备、音频设备、视频设备、游戏机以及家电设备的各种电子设备中。

应注意，图1所示的构造对应于下文描述的第一至第四实施方式。

有机EL显示装置包括多个像素电路10，每个像素电路10均包括作为用于根据有源矩阵方法执行发光驱动的发光元件的有机EL器件。

参照图1，有机EL显示装置包括像素阵列20，其中，多个像素电路10沿着行方向和列方向设置为矩阵形式，即，m行×n列。应注意，各个像素电路10用作R(红色)、G(绿色)以及B(蓝色)发光像素中的一个，并且通过根据预定规则配置各个颜色的像素电路10来构成彩色显示装置。

作为用于驱动像素电路10发光的部件，设置了水平选择器11和写入扫描器12。

在像素阵列20上沿列方向配置了通过水平选择器11选择的、用于向像素电路10提供与作为显示数据的亮度信号的信号值(即，灰度级值)相应的电压的信号线DTL，具体是DTL1、DTL2、...。信号线DTL1、DTL2、...的数量等于在像素阵列20中被设置为矩阵形式的像素电路10的列的数量。

此外，在像素阵列20中，沿着行方向配置写入控制线WSL，即，WSL1、WSL2、...。写入控制线WSL的数量等于在像素阵列20的行方向中的矩阵中设置的像素电路10的数量。

通过写入扫描器12驱动写入控制线WSL，即WSL1、WSL2、...。写入扫描器12向以行设置的写入控制线WSL1、WSL2、...连续提供扫描脉冲WS，从而线序地以行为单位来扫描像素电路10。

以与写入扫描器12的线序扫描的同步关系，水平选择器11向沿列方向设置的信号线DTL1、DTL2、...提供信号值电位Vsig作为向像素电路10的输入信号。

对应各个像素电路10设置光检测部30。光检测部30包括在其内部用作光传感器的元件(其为下文描述的传感器兼用晶体管T10)、以及包括检测信号输出晶体管(下文描述为T5)的检测信号输出电路构造。光检测部30输出对应的像素电路10的发光元件的发光量的检测信息。

此外，设置了用于控制光检测部30的控制操作的检测操作控制部21。控制线TLb，即TLb1、TLb2、...，从检测操作控制部21向光检测部30延伸。

在下文中描述光检测部30的检测信号输出电路构造的构造时，控制线TLa用于向开关晶体管T3提供用于光检测部30中的开关晶体管T3的导通/截止控制的控制脉冲pT3。同时，控制线TLa用于向开关晶体管T3提供用于光检测部30中的传感器兼用晶体管T10的导通/截止控制的控制脉冲pT10。

此外，为光检测部30配置用于为光检测部30提供操作电源电压的电源线VL，即VL1、VL2、...。检测操作控制部21对电源线VL(即，VL1、VL2、...)施加由操作电源电压Vcc和基准电位Vini形成的脉冲电压。

此外，为光检测部30沿列方向设置光检测线DETL，即DETL1、DETL2、...。光检测线DETL用作用于通过光检测部30输出作为检测信息的电压。

光检测线DETL(即，DETL1、DETL2、...)连接至光检测驱动器22。光检测驱动器22执行对于光检测线DETL的电压检测，以通过光检测部30检测出光量检测信息。

光检测驱动器22对水平选择器11中的信号值校正部11a施加由光检测部30检测出的关于像素电路10的光量检测信息。

信号值校正部11a基于光量检测信息判定像素电路10中的有机EL器件的发光效率的劣化程度，并且根据判定结果执行将被施加至像素电路10的信号值Vsig的校正处理。

有机EL器件的发光效率随着时间的流逝而劣化。具体地，即使提供相同的电流，发光亮度也随着时间的流逝而劣化。因此，在根据本实施方式的显示装置中，检测每个像素电路10的发光量，并且基于检测结果判定发光亮度的劣化。然后，响应于劣化程度校正信号值Vsig本身。例如，在要施加作为某一电压值V1的信号值Vsig的情况下，执行校正从而设定基于发光亮度的劣化程度而确定的校正值α，并且施加作为电压值V1+α的信号值Vsig。

以如上所述这种方式检测到的每个像素电路10发光量的劣化通过向信号值Vsig反馈其值(劣化)而得以补偿，从而减少屏幕烧灼。

具体地，例如，在发生如图59A所示的屏幕烧灼的情况下，如图59B所示减轻了屏幕烧灼。

应注意，尽管没有在图1中示出，用于提供阴极电位Vcat作为所需的固定电位的电位线连接至像素电路10和光检测部30(图17中所示)。

此外，尽管图1示出了对应于第一至第四实施方式的构造，但是在第二和第三实施方式的情况下，检测操作控制部21另外包括用于向光检测驱动器22提供控制信号pSW1(由虚线表示)的构造。

顺便提及，在为每个像素电路10设置单个光检测部30时，没有必要为每个像素电路10都设置一个光检测部30。

即，可以应用另一种构造，其中一个光检测部30为多个像素电路10执行光检测，例如像图2所示的构造，其中为四个像素电路10设置一个光检测部30。例如，可以采用这样的技术，其中，执行对于图2所示的4个像素电路10a、10b、10c和10d的光检测，而连续驱动像素电路10a、10b、10c和10d以依次发光，通过设置在像素电路10a、10b、10c和10d间的中心位置处的光检测部30连续执行光检测。或可以采用另一种技术，在同时驱动多个像素电路10发光时，以包括例如像素电路10a、10b、10c和10d的像素块为单位而检测光量。

<2.在本发明的过程中所考虑的构造：构成例1至3>

这里，在描述本发明的实施方式的电路构造和操作之前，描述在本发明的过程中已经考虑的光检测部的构成例1至3以便于本实施方式的理解。

应注意，申请人认识到构成例1至3不是公知的发明。

首先，作为构成例1，图3示出了为减少屏幕烧灼而设计的像素电路10和光检测部100。

像素电路10包括驱动晶体管Td、取样晶体管Ts、保持电容器Cs以及有机EL元件1。下文将在第一实施方式中更加详细地描述具有该构造的像素电路10。

为了补偿像素电路10的有机EL元件1的发光效率的下降，设置了光检测部100，其包括介于电源电压Vcc与固定的光检测线DETL之间的光检测元件或光传感器S1和开关晶体管T1。

在这种情况下，例如，光电二极管形式的光传感器S1提供对应于从有机EL元件1发出的光量的漏电流。

通常，当二极管检测光时，其电流增加。此外，电流的增加量根据入射到二极管上的光量改变。具体地，如果光量大，那么电流的增加量也大，而如果光量小，那么电流的增加量也小。

如果使开关晶体管T1导通，那么流经光传感器S1的电流流向光检测线DETL。

连接至光检测线DETL的外部驱动器101检测从光传感器S1向光检测线DETL提供的电流量。

通过外部驱动器101检测的电流值转换为检测信息信号，并且被提供给水平选择器11。水平选择器11根据检测信息信号判定检测电流值是否对应于对像素电路10设置的信号值Vsig。如果有机EL元件1的发光亮度表示劣化等级，那么检测电流量表示减少等级。在这种情况下，校正了信号值Vsig。

图4示出了光检测操作波形。这里，光检测部100将检测电流输出至外部驱动器101的期间被确定为一帧。

在图4中示出的信号写入期间内，像素电路10中的取样晶体管Ts以扫描脉冲WS示出导通状态，并且从水平选择器11施加至信号线DTL的信号值Vsig输入至像素电路10。信号值Vsig输入至驱动晶体管Td的栅极，并且维持在保持电容器Cs中。因此，驱动晶体管Td向有机EL元件1提供对应于其栅极-源极电压的电流，使得有机EL元件1发光。例如，如果在当前帧内为白色显示提供信号值Vsig，那么有机EL元件1在当前帧内发出白色等级的光。

在发出白色等级的光的帧内，通过控制脉冲pT1使光检测部100中的开关晶体管T1导通。因此，接收有机EL元件1的光的光传感器S1的电流变化反映在光检测线DTEL上。

例如，如果流经光传感器S1的电流量由此而等于最初应发出并且如图4的实线所表示的光量，那么如果发光量由于有机EL元件1的劣化而减少，则由图4中的虚线来表示。

由于在光检测线DETL上出现对应于发光亮度的劣化的电流变化，所以外部驱动器101可以检测电流量并且获得劣化程度的信息。于是，将信息反馈至水平选择器11来校正信号值Vsig以执行对亮度劣化的补偿。因此，可以减少屏幕烧灼。

然而，如上所述的这样的光检测系统导致以下缺点。

具体地，光传感器S1接收有机EL元件1发出的光，并且增加其电流。对于作为光传感器S1的二极管，优选地使用其表现出大的电流变化的截止区域(施加电压：近似零的负值)。这是因为可以比较精确地检测电流变化。

然而，即使这时的电流值表示增加，但是由于其相对于导通电流非常低，所以如果打算以高精度检测亮度变化，那么对光检测线DETL的寄生电容充电需要较长的一段时间。例如，难以在一帧内以高精度检测电流变化。

作为对策，增加光传感器S1的尺寸以增加电流量是可行的想法。然而，当尺寸增加时，光检测部100在像素阵列20中占据的面积比例也增加了。

因此，已经设计了图5所示的光检测部200。

参照图5，作为光检测部200的检测信号输出电路包括光传感器S1、电容器C1、以n沟道TFT形式的检测信号输出晶体管T5、开关晶体管T3和T4、以及以晶体管的二极管连接形式的二极管D1。

光传感器S1连接在电源电压Vcc与检测信号输出晶体管T5的栅极之间。

光传感器S1利用PIN二极管或非晶硅制成。

设置光传感器S1以检测从有机EL元件1发出的光。光传感器S1的电流响应于检测光量增加或减少。具体地，如果有机EL元件1的发光量大，那么电流增加量大，但是如果有机EL元件1的发光量小，那么电流增加量小。

电容器C1连接在电源电压Vcc与检测信号输出晶体管T5的栅极之间。

检测信号输出晶体管T5的漏极连接至电源电压Vcc，并且其源极连接至开关晶体管T3。

开关晶体管T3连接在检测信号输出晶体管T5的源极与光检测线DETL之间。开关晶体管T3通过从控制线TLx提供至其栅极的控制脉pT3被导通/截止。当开关晶体管T3导通时，检测信号输出晶体管T5的源极电位输出至光检测线DETL。

二极管D1连接在检测信号输出晶体管T5的源极与阴极电位Vcat之间。

开关晶体管T4的漏极和源极连接在检测信号输出晶体管T5的栅极与基准电位Vini之间。开关晶体管T4通过从控制线TLy向其栅极提供的控制脉冲pT4而被导通/截止。

当开关晶体管T4导通时，基准电位Vini被输入至开关晶体管T5的栅极。

光检测驱动器201包括用于检测每条光检测线DETL的电位的电压检测部201a。电压检测部201a检测从光检测部200输出的检测信号电压，并且向水平选择器11提供所检测的检测信号电压作为有机EL元件1的发光量信息(亮度劣化信息)。

图6示出了光检测操作时的操作波形。

具体地，图6示出了用于向像素电路10写入信号值Vsig的扫描脉冲WS、用于光检测部200的控制脉冲pT4和pT3、检测信号输出晶体管T5的栅极电压以及出现在光检测线DETL上的电压。

在光检测部200中，首先作为检测准备期间，开关晶体管T3和T4分别通过控制脉冲pT3和pT4而导通。这时的状态如图7所示。

当开关晶体管T4导通时，将基准电位Vini输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

将基准电位Vini设定至使检测信号输出晶体管T5与二极管D1导通的电平。具体地，基准电位Vini高于检测信号输出晶体管T5的阈值电压VthT5、二极管D1的阈值电压VthD1以及阴极电位Vcat的总和，即VthT5+VthD1+Vcat。因此，由于电流Iini如图7所示流动且开关晶体管T3导通，所以将电位Vx输出至光检测线DETL。

在检测准备期间，如图6所示获得检测信号输出晶体管T5的栅极电位＝Vini和光检测线DETL的电位＝Vx。

对于一帧期间内的显示，在像素电路10中执行信号写入。具体地，在图6的信号写入期间，扫描脉冲被置为H(高)电平以使取样晶体管Ts导通。这时，水平选择器11向信号线DTL提供用于白色显示的灰度级的信号值Vsig。因此，在像素电路10中，有机EL元件1根据信号值Vsig发光。这时的状态如图8所示。

