CN102099309A - 烹调器用面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在可见波长区域的透射率低，且在3500～4000nm的红外波长区域的透射率高的烹调器用面板。一种烹调器用面板1，其特征在于，具备玻璃基板10和在玻璃基板10上形成的由Si膜11及由氮化硅膜12形成的叠层膜2，当Si膜11的膜厚用t1表示，氮化硅膜12的膜厚用t2表示时，在表示Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2的关系的图1中，(t1，t2)处于依次以直线连接表1中所示的点A1～A36而形成的范围X内。

Description

烹调器用面板
技术领域
本发明涉及一种烹调器用面板，特别是涉及一种使波长3500～4000nm的红外线透射，而抑制可见波长区域的透射的烹调器用面板。
背景技术
以往，提出了代表IH(Induction Heating：感应加热)方式的烹调器的电烹调器。一般来说，在电烹调器中，将面板设置在磁场产生线圈等加热装置的上面，将被加热体的载置部形成为所谓的平顶形状。因此，电烹调器作为美观性及清扫性优异的烹调器而在近年迅速普及。
在电烹调器中，为了实现被加热体的自动温度设定功能和过度升温防止功能等功能，需要检测被加热体的温度。作为被加热体的温度检测方法，例如，在下述的专利文献1～4等中，提出了通过检测从被加热体等发出的红外线的强度来检测被加热体的温度的方法。
具体来说，例如，下述的专利文献1和2中，提出了通过检测从锅底放射出的红外线来测定锅的温度的技术。
下述的专利文献3中，提出了形成对红外线波长具备高吸收率和放射率的材料构成的黑体材料层，测定该黑体材料层发出的红外线，由此测定被加热体的温度的技术。
此外，下述的专利文献4中，提出了在面板的被加热体载置面上形成放射红外线的覆盖膜，测定从覆盖膜放射出的红外线，由此测定被加热体的温度的技术。
在这样的利用红外线进行的被加热体的温度测定中，如下述专利文献2中的记载，一般利用4000nm以下波长的红外线。但是，例如在200℃左右的低温区域中，从被加热体发出的红外线中，波长2500nm以下的红外线强度随着温度变化的变化程度不大。因此，波长在2500nm以下的红外线不适合用于低温区域中的温度测定。另外，对于玻璃而言，一般来说几乎不透射3000nm附近波长的光。因此，在测定被加热体的温度时，优选采用即使在低温范围，放射强度也随着被加热体的温度有较大变化，而且以一定程度以上的透射率透过玻璃基板的3500～4000nm波长的红外线来进行温度测定。
在利用红外线来检测被加热体的温度时，从被加热体放射出的红外线透过面板，由设置在面板下侧的检测装置检出。因此，在采用利用红外线检测被加热体温度的方法的电烹调器中，要求面板在3500～4000nm的波长范围内具有高的透射率。
另外，对于电烹调器而言，从美观的观点出发，希望看不到设置在面板下侧的加热装置、配线等内部构造。因此，在电烹调器中，要求面板在可见波长区域内具有低的透射率。作为降低面板在可见波长区域内的透射率的方法，例如，下述的专利文献5等中，公开了在面板中与抗氧化膜一起形成遮光膜的方法。在专利文献5中，作为抗氧化膜和遮光膜的具体例子，分别公开了氮化硅膜以及Si膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-216583号公报
专利文献2：日本特开2004-95313号公报
专利文献3：日本特开2003-121261号公报
专利文献4：日本特开2005-108586号公报
专利文献5：日本特开2004-333102号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在专利文献5中所公开的面板虽然在可见波长区域内实现了低透射率，但是没有实现在3500～4000nm的红外波长区域内的高透射率。
本发明的目的在于提供一种在可见波长区域内的透射率低，而在3500～4000nm的红外波长区域内的透射率高的烹调器用面板。
解决课题的方法
本发明的烹调器用面板的特征在于，具备玻璃基板和在玻璃基板上形成的由Si膜及氮化硅膜构成的叠层膜，当Si膜的膜厚用t1表示，氮化硅膜的膜厚用t2表示时，在表示Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2的关系的图1中，(t1，t2)处于依次以直线连接下述表1中所示的点A1～A36而结成范围X内。
[表1]
  点   t1(n m)   t2(nm)
  A1   196.9   625
  A2   196.9   600
  A3   193.75   593.5
  A4   175   543.75
  A5   150   506.25
  A6   125   493.75
  A7   112.5   487.5
  A8   100   512.5
  A9   90   512.5
  A10   80   537.5
  A11   75   550
  A12   75   575
  A13   80   587.5
  A14   100   587.5
  A15   107.5   600
  A16   107.5   625
  A17   90   662.5
  A18   80   662.5
  A19   75   675
  A20   75   700
  A21   85   725
  A22   100   737.5
  A23   112.5   737.5
  A24   118.75   750
  A25   100   787.5
  A26   83.75   800
  A27   75   825
  A28   75   850
  A29   80   862.5
  A30   90   862.5
  A31   100   881.25
  A32   112.5   837.5
  A33   125   806.25
  A34   150   756.25
  A35   175   681.25
  A36   193.75   631.25
Si膜及氮化硅膜优选在表示Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2的关系的图2中，(t1，t2)处于依次以直线连接下述表2中所示的点B1～B29而形成的范围Y内。
[表2]
  点   t1(nm)   t2(nm)
  B1   193.75   625
  B2   193.75   600
  B3   175   550
  B4   150   512.5
  B5   125   500
  B6   112.5   500
  B7   100   525
  B8   90   525
  B9   80   550
  B10   80   575
  B11   100   575
  B12   112.5   600
  B13   112.5   625
  B14   90   675
  B15   80   675
  B16   80   700
  B17   90   725
  B18   112.5   725
  B19   125   750
  B20   100   800
  B21   87.5   800
  B22   80   825
  B23   80   850
  B24   90   850
  B25   100   875
  B26   112.5   825
  B27   125   800
  B28   150   750
  B29   175   675
发明的效果
根据本发明，由于使Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2在上述范围内，因此能够提供一种在可见波长区域内的透射率低，且在3500～4000nm的红外波长区域内的透射率高的烹调器用面板。
附图说明
图1是表示在Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2的各种变化下，叠层膜在波长550nm时的遮光性以及红外透射性的图。
图2是表示在Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2的各种变化下，叠层膜在波长550nm时的遮光性以及红外透射性的图。
图3是表示在Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2的各种变化下，叠层膜在波长550nm时的遮光性的图。
图4是表示在Si膜的膜厚t1和氮化硅膜的膜厚t2的各种变化下，叠层膜的红外线透射性的图。
图5是表示在条件108、110、143、144、159、161、162以及163下，叠层膜的透射率的图。
图6是烹调器用面板的简略截面图。
具体实施方式
图6是本实施方式相关的烹调器用面板1的简略截面图。如图6所示，烹调器用面板1具备玻璃基板10。玻璃基板10优选为高耐热性以及高强度，热膨胀系数小，并且能够透射2500～3000nm的波长的红外线的玻璃基板。作为玻璃基板10，例如，Li2O-Al2O3-SiO2系结晶玻璃基板等比较适于使用。此外，玻璃基板10的厚度，虽然没有特别限定，但例如可以设定为3～5mm。
玻璃基板10上形成有叠层膜2。叠层膜2具备Si膜11及氮化硅膜12。具体而言，在本实施方式中，在玻璃基板10上形成Si膜11，在Si膜11上形成氮化硅膜12。这样，通过在耐热性低的Si膜11上形成具有优良耐热性的氮化硅膜12，能够抑制Si膜11受热而劣化(氧化等)。因此，能够提高烹调器用面板1的耐热性。
