CN102113084A - 用于电灯的发射电极材料及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明描述了包含氧化钕钡的电子发射组合物。可将这些组合物施用于电极，以便利于电子发射。本发明还描述了制造包含氧化钕钡的发射电极的方法。本发明还描述了采用此类电极的各种放电灯。

Description

用于电灯的发射电极材料及其制备方法

背景技术

总体而言，本发明公开涉及发射电极及其制造方法。具体地讲，本发明公开总体而言涉及包含氧化钕钡的发射电极、包含所述发射电极的灯及其制造方法。

存在多种已知类型的光源或灯及其制造方法。一种类型的荧光灯基于保持在低压下的气态汞的电离，通常在电极放电空间内的惰性气体填充物存在下，以产生UV光和/或可见光。由于含汞荧光灯优异的效率和良好的显色性，传统上被广泛使用。但是，由于意识到汞对环境的不利影响，近来试图由新的设计来替代汞荧光灯。

已提出用对环境友好的其他化学物质来替代汞或者降低汞浓度的较新的方法。制备基本上无汞的荧光灯的一种方法通常利用卤化镓和/或镓金属的混合物。目前使用的其他金属和混合物例如包括锌和/或铟以及它们的碘化物和/或氯化物。我们认为这些金属卤化物带来的优点在于，在20-200℃的温度范围内，金属卤化物的合理蒸汽压能提高金属的较低蒸汽压。在操作中，这些金属卤化物被激发，或者发射UV/可见光子，或者在激发能下化学分解。此外，它们的分解产物在放电时发射特征UV光谱/可见光谱。我们认为，在灯工作期间以及在工作时段之间，在灯的气相中存在金属卤化物、金属原子以及卤素分子/原子。

但是，在灯的不同部件(例如，玻璃外壳、导线或发射混合物等)与电离化的“卤化物等离子体”之间已观察到不利的相互作用，该电离化的“卤化物等离子体”含有许多化学上强反应性物类。此类不利的化学相互作用导致在外壳壁上形成有色沉积物，并且发射混合物的各组分的蒸发导致灯的寿命降低。在外壳壁上的有色沉积物由于其自身的吸收还会降低光输出，并且能与加入的金属和/或卤化物化学结合。此外，在放电灯中，过热点温度能达到1000-1200℃，并且钨丝本身能达到600-700℃，二者均可导致发射混合物材料的各组分缓慢蒸发。例如，在此类体系中，在已知的Ba/Ca/Sr三元氧化物/碳酸盐发射混合物的使用中，关键的限制性事实是Ba的蒸发。在此类混合物中，由于钡降低功函的效果而使用较高含量的钡；然而，比起其他各组分，Ba在较低的温度下开始蒸发。

因此，尽管已作了上述努力，仍需要开发改进的发射材料，该材料在发射混合物与灯中的气态环境之间具有较小的化学相互作用，并且降低发射混合物的各组分的蒸发。

发明概述

本发明公开的一个实施方案涉及一种电极，该电极包含电极基材和可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物，所述组合物包含氧化钕钡。

本发明公开的另一个实施方案涉及一种灯，该灯包含透光外壳、包含在所述外壳内的放电填充物，并且所述电极包含电极基材和可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物，所述组合物包含氧化钕钡。

本发明公开的又一个实施方案涉及一种制造电子发射体系的方法，所述方法包括：(a)将包含氧化钕钡的组合物与连结料共混，以形成浆料或悬浮液；(b)在热激发源或电激发源上涂布所述浆料或悬浮液，以形成经涂布的激发源；以及(c)从所述经涂布的激发源去除所述连结料。

由以下详细描述可以更好地理解本发明公开的其他特征和优点。

附图概述

参考附图进行以下详细描述，其中：

图1为根据本发明的示例性实施方案的电极的示意图。

图2为根据本发明的示例性实施方案的放电灯的示意图。

图3为根据本发明的示例性实施方案的另一个放电灯的示意图。

图4为根据本发明的示例性实施方案的发射组合物的显微照片。

实施方案详述

本文公开了包含氧化钕钡的电子发射组合物，及其作为发射电极的组分的用途。具体地讲，本文公开了包含电极基材和可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物的电极，其中此类组合物包含氧化钕钡。使用氧化钕钡作为发射组合物的一种组分与某些典型的发射材料(如Ba-Ca-Sr碳酸盐/氧化物)形成对比。通过采用氧化钕钡代替这些典型的发射材料(或者除了这些典型的发射材料之外还使用氧化钕钡)，能使不利的化学相互作用(例如蒸发和与放电灯中的放电填充物材料反应)最小化。不受限于任何理论，但我们认为，与包含在三元碳酸盐/氧化物体系中的钡相比，钡更强地结合或复合在氧化钕钡体系中。该独特的特性使得氧化钕钡成为作为发射材料的理想的选择物，即使是在低剂量Hg荧光体系中，在Hg荧光体系中汞的消耗是关键的问题。

利用氧化钕钡作为宽范围的灯(包括汞荧光灯、低剂量汞和无汞低压荧光灯)中的发射混合物组分预期在本发明公开的范围内。

本文使用的术语“氧化钕钡”是指至少含有元素Ba、Nd和O的化学计量或非化学计量化合物，其中Nd与Ba的原子比为约2.0。如本领域普通技术人员所理解的，“氧化钕钡”通常不包括钡氧化物与钕氧化物的单纯化学混合物。在一些实施方案中，氧化钕钡可以是非化学计量的。例如，此类氧化钕钡可能在一定程度上贫氧。例如，贫氧的氧化钕钡可以用化学式BaNd₂O_4-x表示，其中x＞0并且小于约0.2。但是，在其中x＝0的其他实施方案中，该化合物不贫氧，并且具有化学式BaNd₂O₄。不受限于任何理论，但是此类贫氧(当存在时)可能与存在的、用作掺杂剂并且导致电导率提高且可能增强电子发射的过量钡和/或钕相关联。

根据本发明的实施方案，将氧化钕钡掺入到可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物中。本文使用的术语“激发”可以包括热激发或电激发或其组合。例如，导致热离子发射的热激发为当施加热量时材料发射电子或离子的过程。对于给定的热激发，材料的功函在决定电子发射水平方面起作用。在一些实施方案中，氧化钕钡组合物也能场致发射。场致发射为量子通道的形式，其中在高电场存在下电子通过阻挡层。

根据本发明的实施方案的电子发射组合物可以由氧化钕钡组成或者可以基本上由氧化钕钡组成；或者，除了氧化钕钡以外，此类组合物还可包含其他物质。可以存在的此类其他物质包括其他电子发射材料，例如一种或多种碱土金属氧化物和碱土金属碳酸盐(例如，BaO、CaO、SrO、SrCO₃、CaCO₃、BaCO₃中的一种或多种)等。可以存在于此类组合物中的其他物质还包括一种或多种金属材料、金属氧化物、混合金属氧化物、金属合金、铁电性材料等。此类金属材料和金属合金可例如包括一种或多种金属W、Ta、Pt、Th、Ti、Ni、V、Hf、Nb、Mo、Zr、Re及其组合和合金。金属氧化物和混合金属氧化物可例如包括Ta、Ti、Al、Y、W、La、Th、Zr、Zn、Hf的氧化物和混合氧化物及其组合等。还可存在一些游离的Nd₂O₃。在其他实施方案中，氧化钕钡可以是能电子发射的电子发射组合物中仅有的物质。

根据典型的实施方案，包含氧化钕钡的电子发射组合物可包含为所述电子发射组合物总重量的约1％-100％的氧化钕钡。在其他实施方案中，氧化钕钡可以所述电子发射组合物总重量的约25％-约75％的量存在。在某些其他实施方案中，氧化钕钡可以所述电子发射组合物总重量的约40％-约60％的量存在。认为在这些范围内的其他值也在本发明的范围内。本文公开的所有范围包括提到的端点并且可独立地组合。

根据本发明的实施方案，电极可包含电极基材。通常，但不总是，电子发射组合物与电极基材接触。电极基材可包含选自W、Ta、Pt、Th、Ti、Ni、V、Hf、Nb、Mo、Zr、Re及其组合和合金的金属材料等。所述电极基材可以具有任何所需的形状。其可为一维、二维或三维或至多约3的任何合适的分数维数。一维基材的合适的实例为线性丝、非线性丝如环形丝、椭圆形丝、盘旋丝等。二维基材的合适的实例为平板、平面或弯曲的片材等。三维基材的合适的实例为空心球、杯、珠等。还可以使用具有一维、二维或三维几何形状的组合的基材。基材的一个非限制性的实例为钨丝。所述电极可以是阳极、阴极、或阳极和阴极二者；并且，这些类型的电极中的任一种可以在灯或其他放电装置中。