这时，光传感器S1接收从有机EL元件1发出的光，并且其漏电流改变。然而，由于开关晶体管T4处于导通状态，所以检测信号输出晶体管T5的栅极电压维持基准电位Vini。

在信号写入结束之后，像素电路10中的取样晶体管Ts截止。

同时，在光检测部200中，控制脉冲pT4被置为L(低)电平以截止开关晶体管T4。这种状态如图9所示。

当开关晶体管T4截止时，光传感器S1接收从有机EL元件1发出的光，并且将漏电流从电源电压Vcc提供至检测信号输出晶体管T5的栅极。

通过这种操作，如图6所示，检测信号输出晶体管T5的栅极电压从基准电位Vini逐渐升高，与此同时，光检测线DETL的电位从电位Vx升高。通过电压检测部201a检测光检测线DETL的该电位变化。检测到的电位对应于有机EL元件1的发光量。换言之，如果通过像素电路10执行诸如白色显示的特定的灰度级显示，那么检测到的电位表示有机EL元件1的劣化程度。例如，通过图6的实线表示的光检测线DETL的电位差表示当有机EL元件1完全没有劣化时的电位差，而通过图6的虚线表示的电位差表示当有机EL元件1劣化时的电位差。

在经过固定时间期间之后，控制脉冲pT3被置为L电平以截止开关晶体管T3，从而结束检测操作。

以如上所述这样的方式执行例如一帧内对相关线中的像素电路10的检测。

光检测部200的检测信号输出电路具有源极跟随器电路的结构，并且如果检测信号输出晶体管T5的栅极电压改变，那么从检测信号输出晶体管T5的源极的输出变化。换言之，将由光传感器S1的漏电流的变化导致的检测信号输出晶体管T5的栅极电压的变化从检测信号输出晶体管T5的源极输出至光检测线DETL。

同时，检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压Vgs被设定为高于检测信号输出晶体管T5的阈值电压。因此，从检测信号输出晶体管T5输出的电流值比在上文参照图3描述的电路构造的电流值更高，并且即使光传感器S1的电流值S1是低的，但是由于它通过检测信号输出晶体管T5，所以发光量的检测信息也可以输出至检测驱动器201。

因此，尽管高精度的光检测操作是可能的，但是形成光检测部200需要增加元件数量。具体地，光检测部200可能需要光传感器S1、4个晶体管T3、T4、T5和D1、以及电容器C1，这导致每一个像素的元件数量的增加以及包括像素电路10的晶体管的比率的增加。这导致低产量。

此外，图10中示出了构成例3。

图10中示出的光检测部300包括传感器兼用晶体管T10、电容器C2、以n沟道TFT形式的检测信号输出晶体管T5以及开关晶体管T3。

传感器兼用晶体管T10连接在电源线VL与检测信号输出晶体管T5的栅极之间。

设置传感器兼用晶体管T10以代替上文参照图5描述的构造中的二极管形式的光传感器S1，并且在导通状态与截止状态之间切换以用作开关元件，另外在其截止状态下用作光传感器。

TFT具有通过在沟道层上设置栅极金属、源极金属等而形成的结构。传感器兼用晶体管T10形成为具有例如形成源极和漏极的金属层没有在沟道层以上相对挡住至沟道层的光的结构。换句话说，应该形成TFT以允许外部光进入沟道层。

传感器兼用晶体管T10被设置为检测从有机EL元件1发出的光。然后，在传感器兼用晶体管T10的截止状态下，其漏电流响应于发光量而增加或减少。具体地，如果有机EL元件1的发光量大，则漏电流的增加量大，但是如果有机EL元件1的发光量小，则漏电流的增加量小。

传感器兼用晶体管T10的栅极连接至控制线TLb。因此，传感器兼用晶体管T10通过控制脉冲pT10被导通/截止。当传感器兼用晶体管T10导通时，电源线VL的电位被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

具有包括电源电压Vcc和基准电压Vini的两个值的脉冲电压被从检测操作控制部21提供至电源线VL。

电容器C2连接在阴极电位Vcat与检测信号输出晶体管T5的栅极之间。电容器C2被设置为保持检测信号输出晶体管T5的栅极电压。

检测信号输出晶体管T5的漏极连接至电源线VL。检测信号输出晶体管T5的源极连接至开关晶体管T3。

开关晶体管T3连接在检测信号输出晶体管T5的源极与光检测线DETL之间。开关晶体管T3的栅极连接至控制线TLa，因此通过控制脉冲pT3而被导通/截止。当开关晶体管T3导通时，流入检测信号输出晶体管T5的电流被输出至光检测线DETL。

光检测驱动器301包括用于检测每条光检测线DETL的电位的电压检测部301。电压检测部301a检测从光检测部300输出的检测信号电压。

应注意，例如，二极管连接的晶体管形式的二极管D1连接至光检测线DETL，以将电流路径设置至固定值，例如，至阴极电位Vcat。

将参照图11至图16来描述光检测部300的光检测操作。

图11示出了关于光检测部300的操作的波形。特别地，图13示出了要从写入扫描器12施加至像素电路10(具体是至取样晶体管Ts)的扫描脉冲WS。此外，图13还示出了要施加至控制线TLb和TLa的控制脉冲pT10、pT3、以及电源线VL的电源脉冲。图13还示出检测信号输出晶体管T5的栅极电压和出现在光检测线DETL上的电压。

假设一个光检测部300在如图11所示的一帧期间内执行对于相应的一个像素电路10的光量检测。

首先，在包括检测准备周期的从时间tm0至时间tm6期间内，电源线VL被设定为基准电压Vini。此外，在从时间tm1至时间tm5期间内，控制脉冲pT10被设定为H电平以将传感器兼用晶体管T10置为导通状态以执行检测准备。

图12中示出了此时的状态。当传感器兼用晶体管T10在电源线VL具有基准电压Vini的时间tm1被置为导通状态时，基准电压Vini被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。此外，当在时间tm2通过控制脉冲pT3将开关晶体管T3置为导通状态时，检测信号输出晶体管T5的源极连接至光检测线DETL。

这里，基准电压Vini是通过其将检测信号输出晶体管T5置为导通状态的电压。因此，电流Iini如图12所示流动，并且光检测线DETL表现特定的电压Vx。由于在检测准备期间内执行上述的这种操作，检测信号输出晶体管T5的栅极电位等于基准电压Vini，并且光检测线DETL的电位等于电位Vx。

在从图11的时间tm3至时间tm4的期间内，为一帧期间的显示执行将信号值Vsig写入像素电路10。具体地，在图13的信号写入期间，扫描脉冲WS被设定为H电平以使取样晶体管Ts导通。这时，水平选择器11对信号线DTL施加例如白色显示灰度级的信号值Vsig。因此，在像素电路10中，有机EL元件1根据信号值Vsig发光。图13示出了这种情况下的状态。

这时，由于传感器兼用晶体管T10导通，检测信号输出晶体管T5的栅极电压保持与基准电位Vini相等。

在信号写入结束之后，像素电路10中的取样晶体管Ts在时间tm4时截止。

同时，在光检测部300中，在时间tm5时将控制脉冲pT10置为L电平以截止传感器兼用晶体管T10。图14示出了这个状态。

在传感器兼用晶体管T10截止的情况下，与电容C2与传感器兼用晶体管T10的寄生电容之间的电容比相对应的耦合量ΔVa′输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。因此，光检测线DETL的电压也改变至Vx-ΔVa所给出的电位。

通过耦合，在传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间出现电位差，并且根据接收的光量改变传感器兼用晶体管T10的漏电流量。然而，这时的漏电流几乎不改变检测信号输出晶体管T5的栅极电压。这产生了如下事实，即传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间的电位差小，并且将电源线VL从基准电位Vini改变到电源电压Vcc的下一操作之前的时间短。

在经过固定时间期间之后的时间tm6，将电源线VL的电位从基准电位Vini改变到电源电压Vcc。

通过该操作，来自电源线VL的耦合被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极，并因此检测信号输出晶体管T5的栅极电位升高。由于电源线VL的电位改变为高电位，所以在传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间出现大的电位差，并且漏电流响应于所接收的光量从电源线VL流至检测信号输出晶体管T5的栅极。

图15示出了这个状态。通过所述的操作，将检测信号输出晶体管T5的栅极电压从Vini-ΔVa′改变至Vini-ΔVa′+ΔV′。图11示出了检测信号输出晶体管T5的栅极电位在时间tm6之后从Vini-ΔVa′至Vini-ΔVa′+ΔV′逐渐升高的方式。

连同这个，光检测线DETL的电位也从电位Vx-ΔVa至V0+ΔV升高。应注意，电位V0是低灰度级显示状态下(即，处于黑色显示状态下)的光检测线DETL的电位。由于流至传感器兼用晶体管T10的电流量随着由传感器兼用晶体管T10接收的光量的增加而增加，所以高灰度级显示时光检测线DETL的电压高于低灰度级显示时光检测线DETL的电压。

通过电压检测部301a检测光检测线DETL的该电位变化。该检测电压对应于有机EL元件1的发光量。换言之，如果通过像素电路10执行诸如白色显示的特定的灰度级显示，那么检测电位表示有机EL元件1的劣化程度。

在经过固定的时间间隔之后，在时间tm7时控制脉冲pT3被设定至L电平以截止开关晶体管T3，从而结束检测操作。因此，不再有电流被提供给光检测线DETL，并且电位变为等于Vcat+VthD1。应注意，VthD1表示二极管D1的阈值电压。

例如，以下列方式执行一帧内对相关线的像素电路10的检测。

通过执行如上所述的这种光检测操作的光检测部300，可以实现类似于上文参照图5描述的光检测部200的精确的光检测操作。

此外，由于使用了传感器兼用晶体管T10，所以可以减少元件数量。然而，由于需要用于晶体管T10和T3的控制线TLb和TLa，并且电源线VL用作脉冲电压电源，所以对于一个光检测部300需要3个控制系统。

例如，尽管构成例2和3允许高精确检测，但是构成例2具有光检测部200包括的元件数量增加的缺点，而构成例3具有虽然元件数量减少但需要3个控制线系统(即，用于驱动控制线的驱动器数量增加)的另一缺点。

考虑前述内容，本发明实施方式可以简化光检测部和用于其的控制系统的构造并实现高产量，同时保持了可高精度执行光检测(类似于构成例2和构成例3)的特征。

<3.第一实施方式>

[3-1.电路构造]

在图16中示出了图1所示的实施方式的像素电路10和光检测部30的构造。

应注意，图16示出连接至同一信号线DTL的两个像素电路10，即，10-1和10-2，以及分别对应于像素电路10-1和10-2并且连接至同一光检测线DETL的光检测部30，即，30-1和30-2。在下列描述中，除特别需要加以区分之外，它们统称作“像素电路10”和“光检测部30”。

参照图16，示出的像素电路包括n沟道TFT形式的取样晶体管Ts、保持电容器Cs、p沟道TFT形式的驱动晶体管Td以及有机EL元件1。

如图1所示，每个像素电路10均设置在信号线DTL与写入控制线WSL间的交叉点上。信号线连接至取样晶体管Ts的漏极，而写入控制线WSL连接至取样晶体管Ts的栅极。

驱动晶体管Td和有机EL元件1串连连接在电源电压Vcc与阴极电压Vcat之间。

取样晶体管Ts和保持电容器Cs连接至驱动晶体管Td的栅极。驱动晶体管Td的栅极-源极电压由Vgs表示。

在本像素电路10中，当水平选择器11对信号线DTL施加对应于亮度信号的信号值时，如果写入扫描器12将写入控制线WSL的扫描脉冲WS置为H电平，那么使取样晶体管Ts导通，并且信号值被写入保持电容器Cs。在保持电容器Cs中写入的信号值电位变为驱动晶体管Td的栅极电位。

如果写入扫描器12将写入控制线WSL的扫描脉冲WS置为L电平，那么尽管信号线DTL与驱动晶体管Td彼此没有电连接，但是通过保持电容器Cs稳定保持驱动晶体管Td的栅极电位。

然后，驱动电流Ids以从电源电压Vcc朝向阴极电位Vcat而流至驱动晶体管Td与有机EL元件1。

这时，驱动电流Ids表现出对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs的值，并且有机EL元件1以对应于电流值的亮度而发光。

简而言之，在像素电路10中，信号值电位从信号线DTL写入保持电容器Cs以改变驱动晶体管Td的栅极应用电压，从而控制电流值流入有机EL元件1以获得显色的灰度级。

由于p沟道TFT形式的驱动晶体管Td被设计为使得其源极连接至电源电压Vcc，从而驱动晶体管Td通常在其饱和区域内操作，所以驱动晶体管Td用作具有由以下表达式(1)给出的值的恒定电流源：

Ids＝(1/2)·μ·(W/L)·Cox·(Vgs-Vth)²        (1)

其中，Ids是在饱和区域中操作的晶体管的漏极和源极之间流动的电流，μ是迁移率，w是沟道宽度，L是沟道长度，Cox是栅极电容，以及Vth是驱动晶体管Td的阈值电压。

从上面的表达式(1)显然可以了解到，在饱和区域内，通过栅极-源极电压Vgs控制驱动晶体管Td的漏电流Ids。由于驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs保持固定，所以驱动晶体管Td作为恒定电流源而操作，并且可以使有机EL元件1以固定的亮度发光。

通常，有机EL元件1的电流-电压特性随着时间的流逝而劣化。因此，在像素电路10中，连同有机EL元件1的依赖于时间的变化，驱动晶体管Td的漏极电压改变。然而，由于驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs在像素电路10中是固定的，所以固定量的电流流入有机EL元件1且发光亮度不改变。简而言之，可期望稳定的灰度级控制。

然而，随着时间的流逝，不仅驱动电压而且有机EL元件1的发光效率劣化。换言之，即使向有机EL元件1提供相同的电流，有机EL元件1的发光亮度也随着时间下降。结果，如上文参照图9描述的这种屏幕烧灼出现。

因此，设置光检测部30以执行对应于发光亮度的劣化的校正或补偿。

如图16所示，本实施方式中的光检测部30包括传感器兼用晶体管T10、电容器C2以及n沟道TFT形式的检测信号输出晶体管T5。

传感器兼用晶体管T10连接在电源线VL与检测信号输出晶体管T5的栅极之间。

设置传感器兼用晶体管T10代替上文参照图5描述的构造中二极管形式的光传感器S1，并且其在导通状态与截止状态之间改变(切换)以用作开关元件，另外在其截止状态下还用作光传感器。

传感器兼用晶体管T10被设置为检测从有机EL元件1发出的光。然后，在传感器兼用晶体管T10的截止状态下，其漏电流响应于发光量增加或减少。具体地，如果有机EL元件1的发光量大，那么漏电流的增加量大，但是如果有机EL元件1的发光量小，那么漏电流的增加量小。

传感器兼用晶体管T10的栅极连接至控制线TLb。因此，传感器兼用晶体管T10通过上文参照图1描述的检测操作控制部21的控制脉冲pT10被导通/截止。当传感器兼用晶体管T10导通时，电源线VL的电位输入至检测信号输出晶体管T5。

应注意，如图1所述，从检测操作控制部21向电源线VL提供采用电源电压Vcc和基准电位Vini的两个值的脉冲电压。

电容器C2连接在阴极电位Vcat与检测信号输出晶体管T5的栅极之间。设置电容器C2以保持检测信号输出晶体管T5的栅极电压。

光检测驱动器22包括用于检测每条光检测线DETL的电位的电压检测部22a。电压检测部22a检测从光检测部30输出的检测信号电压，并且向上文参照图1所述的水平选择器11，具体地，向信号值校正部11a提供检测信号电压作为有机EL元件1的发光量信息，即，作为有机EL元件1的亮度劣化的信息。

应注意，例如二级管连接的晶体管形式的二极管D1连接至光检测线DETl以将电流路径设定为固定值，例如，为阴极电位Vcat。

据此，如图5示出的光检测部200中的二极管D1设置在像素阵列20的外部，即光检测驱动器22侧，这产生了用于减少本实例的光检测部30的元件数量的因素。

以这种方式，通过传感器兼用晶体管T10的设置、二极管D1的外部配置以及检测信号输出晶体管T5与光检测线DETL的直接连接，由两个晶体管T5和T10以及电容器C2来构成本实例的光检测部30。此外，仅两个控制线系统连接至一个光检测部30，包括用于设置用于控制传感器兼用晶体管T10的导通和截止的控制脉冲pT10的控制线TLb以及用于提供脉冲电压的电源线VL。

[3-2.光检测操作期间]

通过上文参照图16描述的光检测部30执行检测像素电路10的有机EL元件1的发光量的光检测操作，这里将描述光检测部30的光检测操作等的执行期间。

应注意，这里描述的光检测操作期间也与下文描述的第二至第七实施方式的光检测操作期间相同。

图17A示出了在正常图像显示之后执行的光检测操作。

应注意，在下文使用的术语“正常图像显示”表示向每个像素电路10提供基于提供给显示装置的图像信号的信号值Vsig以执行一般的动态图像或静止图像的图像显示的状态。

假设在图17A中，在时间t0接通显示装置的电源。

这里，在时间t1之前执行电源接通时的各种初始化操作，并且在时间t1开始正常图像显示。然后，在时间t1之后，执行视频图像的帧F1、F2、...的显示作为正常图像显示。

这期间，光检测部30不执行光检测操作。

在时间t2，正常图像显示结束。这对应于例如执行电源的断开操作的情况。

在图17A的实例中，光检测部30在时间t2之后执行光检测操作。

在这种情况下，为用于例如一帧期间内的一条线的像素执行光检测操作。

例如，当开始光检测操作时，水平选择器11使第一帧Fa内的像素电路10执行通过如图17B所示的白色显示来显示的第一线的这种显示。简而言之，对像素电路10施加信号值Vsig，使得第一线中的像素电路10执行白色显示，即，在所有其他像素电路10都执行黑色显示时的高亮度灰度级显示。

在帧Fa期间内，与第一线中的像素对应的光检测部30检测相应像素的发光量。光检测驱动器22执行各列的光检测线DETL的电压检测以获得第一线中的像素的发光亮度信息。然后，向水平选择器11反馈发光亮度信息。

在下一帧Fb中，水平选择器11使像素电路10执行在如图17B所示的第二线中执行白色显示的显示。换句话说，水平选择器11使第二线中的像素电路10执行白色显示，即高亮度灰度级显示，而使所有其他像素电路10都执行黑色显示。

在帧Fb期间内，与第二线中的像素对应的光检测部30检测相应像素的发光量。光检测驱动器22执行各列的光检测线DETL的电压检测以获得第二线中的像素的发光亮度信息。然后，向水平选择器11反馈发光亮度信息。

重复上述这种操作的顺序直到最末线。在检测了最末线的像素的发光亮度信息并将其反馈至水平选择器11的阶段，光检测操作结束。

水平选择器11基于像素的发光亮度信息执行信号值校正处理。

当在时间t3完成上述的光检测操作时，执行诸如断开显示装置的电源的所需要的处理。

应注意，在对每一线的光检测操作中，选择与线中的各像素对应的光检测部30，利用提供给电源线VL的电源脉冲和从检测操作控制部21提供的用于传感器兼用晶体管T10的控制脉冲pT10执行选择。

具体地，在每帧中，控制光检测部30的操作，使得可以在光检测线DETL上出现响应于仅通过与相关线的像素相对应的光检测部30的光检测的电压变化。

图18A示出了在执行正常图像显示的特定期间内执行的光检测操作。

假设例如在时间t10开始正常图像显示。在开始正常图像显示之后，通过光检测部30在一帧期间内为一条线执行光检测操作。换言之，执行类似于图17A的从时间t2至时间t3期间内执行的检测操作的检测操作。然而，每个像素电路10的显示是在通常情况下的图像显示，而不是用于如图17B的光检测操作的显示。

当对第一至最末线结束光检测操作时，光检测部30就结束光检测操作。

在每个预定期间之后执行光检测操作，并且如果假设检测操作期间的定时在特定时间t12到来，那么同样地执行从第一线至最末线的光检测操作。然后，在完成光检测操作之后，在预定时间内不执行光检测操作。

例如，在执行正常图像显示期间，可以在预定期间内并行执行光检测操作。

图18B示出了当接通电源时执行的光检测操作。

假设在时间t20接通显示装置的电源。这里，在执行诸如当电源可用时的启动的各种初始化操作之后，立即从时间t21起执行光检测操作。具体地，执行类似于图17的从时间t2至时间t3的期间内执行的操作的检测操作。每个像素电路10也执行如图17B所示的用于通过每一帧的白色显示来显示一条线的光检测操作的显示。

在完成对于第一线至最末线的光检测操作之后，水平选择器11使像素电路10在时间t22开始正常图像显示。光检测部30不执行光检测操作。

例如，如果在正常图像显示结束之后、在正常图像显示执行期间、在正常图像显示开始之前或如上所述的某些其他定时执行光检测操作然后执行基于检测的信号值校正处理，那么可以处理发光亮度的劣化。

应注意，例如可以在正常图像显示结束之后或正常图像显示开始之前的这两个定时，都执行光检测操作。

在正常图像显示结束之后或正常图像显示开始之前中的两个或一个定时执行光检测操作，由于可以执行这样的用于图17B所示的光检测操作的显示，所以存在如在白色显示的情况下以高灰度级的发光执行检测的优点。还可以执行任意灰度级的显示以检测对于每个灰度级的劣化程度。

另一方面，在执行正常图像显示期间执行光检测操作的情况下，由于实际显示的图像的实质是不确定的，所以不能指定执行光检测操作的灰度级。因此，需要判定作为考虑发光的灰度级(即施加给检测对象的像素的信号值Vsig)所确定的值的检测值，并且执行信号值校正处理。应注意，由于在执行正常图像显示期间可以重复执行光检测操作和校正处理，所以存在基本上可以时常处理有机EL元件1的亮度劣化的优点。

[3-3.光检测操作]

将参照图19至图25描述通过本实例的光检测部30的光检测操作。在图17A和图17B的正常图像显示结束之后执行光检测操作。

图19示出了像素电路10-1和10-2的扫描脉冲WS、光检测部30-1的控制脉冲pT10、以及光检测部30-2的控制脉冲pT3和pT10。例如，如图17A和图17B所示，在正常图像显示结束或某其他定时为每一条线执行光检测，并且在一帧内执行单个检测操作。

具体地，在像素电路10-1中，执行信号值Vsig的写入以在特定定时执行一帧的发光，这时，在光检测部30-1中，根据控制脉冲pT10和电源线VL的电源脉冲执行光检测操作。

在下一帧期间内，执行信号值Vsig的写入以通过像素电路10-2在特定定时执行一帧的发光，这时，光检测部30-2根据控制脉冲pT10和电源线VL的电源脉冲执行光检测操作。

参照图20至图25来描述光检测操作，关注像素电路10-1和光检测部30-1。

图20示出了从写入扫描器12提供给像素电路10-1(具体地，取样晶体管Ts)的扫描脉冲WS，作为关于光检测部30-1的操作的波形。

图20还示出了电源线VL的电源脉冲。如图20所示，检测操作控制部21在先于光检测期间的检测准备期间内对电源线VL施加基准电位Vini，而在执行光检测的期间内对电源线VL施加电源电压Vcc。

图20还示出了施加至控制线TLb1的控制脉冲pT10。通过控制脉冲pT10导通/截止光检测部30的传感器兼用晶体管T10。

此外，图20还示出了检测信号输出晶体管T5的栅极电压和出现在光检测线DETL上的电压。

如上文参照图19所述，除了每个光检测部30执行光检测的期间以外，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平，并且将电源线VL设定为基准电压Vini。

在图20中，关于光检测部30-1，检测操作控制部21将用于控制线TLb1的控制脉冲pT10设定为H电平，并且将传感器兼用晶体管T10设定为导通状态直到时间t22。此外，检测操作控制部21将电源线VL1设置为基准电压Vini，直到时间tm23。

传感器兼用晶体管T10被控制为导通状态的期间是检测准备期间。

图21示出了直到时间tm20的状态下的等效电路。

关于光检测部30-1和30-2，传感器兼用晶体管T10处于导通状态，并且电源线VL1和VL2表现为基准电压Vini。因此，基准电压Vini被输入至光检测部30-1和30-2的检测信号输出晶体管T5的栅极。

由于检测信号输出晶体管T5的源极连接至光检测线DETL，所以电流Iini通过检测信号输出晶体管T5流至光检测线DETL。因此，光检测线DETL表现出某一电位Vx。