Si膜11是实质上由Si构成的膜。Si膜11，例如，既可以是仅由Si构成的膜，也可以含有Si以外的添加物或者杂质。Si膜11，例如，作为添加物或者杂质，也可以含有Al等过渡元素。Si膜11中的添加物及杂质的含量总和没有特别限定，但是例如优选为1重量％以下。这是因为如果Si膜11中的添加物及杂质的含量多的话，红外线的透射率可能会降低。
氮化硅膜12是实质上由氮化硅构成的膜。氮化硅的组成没有特别限定，但例如优选为Si3N4。另外，氮化硅膜12也与Si膜11同样，也可以含有添加物或者杂质。
Si膜11及氮化硅膜12的形成方法没有特别限定，Si膜11及氮化硅膜12能够分别采用公知的薄膜形成方法形成。作为Si膜11、氮化硅膜12的形成方法，例如，可以列举溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vappor Deposition)法、物理沉积法、离子电镀法等。其中，Si膜11、氮化硅膜12的形成方法优选采用溅射法。
在本实施方式中，当Si膜11的膜厚用t1表示，氮化硅膜12的膜厚用t2表示时，在表示Si膜11的膜厚t1和氮化硅膜12的膜厚t2的关系的图1中，(t1，t2)处于依次以直线连接下述表3中所示的点A1～A36而结成范围X内。因此，如在后述实施例所示，能够降低可见波长区域内的透射率，并且提高在3500～4000nm的红外波长区域内的透射率。
[表3]
  点   t1(n m)   t2(nm)
  A1   196.9   625
  A2   196.9   600
  A3   193.75   593.5
  A4   175   543.75
  A5   150   506.25
  A6   125   493.75
  A7   112.5   487.5
  A8   100   512.5
  A9   90   512.5
  A10   80   537.5
  A11   75   550
  A12   75   575
  A13   80   587.5
  A14   100   587.5
  A15   107.5   600
  A16   107.5   625
  A17   90   662.5
  A18   80   662.5
  A19   75   675
  A20   75   700
  A21   85   725
  A22   100   737.5
  A23   112.5   737.5
  A24   118.75   750
  A25   100   787.5
  A26   83.75   800
  A27   75   825
  A28   75   850
  A29   80   862.5
  A30   90   862.5
  A31   100   881.25
  A32   112.5   837.5
  A33   125   806.25
  A34   150   756.25
  A35   175   681.25
  A36   193.75   631.25
从进一步降低可见波长区域内的透射率，并且进一步提高3500～4000nm的红外波长区域内的透射率的观点出发，在表示Si膜的膜厚t1与氮化硅膜的膜厚t2的关系的图2中，(t1，t2)优选于处于依次以直线连接下述表4中所示的点B1～B29而形成的范围Y内。
[表4]
  点   t1(n m)   t2(n m)
  B1   193.75   625
  B2   193.75   600
  B3   175   550
  B4   150   512.5
  B5   125   500
  B6   112.5   500
  B7   100   525
  B8   90   525
  B9   80   550
  B10   80   575
  B11   100   575
  B12   112.5   600
  B13   112.5   625
  B14   90   675
  B15   80   675
  B16   80   700
  B17   90   725
  B18   112.5   725
  B19   125   750
  B20   100   800
  B21   87.5   800
  B22   80   825
  B23   80   850
  B24   90   850
  B25   100   875
  B26   112.5   825
  B27   125   800
  B28   150   750
  B29   175   675
