CN102097572B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102097572B
CN102097572B CN201010559003.0A CN201010559003A CN102097572B CN 102097572 B CN102097572 B CN 102097572B CN 201010559003 A CN201010559003 A CN 201010559003A CN 102097572 B CN102097572 B CN 102097572B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting device
lens
lens body
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010559003.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102097572A (zh
Inventor
李尚垣
朴奎炯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Priority to CN201510755827.8A priority Critical patent/CN105390599B/zh
Priority to CN201510757592.6A priority patent/CN105355764B/zh
Publication of CN102097572A publication Critical patent/CN102097572A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102097572B publication Critical patent/CN102097572B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00Refractors for light sources
    • F21V5/04Refractors for light sources of lens shape
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0009Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only
    • G02B19/0014Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only at least one surface having optical power
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0061Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a LED
    • G02B19/0066Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a LED in the form of an LED array
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0071Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source adapted to illuminate a complete hemisphere or a plane extending 360 degrees around the source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • H01L33/30Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光装置。发光装置包括:衬底;衬底上的发光器件;荧光层,该荧光层形成在衬底和发光器件上以包围发光器件;包封树脂层,该包封树脂层形成在衬底和荧光层上以包围荧光层;以及透镜,该透镜被布置在发光器件上并且由衬底支撑,其中透镜包括透镜主体,该透镜主体具有形成在透镜主体的顶表面的中心处的第一凹陷和形成在透镜主体的底表面的中心处的第二凹陷;和透镜支撑件,该透镜支撑件被提供在透镜主体的底表面处以支撑透镜主体使得透镜主体与衬底隔开。