然而，基准电压Vini需要高至将检测信号输出晶体管T5置为导通状态。具体地，基准电压Vini需要高于检测信号输出晶体管T5的阈值电压VthT5、连接至光检测线DETL的二极管D1的阈值电压VthD1和连接至二极管D1的源极的电源的总和。在图21所示的实例中，连接至二极管D1的源极的电源例如是有机EL元件1的阴极电压Vcat。因此，基准电压Vini需要满足以下表达式：

Vini＞VthT5+VthD1+Vcat

应注意，连接至二极管D1的源极的电源不限于阴极电压Vcat。

在图20的从时间tm20至时间tm21的期间内，为一帧期间的显示执行将信号值Vsig写入像素电路10。

具体地，在信号写入期间内，将扫描脉冲WS设定为H电平以使取样晶体管Ts导通。这时，水平选择器11对信号线DTL施加白色显示灰度级的信号值Vsig。因此，在像素电路10中，有机EL元件1根据信号值Vsig发光。在图22中示出这种情况下的状态。

这时，由于传感器兼用晶体管T10导通，检测信号输出晶体管T5的栅极电压保持与基准电位Vini相等，并且光检测线DETL的电位保持与Vx电位相等。

在信号写入结束之后，像素电路10-1中的取样晶体管Ts在时间tm21时截止。

同时，在光检测部30-1中，控制脉冲pT10在时间tm22被置为L电平以截止传感器兼用晶体管T10。在图23中示出了这种状态。

在传感器兼用晶体管T10截止的情况下，与电容器C2与传感器兼用晶体管T10的寄生电容之间的电容比相对应的耦合量ΔVa′被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。因此，检测信号输出晶体管T5的栅极电压下降至Vini-ΔVa′。然后，光检测线DETL的电压改变至Vx-ΔVa。“-ΔVa”表示对应于检测信号输出晶体管T5的栅极电位的下降量“-ΔVa′”的光检测线DETL的电位变化。

通过耦合，在传感器兼用晶体管T10的源极与漏极之间出现电位差，并且根据接收的光量改变传感器兼用晶体管T10的泄漏量。然而，这时的漏电流几乎不改变检测信号输出晶体管T5的栅极电压。这产生了以下事实：传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间的电位差小且将电源线VL从基准电位Vini改变至电源电压Vcc的下一操作之前的时间(tm22至tm23)短。

在经过固定时间期间之后的时间tm23，检测操作控制部将电源线VL的电位从基准电位Vini改变到电源电压Vcc。

通过该操作，来自电源线VL的耦合被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极，因此检测信号输出晶体管T5的栅极电位升高。由于电源线VL的电位改变为高电位，所以在传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间出现大的电位差，并且响应于接收的光量，漏电流从电源线VL流至检测信号输出晶体管T5的栅极。

图24示出了这个状态。通过所述操作，检测信号输出晶体管T5的栅极电压从Vini-ΔVa′至Vini-ΔVa′+ΔV′改变。ΔV′是根据传感器兼用晶体管T10的漏电流、检测信号输出晶体管T5的栅极电压的升高量。

图20示出了检测信号输出晶体管T5的栅极电位在时间tm23之后从Vini-ΔVa′至Vini-ΔVa′+ΔV′逐渐升高的方式。

连同此，光检测线DETL的电位也从电位Vx-ΔVa升高至V0+ΔV。应注意，电位V0是低灰度级显示状态(即，处于黑色显示状态)下的光检测线DETL的电位。同时，ΔV是通过检测信号输出晶体管T5的栅极电压的升高(ΔV′)导致的电位升高量。

由于流至传感器兼用晶体管T10的电流量随着通过传感器兼用晶体管T10接收的光量增加而增加，所以高灰度级显示时光检测线DETL的电压高于低灰度级显示时光检测线DETL的电压。

通过电压检测部22a检测光检测线DETL的该电位变化。该检测电压对应于有机EL元件1的发光量。换言之，如果通过像素电路10执行诸如例如白色显示的特定的灰度级显示，那么检测电压表示有机EL元件1的劣化程度。

在经过固定时间期间之后的时间tm24，检测操作控制部21将电源线VL1设定为基准电压Vini。这时，如果检测信号输出晶体管T5的栅极电压高于基准电压Vini，那么电流从检测信号输出晶体管T5的栅极流至电源线VL1，并且检测信号输出晶体管T5的栅极电压下降。

从时间tm25以后，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平以将传感器兼用晶体管T10置为导通状态。因此，基准电压Vini被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。图25示出了这时的状态。

光检测线DETL的电位在将电源线VL1设定为基准电压Vini时(即，在时间tm24)下降，此后，在时间tm25时将传感器兼用晶体管T10置为导通状态时，光检测线DETL的电位变为电位Vx。

例如，以下列方式执行一帧内对相关线中的像素电路10的检测。

执行如上所述的光检测操作的本实施方式中的光检测部30可以类似于上文参照图5描述的光检测部200和上文参照图10描述的光检测部300以高精度执行光检测操作。

具体地，光检测部30的检测信号输出电路被构造为源极跟随器电路，并且如果检测信号输出晶体管T5的栅极电压改变，那么从检测信号输出晶体管T5的源极输出变化。因此根据传感器兼用晶体管T10的漏电流的变化的检测信号输出晶体管T5的栅极电压的变化从传感器兼用晶体管T10的源极输出至光检测线DETL。

此外，将检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压Vgs被设定为高于检测信号输出晶体管T5的阈值电压。因此，从检测信号输出晶体管T5输出的电流值比在上文参照图3描述的电路构造的电流值更高。因此，即使传感器兼用晶体管T10的电流值低，在电流流经检测信号输出晶体管T5的情况下，发光量的检测信息也可以适当输出至光检测驱动器22。

此外，可以由两个晶体管(T10和T5)和一个电容器C2以及两条控制线(VL和TLb)来构成光检测部30。换言之，可以实现光检测部30的构造的简化，并且使用控制线的控制也不会变复杂。

具体地，与图5的光检测部200相比，可以显著减少光检测部30的部件数量。因此，可以实现光检测部30自身构造的简化。

此外，与上文参照图10描述的光检测部300相比，控制线的数量可以从三条(VL、TLa和TLb)减少至两条(VL和TLb)，并且可以显著减少控制线的配线以及用于驱动控制线的检测操作控制部21的驱动器数量。

因此，可以实现面板构造的简化、成本降低以及产量的提高。

此外，像素阵列20中的元件的配置设置有空间，这适于设计。

此外，在光检测驱动器22向水平选择器11反馈检测到的光量信息作为用于信号值Vsig的校正的信息的情况下，可以采取防止诸如屏幕烧灼的图像质量不良的对策。

应注意，在图16中，本发明应用于有机EL元件1发光与图像信号写入同时进行的像素电路10，而它也可以应用于通过开关或电源线控制发光和不发光的像素电路。

在这种情况下，即使没有发光时执行光检测准备操作，在电源线VL的电位从低电位向高电位改变之后，通过像素电路10开始发光操作以执行光检测操作，也可以没有任何问题地执行光检测。这些点与稍后描述的下列实施方式相同。

<4.第二实施方式>

下面将参照图26至图33描述第二实施方式。

首先参照图26，类似于图21，示出了两个像素电路10(即，10-1和10-2)以及光检测部30(即，30-1和30-2)。光检测部30具有类似于上文描述的第一实施方式的构造，并且在本文中省略它们的重复描述以避免冗余。

此外，不仅在本实施方式中，而且在下文描述的第三至第七实施方式中，像素电路10均具有类似于上文所述的第一实施方式构造，并且在本文中省略它们的重复描述以避免冗余。

图26还示出了光检测驱动器22。图26中的光检测驱动器22类似于图21示出的光检测驱动器，但是不同之处在于，它包括开关SW1和诸如代替连接至光检测线DETL的二极管D1的阴极电压Vcat的固定电源。

例如，使用来自检测操作控制部21的控制信号pSW1控制开关SW1的接通和断开。

使用本构造，也可以类似地执行光量检测。

类似于图19，图27示出了像素电路10-1和10-2的扫描脉冲WS、光检测部30-1的控制脉冲pT3和pT10、以及光检测部30-2的控制脉冲pT3和pT10的波形。虽然所述波形类似于图19的波形，但是图27额外示出了开关SW1的控制信号pSW1的波形。

具体地，像素电路10-1在特定定时执行信号值Vsig的写入和一帧的发光，由此光检测部30-1响应于控制脉冲pT10和电源线VL的脉冲电压执行光检测操作。

在下一帧期间内，像素电路10-2在另一特定定时执行信号值Vsig的写入和一帧的发光，由此光检测部30-2响应于控制脉冲pT10和电源线VL的脉冲电压执行光检测操作。

控制信号pSW1被设定为H电平，使得开关SW1仅在先于光检测期间的预定期间内通过每个光检测部30表现为接通状态。在光检测期间内，开关SW1表现为断开状态。

参照图28至图33详细描述光检测操作，关注像素电路10-1和光检测部30-1侧。

图28示出了涉及光检测部30-1的操作的波形。具体地，类似于图20，图28示出扫描脉冲WS、电源线VL1的电源脉冲、要施加至控制线TLb1的控制脉冲pT10、检测信号输出晶体管T5的栅极电压以及光检测线DETL的电压的波形。图28另外示出了控制信号pSW1的波形。

如上文参照图27所述，除了每个光检测部30执行光检测的期间外，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平，并且将电源线VL设定为基准电压Vini。

在图28中，对于光检测部30-1，检测操作控制部21将用于控制线TLb1的控制脉冲pT10设定为H电平，并且将传感器兼用晶体管T10设定为导通状态直到时间tm33。此外，检测操作控制部21将电源线VL1设定为基准电压Vini，直到时间tm35。控制传感器兼用晶体管T10为导通状态的期间是检测准备期间。

图29示出了从时间tm30至时间tm31期间内的状态下的等效电路。

参照图29，在光检测部30-1和30-2中，传感器兼用晶体管T10处于导通状态且电源线VL1和VL2具有基准电压Vini。因此，检测信号输出晶体管T5的栅极电压是基准电压Vini。

在时间tm30，控制信号pSW1被控制为H电平以接通连接至光检测线DETL的开关SW1。

这时，如果开关SW1的接通电阻低至可以被忽略，那么检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压Vgs变为Vini-Vcat。如果该值高于检测信号输出晶体管T5的阈值电压VthT5，那么电流Iini如图29所示流动。

应注意，例如，虽然光检测线DETL的初始电位用作有机EL元件1的阴极电压Vcat，但是初始电位不限于此，而例如可以使用独立电源。

在从时间tm31至时间tm32的期间内，写入扫描器12将像素电路10-1的扫描脉冲WS控制为H电平以导通取样晶体管Ts。如图30所示，信号值Vsig从信号线DTL输入至驱动晶体管Td的栅极。

这时，水平选择器11对信号线DTL施加例如白色显示灰度级的信号值Vsig。因此，像素电路10中的有机EL元件1响应于信号值Vsig发光。

这时，由于传感器兼用晶体管T10处于导通状态，所以检测信号输出晶体管T5的栅极电压保持基准电压Vini并且光检测线DETL的电位保持阴极电压Vcat。

在经过固定时间期间之后的时间tm33，控制脉冲pT10被设定为L电平以截止光检测部30-1中的传感器兼用晶体管T10。图31示出了这种状态。通过截止传感器兼用晶体管T10，与电容C2与传感器兼用晶体管T10的寄生电容之间的电容比相对应的耦合量ΔVa′被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。因此，检测信号输出晶体管T5的栅极电位下降至Vini-ΔVa′。

这时，流入光检测线DETL的电流值响应于检测信号输出晶体管T5的栅极电压的变化而从“Iini”至“Iini2”改变。如果开关SW1的接通电阻如上文所述低至可以被忽略，那么光检测线DETL的电位几乎保持阴极电压Vcat。

通过耦合，在传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间出现电位差，并且根据接收的光量改变传感器兼用晶体管T10的泄漏量。然而，这时的漏电流几乎不改变检测信号输出晶体管T5的栅极电压。这产生了以下事实：传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间的电位差小，并且将电源线VL1从基准电位Vini改变至电源电压Vcc的下一操作之前的时间(tm33至tm35)短。

此外，在经过固定时间期间之后的时间tm34，通过控制信号pSW1断开开关SW1，然后在时间tm35，将电源线VL1的电位从基准电压Vini改变至电源电压Vcc。在图32中示出了这时的状态。

