CN102110590B - 半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法 - Google Patents
半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102110590B CN102110590B CN 201010211708 CN201010211708A CN102110590B CN 102110590 B CN102110590 B CN 102110590B CN 201010211708 CN201010211708 CN 201010211708 CN 201010211708 A CN201010211708 A CN 201010211708A CN 102110590 B CN102110590 B CN 102110590B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- deionized water
- oxide etch
- corrosion
- sheet
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供提供一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24～35秒，将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀，该方法采用去离子水作为湿化代理物，优选了侵润时间和腐蚀前对腐蚀片附着去离子水的德工艺要求，降低了生产成本低，操作简便，进入腐蚀液后可以达到快速浸润腐蚀的效果，尤其是该浸润方法不使用化学品，可以降低生产成本，能够解决该产品在氧化物腐蚀过程中快速浸润到腐蚀液的问题，同时不影响该产品的腐蚀均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体器件氧化物腐蚀表面处理的新工艺，特别涉及一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。
背景技术
湿化代理物是半导体器件生产过程中，为保证晶片表面氧化物或金属腐蚀前使用的化学品，其作用是对待腐蚀的表面进行活化处理，使整个表面在腐蚀的过程中腐蚀速率保持一致，从而避免出现局部腐蚀不干净或过腐蚀的现象，进而保证产品的均匀性和成品率。目前，半导体器件氧化物腐蚀前使用化学品作为湿化代理物，此方法使用化学品成本高，还需要配置腐蚀液，操作复杂。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的缺点，提供一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。
为解决上述的技术问题，本发明采用如下的技术方案，该方案包括以下步骤：
a)将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24～35秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
本发明的有益效果：
本发明采用去离子水作为湿化代理物，优选了侵润时间和腐蚀前对腐蚀片附着去离子水的德工艺要求，降低了生产成本低，操作简便，进入腐蚀液后可以达到快速浸润腐蚀的效果，尤其是该浸润方法不使用化学品，可以降低生产成本，能够解决该产品在氧化物腐蚀过程中快速浸润到腐蚀液的问题，同时不影响该产品的腐蚀均匀性。
具体实施方式
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中26秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例2：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中27秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中28秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动3下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中29秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中30秒；
c)将氧化物腐蚀片出提去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中31秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中32秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中33秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中34秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动3下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：
a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中35秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
以上所述的仅是本发明的优选实例。应当指出对于本领域的普通技术人员来说，在本实用新型所提供的技术启示下，作为本领域的公知常识，还可以做出其它等同变型和改进，也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
a)将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；
b)在氧化物腐蚀前，将待氧化物腐蚀片放入去离子水中26～35秒；
c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述将氧化物腐蚀片放入去离子水中28～32秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010211708 CN102110590B (zh) | 2010-06-26 | 2010-06-26 | 半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010211708 CN102110590B (zh) | 2010-06-26 | 2010-06-26 | 半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102110590A CN102110590A (zh) | 2011-06-29 |
| CN102110590B true CN102110590B (zh) | 2013-08-21 |
Family
ID=44174710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010211708 Expired - Fee Related CN102110590B (zh) | 2010-06-26 | 2010-06-26 | 半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102110590B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103117220B (zh) * | 2011-11-16 | 2015-08-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 超级结牺牲氧化层的去除方法 |
| CN103137466B (zh) * | 2011-11-23 | 2016-04-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003269754A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Taiyo Toyo Sanso Co Ltd | ガス加湿装置 |
| CN101740502A (zh) * | 2009-11-18 | 2010-06-16 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法 |
-
2010
- 2010-06-26 CN CN 201010211708 patent/CN102110590B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003269754A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Taiyo Toyo Sanso Co Ltd | ガス加湿装置 |
| CN101740502A (zh) * | 2009-11-18 | 2010-06-16 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102110590A (zh) | 2011-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY165517A (en) | Method for wafer dicing and composition useful thereof | |
| MX2018014328A (es) | Metodo para preparar estructura texturizada de celda solar de silicio cristalino. | |
| MY171383A (en) | Polishing liquid composition for wafers | |
| GB2560291A8 (en) | Method for stripping flexible substrate | |
| IN2014DN07580A (zh) | ||
| EP2226834A3 (en) | Method for physical force assisted cleaning with reduced damage | |
| CN104009125B (zh) | 多晶硅片的制绒工艺 | |
| SG158816A1 (en) | Process for inhibiting corrosion and removing contaminant from a surface during wafer dicing and composition useful thereof | |
| CN102110590B (zh) | 半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法 | |
| TWI662107B (zh) | 用於修復玻璃的組合物和方法及經該組合物處理過的玻璃 | |
| CN101694013A (zh) | 增加太阳能锗衬底片强度的腐蚀方法 | |
| CN106833954A (zh) | 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用 | |
| CN103681239B (zh) | 一种清洗单晶硅片表面的方法 | |
| WO2011031089A3 (ko) | 세정액 조성물 | |
| US8383523B2 (en) | Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use | |
| CN101498055A (zh) | 一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法 | |
| CN106298595A (zh) | 太阳能电池片的酸洗装置 | |
| TW201129692A (en) | Cleaning composition of substrate for manufacturing flat panel display device | |
| CN204029779U (zh) | 一种半导体硅片蚀刻槽 | |
| CN203661002U (zh) | 一种旋转喷淋湿法蚀刻装置 | |
| WO2011031092A3 (ko) | 평판표시장치 제조용 기판의 세정액 조성물 | |
| CN103964371B (zh) | 硅晶片的钝化层的腐蚀方法 | |
| CN103451716A (zh) | 一种镀层扒蚀溶液 | |
| CN201538818U (zh) | 湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置 | |
| CN202219250U (zh) | 太阳能电池硅片的清洗装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130821 Termination date: 20140626 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |