CN102115878A - 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 - Google Patents
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- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 37
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims abstract description 21
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 14
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 claims description 8
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000012010 growth Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 8
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 4
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001573 adamantine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷,所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附;所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应,形成不稳定的碳碘键;所述卤代反应停止后,再通入氨气继续进行胺化反应,所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代;所述胺化反应结束后,硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜,该制备方法操作简单,转化率高,能耗小,更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳薄膜的生长,且制得的氮化碳薄膜结构完整。
Description
技术领域
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法。
背景技术
氮化碳(C3N4)材料的研究已经从理论发展到了实践,科学家们已经可以在实验室条件下制备出具有两到三种结构的氮化碳(C3N4)物质,并且证明了它们具有超过金刚石的硬度。但是,目前所使用的外延生长法、化学气相沉积法等制备出的氮化碳薄膜多为非晶结构,而且没有制备出具有最大硬度的单晶立方型结构的氮化碳(C3N4)晶体,因此对于单晶立方型氮化碳(C3N4)的研究仍在进行。
原子层沉积(Atomic Layer Deposition,以下简称ALD)方法利用衬底对薄膜的逐层生长方式,可制备出具有单晶立方型结构的氮化碳(C3N4)晶体,通过对其工艺条件的改进,能够更高效的利用衬底和反应气体之间的相互作用制备出具有单晶立方型结构的氮化碳(C3N4)薄膜。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,该方法操作简单,转化率高,能耗小,更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳(C3N4)薄膜的生长,通过本方法制得的氮化碳薄膜结构完整。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案为:一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:
将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;
向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷,所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附;
所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应,形成不稳定的碳碘键;
所述卤代反应停止后,再通入氨气继续进行胺化反应,所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代;
所述胺化反应结束后,硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。
上述方案中,所述硅衬底预先进行氢化处理,使衬底表面形成硅氢键,所述氢化处理的条件为:在50℃-1000℃等离子体条件下,通入氢气1分钟-60分钟。
上述方案中,所述氢化处理的条件为:在200℃-500℃等离子体条件下,通入氢气5分钟-20分钟。
上述方案中,所述重氮甲烷的通入时间为2分钟-60分钟。
上述方案中,所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附的条件是光照,所述光照的光源为波长是270nm-350nm的紫外光。
上述方案中,所述气态碘单质的通入时间为2分钟-60分钟。
上述方案中,所述卤代反应是在光照条件下进行的,所述光照的光源为高压汞灯,波长为350nm-450nm。
上述方案中,所述氨气的浓度为99.5%-99.99%,通入时间为30秒-60分钟。
上述方案中,所述原子层沉积设备反应腔在通入重氮甲烷或气态碘单质的前后均通入惰性气体。
上述方案中,所述惰性气体为氩气或氦气,浓度为99.99%,通入时间为5分钟-20分钟。
与现有技术相比,本发明技术方案产生的有益效果如下:
本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜,该制备方法操作简单,转化率高,能耗小,更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳(C3N4)薄膜的生长,且制得的单晶立方型氮化碳薄膜结构完整。
附图说明
图1为本发明实施例提供的重氮甲烷与硅衬底进行化学吸附的过程示意图;
图2为本发明实施例提供的重氮甲烷与气态碘单质进行卤代反应的过程示意图;
图3为本发明实施例提供的氨气与卤代反应副产物进行胺化反应的过程示意图;
图4为本发明实施例提供的硅衬底表面亚碘甲基和氨基发生反应的示意图;