通过断开开关SW1，光检测线DETL的电位在执行检测信号输出晶体管T5的阈值校正的方向上开始逐渐升高。通过将电源线VL的电位改变为高电位(Vcc)，耦合从电源线VL输入至检测信号输出晶体管T5的栅极，因此传感器兼用晶体管T10的源极-漏极电压进一步增加。

这里，将研究光检测线DETL的电位。

如上文所述，光检测线DETL的电位在开关SW1断开之后立刻开始升高(参照图28)。

在除了诸如执行光检测操作的特定线上的光检测部30-1的光检测部30以外的任何光检测部中，例如，在光检测部30-2中，由于传感器兼用晶体管T10导通，所以检测信号输出晶体管T5的栅极具有基准电压Vini。

因此，如果光检测线DETL的电位低于Vini-VthT5，那么电流值高。相反，如果光检测线DETL的电位高于Vini-VthT5，那么通过执行光检测操作的特定线上的光检测部30(光检测部30-1)的检测信号输出晶体管T5的栅极电压值确定流动的电流。

简而言之，如果光检测部30-1的检测信号输出晶体管T5的栅极电压高于基准电压Vini，那么电位输出至光检测线DETL。

通过上述的一系列操作，光检测部30-1的检测信号输出晶体管T5的栅极电压从Vini-ΔVa′向Vini-ΔVa′+ΔV′改变。ΔV′是根据传感器兼用晶体管T10的漏电流、检测信号输出晶体管T5的栅极电压的升高量。

连同检测信号输出晶体管T5的栅极电压的升高，光检测线DETL的电位也变为V0+ΔV。应注意，V0是低灰度级显示状态下的光检测线DETL的电位。同时，ΔV是对应于上述升高量ΔV′的变化量。

随着由传感器兼用晶体管T10接收的光量增加，流入其的电流量增加。因此，高灰度级显示状态下的检测电压变得高于低灰度级显示状态下的检测电压，并且输出至外部。

通过电压检测部22a检测光检测线DETL的电位变化。检测电压对应于有机EL元件1的接收光量。在像素电路10执行诸如白色显示的特定灰度级的显示的情况下，检测电位表示有机EL元件1的劣化程度。

在经过固定时间期间之后的时间tm36，检测操作控制部21将电源线VL1控制为基准电压Vini。这时，如果检测信号输出晶体管T5的栅极电位高于基准电压Vini，那么电流从检测信号输出晶体管T5的栅极流入电源线VL1，并且检测信号输出晶体管T5的栅极电位下降。

因此，在时间tm37，通过检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平以导通传感器兼用晶体管T10。因此，基准电压Vini被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。此外，在时间tm38，通过控制信号pSW1接通开关SW1。图33示出了这时的状态。

光检测线DETL的电位变为作为接通开关SW1的结果的阴极电压Vcat。

以如上所述这样的方式执行例如一帧中对相关线上的像素电路10的检测。

通过该第二实施方式，也可以预期类似于第一实施方式的效果。

此外，通过第二实施方式，当由于至诸如阴极电压Vcat线的固定电源的贯通电流没有从电源线VL流动而开关SW1断开时，存在与第一实施方式相比可以将能耗抑制为更低的优点。

<5.第三实施方式>

将参照图34至图40描述第三实施方式。

参照图34，每个光检测部30(即，30-1或30-2)均包括类似于上文所述实施方式中的传感器兼用晶体管T10和检测信号输出晶体管T5。

光检测部30还包括连接在检测信号输出晶体管T5的栅极与阴极电压Vcat之间的第一电容器C2，以及连接在检测信号输出晶体管T5的栅极与电源线VL之间的第二电容器C3。

从检测操作控制部21将表现电源电压Vcc或基准电压Vini的脉冲电压施加至电源线VL，即，电源线VL1和VL2中的每一条。

与第二实施方式类似地，光检测驱动器22包括通过来自检测操作控制部21的控制信号pSW1而接通和断开的开关SW1以及电压检测部22a。然而，在本实施方式中，开关SW1连接的固定电位是基准电压Vini的线。

参照图35至图40详细描述光检测操作，关注像素电路10-1和光检测部30-1侧。

图35示出了涉及光检测部30-1的操作的波形。具体地，类似于图28，图35示出扫描脉冲WS、控制信号pSW1、电源线VL1的电源脉冲、施加至控制线TLb1的控制脉冲pT10、检测信号输出晶体管T5的栅极电压以及光检测线DETL的电压的波形。

在图35中，分别通过粗线和细线表示检测信号输出晶体管T5的栅极电压和光检测线DETL的电压，从而它们可以彼此区分。

应注意，虽然图35示出了一帧期间内的波形，但是如果在两帧期间内示出用于光检测部30-1和30-2的控制脉冲pT0、电源线VL的电压脉冲、控制信号脉冲pSW1和扫描脉冲WS，那么波形变为类似于图27示出的第二实施方式的波形。

除了每个光检测部30执行光检测的期间以外，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平，并且将电源线VL设定为基准电压Vini(参照图27)。

在图35中，对于光检测部30-1，检测操作控制部21将用于控制线TLb1的控制脉冲pT10设定为H电平，并且将传感器兼用晶体管T10设定为导通状态直到时间tm43。此外，检测操作控制部21将电源线VL1设定为基准电压Vini，直到时间tm45。传感器兼用晶体管T10被控制为导通状态的期间是检测准备期间。

图36示出了从时间tm40至时间tm41的期间内的状态。

首先，在光检测部30-1和30-2中，传感器兼用晶体管T10处于导通状态，并且电源线VL1和VL2具有基准电压Vini。因此，基准电压Vini被输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

此外，在时间tm40，控制信号pSW被设定为H电平以接通连接至光检测线DETL的开关SW1。因此，光检测线DETL的电位也充电为基准电压Vini。

这时，检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压变为0V以将检测信号输出晶体管T5置为截止状态。

这里应注意，虽然作为示例，光检测线DETL的初始电位是基准电压Vini，但初始电位不限于此，而即使在检测信号输出晶体管T5被置为截止状态时仅使用不同于基准电压Vini的独立电源，也不存在问题。

在从时间tm41至时间tm42的期间内，使用扫描脉冲WS将像素电路10-1的取样晶体管Ts控制为导通状态以向驱动晶体管Td的栅极输入信号值电压Vsig。通过该操作，有机EL元件开始发光。图37中示出了这时的状态。

这时，在光检测部30-1中，由于传感器兼用晶体管T10处于导通状态，所以检测信号输出晶体管T5的栅极电压保持基准电压Vini，并且光检测线DETL的电位也保持基准电压Vini。

在经过固定时间期间之后的时间tm43，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为L电平以截止传感器兼用晶体管T10。图38中示出了这时的状态。

通过截止传感器兼用晶体管T10，耦合量ΔVa′输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

在这时，由于开关SW1是接通状态，所以光检测线DETL的电位也不表现出任何变化。

此外，通过耦合在传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间产生电位差，并且通过接收的光量而改变泄露量。然而，在这时，传感器兼用晶体管T10的漏电流几乎不改变检测信号输出晶体管T5的栅极电压。这是因为在这个时间点，传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间的电位差小，并且下一操作之前的时间，即断开开关SW1以及将电源线VL1的电位从基准电压Vini改变至电源电压Vcc的操作之前的时间短。

此外，在经过固定时间期间之后的时间tm44，检测操作控制部21通过控制信号pSW1断开开关SW1，然后在时间tm45，检测操作控制部21将电源线VL1的电位从基准电压Vini改变至电源电压Vcc。在图39中示出了这时的状态。

通过将电源线VL1的电位从基准电压Vini改变至电源电压Vcc，来自电源线VL1的耦合量ΔVb通过第二电容器C3输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

由于耦合量ΔVb具有依赖于第二电容器C3的值，所以可以通过第二电容器C3的值使检测信号输出晶体管T5的栅极电位高于Vini+VthT5。VthT5是检测信号输出晶体管T5的阈值电压。

如果可以使检测信号输出晶体管T5的栅极电位高于Vini+VthT5，那么检测信号输出晶体管T5导通，并且电流开始从具有电源电压Vcc的电源线VL流至光检测线DETL。

此外，作为通过第二电容器C3的耦合的结果，传感器兼用晶体管T10的源极-漏极电压也变得更高，并且根据接收光量的光漏电流从电源线VL(即，从电源电压Vcc)流至检测信号输出晶体管T5的栅极。

通过该操作，检测信号输出晶体管T5的栅极电压在经过固定时间期间之后从电位Vini-ΔVa′+ΔVb改变为另一电位Vini-ΔVa′+ΔVb+ΔV′。连同此，光检测线DETL的电位也改变为V0+ΔV。ΔV′是根据漏电流的栅极电压的升高量，并且ΔV是与栅极电压的升高量ΔV′对应的光检测线DETL的电位升高量。

通常，光检测元件的光泄漏量随着光检测量接收的光量增加而增加。因此，高灰度级显示状态下的检测电压变得高于低灰度级显示状态下的电压，并且输出至外部。通过电压检测部22a检测光检测线DETL的电位变化。该检测电压对应于从有机EL元件1发出的光量。

在经过固定时间期间之后的时间tm46，检测操作控制部21将电源线VL设定为基准电压Vini。这时，来自具有基准电压Vini的电源线VL1的耦合量ΔVb再次通过第二电容器C3输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。图40示出了这时的状态。

由于该操作检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压Vgs变得低于检测信号输出晶体管T5的阈值电压，所以检测信号输出晶体管T5截止。

此后，在时间tm47，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平以导通传感器兼用晶体管T10。基准电压Vini输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

在时间tm48，检测操作控制部21通过控制信号pSW1接通开关SW1。通过该操作，检测信号输出晶体管T5的栅极电位和光检测线DETL的电位变为基准电压Vini。

以如上所述这样的方式执行例如一帧中对线上的像素电路10的检测。

具体地，在第三实施方式中，在检测信号输出晶体管T5开始光检测信息输出之前，在检测准备操作中执行将光检测线DETL充电为基准电压Vini的操作。

然后，将传感器兼用晶体管T10置为截止状态，此外，电源线VL被设定为电源电压Vcc。因此，通过第二电容器C3在传感器兼用晶体管T10的栅极和漏极之间产生电位差，并且升高传感器兼用晶体管T10的栅极电位以开始光检测信息的输出。

在第三实施方式中，类似于第一和第二实施方式，也可以实现高精度的光检测操作，并且此外，可以采取对策防止诸如屏幕烧灼的图像质量不良。此外，用于光检测部30的控制系统的数量是两个(VL和TLb)，并且这对于面板构造也是有利的。

此外，可以消除来自光检测操作时的电源线VL的贯通电流。因此，可以实现功耗的显著减少。特别是在第二实施方式中，当开关SW1接通时，由于检测信号输出晶体管T5的栅极被充电至基准电压Vini，所以所有线的贯通电流流动。在本实施方式中，当开关SW1接通时，没有贯通电流流动。

<6.第四实施方式>

将参照图41和图42描述第四实施方式。

首先参照图41，每个光检测部30(即，每个光检测部30-1和30-2)类似于上文描述的实施方式的光检测部。同时，光检测驱动器22由电压检测部22a和二极管D1构成。二极管D1连接至基准电压Vini的线。

参照图42详细描述光检测操作，关注像素电路10-1和光检测部30-1侧。图42示出了涉及光检测部30-1的操作的波形。具体地，图42示出扫描脉冲WS、电源线VL1的电源脉冲、施加至控制线TLb1的控制脉冲pT10、检测信号输出晶体管T5的栅极电压以及光检测线DETL的电压的波形。分别通过粗线和细线表示检测信号输出晶体管T5的栅极电压和光检测线DETL的电压，从而它们可以彼此区分。

应注意，虽然图42示出一帧期间内的波形，但是如果在两帧期间内示出了用于光检测部30-1和30-2的控制脉冲pT10、电源线VL的电压脉冲以及扫描脉冲WS，那么波形变为类似于图19示出的第一实施方式中的波形。

除了每个光检测部30执行光检测的期间以外，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平，并且将电源线VL设定为基准电压Vini(参照图19)。在图42中，关于光检测部30-1，检测操作控制部21将用于控制线TLb1的控制脉冲pT10设定为H电平，并且将传感器兼用晶体管T10设定为导通状态直到时间tm52。此外，检测操作控制部21将电源线VL1设定为基准电压Vini，直到时间tm53。将传感器兼用晶体管T10控制为导通状态的期间是检测准备期间。