在本发明的某些实施方案中，通常可以在电极基材上涂布包含电子发射组合物的混合物，该电子发射组合物包含氧化钕钡，并通常随后烧结。基材的涂布可通过多种常规涂布方法中的一种或多种来进行，例如浸涂、喷涂、静电涂覆、刷涂等。在一个实施方案中，包含氧化钕钡的电子发射组合物涂层烧结后的厚度可为约3微米至约100微米。在另一个实施方案中，涂层厚度可为约10微米至约80微米。在另一个实施方案中，涂层厚度可为约15微米至约60微米。

在本发明的各种其他实施方案中，可以采用多种方式来布置电子发射组合物。例如，电子发射组合物可包含颗粒，该颗粒包含核材料和壳材料。在一个非限制性的实例中，核材料包括氧化钕钡组合物而壳材料包括任何其他发射材料(例如，三元氧化物组合物，如(Ba，Sr，Ca)O)。在另一个非限制性的实例中，核材料包括任何其他发射材料，而壳材料包括氧化钕钡组合物。

或者，可将电子发射组合物布置在陶瓷或金属杯中，或者作为涂层布置在金属箔或丝上。在再其他供选的实施方案中，可以在核结构周围缠绕金属线圈，该核结构包括电子发射组合物。在再其他供选的一些实施方案中，本发明的电极可包含含有所述电子发射组合物的烧结的固体复合材料，或者可包含所述电子发射组合物和至少一种金属的分级复合材料(graded composite)。当为分级复合材料结构时，此类复合材料结构的中心可由大于50％体积浓度的氧化钕钡制成，而外缘可由大于50％体积浓度的金属制成。

最后，在另一个供选的实施方案中，可以将包含氧化钕钡的电子发射组合物包埋在多孔性耐火材料(如耐火金属)的孔内。如通常所知，耐火金属为一类特征为耐热、耐磨损和耐腐蚀且通常具有高熔点(例如，大于1800℃)的金属。

根据本发明的实施方案的包含氧化钕钡的电子发射组合物可通过陶瓷和冶金学领域所用的多种方法来制备。此类制造方法的合适的实例包括反应性研磨法、溶胶-凝胶法、湿化学沉淀、蒸气沉积、熔盐合成和机械化学合成。总的来说，将钡源、钕源和氧源组合，随后分一步或多步转化为氧化钕钡。在许多情况下，钡源和/或钕源也可为氧源(例如当钡源为含氧钡盐(例如碳酸钡)时)。在其他情况下，氧源为O₂。多种氧源、多种钡源和多种钕源的组合也是可能的。

典型的钡源可包括钡化合物，例如钡的卤化物、羧酸盐、硝酸盐、氯酸盐、硫酸盐、氧化物或碳酸盐等。典型的钕源可包括钕化合物，例如钕的卤化物、羧酸盐、硝酸盐、氯酸盐、硫酸盐、氧化物或碳酸盐等。这些钡源和/或钕源中的任何一种可以固体、半固体、浆料或溶液形式使用。通常在所用的组合源中，Ba与Nd的原子比可为在基材上加工之后能有效制备氧化钕钡的任何值；通常，使用约0.8∶2至约1.2∶2(Ba∶Nd)的原子比；更通常，采用基本上化学计量的比率。

当以固体材料形式使用时，可在装置(例如球磨、亨舍尔混合机、韦林氏共混机、辊轧机等)中使用剪切力和压缩力的组合将用于制备所述氧化钕钡组合物的各金属化合物研磨成所需的粒径。某些所需的粒径通常包括约0.2微米至约20微米；更窄为约0.5微米至约10微米；还更窄约1微米至约5微米范围内的尺寸。

根据本发明的示例性实施方案，用于制备包含氧化钕钡的电子发射组合物的钡源和钕源二者中的任一个为固体，例如碳酸钡粉末和碳酸钕粉末。可以将此类固体混合，以形成混合粉末，随后可将该混合粉末进行第一烧结过程，以形成包含所要的氧化钕钡组合物的烧结体。所述第一烧结过程可以在可有效将钡源和钕源转化为氧化钕钡的任何温度(例如，约900℃至约1500℃)下进行约1小时至约100小时。但是，如果需要，也可使用其他适当的烧结温度和持续时间。

在其他示例性实施方案中，可将如上形成的烧结体粉碎成粒状材料。随后可将此类粒状材料与连结料和任选的溶剂组合，以形成涂料混合物。如前所述，除了氧化钕钡以外，根据本发明的实施方案的电子发射组合物还可包含其他物质。因此，在形成涂料混合物之前，可在此时方便地将粒状材料与连结料和其他任选的物质组合。

本文定义的涂料组合物可以是浆料、悬浮液、溶液、糊膏等。随后在所需的基材(例如上述电极基材中的任一种)上涂布该涂料组合物，接着任选让其干燥，以形成未烧结的涂层(green coating)。该未烧结的涂层为通常具有小于或等于湿混合物重量的约10％的溶剂的涂层。随后将带有涂料组合物或未烧结的涂层的基材加热，以形成电子发射组合物。用于制备涂料混合物的连结料为聚合物树脂、陶瓷连结料或包含聚合物树脂和陶瓷连结料的组合。通过各种方法进行基材的涂布，例如浸涂、喷涂、静电涂覆、刷涂等。如上所述，涂层厚度通常在烧结后可为约3微米至约100微米。其他涂层厚度也是合适的。

根据本发明的实施方案，通常对已涂布的基材进行第二烧结过程，以除去任何剩余的溶剂和连结料，并且在基材上形成电子发射组合物的涂层。可通过加热过程进行第二烧结过程，例如传导、对流、辐射如射频辐射或微波辐射。在另一个实施方案中，可将电极基材电阻加热，以形成电子发射组合物。如果需要，还可使用用于烧结的不同加热方法的组合，例如对流加热与电阻加热的组合。通过传导、对流、辐射、电阻加热或其组合的烧结可在约1000℃至约1700℃的温度下进行。在该范围内，通常期望使用大于或等于约1100℃并且小于或等于约1650℃的温度。或者，如果需要，可在多步法中进行烧结。

在本发明的一个特别的实施方案中，提供了一种制造电子发射体系的方法，其中所述方法包括：将包含氧化钕钡的组合物(通过前述方法得到)与连结料共混，以形成浆料或悬浮液，以及在热激发源或电激发源上涂布所述浆料或悬浮液，以形成经涂布的激发源，接着从所述经涂布的激发源去除所述连结料。典型的是，制造电子发射体系的此类方法还包括激活所述经涂布的激发源的步骤。本领域技术人员应理解的是，通常在能有效形成发射性氧化钕钡的条件下依次通过一系列高温加热带有涂层的基材来进行激活步骤。

现参考图1，表示了具有电极基材和包含氧化钕钡的电子发射组合物的典型电极的侧截面示意图。具体地讲，电极10(通常是阴极)可包含具有电子发射涂层12的金属丝或线圈11，如钨线圈，该电子发射涂层12包含氧化钕钡。在典型的应用中，电极与镇流器13连接。通常使用此类镇流器来提供和调节通过电极的电流，并且当电极用于放电灯时，还用于提供和调节通过气体放电的电流。本领域技术人员应理解的是，该代表性示例不应当视为限制根据本发明实施方案的电极可能采用的结构。

根据本发明的某些实施方案，提供了一种灯，该灯包含：透光外壳；包含在所述外壳内的放电填充物；以及包含电极基材和可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物的电极，其中所述组合物包含氧化钕钡。包含氧化钕钡的电子发射组合物可具有先前涉及电极本身的讨论中描述的相同化学和/或物理组成。类似地，在此类灯中的电极也可以先前涉及电极本身的上述讨论中描述的相同结构和/或构型。

可包含灯的放电填充物的材料的一些非限制性的实例包括至少一种选自以下的材料：Hg、Na、Zn、Mn、Ni、Cu、Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Bi、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Os、Ne、Ar、He、Kr、Xe及其组合和化合物(compound)等。具体地讲，当需要基本上无汞放电填充物时，所述放电填充物可包含至少一种选自卤化镓、卤化锌和卤化铟等的材料。