Si膜11的膜厚t1优选为118.75nm以上，更优选为125nm以上。通过使Si膜11的膜厚t1在118.75nm以上，能够可靠地得到在可见波长区域内的遮光性。另外，如图1所示，通过使Si膜11的膜厚t1在118.75nm以上，能够提高氮化硅膜的膜厚t2的设计自由度。
此外，在本实施方式下，对于在玻璃基板10和氮化硅膜12之间形成Si膜11的例子进行说明。但是本发明并不限于该构成，例如，也可以以玻璃基板、氮化硅膜及Si膜的顺序进行叠层。在这种情况下，在Si膜上也可以进一步形成用于保护Si膜的保护膜。
另外，烹调器用面板1也可以具有除Si膜11及氮化硅膜12以外的膜，这个另外的膜既可以作为叠层膜10的一部分形成，也可以形成在与玻璃基板10的叠层膜10形成侧的相反侧的表面上。作为另外的膜的具体例子，可以列举放射2500～3000nm的红外波长区域的红外线的膜等等。
另外，叠层膜10不需要在玻璃基板10的整个表面上形成，也可以在玻璃基板10的至少一部分上不形成Si膜11及氮化硅膜12中的至少一种膜。例如，在与构成指示灯的光源(例如，发出红光的LED(LightEmitting Diode)等)所对应的玻璃基板10的一部分上，也可以不形成叠层膜10。
(实验例)
下述的表5～表10中，表示了在Si膜11的膜厚t1及氮化硅膜12的膜厚t2的各种变化时的遮光性、红外透射性、叠层膜2在波长550nm时的透射率(T at 550nm)以及叠层膜2在波长660nm时的透射率(Tat 660nm)。对遮光性而言，当叠层膜2在波长550nm时的透射率(T at550nm)低于15％时，用[○]表示，当高于15％时，用[×]表示。另外，对红外透射性而言，在3500～4000nm的红外波长区域内，叠层膜2的透射率的最大值在85％以上时用[○]表示，未达到85％时用[×]表示。
另外，图1及图2中表示了在Si膜11的膜厚t1及氮化硅膜12的膜厚t2的各种变化下，叠层膜2在波长550nm时的遮光性以及红外透射性。在图1及图2中，黑色圆(●)所表示的数据是透射性和红外透射性两者均评价为[○]的数据，黑色菱形(◆)所表示的数据是透射性和红外透射性中的至少一方评价为[×]的数据。另外，依次以直线连接在上述表1中所示的点A1～A36而形成的范围X，所表示的是依次以直线连接黑色圆(●)所形成的领域和依次以直线连接黑色菱形(◆)所形成的领域之间的边界范围。
图3是表示在Si膜11的膜厚t1及氮化硅膜12的膜厚t2的各种变化下，在波长550nm时的遮光性的图。在图3中，[○]所表示的数据是遮光性判断为[○]时的数据，[×]所表示的数据是遮光性判断为[×]时的数据。
图4是表示在Si膜11的膜厚t1及氮化硅膜12的膜厚t2的各种变化下的红外透射性的数据。在图3中，[○]所表示的数据是红外透射性判断为[○]时的数据，[×]所表示的数据是红外透射性判断为[×]时的数据。
图5是表示在条件108，110，143，144，159，161，162以及163下的叠层膜2的透射率的图。
[表5]
Figure BPA00001300010500101
[表6]
Figure BPA00001300010500111
[表7]
Figure BPA00001300010500121
[表8]
Figure BPA00001300010500131
[表9]
Figure BPA00001300010500141
[表10]
根据上述表5～表10以及图1和图2所示的结果可知，通过以使(t1，t2)处于图1所示的范围X内、优选处于图2所示的范围Y内的方式形成Si膜11及氮化硅膜12，能够降低在可见波长区域内的透射率，并且提高在3500～4000nm的红外波长区域内的透射率。因此，通过使用以使(t1，t2)处于图1所示的范围X内、优选处于图2所示的范围Y内的方式而形成了Si膜11及氮化硅膜12的烹调器用面板1，可以提供一种不仅能够在高温区域进行温度测定，而且在200℃以下的低温区域也能够进行温度测定，并且不易看到设置在面板下侧的加热装置和配线等内部构造的、美观性优异的电烹调器。
另外，叠层膜2的透射率与叠层膜2的光的吸收、Si膜11及氮化硅膜12表面的光反射这两者有关。因此，如图5所示，若Si膜11的膜厚t1及氮化硅膜12的膜厚t2变化，则叠层膜2的透射率曲线的形状也有较大变化。由此，随着Si膜11的膜厚t1或者氮化硅膜12的膜厚t2的变化，在规定波长下的叠层膜2的透射率并不是简单地变化，但是如图3所示，可以看到随着Si膜11的膜厚t1变小，可见波长区域内的遮光性具有降低的大致倾向。氮化硅膜12的膜厚t2在460～900nm的范围内时，当Si膜11的膜厚t1在112.5nm以下时，可见波长区域的遮光性可能会因氮化硅膜12的膜厚t2而不充分，但当Si膜11的膜厚t1大于112.5nm时，与氮化硅膜12的膜厚t2无关，能够得到充分的可见波长区域的遮光性。