在检测准备期间内，在光检测部30-1和30-2中，传感器兼用晶体管T10均处于导通状态并且电源线VL1和VL2表现为基准电压Vini。因此，基准电压Vini输入至光检测部30-1和30-2中的检测信号输出晶体管T5的栅极。

光检测线DETL的电位是Vini+VthD1。VthD1是二极管D1的阈值电压。

在从时间tm50至时间tm51的期间内，通过扫描脉冲WS将像素电路10-1的取样晶体管Ts控制为导通状态以向驱动晶体管Td的栅极输入信号值电压Vsig。通过该操作，有机EL元件开始发光。

这时，在光检测部30-1中，由于传感器兼用晶体管T10处于导通状态，所以检测信号输出晶体管T5的栅极电压保持基准电压Vini，并且光检测线DETL的电位也保持基准电压Vini+VthD1。

在时间tm52，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为L电平以截止传感器兼用晶体管T10。

通过截止传感器兼用晶体管T10，向检测信号输出晶体管T5的栅极输入耦合量ΔVa′，并且栅极电压变为Vini-ΔVa′。

在时间tm53，检测操作控制部21将电源线VL1的电位从基准电压Vini改变至电源电压Vcc。

类似于上文描述的第三实施方式的情况，通过将电源线VL1的电位从基准电压Vini改变至电源电压Vcc，通过第二电容器C3向检测信号输出晶体管T5的栅极输入来自电源线VL1的耦合量ΔVb。

通过设定第二电容器C3的值，可以通过输入耦合值ΔVb使检测信号输出晶体管T5的栅极电位高于Vini+VthT5+VthD1。VthT5是检测信号输出晶体管T5的阈值电压。

因此，检测信号输出晶体管T5导通，并且电流开始从具有电源电压Vcc的电源线VL流至光检测线DETL。

此外，通过第二电容器C3的耦合，传感器兼用晶体管T10的源极-漏极电压也增加，并且根据接收光量的光漏电流从具有电源电压Vcc的电源线VL流至检测信号输出晶体管T5的栅极。

通过该操作，检测信号输出晶体管T5的栅极电压在经过固定时间期间之后从电位Vini-ΔVa′+ΔVb改变为另一电位Vini-ΔVa′+ΔVb+ΔV′。连同此，光检测线DETL的电位改变为V0+ΔV。ΔV′是根据漏电流的栅极电压的升高量，并且ΔV是与栅极电压的升高量ΔV′对应的光检测线DETL的电位升高量。

光检测元件的光泄漏量随着通过光检测量接收的光量增加而增加。因此，高灰度级显示状态下的检测电压变得高于低灰度级显示状态下的电压，并且输出至外部。通过电压检测部22a检测光检测线DETL的电位变化。该检测电压对应于从有机EL元件1发出的光量。

在经过固定时间期间之后的时间tm54，检测操作控制部21将电源线VL设定为基准电压Vini。这时，再次通过第二电容器C3向检测信号输出晶体管T5的栅极输入来自具有基准电压Vini的电源线VL1的耦合量ΔVb。

由于该操作检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压Vgs变得低于检测信号输出晶体管T5的阈值电压，所以检测信号输出晶体管T5截止。

此后，在时间tm55，检测操作控制部21将控制脉冲pT10设定为H电平以导通传感器兼用晶体管T10。基准电压Vini输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

此后，光检测线DETL的电位返回为Vini+VthD1。

以如上所述这样的方式执行例如一帧中对相关线上的像素电路10的检测。

对于第四实施方式，也可以预期类似于第三实施方式的效果。

<7.第五实施方式>

将参照图43和图44描述第五实施方式。

第五实施方式具有除了上文参照图34描述的第三实施方式的构造之外，还包括开关晶体管T3的构造。

在这种情况下，检测信号输出晶体管T5的漏极连接至电源线VL。检测信号输出晶体管T5的源极连接开关晶体管T3。

开关晶体管T3连接在检测信号输出晶体管T5的源极与光检测线DETL之间。开关晶体管T3的栅极连接至控制线TLa(TLa1、TLa2)。

例如，上文参照图1描述的检测操作控制部21将控制脉冲pT3施加至控制线TLa，以控制开关晶体管T3的导通和截止。当开关晶体管T3导通时，将流入检测信号输出晶体管T5的电流输出至光检测线DETL。

在图44中示出了两帧期间内的操作波形。除了类似于图27的信号波形之外，图44还示出了光检测部30-1和30-2的开关晶体管T3的控制脉冲pT3的波形。

这种情况下，在光检测线DETL上出现与传感器兼用晶体管T10的漏电流相对应的电位变化，并且电压检测部22a执行电压检测的光检测期间取决于控制脉冲pT3和电源线VL的电位。

在上文描述的第三实施方式中，一帧内的光检测期间是电源线VL表现出电源电压Vcc的期间(参照图35和图27)。

相反，在图43的实例的光检测部30的情况下，响应于开关晶体管T3的导通执行而对光检测线DETL的输出。因此，如图44所示，光检测期间是控制脉冲pT3具有H电平且开关晶体管T3导通以及此外电源线VL表现电源电压Vcc的期间。

因此，不仅可以通过电源线VL的脉冲电压而且可以通过电源线VL的电位的上升沿以及开关晶体管T3的截止确定光检测期间。此外，可以控制开关晶体管T3以在电源线VL具有电源电压Vcc的期间内将光检测期间设定为更短。

<8.第六实施方式>

下面将参照图45至图48描述第六实施方式。

应注意，在下文描述的第六实施方式和第七实施方式中，有机EL显示装置具有如图45所示的这种构造。以下将描述关于该有机EL显示装置与图1的差异。

参照图45，检测操作控制部21通过电源线VL(即，VL1、VL2、...)向光检测部30施加电源脉冲。换言之，检测操作控制部21通过电源线VL向每个光检测部30施加具有电源电压Vcc或基准电压Vini的脉冲电压。

在上文描述的第一至第四实施方式中，检测操作控制部21通过图1示出的控制线TLb对每个光检测部30施加控制脉冲pT10。然而，在第六和第七实施方式中，不执行通过控制脉冲pT10的控制。换句话说，不通过检测操作控制部21执行传感器兼用晶体管T10的导通/截止的控制。

这表示不需要用于在检测操作控制部21中产生控制脉冲pT10的驱动器。

应注意，在第六实施方式中，检测操作控制部21向光检测驱动器22提供控制信号pSW1。

另一方面，在第七实施方式中，检测操作控制部21向光检测驱动器22提供控制信号pSW1和pSW2。

图46示出了第六实施方式中的像素电路10和光检测部30的构造。

光检测部30具有类似于上文描述的第三实施方式中的光检测部30的构造，因为设置了传感器兼用晶体管T10、检测信号输出晶体管T5、第一电容器C2和第二电容器C3，并且使用电源线VL以及元件之间的连接方式也相似。

然而，传感器兼用晶体管T10的栅极连接至固定电位Vcc2的线。此外，第一电容器C2的一端也与电源电压Vcc的线接触。

像素电路10和光检测驱动器22被构造为类似于上文参照图34描述的第三实施方式中的那样。

图47示出了两帧期间内的信号波形。该信号波形基本类似于第三实施方式中的信号波形，即，类似于上文参照图27描述的信号波形。然而，图47没有包括控制脉冲pT10的波形。

此外，在每个光检测部30中，当电源线VL具有基准电位Vini时，进行检测准备，并且电源线VL具有电源电压Vcc的期间是光检测期间。

本第六实施方式的特征在于传感器兼用晶体管T10的栅极连接至固定电位Vcc2的电源。

固定电位Vcc2高于基准电压Vini与传感器兼用晶体管T10的阈值电压VthT10的总和。此外，将固定电位Vcc2设定为低于电源线VL的电位从基准电压Vini改变为电源电压Vcc之后的检测信号输出晶体管T5的栅极电位与传感器兼用晶体管T10的阈值电压VthT10的总和。

简而言之，将固定电位Vcc2设定为这样一个电位，通过该电位，当电源线VL的电位是基准电压Vini时，电源电压Vcc导通传感器兼用晶体管T10，但是当电源线VL的电位从基准电压Vini改变为电源电压Vcc时，电源电压Vcc截止传感器兼用晶体管T10。

通过以这种方式设定固定电位Vcc2以及向传感器兼用晶体管T10的栅极输入固定电位Vcc2，当电源线VL具有基准电压Vini时，传感器兼用晶体管T10可以用作开关以将基准电压Vini充电至检测信号输出晶体管T5的栅极。另一方面，当电源线VL的电位具有电源电压Vcc时，传感器兼用晶体管T10用作光检测元件以向检测信号输出晶体管T5的栅极提供光漏电流，使得检测信号输出晶体管T5的栅极电位根据接收的光量而改变。

结果，在光检测操作时，消除了来自电源线VL的贯通电流，因此可以防止诸如屏幕烧灼的图像质量不良，并且可以减少控制线的数量。因此，可以减少检测操作控制部21中设置的驱动电路或驱动器的数量，并且这有助于成本的降低。

将参照图48描述光检测操作，关注光检测部30-1。

图48示出了涉及光检测部30-1的操作的波形，特别是扫描脉冲WS和电源线VL1的电源脉冲的波形。图48还以粗线和细线示出了检测信号输出晶体管T5的栅极电压和光检测线DETL的电压的波形，以便于区分它们。此外，图48以点划线示出了固定电位Vcc2。

如图47所示，除了每个光检测部30执行光检测的期间以外，检测操作控制部21将电源线VL控制为基准电压Vini。

在图48中，对于光检测部30-1，检测操作控制部21将电源线VL1控制为基准电压Vini直到时间tm64。

如上文所述，当电源线VL1具有基准电压Vini时，传感器兼用晶体管T10导通。直到时间tm64的期间是检测准备期间。

在检测准备期间内，在光检测部30-1和30-2这两者中，传感器兼用晶体管T10均处于导通状态，并且电源线VL1和VL2具有基准电压Vini。因此，基准电压Vini输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

此外，在时间tm60，将控制信号pSW1设定为H电平以接通连接至光检测线DETL的开关SW1，从而将光检测线DETL的电位初始化为基准电压Vini。

在这种状态下，检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压是0V，并且检测信号输出晶体管T5表现为截止状态。

在从时间tm61至时间tm62期间内，通过扫描脉冲WS导通像素电路10-1的取样晶体管以向驱动晶体管Td的栅极输入信号值电压Vsig。通过该操作，有机EL元件1开始发光。

这时，由于光检测部30-1中的传感器兼用晶体管T10导通，所以检测信号输出晶体管T5的栅极电压保持基准电压Vini，并且光检测线DETL的电位也保持基准电压Vini。

检测操作控制部21在时间tm63通过控制信号pSW1断开开关SW1，并且在时间tm64将电源线VL1设定为电源电压Vcc。

通过将电源线VL1的电位从基准电压Vini改变至电源电压Vcc，传感器兼用晶体管T10截止。

然后，来自电源线VL1的耦合量ΔVb通过第二电容器C3而输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。如图48所示，检测信号输出晶体管T5的栅极电压升高为Vini+ΔVb。

由于耦合量ΔVb具有取决于第二电容器C3的值，所以可以使检测信号输出晶体管T5的栅极电位高于Vini+VthT5(其是检测信号输出晶体管T5的阈值电压)。

当检测信号输出晶体管T5的栅极电位变得高于Vini+VthT5时，检测信号输出晶体管T5导通，并且电流开始从具有电源电压Vcc的电源线VL流至光检测线DETL。

通过第二电容器C3的耦合，传感器兼用晶体管T10的源极-漏极电压也增大，并且依赖于接收光量的光漏电流从具有电源电压Vcc的电源线VL流至检测信号输出晶体管T5的栅极。

通过该操作，检测信号输出晶体管T5的栅极电压在经过固定时间期间之后从Vini+ΔVb改变为Vini+ΔVb+ΔV′，并且连同于此，光检测线DETL的电位也改变为V0+ΔV。ΔV′是栅极电压根据漏电流的升高量，并且ΔV是对应于栅极电压的升高量ΔV′的光检测线DETL的电位升高量。

通常，光检测元件的光泄漏量随着光检测元件接收的光量增加而增加。因此，高灰度级显示状态下的检测电压变得高于低灰度级显示状态下的电压，并且输出至外部。通过电压检测部22a检测光检测线DETL的电位变化。该检测电压对应于从有机EL元件1发出的光量。