Description

发光装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年11月20日提交的韩国专利申请No.10-2009-0112479的优先权,其内容在此通过引用合并在此。
技术领域
本公开涉及一种发光装置。
背景技术
诸如发光二极管的发光器件具有低功耗、长使用寿命周期、以及环保的优点。因此,发光器件被用于诸如用于电子设备的背光单元、电子显示器、以及照明设备的各种发光装置。
在这样的发光装置中,以各种透镜形状形成包封树脂层以包围发光器件,从而调节从发光器件发射的光的分布特性。
发明内容
实施例提供具有新颖的结构的发光装置。
实施例还提供包括具有新颖的结构的透镜的发光装置。
实施例还提供在横向方向上具有优异的发光特性的发光装置。
在一个实施例中,发光装置包括:衬底;衬底上的发光器件;荧光层,该荧光层形成在衬底和发光器件上以包围发光器件;包封树脂层,该包封树脂层形成在衬底和荧光层上以包封荧光层;以及透镜,该透镜被布置在发光器件上并且由衬底支撑,其中透镜包括透镜主体,该透镜主体具有形成在透镜主体的顶表面的中心处的第一凹陷和形成在透镜主体的底表面的中心处的第二凹陷;和透镜支撑件,该透镜支撑件被提供在透镜主体的底表面处以支撑透镜主体使得透镜主体与衬底隔开。
在另一实施例中,发光装置包括:衬底;衬底上的发光器件;荧光包封层,该荧光包封层形成在衬底和发光器件上以包围发光器件;以及透镜,该透镜被布置在发光器件上并且由衬底来支撑,其中透镜包括透镜主体,该透镜主体具有形成在透镜主体的顶表面的中心处的第一凹陷和形成在透镜主体的底表面的中心处的第二凹陷;和透镜支撑件,该透镜支撑件被提供在透镜主体的底表面处以支撑透镜主体使得透镜主体与衬底隔开。
在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的详情。从描述和附图,以及从权利要求中,其它的特征将是显而易见的。
附图说明
图1和图2是根据第一实施例的发光装置的截面图。
图3是根据第二实施例的发光装置的截面图。
图4是根据第三实施例的发光装置中的发光器件封装的截面图。
图5是根据第四实施例的发光装置中的发光器件封装的截面图。
图6是根据第五实施例的发光装置中的发光器件封装的截面图。
图7和图8是示出根据第一实施例的发光装置的光分布特性的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中,将会理解的是,当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称为是在另一层(或者膜)、区域、垫或者图案“上”时,“上”和“下”的术语包括“直接地”和“间接地”的含义。
在附图中,为了便于描述和清楚,每层的厚度或者尺寸被夸大、省略、或者示意性地示出。而且,每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
图1和图2是根据第一实施例的发光装置的截面图。
参考图1和图2,根据第一实施例的发光装置包括衬底10;发光器件封装20,该发光器件封装20被布置在衬底10上;以及透镜30,该透镜30被布置衬底10上发光器件封装20上方同时由衬底10支撑。
衬底10可以是印制电路板(PCB)。电路图案(未示出)被布置在衬底10上,并且电路图案和发光器件封装20相互电气地连接。
发光器件封装20包括封装主体21、被布置在封装主体21上的至少一个发光器件22、包围发光器件22的荧光层23、以及封装主体21上包围荧光层23的包封树脂层24。
电极层(未示出)被布置在封装主体21上。电极层可以穿过封装主体21或者可以被布置在封装主体21的表面上以将发光器件22电气地连接到衬底10的电路图案。封装主体21可以由各种材料形成。例如,封装主体21可以由陶瓷材料、树脂材料、以及硅材料中的一个形成。
发光器件22可以包括发光二极管。发光器件22可以被提供在多个封装主体21中。在本实施例中,提供了三个发光器件22。多个发光器件22可以相互并联或者串联地连接。而且,使用倒装芯片方法或者引线键合方法可以将多个发光器件22电气地连接到电极层。
发射红光、绿光、以及蓝光中的至少一个的发光二极管可以被用作发光器件22。在本实施例中,示出了发射蓝光的发光二极管作为示例。
荧光层23可以包围封装主体21上的发光器件22。例如,荧光层23可以包含黄色荧光材料。荧光层23可以具有平顶表面和封装主体21上的恒定的高度。
包封树脂层24被布置在封装主体21上以包围荧光层23。包封树脂层24可以由透明树脂材料,例如环氧树脂或者硅树脂形成。
包封树脂层24可以在其顶表面的中心处具有凸结构。而且,包封树脂层24可以在其顶表面的外围处是平的。
透镜30包括透镜主体31和支撑透镜主体31的透镜支撑件34。使用注入成型可以使透镜主体31和透镜支撑件34相互成为一体。或者,透镜主体31和透镜支撑件34可以被提供为单独的部分,并且然后使用粘合剂相互耦接。
当在平面图中看时,透镜主体31可以具有近似圆形状。凹凸或者粗糙部分可以形成在透镜主体31的底表面上。凹凸部分或者粗糙部分可以形成在除了其中形成第二凹陷33的区域之外的透镜主体31的底表面上。
在透镜主体31的底表面上可以提供多个透镜支撑件34。尽管在本实施例中仅示出两个透镜支撑件34,但是本公开不限于此。例如,可以布置三个或者更多透镜支撑件34并且使之相互隔开以稳定地支撑透镜主体31。透镜支撑件34的构造或者数目可以根据它的设计进行各种修改。
透镜主体31可以由透明树脂材料形成。而且,透镜主体31可以通过透镜支撑件34与衬底10隔开预定的距离。使用粘合剂可以将透镜支撑件34稳固地附接到衬底10。
透镜主体31整体上具有突起的顶表面。向下凹的第一凹陷部分32被布置在透镜主体31的顶表面的中心部分处。而且,透镜主体31具有平底表面。向上凹的第二凹陷部分33被布置在透镜主体31的底表面的中心部分处。第一凹陷部分32和第二凹陷部分33竖直地相互重叠。
由于第一凹陷部分32和第二凹陷部分33被布置在透镜主体31的中心部分处,所以透镜主体31在其中心部分处具有薄的厚度。透镜主体31具有从中心部分朝着边缘部分逐渐变厚并且然后再次变薄的厚度。而且,透镜主体31的顶表面的外围可以是平的,并且与透镜主体31的底表面相邻的横向表面可以垂直于透镜主体31的底表面。
第一凹陷部分32可以具有大约0.3mm至大约0.4mm的最大深度(a)。第二凹陷部分33可以具有大约2.5mm至大约3mm的最大深度(b)。而且,第一凹陷部分32可以具有大约3.5mm至大约4mm的最大深度(c)。第二凹陷部分33可以具有大约2.8mm至大约3.3mm的最大深度(d)。