根据本发明实施方案的灯的非限制性实例包括一种或多种线性荧光灯、紧凑型荧光灯、环形荧光灯、高强度放电灯、平板显示器、无汞灯和氙灯等。放电灯通常包括外壳以及密封在所述外壳中的金属电极(通常是两个)，该外壳装有气体放电材料，通过该气体放电材料发生气体放电。当第一电极为放电供应电子时，第二电极为电子提供到达外部电路的路径。通常通过热离子发射发生电子发射，尽管在强电场中通过发射而引起电子发射(场致发射)或者直接通过离子轰击而引起电子发射(离子-诱导的二次发射)也是可供择的。

放电填充物材料可包括各种材料，例如缓冲气体和可电离的放电组合物。缓冲气体可包括各种材料，例如但不限于惰性气体，例如氩、氖、氦、氪和氙。可电离的放电组合物可包含各种材料，例如但不限于金属和金属化合物。在一些实施方案中，可电离的放电组合物可包含惰性气体。放电填充物材料的一些非限制性的实例包括前面提到的那些。在一个实施方案中，灯中的放电填充物材料包括汞。在另一个实施方案中，灯中的放电填充物材料不含汞。

在一个实施方案中，在热的阴极上提供包含氧化钕钡的组合物。在灯工作期间，将该热的阴极加热至电子发射材料的热离子发射温度，以提供电子源来支持放电电弧。热的阴极用于“预热”灯、“快速启动(rapid-start)”灯和“瞬间启动(instant start)”灯。在预热灯中，在点燃灯之前通过预热电流将电极加热至其发射温度。在快速启动灯中，使用镇流器来点燃灯，做法是通过同时提供阴极电压(以提供热量)和灯两端之间的点燃电压。在瞬间启动灯中，施加比灯的正常工作电压大许多倍且大于灯的击穿电阻的初始电压。在本发明的另一个实施方案中，电极为冷的阴极，并且仅通过电弧放电将其加热至发射温度。

现参考图2，表示了无汞放电灯14的侧视图。该灯14可包含外外壳15和包围放电空间的内外壳16，该放电空间可包含前述放电填充物材料。外壳15和16可以是透明、半透明或不透明的。外壳可具有环形或非环形横截面，并且无需像图示那样是直的。内外壳16的外表面或外外壳15的内表面之一或二者有利地提供有荧光体组合物，以将电磁辐射或其他辐射转化为可用的可见光或UV光。合适的荧光体通常为本领域技术人员已知的。在示例性实施方案中，提供多个电极17。每个电极17包含电极基材和可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物，其中所述组合物包含氧化钕钡。显示电极17与外部电流源18相连。有时可能需要双壁外壳使内管绝热，使其达到所需的工作温度。但是，应理解的是，放电灯、无汞灯或者其他形式的灯可以构造成其他结构，包括仅含有单个外壳的灯。

现参考图3，表示了具有单个外外壳20的典型荧光灯19的侧视图，该外外壳20限定包含放电填充物材料(未具体示出)的放电空间。布置在外壳20的内表面上的是荧光体层21。还图示了可能的多个包含氧化钕钡的发射电极22中的一个。

实施例

以下实施例仅用于举例说明，绝不应看作是以任何方式限制要求保护的本发明的范围。

实施例1

根据本发明的一个实施方案来制备氧化钕钡电子发射材料。提供碳酸钕(Nd₂(CO₃)₃)和碳酸钡(BaCO₃)粉末作为前体。原料BaCO₃晶体具有针状形式，且长约5微米。原料球形Nd₂(CO₃)₃颗粒的直径为约600nm。制备具有1∶1摩尔比的碳酸盐混合物，随后在炉子中加热至1100℃保持22小时，以产生氧化钕钡。产物经X-射线衍射鉴定包含充分结晶的BaNd₂O₄。图4表示了产物的扫描电子显微镜显微照片。在产物中观察到具有许多小的大多数具有球形表面的物体(每一个直径有几百纳米)的长约3微米的附聚薄片。

我们认为，本发明公开提供的发射组合物能减轻或避免电离化的卤化物等离子体的各组分之间的不利相互作用，这些组分含有许多化学上强反应性物类。使用本发明公开提供的发射组合物的其他优点包括灯的寿命较长并且减轻各发射组分的蒸发。