经过固定时间期间之后的时间tm65，检测操作控制部21将电源线VL设定为基准电压Vini。这时，再次通过第二电容器C3向检测信号输出晶体管T5的栅极输入来自具有基准电压Vini的电源线VL1的耦合量ΔVb。

由于该操作使得检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压Vgs变为低于检测信号输出晶体管T5的阈值电压，所以检测信号输出晶体管T5截止。

此外，由于此时，传感器兼用晶体管T10导通，所以基准电压Vini输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

在时间tm66，检测操作控制部21通过控制信号pSW1接通开关SW1。通过该操作，光检测线DETL的电位变为基准电压Vini。

以如上所述这样的方式执行例如一帧中对该线上的像素电路10的检测。

如上所述，在本第六实施方式中，向传感器兼用晶体管T10施加固定电压Vcc2作为栅极电压。然后，当电源线VL具有基准电压Vini时，传感器兼用晶体管T10表现为导通状态，而当电源线VL具有电源电压Vcc时，传感器兼用晶体管T10表现为截止状态。

然后，当将电源线VL设定为电源电压Vcc以将传感器兼用晶体管T10置为截止状态时，通过第二电容器C3而在传感器兼用晶体管T10的栅极-漏极电压中出现电位差，并且升高传感器兼用晶体管T10的栅极电位以开始输出光检测信息。

由于消除了传感器兼用晶体管T10的导通/截止控制系统的必要性，所以可使传感器兼用晶体管T10的栅极线为各光检测部30所共用。

特别地，在图46的实例的情况下，将第一电容器C2的一端也设定为固定电位Vcc2，因此也可以使第一电容器C2的连接点为各光检测部30所共用。

因此，通过减少用于光检测部30的控制线的数量的减少、光检测操作控制部21中控制线驱动器的数量等，可以显著简化面板构造，并且可以实现产量的提高。

此外，可以在光检测操作时消除来自电源线VL的贯通电流，并且可以预期功耗的减少。

<9.第七实施方式>

将参照图49至图56描述第七实施方式。

参照图49，每个光检测部30均类似于上文描述的第六实施方式中的光检测部，其设置有传感器兼用晶体管T10、检测信号输出晶体管T5、第一电容器C2和第二电容器C3，并引入了电源线VL以及上述的元件之间的连接方式。

然而，光检测部30不同于第六实施方式之处在于，传感器兼用晶体管T10的栅极连接至光检测线DETL且第一电容器C2的一端连接至阴极电压Vcat。

此外，光检测驱动器22包括连接至光检测线DETL的开关SW1和SW2。

开关SW1的另一端连接至基准电压Vini的线，并且通过来自光检测操作控制部21的控制信号pSW1而控制开关SW1的接通和断开。

开关SW2的另一端连接至固定电位Vdd的线，并且通过来自光检测操作控制部21的控制信号pSW2而控制开关SW2的接通和断开。

图50示出了两帧期间内的信号波形。

类似于上述第六实施方式，每个光检测部30均具有电源线VL被设定为电源电压Vcc的光检测期间。

然后，通过控制信号pSW2接通开关SW2的时间点到通过控制信号pSW1断开开关SW1的另一时间点的期间是用于检测准备的期间。

具体地，关于检测准备，首先将开关SW1和SW2中的开关SW2控制为接通状态一段固定时间。然后，在开关SW2截止之后，将开关SW1控制为接通状态一段固定时间。

将参照图51至图56描述光检测操作，关注光检测部30-1。

图51示出了涉及光检测部30-1的操作的波形，具体地说，扫描脉冲WS、电源线VL1的电源脉冲以及控制信号pSW1和pSW2的波形。图51还分别以粗线和细线示出检测信号输出晶体管T5的栅极电压和光检测线DETL的电压的波形，以便于区分它们。

如图50所示，除了每个光检测部30执行光检测的期间以外，检测操作控制部21将电源线VL控制为基准电压Vini。

在图51中，关于光检测部30-1，检测操作控制部21将电源线VL1控制为基准电压Vini直到时间tm76。

如上所述，通过开关SW1和SW2限定检测准备期间。在从时间tm70至tm73期间内，通过控制信号pSW2将开关SW2控制为接通状态，并且在时间tm74至tm75期间内，通过控制信号pSW1将开关SW1控制为接通状态。

首先，关于光检测准备，检测操作控制部21在时间tm70接通开关SW2。如图52所示，当开关SW2接通时，将光检测线DETL的电位设定为固定电位Vdd。

这里，固定电位Vdd具有高于基准电压Vini与传感器兼用晶体管T10的阈值电压VthT10的总和的值。此外，在该时间点上，电源线VL具有基准电压Vini。

由于传感器兼用晶体管T10的栅极连接至光检测线DETL，所以当设定光检测线DETL为固定电位Vdd时，将传感器兼用晶体管T10置为导通状态。因此，将检测信号输出晶体管T5的栅极电位充电至基准电压Vini。

这时，检测信号输出晶体管T5的源极变为电源线VL，并且检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压变为0V。结果，检测信号输出晶体管T5表现为截止状态。

在时间tm71至tm72的期间内，使用扫描脉冲WS导通像素电路10-1的取样晶体管Ts以向驱动晶体管Td的栅极输入信号值电压Vsig。通过该操作，有机EL元件开始发光。图53中示出了这时的状态。

这时，由于开关SW2导通且光检测部30-1中的传感器兼用晶体管T10导通，所以检测信号输出晶体管T5的栅极电压保持基准电压Vini，并且光检测线DETL的电位也保持固定电位Vdd。

检测操作控制部21在时间tm73断开开关SW2，然后在时间tm74使用控制信号pSW1接通开关SW1。图54中示出了这时的状态。

通过接通开关SW1，光检测线DETL的电位从固定电位Vdd至基准电压Vini改变。

因此，传感器兼用晶体管T10的栅极电位变为基准电压Vini，并且传感器兼用晶体管T10截止。

这时，通过传感器兼用晶体管T10的栅极电压的变化，即通过光检测线DETL的电位变化，耦合量ΔVa′输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

由于耦合，在传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间出现电位差，并且漏电流响应于接收的光量而改变。然而，传感器兼用晶体管T10的光漏电流几乎不改变检测信号输出晶体管T5的栅极电压。这是因为传感器兼用晶体管T10的源极和漏极之间的电位差小，并且在执行作为下一操作的断开开关SW1以及将电源线VL的电位改变至电源电压Vcc之前的时间期间短。

此外，在经过固定时间期间之后的时间tm75，检测操作控制部21断开开关SW1，然后在时间tm76，检测操作控制部21将电源线VL1的电位从基准电压值Vini改变至电源电压Vcc。图55中示出了这时的状态。

通过将电源线VL的电位从基准电压值Vini改变至电源电压Vcc，耦合量ΔVb通过第二电容器C3从电源线VL1输入至检测信号输出晶体管T5的栅极。

由于耦合量ΔVb采用依赖于第二电容器C3的值，所以可以使用第二电容器C3的值来将检测信号输出晶体管T5的栅极电位升高为高于Vini+VthT5。VthT5是检测信号输出晶体管T5的阈值电压。

当检测信号输出晶体管T5的栅极电位变得高于Vini+VthT5时，检测信号输出晶体管T5导通。因此，电流开始从具有电源电压Vcc的电源线VL流至光检测线DETL。

这时，光检测线DETL的电位从基准电压Vini逐渐升高。然而，光检测线DETL的电位基本根据光检测部30-1的检测信号输出晶体管T5的栅极电压的增大而升高。因此，光检测线DETL的电位低于通过从检测信号输出晶体管T5的栅极电位减去检测信号输出晶体管T5的阈值电压而获得的值。

因此，在光检测期间内，光检测部30-1的传感器兼用晶体管T10的栅极-源极电压是负的。此外，源极-漏极电压也通过耦合增大。因此，光检测部30-1的传感器兼用晶体管T10根据接收的光量从电源线VL1向检测信号输出晶体管T5的栅极提供光漏电流。

通过所述操作，检测信号输出晶体管T5(N)的栅极电压在固定时间期间之后从Vini-ΔVa′+ΔVb改变为Vini-ΔVa′+ΔVb+ΔV′。连同此，光检测线DETL的电位变为V0+ΔV。

此外，当光检测线DETL的电位超过基准电压Vini与光检测部30-2的传感器兼用晶体管T10的阈值电压的总和时，光检测部30-2中的传感器兼用晶体管T10导通，并且光检测部30-2的检测信号输出晶体管T5的栅极电位变为基准电压Vini。

通常，光检测元件的光泄漏量随着光检测元件接收的光量增加而增加。因此，高灰度级显示状态下的检测电压变得高于低灰度级显示状态下的电压，并且输出至外部。通过电压检测部22a检测图51中示出的光检测线DETL的电位变化。该检测电压对应于从有机EL元件1发出的光量。

在经过固定时间期间之后的时间tm77，检测操作控制部21将电源线VL设定为基准电压Vini以结束光检测操作。

这时，再次通过第二电容器C3向检测信号输出晶体管T5的栅极输入来自电源线VL1的耦合量ΔVb。通过该操作，检测信号输出晶体管T5的栅极-源极电压Vgs变得低于检测信号输出晶体管T5的阈值电压，因此检测信号输出晶体管T5截止。图56中示出了这时的状态。

这里，如果由于耦合，光检测线DETL的电位变得高于检测信号输出晶体管T5的栅极电压与传感器兼用晶体管T10的阈值电压的总和，那么传感器兼用晶体管T10导通，以将检测信号输出晶体管T5的栅极电位充电至基准电压Vini。

应注意，如果光检测线DETL的电位不高于上述总和，那么检测信号输出晶体管T5的电位得以保持。然而，由于此后开关SW2在时间tm78接通以将光检测线DETL的电位充电至固定电位Vdd，所以传感器兼用晶体管T10导通以将检测信号输出晶体管T5的栅极电位充电至基准电压Vini。

例如，以如上所述这样的方式执行一帧中对相关线上的像素电路10的检测。

如上所述，第七实施方式被构造为使得传感器兼用晶体管T10的栅极连接至光检测线DETL，并且可使用开关SW1和SW2而将光检测线DETL充电至两个固定电压，即，电压Vdd和Vini。

同时，光检测部30包括连接在检测信号输出晶体管T5的栅极与固定电位(即，电位Vcat)之间的第一电容器C2，以及连接在检测信号输出晶体管T5的栅极与电源线VL之间的第二电容器C3。

然后，在用于对光检测线DETL充电的两个固定电压中，较高的电位(即，电位Vdd)导通传感器兼用晶体管T10。同时，较低的电位被设定为导通检测信号输出晶体管T5(通过第二电容器C3将来自电源线VL的耦合输入至其)。较低的电位例如是基准电压Vini。

通过第七实施方式，可以实现对于第六实施方式构造的简化和产量的提高，因为可以减少提供给传感器兼用晶体管T10的栅极的固定电源。

此外，类似于第六实施方式，由于可以消除光检测操作时来自电源线VL的贯通电流，以作为防止诸如屏幕烧灼的图像质量不良的对策，除此之外还可以减少控制线的数量，所以可以减少设置在检测操作控制部21中的驱动电路或驱动器的数量。因此，可以预期成本的降低。

应注意，在上述实施方式中，开关SW1和SW2被设置为通过两个固定电压(即，通过电压Vdd和Vini)对光检测线DETL充电。然而，代替这种构造，可以生成具有电位Vdd和Vini的脉冲电压，使得在各个预定定时通过单个开关向光检测线DETL提供电位Vdd和Vini。

<10.修改例和应用例>

上面描述了第一至第七实施方式，这里将描述可以应用于实施方式的修改例。

首先，可考虑改变光检测部30中的传感器兼用晶体管T10的灵敏度以固定要从检测不同波长的光的光检测部30输出至光检测线DETL的电压电平。

具体地，将用于检测具有高能量的光的传感器兼用晶体管T10的灵敏度设定为低，而将用于检测具有低能量的光的另一传感器兼用晶体管T10的灵敏度设定为高。例如，为了改变光的灵敏度，应该改变通过作为传感器兼用晶体管T10的晶体管的沟道长度或沟道宽度确定的晶体管尺寸或沟道材料的膜厚度。

具体地，将检测具有更高能量的光(诸如B光)的光检测部30的传感器兼用晶体管T10的沟道膜厚度设定为薄，而将传感器兼用晶体管T10的沟道宽度设定为小。相反，将检测具有低能量的光的传感器兼用晶体管T10的沟道膜厚度设定为薄，而将传感器兼用晶体管T10的沟道宽度设定为大。

例如，在对应于B光像素、G光像素以及R光像素的光检测部30之中，将用于检测B光的传感器兼用晶体管T10的沟道膜厚度设定为最薄，而将用于检测R光的传感器兼用晶体管T10的沟道膜厚度设定为最厚。或者，将用于检测B光的传感器兼用晶体管T10的沟道宽度设定为最小，而将用于检测R光的传感器兼用晶体管T10的沟道宽度设定为最大。或同时应用这两种对策。

通常，随着所接收的光的波长变得更短，即随着光的能量的增大，光检测元件提供更大量的漏电流。因此，通过响应于所接收的光的波长而设定每个传感器兼用晶体管T10的灵敏度，可使每个光检测部30中的检测信号输出晶体管T5的栅极电位的变化为与所接收的光的能量无关的固定值。结果，可以将要输出至光检测线DETL的电压设定为不依赖于发光波长的相等电压。因此，可以预期光检测驱动器22的简化。

此外，像素电路10的构造绝不限于上文描述的实施方式，而可以采用各种其他构造。具体地，上面描述的每个实施方式可以广泛应用于这样的显示装置，该显示装置采用无论上面参照图16描述的像素电路10的构造如何而执行光检测操作的像素电路，并且包括设置在像素电路外部的用于检测像素电路的发光量的光检测部。

此外，虽然一些实施方式在光检测部30或光检测驱动器22中利用阴极电压Vcat，但是它们也可以不利用阴极电压Vcat而利用某些其他的固定电位。

此外，可以在同一定时执行关于多条线的光校正，或用于不同线的多个光检测期间可以彼此交叠。由于通过采用任意的这样的定时关系可以增加光检测元件的数量，所以可以增加光检测的精度，还可以减小光检测期间。

例如，当检测特定线上EL元件的发光亮度时，多条线的光检测期间是彼此共用的的或彼此交叠。换句话说，多个光检测部30设置有它们同时检测一个像素电路10中的有机EL元件1的光的周期。

图57A和图57B示出了关于第一实施方式的图19中示出的波形。具体地，图57A示出了在同一定时对光检测部30-1和30-2施加电源线VL1和VL2的电源脉冲以及控制线TLb1和TLb2的控制脉冲pT10的波形。光检测部30-1和30-2的光检测期间是相同的期间。

换句话说，当驱动图16示出的像素电路10-1发光时，两个光检测部30-1同时执行光检测操作。

同时，图57B示出了以彼此交叠关系对光检测部30-1和30-2施加电源线VL1和VL2的电源脉冲和控制线TLb1和TLb2的控制脉冲pT10的波形，或换句话说，光检测部30-1和30-2的光检测期间彼此交叠。这种情况下，在某一期间内，通过光检测部30-1和30-2同时执行光检测。简而言之，在交叠的期间内，当图16示出的像素电路10-1发光时，通过两个光检测部30-1同时执行光检测操作。

这里应注意，虽然图57A和图57B示出了两条线的像素的波形，然而在多个光检测部30同步或以时间上彼此交叠的关系输出光检测信息的情况下，这种光检测部30自然可以属于三条以上的线。

通过以这种方式将不同线的像素的光检测期间设定为相同期间或交叠的光检测期间，可以增加光检测灵敏度，并且可以加速对应于向光检测线DETL的泄露的电压升高。因此，还变得可以缩短光检测期间或减小光检测元件的尺寸。结果，可以预期产量的提升，并且可以采取对策以防止由发光元件的效率劣化而引起的图像质量不良(诸如屏幕烧灼)。

虽然在图57A和图57B中示出了基于第一实施方式的波形，但是对于第二至第七实施方式，通过设定用于设定光检测期间的脉冲的定时，将多条线中的光检测部30的光检测期间设定为相同的光检测期间或彼此交叠的光检测期间，也可以预期类似的效果。

现在描述本发明的应用例。

本发明可以应用于光从外部照射在屏幕上以执行信息输入的电子设备。

例如，图58A示出了使用者操作激光笔1000将激光束指向至显示面板1001的状态。

显示面板1001可以是上文参照图1和图45描述的有机EL显示面板中的任一种。

例如，在整个屏幕显示黑色时，使用激光笔1000的光在显示面板1001上画圆。然后，在显示面板1001的屏幕上显示所画的圆。

具体地，通过像素阵列20上的光检测部30检测激光笔1000的光。然后，光检测部30将激光的检测信息传输至水平选择器11，具体地说，信号值校正部11a。

水平选择器11将预定亮度的信号值Vsig施加至与检测激光的光检测部30相对应的像素电路10。

因此，可以从显示面板1001的屏幕在激光的照射位置上产生高亮度的光。简而言之，可以通过激光照射执行在面板上绘制图形、字符、符号等的显示。

图58示出了检测激光笔1000的方向输入的实例。

参照图36B，从激光笔1000照射激光束使得它例如从右向左移动。由于通过显示面板1001上的光检测部30的检测，可以检测屏幕上激光照射位置的变化，所以可在用户指引激光的方向上进行检测。

例如，执行显示内容的变更等，使得该方向可被识别为操作输入。

自然，可以通过将激光束指向在屏幕上显示的操作图标等来识别操作内容。

以这种方式，可以将来白外部的光识别为显示面板1001上的坐标输入，从而应用于各种操作和应用。

此外，在上述画图或操作输入的应用中，如果作为上述图57中的实例，多个光检测部30同时或以时间上彼此交叠的关系输出光检测信息，那么有利于提高外部光的检测能力。

例如，当检测从外部提供的光时，通过使用于多条线的光检测期间彼此交叠而提高光检测灵敏度，并且可以减少光检测期间或光检测元件的尺寸。结果，可以实现产量的提高，还可以采取对策以防止由发光元件的效率降低所导致的图像质量不良(诸如屏幕烧灼)。

尽管已经使用特定术语描述了本发明的优选实施方式，但是这样的描述仅用于说明性的目的，并且应当理解，在不背离所附权利要求的精神或范围的情况下，可以进行修改和变形。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：

多个像素电路，以矩阵形式设置在多条信号线与多条扫描线彼此相交的位置上，并且各自包括发光元件；

发光驱动部，用于对每个所述像素电路施加信号值以使所述像素电路发出对应于所述信号值的亮度的光；以及

光检测部，设置在每个所述像素电路中，并且包括传感器-开关兼用元件以及检测信号输出晶体管，所述传感器-开关兼用元件通过在导通状态与截止状态之间切换而用作开关元件，并且在其截止状态下用作用于检测来自所述像素电路的所述发光元件的光的光传感器，所述检测信号输出晶体管直接连接至光检测线，以用于将与截止状态下的所述传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息输出至所述光检测线。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光检测部在所述传感器-开关兼用元件被置于导通状态时向所述检测信号输出晶体管的栅极节点提供预定的基准电位，而在所述传感器-开关兼用元件被置于截止状态时响应于来自所述发光元件的光的接收向所述检测信号输出晶体管的栅极节点提供电流以改变所述检测信号输出晶体管的栅极电位，使得所述检测信号输出晶体管根据所述栅极电位的变化来输出所述光检测信息。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，能在预定的操作电源电位与所述基准电位之间切换的电源线连接至所述光检测部，而所述传感器-开关兼用元件和所述检测信号输出晶体管连接至所述电源线，使得当所述传感器-开关兼用元件被置于导通状态而所述电源线被设定为所述基准电位时，向所述检测信号输出晶体管的栅极节点提供所述基准电位，而当所述传感器-开关兼用元件被置于截止状态且所述电源线被设定为所述操作电源电位时，所述传感器-开关兼用元件响应于从所述发光元件接收的光对所述检测信号输出晶体管的栅极节点施加电流以改变所述检测信号输出晶体管的栅极电位，使得所述检测信号输出晶体管根据所述栅极电位的变化来输出所述光检测信息。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述光检测部还包括：

第一电容器，连接在所述检测信号输出晶体管的栅极与固定电位之间；以及

第二电容器，连接在所述检测信号输出晶体管的栅极与所述电源线之间。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，当所述传感器-开关兼用元件被置于截止状态且所述电源线被设定为所述操作电源电位时，通过所述第二电容器在作为所述传感器-开关兼用元件的晶体管的栅极与漏极之间产生电位差，并且所述检测信号输出晶体管的栅极电位升高以开始所述光检测信息的输出。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述检测信号输出晶体管开始输出所述光检测信息之前的检测准备操作中，执行将所述光检测线充电至所述基准电位的操作。

7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，向作为所述传感器-开关兼用元件的所述晶体管的栅极节点提供固定的栅极电位，通过所述固定的栅极电位，所述传感器-开关兼用元件在所述电源线具有所述基准电位时表现为导通状态，而在所述电源线具有所述操作电源电位时表现为截止状态。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述光检测部还包括：

第一电容器，连接在所述检测信号输出晶体管的栅极与所述固定的栅极电位之间；以及

第二电容器，连接在所述检测信号输出晶体管的栅极与所述电源线之间。

9.根据权利要求3所述的显示装置，其中，作为所述传感器-开关兼用元件的所述晶体管的栅极节点连接至所述光检测线，并且能将所述光检测线充电至至少两个不同的固定电位。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述光检测部还包括：

第一电容器，连接在所述传感器-开关兼用元件的漏极与固定电位之间；以及

第二电容器，连接在所述检测信号输出晶体管的栅极与所述电源线之间，以及

对所述光检测线充电的两个所述固定电位中的较高电位被设定为用于导通所述传感器-开关兼用元件，而两个所述固定电位中的较低电位被设定为用于导通所述检测信号输出晶体管，来自所述电源线的耦合通过所述第二电容器而输入至所述检测信号输出晶体管。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，两个所述固定电位中的较低电位是所述基准电位。

12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括校正信息生成部，所述校正信息生成部用于向所述发光驱动部提供从所述光检测部输出至所述光检测线的所述光检测信息作为用于所述信号值的校正的信息。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光检测部在所述像素电路开始正常图像显示之前或结束所述正常图像显示之后执行光检测操作。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光检测部在正常图像显示期间中的间断期间内执行所述光检测操作。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，设置多个所述光检测部，并且分别驱动和控制多个所述光检测部以同时或以时间上彼此交叠的关系输出所述光检测信息。

16.一种用于显示装置的光检测方法，所述显示装置包括具有发光元件的像素电路以及用于检测来自所述像素电路的所述发光元件的光并输出光检测信息的光检测部，所述光检测部包括传感器-开关兼用元件以及检测信号输出晶体管，所述传感器-开关兼用元件通过其在导通状态与截止状态之间切换而用作开关元件，并且在其截止状态下用作用于检测来自所述像素电路的所述发光元件的光的光传感器，所述检测信号输出晶体管直接连接至光检测线，以用于将与截止状态下的所述传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息输出至光检测线，所述光检测方法包括以下步骤：

从所述检测信号输出晶体管向所述光检测线输出与在所述传感器-开关兼用元件的截止状态下流入所述传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的所述光检测信息。

17.一种电子装置，包括：

多个像素电路，以矩阵形式设置在多条信号线与多条扫描线彼此相交的位置上，并且各自包括发光元件；

发光驱动部，用于将信号值施加至每个所述像素电路以使所述像素电路发出对应于所述信号值的亮度的光；以及

光检测部，包括传感器-开关兼用元件以及检测信号输出晶体管，所述传感器-开关兼用元件通过其在导通状态与截止状态之间切换而用作开关元件，并且在其截止状态下用作用于检测来自所述像素电路的所述发光元件的光的光传感器，所述检测信号输出晶体管直接连接至光检测线，以用于将与截止状态下的所述传感器-开关兼用元件的电流变化量相对应的光检测信息输出至所述光检测线。

18.一种显示装置，包括：

多个像素电路，以矩阵形式设置，并且各自包括发光元件；以及

光检测部，包括能够用作开关元件以及还用作用于检测来自所述发光元件的光的光传感器的传感器-开关兼用元件，以及检测信号输出晶体管，其中，所述传感器-开关兼用元件在其截止状态下用作所述光传感器，且所述检测信号输出晶体管直接连接至光检测线。

19.根据权利要求18所述的显示装置，所述检测信号输出晶体管根据截止状态下的所述传感器-开关兼用元件的电流变化量输出光检测信息。