透镜支撑件34可以具有大约0.5mm至大约0.8mm的最大厚度(e)。
透镜主体31可以具有大约4mm至大约5mm的最大厚度(h)。从透镜主体31的底表面到平顶表面的最大厚度(f)可以处于从大约1.8mm到大约2mm的范围内。从透镜主体31的平顶表面到顶表面的厚度(g)可以处于大约2.2mm到大约2.8mm的范围内。
透镜主体31可以具有大约13mm到大约19mm的最大宽度(j)。透镜主体在其中透镜主体31的顶表面弯曲的部分处可以具有大约12mm到大约18mm的最大宽度(i)。
在发光器件封装20中,封装主体21可以具有大约0.3mm至大约0.4mm的最大厚度,并且从封装主体21的顶表面到包封树脂层24的顶表面的最大高度可以处于从大约1.1mm到大约1.5mm的范围内。
在本实施例中,第一凹陷部分32的最大深度(a)与透镜主体31的最大厚度(h)的比率(a/h)可以处于从大约0.06到大约0.1的范围内。第二凹陷部分33的最大深度(b)与透镜主体31的最大厚度(h)的比率(b/h)可以处于从大约0.5到大约0.75的范围内。第二凹陷部分33的最大深度(b)与第一凹陷部分32的最大深度(a)的比率(b/a)可以处于从大约6.25至大约10的范围内。
第一凹陷部分32的最大宽度(c)与透镜主体31的最大宽度(j)的比率(c/j)可以处于从大约0.18到大约0.3的范围内。第二凹陷部分33的最大宽度(d)与透镜主体31的最大宽度(j)的比率(d/j)可以处于从大约0.14到大约0.25的范围内。第二凹陷部分33的最大宽度(d)与第一凹陷部分32的最大宽度(c)的比率(d/c)可以处于从大约0.7至大约0.94的范围内。
包封树脂层24的至少一部分被布置在第二凹陷部分33内。封装主体21的最大厚度小于透镜支撑件34的最大厚度。透镜主体31的底表面可以与发光器件22或者荧光层23同高或者与包封树脂层24同高。包封树脂层24可以与透镜主体31完全分离。
如上所述,发光装置在横向方向上具有优异的发光效率。从发光器件22发射的光被包封树脂层24反射和折射并且由第二凹陷部分33反射和折射以在横向方向上发射大量光。具体地,第一凹陷部分32和第二凹陷部分33减少在上方向上发射的光的量。
图7和图8是示出根据第一实施例的发光装置的光分布特性的视图。
参考图7和图8,当垂直于衬底10的角被定义为0°时,根据第一实施例的发光装置在大约70°至大约80°或者大约-70°至大约-85°的角度处发射峰值光。即,可以看到主要在横向方向上发射从发光装置发射的光。
下面将会描述的根据第二至第七实施例的发光装置具有与图7和图8中所示的发光装置的光分布特性相类似的光分布特性。
图3是根据第二实施例的发光装置的截面图。
在根据第二实施例的发光装置的描述中,将会省略对于根据第一实施例的发光装置的重复描述。
参考图3,通过COB(板上芯片)方法形成根据第二实施例的发光装置。发光器件22被直接地安装在衬底10上,并且荧光层23形成在衬底10上以包围发光器件22。另外,包封树脂层24形成在衬底10上以包围荧光层23。包封树脂层24接触衬底10并且包封树脂层24的一部分被布置在第二凹陷部分33中。
不同于根据第一实施例的发光装置,根据第二实施例,在没有使用封装主体21进行封装的情况下,发光器件22被直接地安装在衬底20上。因此,能够以宽的取向角发射从发光器件22产生的光并且能够将从发光器件22产生的热有效地散发到外部。
图4是根据第三实施例的发光装置中的发光器件封装的截面图。
在根据第三实施例的发光装置的描述中,将会省略对于根据第一和第二实施例的发光装置的重复描述。在图4中省略了透镜。
参考图4,通过COB方法形成根据第三实施例的发光装置。发光器件22被直接地安装在衬底10上,并且荧光层23形成在衬底10和发光器件22上以包围发光器件22。另外,包封树脂层24形成在衬底10和荧光层23上以包围荧光层23。包封树脂层24的一部分被布置在第二凹陷部分33中。
凹部分10a形成在衬底10中并且包封树脂层24被填充在凹部分10a中。因此,包封树脂层24和衬底10之间的接触面积增加,使得包封树脂层24能够被稳固地耦接到衬底10和荧光层23。
图5是根据第四实施例的发光装置中的发光器件封装的截面图。
在根据第四实施例的发光装置的描述中,将会省略对于根据第一和第二实施例的发光装置的重复描述。
参考图5,通过COB方法形成根据第四实施例的发光装置。发光器件22被直接地安装在衬底10上,并且荧光包封层25形成在衬底10和发光器件22上以包围发光器件22。
通过实施(dispense)其中分布有发光材料的包封树脂层来以凸形状制备荧光包封树脂层25。荧光包封树脂层25具有荧光层和包封层的功能。因此,能够简化用于根据第四实施例的发光装置的制造工艺。
图6是根据第五实施例的发光装置中的发光器件封装的截面图。
在根据第五实施例的发光装置的描述中,将会省略对于根据第一和第二实施例的发光装置的重复描述。在图6中省略了透镜。
参考图6,通过COB方法形成根据第五实施例的发光装置。发光器件22被直接地安装在衬底10上,并且具有预定的厚度的荧光层23形成在衬底10和发光器件22上以包围发光器件22。另外,包封树脂层24形成在衬底10和荧光层23上以包围荧光层23。荧光层23的一部分被布置在第二凹陷部分33中。
荧光层23对应于发光器件22的构造而起伏(corrugated)。即,被布置在衬底10上的荧光层23的高度低于被布置在发光器件22上的荧光层23的高度。根据第五实施例的发光装置,具有预定的厚度的荧光层23包围发光器件22,使得能够减少从发光装置发射的光的色差。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中,在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外,当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时,都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例,但是应该理解,本领域的技术人员可以想到的多个其它修改和实施例也将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地,在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中,各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外,对于本领域的技术人员来说,替代使用也将是显而易见的。

Claims (13)

1.一种发光装置,包括:
具有凹部分的衬底;
被直接安装在所述衬底上的发光器件;
荧光层,所述荧光层被构造为接触所述衬底和所述发光器件,以包围所述发光器件;
包封树脂层,所述包封树脂层被构造为接触所述衬底和所述荧光层上,以包围所述荧光层,并且所述包封树脂层形成在所述凹部分中;以及
透镜,所述透镜布置在所述发光器件上,并且由所述衬底支撑,
其中,所述透镜包括透镜主体和透镜支撑件,所述透镜主体具有形成在所述透镜主体的顶表面的中心处的第一凹陷和形成在所述透镜主体的底表面的中心处的第二凹陷;所述透镜支撑件设置在所述透镜主体的底表面,以支撑所述透镜主体,从而所述透镜主体与所述衬底隔开,其中,所述第一凹陷的最大深度与所述透镜主体的最大厚度的比率是0.06至0.1,并且所述第二凹陷的最大深度与所述透镜主体的最大厚度的比率是0.5至0.75。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第二凹陷的最大深度与所述第一凹陷的最大深度的比率是6.25至10。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第一凹陷的最大宽度与所述透镜主体的最大宽度的比率是0.18至0.3,并且所述第二凹陷的最大宽度与所述透镜主体的最大宽度的比率是0.14至0.25。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第二凹陷的最大宽度与所述第一凹陷的最大宽度的比率是0.7至0.94。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述包封树脂层的至少一部分布置在所述第二凹陷中。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第一凹陷与所述第二凹陷在竖直方向上重叠。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中,设置多个透镜支撑件,且所述多个透镜支撑件相互隔开。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其中,设置至少三个透镜支撑件。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述透镜主体的顶表面的外围部分是平的。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述透镜支撑件结合到所述衬底。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其中,在所述透镜主体的底表面上的、除了形成所述第二凹陷的区域之外的区域上形成凹凸部分或者粗糙部分。
12.根据权利要求1所述的发光装置,其中,取决于所述发光器件的构造来弯曲所述荧光层的顶表面。
13.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述荧光层的顶表面是平的。
CN201010559003.0A 2009-11-20 2010-11-22 发光装置 Active CN102097572B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510755827.8A CN105390599B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置
CN201510757592.6A CN105355764B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2009-0112479 2009-11-20
KR1020090112479A KR100986380B1 (ko) 2009-11-20 2009-11-20 발광 장치

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510755827.8A Division CN105390599B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置
CN201510757592.6A Division CN105355764B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102097572A CN102097572A (zh) 2011-06-15
CN102097572B true CN102097572B (zh) 2016-02-03

Family

ID=43135188

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510757592.6A Active CN105355764B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置
CN201010559003.0A Active CN102097572B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置
CN201510755827.8A Active CN105390599B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510757592.6A Active CN105355764B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510755827.8A Active CN105390599B (zh) 2009-11-20 2010-11-22 发光装置

Country Status (4)

Country Link
US (6) US8395183B2 (zh)
EP (1) EP2325907A1 (zh)
KR (1) KR100986380B1 (zh)
CN (3) CN105355764B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
KR100986380B1 (ko) * 2009-11-20 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
CN103178190B (zh) * 2011-12-22 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源及其封装方法
CN103311418B (zh) * 2012-03-06 2017-05-24 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
TWI422861B (zh) * 2012-06-29 2014-01-11 一品光學工業股份有限公司 光控制鏡片及其光源裝置
JP2015534101A (ja) * 2012-08-22 2015-11-26 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド Ledバックライト用照明レンズ
EP4019833A1 (en) 2012-10-30 2022-06-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lens and light emitting module for surface illumination
TWI485890B (zh) * 2012-10-31 2015-05-21 Lextar Electronics Corp 發光裝置
KR102024291B1 (ko) 2012-12-18 2019-09-23 엘지이노텍 주식회사 램프 유닛 및 그를 이용한 차량 램프 장치
US9512984B2 (en) * 2013-01-17 2016-12-06 Osram Sylvania Inc. Replaceable single LED lamp for runway sign
TW201435397A (zh) * 2013-03-05 2014-09-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 透鏡以及應用該透鏡之發光二極體封裝結構
KR20140120683A (ko) 2013-04-04 2014-10-14 서울반도체 주식회사 면 조명용 렌즈 및 발광 모듈
KR101975190B1 (ko) * 2013-06-28 2019-05-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN104344332A (zh) * 2013-07-29 2015-02-11 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 透镜模组及应用该透镜模组的光源模组
TWI589964B (zh) * 2013-12-26 2017-07-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光裝置及背光模組
KR20150092429A (ko) * 2014-02-04 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 광학 렌즈 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
TW201612452A (en) * 2014-09-25 2016-04-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Lens and light emitting diode module using the same
KR102305232B1 (ko) * 2014-11-19 2021-09-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 그 패키지를 포함하는 조명 장치
KR102300558B1 (ko) 2014-12-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 광원 모듈
US10393341B2 (en) 2015-04-24 2019-08-27 Abl Ip Holding Llc Tri-lobe optic and associated light fixtures
USD779112S1 (en) * 2015-04-24 2017-02-14 Abl Ip Holding Llc Tri-lobe light fixture optic
US10222024B2 (en) * 2015-06-03 2019-03-05 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Lens for light emitting device
JP6868388B2 (ja) * 2016-12-26 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
JP6985622B2 (ja) * 2016-12-26 2021-12-22 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
WO2018159977A1 (ko) * 2017-02-28 2018-09-07 서울반도체주식회사 디스플레이 장치, 백라이트 유닛, 발광모듈 및 렌즈
FI130269B (fi) * 2018-10-15 2023-05-24 Obelux Oy Linssi, valaisin ja ympärisäteilevä valaisujärjestelmä
US11237459B2 (en) * 2019-06-12 2022-02-01 Avigilon Corporation Camera comprising a light-refracting apparatus for dispersing light

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5099263A (en) * 1984-11-10 1992-03-24 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Variable focal length camera
US5526190A (en) * 1994-09-29 1996-06-11 Xerox Corporation Optical element and device for providing uniform irradiance of a surface
US5701207A (en) * 1994-12-28 1997-12-23 Konica Corporation Camera with a fixed focal length lens
US5754210A (en) * 1995-04-05 1998-05-19 Konica Corporation Optical system assembling device for an image forming apparatus
US5833903A (en) * 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
KR100310126B1 (ko) * 1997-06-06 2002-02-19 이토가 미찌야 감광체드럼이통합된회전형현상유니트
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US6670207B1 (en) * 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
JP3736366B2 (ja) * 2001-02-26 2006-01-18 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
US6598998B2 (en) * 2001-05-04 2003-07-29 Lumileds Lighting, U.S., Llc Side emitting light emitting device
JP2003215310A (ja) * 2001-11-15 2003-07-30 Konica Corp 光学レンズ及び光情報記録再生装置
US6832849B2 (en) * 2001-12-04 2004-12-21 Ccs, Inc. Light radiation device, light source device, light radiation unit, and light connection mechanism
US6724543B1 (en) * 2002-10-23 2004-04-20 Visteon Global Technologies, Inc. Light collection assembly having mixed conic shapes for use with various light emitting sources
IL152628A0 (en) * 2002-11-04 2004-02-08 Odf Optronics Ltd Omni-directional imaging assembly
KR20040068691A (ko) * 2003-01-27 2004-08-02 삼성전자주식회사 칼라 조명장치 및 이를 채용한 화상투사장치
US20040223315A1 (en) * 2003-03-03 2004-11-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of making same
JP4182783B2 (ja) * 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ledパッケージ
US7748873B2 (en) * 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
KR101112542B1 (ko) * 2004-11-03 2012-02-15 삼성전자주식회사 발광다이오드와 그 렌즈
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
TWI261654B (en) 2004-12-29 2006-09-11 Ind Tech Res Inst Lens and LED with uniform light emitted applying the lens
JP4744913B2 (ja) 2005-04-01 2011-08-10 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード
EP3133432B1 (en) * 2005-04-26 2019-11-06 LG Innotek Co., Ltd. Optical lens, light emitting device package using the optical lens, and backlight unit
JP4306652B2 (ja) * 2005-07-15 2009-08-05 船井電機株式会社 光ピックアップ装置
KR20070013469A (ko) 2005-07-26 2007-01-31 삼성전자주식회사 광학렌즈 및 광학 패키지와, 이를 갖는 백라이트 어셈블리및 표시장치
JP2007072432A (ja) 2005-08-08 2007-03-22 Konica Minolta Opto Inc 光学素子及びそれを備えた照明装置
US20070195534A1 (en) 2005-08-19 2007-08-23 Ha Duk S Side emitting lens, light emitting device using the side emitting lens, mold assembly for preparing the side emitting lens and method for preparing the side emitting lens
KR20070021873A (ko) * 2005-08-19 2007-02-23 주식회사 엘지화학 측면 방사형 렌즈 및 이를 이용한 발광 소자
KR100706942B1 (ko) 2005-10-18 2007-04-12 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
TW200717856A (en) 2005-10-28 2007-05-01 Taiwan Oasis Technology Co Ltd Method of fabricating light emitting diode
JP4863357B2 (ja) 2006-01-24 2012-01-25 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
EP1860467A1 (en) 2006-05-24 2007-11-28 Industrial Technology Research Institute Lens and light emitting diode using the lens to achieve homogeneous illumination
US8296268B2 (en) * 2006-07-21 2012-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for change logging in a firmware over the air development environment
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
CN101150159B (zh) 2006-09-22 2011-05-11 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其透镜体
EP1959505B1 (en) 2007-02-14 2015-09-09 Tridonic Jennersdorf GmbH LED module with lens and its manufacturing
AU2008254676B2 (en) * 2007-05-21 2012-03-22 Illumination Management Solutions, Inc. An improved LED device for wide beam generation and method of making the same
KR100869573B1 (ko) 2007-05-29 2008-11-21 삼성전기주식회사 조명용 광학소자의 확산렌즈, 조명용 광학소자 및 그조명장치
JP5115038B2 (ja) * 2007-06-06 2013-01-09 ソニー株式会社 発光装置、面光源装置及び画像表示装置
KR100880638B1 (ko) 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
JP5213383B2 (ja) 2007-08-09 2013-06-19 シャープ株式会社 発光装置およびこれを備える照明装置
JP5077942B2 (ja) * 2007-11-07 2012-11-21 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、及び表示装置
KR101429911B1 (ko) * 2007-12-07 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 광원과 이를 이용한 백라이트 유닛
CN201146189Y (zh) * 2007-12-20 2008-11-05 亿光电子工业股份有限公司 侧面型发光二极管结构
JP2009152142A (ja) 2007-12-21 2009-07-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光素子ユニット及びこれを複数備えた面発光ユニット
JP4993616B2 (ja) 2008-03-05 2012-08-08 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、及び表示装置
EP2128660B1 (en) * 2008-05-28 2012-04-18 Lighting Science Group Corporation Luminaire and method of operation
CN201265758Y (zh) * 2008-07-01 2009-07-01 研晶光电股份有限公司 改进型发光二极管结构
US8449150B2 (en) * 2009-02-03 2013-05-28 Osram Sylvania Inc. Tir lens for light emitting diodes
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
US8829771B2 (en) * 2009-11-09 2014-09-09 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting device
KR100986468B1 (ko) * 2009-11-19 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 렌즈 및 렌즈를 갖는 발광 장치
KR100986380B1 (ko) * 2009-11-20 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
WO2011115351A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-22 Lg Electronics Inc. Backlight unit and display apparatus including the same
KR101884628B1 (ko) * 2011-08-24 2018-08-02 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 백라이트 유닛

Also Published As

Publication number Publication date
CN102097572A (zh) 2011-06-15
EP2325907A1 (en) 2011-05-25
US20110121341A1 (en) 2011-05-26
US20180119895A1 (en) 2018-05-03
US9534744B2 (en) 2017-01-03
US8823048B2 (en) 2014-09-02
US10030823B2 (en) 2018-07-24
KR100986380B1 (ko) 2010-10-08
US9638378B2 (en) 2017-05-02
CN105390599A (zh) 2016-03-09
CN105355764A (zh) 2016-02-24
CN105355764B (zh) 2018-09-07
US20140332837A1 (en) 2014-11-13
CN105390599B (zh) 2018-06-22
US8395183B2 (en) 2013-03-12
US20160003421A1 (en) 2016-01-07
US20130146923A1 (en) 2013-06-13
US9885450B2 (en) 2018-02-06
US20160003420A1 (en) 2016-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102097572B (zh) 发光装置
US10163975B2 (en) Light emitting apparatus
US8616729B2 (en) Lens and light emitting apparatus having the same
US9564567B2 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
JP5878305B2 (ja) 発光素子パッケージ及び照明システム
CN102044616B (zh) 发光设备和照明系统
US20080203412A1 (en) LED assembly with molded glass lens
CN102194980A (zh) 发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统
CN101523620A (zh) 半导体发光装置
CN102074642B (zh) 发光器件封装、照明模块以及照明系统
US10256376B1 (en) LED device
CN112490225A (zh) 一种发光装置及制作方法
KR101637590B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210812

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.