本文使用的近似措辞可用于修饰可发生变化但不会导致其所涉及的基本功能发生改变的任何数量表示。因此，在一些情况下，用一个或多个术语例如“约”和“基本上”修饰的值可以不局限于指定的精确值。修饰语“约”连同数量使用时，包括所述值，并且具有上下文所示的含义(例如，包括与具体数量的测定相关的误差程度)。“任选的”或“任选地”是指随后描述的事件或情况可能发生或者可能不发生，或者随后指定的材料可能存在或者可能不存在，并且该描述包括事件或情况发生或者材料存在的情况以及事件或情况不发生或者材料不存在的情况。除非上下文明确地另外指出，否则单数形式包括复数形式。本文公开的所有范围包括所提到的端点并且可独立地组合。

虽然已结合仅有限数量的实施方案详细描述了本发明，但是容易理解的是，本发明不局限于这些所公开的实施方案。相反，可对本发明进行修改，以结合任何数量的前面未描述的变体、修改、替代或等价方案，但是要与本发明的精神和范围相匹配。此外，虽然已描述了本发明的各种实施方案，应理解的是，本发明的各方面可仅包括所描述的实施方案的一部分。因此，本发明不应视为局限于前述描述，而是仅由所附权利要求书所限定。

声称具有新颖性并期望被美国专利证书(Letters Patent of theUnited States)保护的内容如下：

Claims (19)

1.一种电极，所述电极包含：

电极基材；和

可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物，所述组合物包含氧化钕钡。

2.权利要求1的电极，其中所述激发包括热激发、电激发或其组合。

3.权利要求1的电极，其中至少一部分所述电子发射组合物与所述电极基材接触。

4.权利要求3的电极，其中在所述电极基材上涂布至少一部分所述电子发射组合物。

5.权利要求1的电极，其中所述氧化钕钡具有化学式BaNd₂O_4-x，其中x＞0并且小于约0.2。

6.权利要求1的电极，其中所述氧化钕钡具有化学式BaNd₂O₄。

7.权利要求1的电极，其中所述电子发射组合物还包含一种或多种碱土金属氧化物和碱土金属碳酸盐。

8.权利要求1的电极，其中所述电极基材包含选自W、Ta、Pt、Th、Ti、Ni、V、Hf、Nb、Mo、Zr、Re及其组合和合金的金属材料。

9.一种灯，所述灯包含：

透光外壳；

包含在所述外壳内的放电填充物；和

包含电极基材和可用于响应激发而发射电子的电子发射组合物的电极，所述组合物包含氧化钕钡。

10.权利要求9的灯，其中所述氧化钕钡具有化学式BaNd₂O_4-x，其中x＞0并且小于约0.2。

11.权利要求9的灯，其中所述氧化钕钡具有化学式BaNd₂O₄。

12.权利要求9的灯，其中所述电极基材包含金属箔或金属丝。

13.权利要求9的灯，其中所述电子发射组合物还包含一种或多种碱土金属氧化物和碱土金属碳酸盐。

14.权利要求9的灯，其中所述电极基材包含选自W、Ta、Pt、Th、Ti、Ni、V、Hf、Nb、Mo、Zr、Re及其组合和合金的金属材料。

15.权利要求9的灯，其中所述放电填充物包含至少一种选自Hg、Na、Zn、Mn、Ni、Cu、Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Bi、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Os、Ne、Ar、He、Kr、Xe及其组合和化合物的材料。

16.权利要求9的灯，其中所述放电填充物包含至少一种选自卤化镓、卤化锌和卤化铟的材料。

17.权利要求9的灯，其中所述灯包括选自线性荧光灯、紧凑型荧光灯、环形荧光灯、高强度放电灯、平板显示器、无汞灯和氙灯的一种。

18.一种制造电子发射体系的方法，所述方法包括：

(a)将包含氧化钕钡的组合物与连结料共混，以形成浆料或悬浮液；

(b)在热激发源或电激发源上涂布所述浆料或悬浮液，以形成经涂布的激发源；以及

(c)从所述经涂布的激发源去除所述连结料。

19.权利要求18的方法，所述方法还包括激活所述经涂布的激发源的步骤。

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