另外，如图4所示，随着Si膜11的膜厚t1变大，红外线的透射性具有减少的大致倾向。此外，无论是在氮化硅膜12的膜厚t2极小的情况下还是极大的情况下，红外线的透射性都具有减少的大致倾向。从获得高红外线透射性的观点出发，优选Si膜11的膜厚t1优选低于200nm，更优选为193.75nm以下。
符号说明
1…烹调器用面板
2…叠层膜
10…玻璃基板
11…Si膜
12…氮化硅膜

Claims (6)

1.一种烹调器用面板，其特征在于：
具备玻璃基板和在所述玻璃基板上形成的由Si膜及氮化硅膜构成的叠层膜，
当所述Si膜的膜厚用t1表示，所述氮化硅膜的膜厚用t2表示时，在表示所述Si膜的膜厚t1和所述氮化硅膜的膜厚t2的关系的图1中，(t1，t2)处于依次以直线连接下述表1中所示的点A1～A36而形成的范围X内。
[表1]
  点   t1(nm)   t2(nm)   A 1   196.9   625   A 2   196.9   600   A 3   193.75   593.5   A 4   175   543.75   A 5   150   506.25   A 6   125   493.75   A 7   112.5   487.5   A 8   100   512.5   A 9   90   512.5   A 10   80   537.5   A 11   75   550   A 12   75   575   A 13   80   587.5   A 14   100   587.5   A 15   107.5   600   A 16   107.5   625   A 17   90   662.5   A 18   80   662.5   A 19   75   675
  A 20   75   700   A 21   85   725   A 22   100   737.5   A 23   112.5   737.5   A 24   118.75   750   A 25   100   787.5   A 26   83.75   800   A 27   75   825   A 28   75   850   A 29   80   862.5   A 30   90   862.5   A 31   100   881.25   A 32   112.5   837.5   A 33   125   806.25   A 34   150   756.25   A 35   175   681.25   A 36   193.75   631.25
2.如权利要求1所述的烹调器用面板，其特征在于：
在表示所述Si膜的膜厚t1和所述氮化硅膜的膜厚t2的关系的图2中，(t1，t2)处于依次以直线连接下述表2中所示的点B1～B29而形成的范围Y内。
[表2]
  点   t1(nm)   t2(n m)   B 1   193.75   625   B 2   193.75   600   B 3   175   650
  B 4   150   512.5   B 5   125   500   B 6   112.5   500   B 7   100   525   B 8   90   525   B 9   80   550   B 10   80   575   B 11   100   575   B 12   112.5   600   B 13   112.5   625   B 14   90   675   B 15   80   675   B 16   80   700   B 17   90   725   B 18   112.5   725   B 19   125   750   B 20   100   800   B 21   87.5   800   B 22   80   825   B 23   80   850   B 24   90   850   B 25   100   875   B 26   112.5   825   B 27   125   800
  B 28   150   750   B 29   175   675
3.如权利要求1或者2所述的烹调器用面板，其特征在于：
所述Si膜的膜厚t1为118.75nm以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的烹调器用面板，其特征在于：
所述Si膜的膜厚t1为125nm以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的烹调器用面板，其特征在于：
所述氮化硅膜实质上由Si3N4构成。
6.如权利要求1～5中任一项所述的烹调器用面板，其特征在于：
所述Si膜在所述玻璃基板和所述氮化硅膜之间形成。
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