图5为本发明实施例提供的硅衬底表面亚碘甲基和氨基发生二次反应后的俯视图;
图6为反应前和反应后硅衬底表面的化学式表示图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明技术方案进行详细描述。
实施例1:
一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤101,在200℃等离子体条件下,对硅(111)衬底表面用氢气处理5分钟,使硅衬底表面形成Si-H键,如图1中a图所示;
步骤102,将进行氢化处理后的硅衬底放置于原子层沉积设备的反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,对反应腔进行清洗;再向反应腔中通入重氮甲烷5分钟,同时用波长为285nm的紫外光照射,使重氮甲烷分解,分解产物具有的未成键电子,重氮甲烷分解的化学表达式为:如图1中b图所示;
步骤103,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的重氮甲烷,再通入气态碘单质5分钟,如图2中a图所示;同时用波长为355的高压汞灯照射,使得硅衬底表面的甲基结构与气态碘单质发生取代反应,甲基结构中的氢原子被碘原子取代,形成不稳定的碳碘键,取代反应的化学表达式为:如图2中b图所示;
步骤104,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的气态碘单质,再通入浓度为99.5%-99.99%的氨气50秒,如图3中a图所示;利用氮原子中未成对的孤对电子的亲核性,以及碘原子的不稳定性来发生反应,反应的化学表达式为:C-I+NH3→C-NH2+HI,使得碳氮成键,如图3中b图所示;
步骤105,用光照使得碘原子被氮原子二次取代,如图4所示,即再次脱去HI分子,图5为衬底表面发生第三次反应后的结构俯视图,所得物质即为单晶立方型氮化碳(C3N4)薄膜。硅衬底表面反应前后的化学式如图6所示。
实施例2:
一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤101,在300℃等离子体条件下,对硅(111)衬底表面用氢气处理10分钟,使硅衬底表面形成Si-H键,如图1中a图所示;
步骤102,将进行氢化处理后的硅衬底放置于原子层沉积设备的反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,对反应腔进行清洗;再向反应腔中通入重氮甲烷10分钟,同时用波长为300nm的紫外光照射,使重氮甲烷分解,分解产物具有的未成键电子,重氮甲烷分解的化学表达式为:如图1中b图所示;
步骤103,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的重氮甲烷,再通入气态碘单质10分钟,如图2中a图所示;同时用波长为360nm的高压汞灯照射,使得硅衬底表面的甲基结构与气态碘单质发生取代反应,甲基结构中的氢原子被碘原子取代,形成不稳定的碳碘键,取代反应的化学表达式为:如图2中b图所示;
步骤104,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的气态碘单质,再通入浓度为99.5%-99.99%的氨气4分钟,如图3中a图所示;利用氮原子中未成对的孤对电子的亲核性,以及碘原子的不稳定性来发生反应,反应的化学表达式为:C-I+NH3→C-NH2+HI,使得碳氮成键,如图3中b图所示;
步骤105,用光照使得碘原子被氮原子二次取代,如图4所示,即再次脱去HI分子,图5为衬底表面发生第三次反应后的结构俯视图,所得物质即为单晶立方型氮化碳(C3N4)薄膜。硅衬底表面反应前后的化学式如图6所示。
实施例3:
一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤101,在400℃等离子体条件下,对硅(111)衬底表面用氢气处理15分钟,使硅衬底表面形成Si-H键,如图1中a图所示;
步骤102,将进行氢化处理后的硅衬底放置于原子层沉积设备的反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,对反应腔进行清洗;再向反应腔中通入重氮甲烷15分钟,同时用波长为320nm的紫外光照射,使重氮甲烷分解,分解产物具有的未成键电子,重氮甲烷分解的化学表达式为:如图1中b图所示;
分解产物碳烯(:CH2)和碳化硅衬底发生插入反应,反应的化学表达式为:即在硅衬底表面形成甲基结构,如图1中c图所示;
步骤103,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的重氮甲烷,再通入气态碘单质15分钟,如图2中a图所示;同时用波长为370nm的高压汞灯照射,使得硅衬底表面的甲基结构与气态碘单质发生取代反应,甲基结构中的氢原子被碘原子取代,形成不稳定的碳碘键,取代反应的化学表达式为:如图2中b图所示;
步骤104,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的气态碘单质,再通入浓度为99.5%-99.99%的氨气7分钟,如图3中a图所示;利用氮原子中未成对的孤对电子的亲核性,以及碘原子的不稳定性来发生反应,反应的化学表达式为:C-I+NH3→C-NH2+HI,使得碳氮成键,如图3中b图所示;
步骤105,用光照使得碘原子被氮原子二次取代,如图4所示,即再次脱去HI分子,图5为衬底表面发生第三次反应后的结构俯视图,所得物质即为单晶立方型氮化碳(C3N4)薄膜。硅衬底表面反应前后的化学式如图6所示。
实施例4:
一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤101,在500℃等离子体条件下,对硅(111)衬底表面用氢气处理20分钟,使硅衬底表面形成Si-H键,如图1中a图所示;
步骤102,将进行氢化处理后的硅衬底放置于原子层沉积设备的反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,对反应腔进行清洗;再向反应腔中通入重氮甲烷20分钟,同时用波长为335nm的紫外光照射,使重氮甲烷分解,分解产物具有的未成键电子,重氮甲烷分解的化学表达式为:如图1中b图所示;
分解产物碳烯(:CH2)和碳化硅衬底发生插入反应,反应的化学表达式为:即在硅衬底表面形成甲基结构,如图1中c图所示;
步骤103,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的重氮甲烷,再通入气态碘单质20分钟,如图2中a图所示;同时用波长为375nm的高压汞灯照射,使得硅衬底表面的甲基结构与气态碘单质发生取代反应,甲基结构中的氢原子被碘原子取代,形成不稳定的碳碘键,取代反应的化学表达式为:如图2中b图所示;
步骤104,向原子层沉积设备反应腔中通入浓度为99.99%的氩气5分钟,排出未反应的气态碘单质,再通入浓度为99.5%-99.99%的氨气10分钟,如图3中a图所示;利用氮原子中未成对的孤对电子的亲核性,以及碘原子的不稳定性来发生反应,反应的化学表达式为:C-I+NH3→C-NH2+HI,使得碳氮成键,如图3中b图所示;
步骤105,用光照使得碘原子被氮原子二次取代,如图4所示,即再次脱去HI分子,图5为衬底表面发生第三次反应后的结构俯视图,所得物质即为单晶立方型氮化碳(C3N4)薄膜。硅衬底表面反应前后的化学式如图6所示。
上述实施例中,在通入重氮甲烷或气态碘单质的前后所通入的惰性气体不局限于氩气,还可以是氦气。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;
向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷,所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附;
所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应,形成不稳定的碳碘键;
所述卤代反应停止后,再通入氨气继续进行胺化反应,所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代;
所述胺化反应结束后,硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。
2.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述硅衬底预先进行氢化处理,使衬底表面形成硅氢键,所述氢化处理的条件为:在50℃-1000℃等离子体条件下,通入氢气1分钟-60分钟。
3.如权利要求2所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述氢化处理的条件为:在200℃-500℃等离子体条件下,通入氢气5分钟-20分钟。
4.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述重氮甲烷的通入时间为2分钟-60分钟。
5.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附的条件是光照,所述光照的光源为波长为270nm-350nm的紫外光。
6.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述气态碘单质的通入时间为2分钟-60分钟。
7.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述卤代反应是在光照条件下进行的,所述光照的光源为高压汞灯,波长为350nm-450nm。
8.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述氨气的浓度为99.5%-99.99%,通入时间为30秒-60分钟。
9.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述原子层沉积设备反应腔在通入重氮甲烷或气态碘单质的前后均通入惰性气体。
10.如权利要求9所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于:所述惰性气体为氮气、氩气或氦气,浓度为99.99%,通入时间为5分钟-20分钟。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010561021A CN102115878B (zh) | 2010-11-26 | 2010-11-26 | 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010561021A CN102115878B (zh) | 2010-11-26 | 2010-11-26 | 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 |
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CN102115878A true CN102115878A (zh) | 2011-07-06 |
CN102115878B CN102115878B (zh) | 2012-09-26 |
Family
ID=44214799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010561021A Active CN102115878B (zh) | 2010-11-26 | 2010-11-26 | 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102115878B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103205806A (zh) * | 2012-01-11 | 2013-07-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 |
CN103205805A (zh) * | 2012-01-11 | 2013-07-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 |
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- 2010-11-26 CN CN201010561021A patent/CN102115878B/zh active Active
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CN103205805B (zh) * | 2012-01-11 | 2016-05-04 | 中国科学院微电子研究所 | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 |
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Publication number | Publication date |
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