CN102087636A - 多通道Nandflash控制器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多通道Nandflash控制器，包括：微控制器，负责对片使能信号CE#进行编码；寄存器，其输入端与微控制器相连接，输出端直接连接到Nandflash控制器芯片的管脚端，用于寄存已编码片使能信号；译码器，与寄存器相连接，用于对已编码片使能信号进行译码；多个反相器，其输入端分别连接在所述译码器的输出端，其输出端分别连接到相应Nandflash存储器的片使能信号输入端，负责对译码器的输出进行取反。本发明能够对Nandflash存储器的片使能信号CE#先进行编码后进行译码，有效减少多通道Nandflash控制器的管脚数量。
Description
技术领域
本发明涉及一种大容量Nandflash(与非型闪存)存储设备，特别是涉及一种多通道Nandflash控制器。
背景技术
Nandflash存储器在最近几年里得到了突飞猛进的发展，由1位/单元的技术发展到了2位/单元甚至3位/单元的技术，同时Nandflash存储器的生产工艺也不断进步。随着技术的发展，Nandflash存储器容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低。
Nandflash存储器相对于磁存储介质有省电、寻道时间短等优点，因此被当作替代现有磁存储介质的最佳选择。Nandflash存储器目前主要应用于U盘、MP3、MP4、数码相机等领域，这类应用需要的数据传输带宽都不是很大，单通道Nandflash控制器的数据传输带宽就能满足应用。但是当Nandflash存储器应用于固态存储盘(SSD)以替代传统硬盘的时候，单通道Nandflash控制器的数据传输带宽就不能满足需求了。现有的SSD解决方案都采用增加Nandflash控制器的通道数来增加SSD的数据传输带宽。
随着Nandflash控制器上连接的Nandflash存储器越来越多，其管脚数量也越来越多。在有些情况下，管脚数量已成为决定Nandflash控制器芯片面积的重要因素。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种多通道Nandflash控制器，能够对Nandflash存储器的片使能信号CE#先进行编码后进行译码，有效减少多通道Nandflash控制器的管脚数量。
为解决上述技术问题，本发明的多通道Nandflash控制器包括：
微控制器，负责对片使能信号CE#进行编码；
寄存器，其输入端与微控制器相连接，输出端直接连接到Nandflash控制器芯片的管脚端，用于寄存已编码片使能信号；
译码器，与寄存器相连接，用于对已编码片使能信号进行译码；
多个反相器，其输入端分别连接在所述译码器的输出端，其输出端分别连接到相应Nandflash存储器的片使能信号输入端，负责对译码器的输出进行取反。
采用本发明的多通道Nandflash控制器，充分利用多通道Nandflash控制器存储架构中每个通道最多只有一片Nandflash存储器被选中的特性，对每个通道的多个Nandflash存储器片使能信号CE#进行编码，有效地降低了整个芯片的管脚数量。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明的一实施例结构图；
图2是本发明的另一实施例结构图。
具体实施方式
参见图1所示，在一个具体实施例中，所述多通道Nandflash控制器6芯片外部连接8个Nandflash存储器5。每个Nandflash存储器5均有自己独立的片使能信号CE#和就绪/忙信号R/B#，其它信号则8个Nandflash存储器5共享。采用这种连接方案，在任一时刻，最多只有一片Nandflash存储器5被选中。
在Nandflash控制器6芯片内，片使能信号CE#的选择由微控制器1通过对寄存器2写4位宽的已编码片使能信号CE来实现。
在Nandflash控制器6芯片外，通过一个4-16位的译码器3和8个反相器4实现对已编码片使能信号CE的译码。
在多通道Nandflash控制器6芯片内对片使能信号CE#进行编码时，对于每个通道，若片使能信号CE#信号数量大于等于2n-1但小于2n(n为大于等于1的整数)，则其可以编码为n位宽的新已编码片使能信号CE[n-1:0]。
在多通道Nandflash控制器6芯片外对经过编码的新已编码片使能信号CE[n-1:0]进行译码时，需要在芯片外采用一个n到2n的译码器；因为CE#是低有效的信号，CE[n-1:0]在经过译码后，还需要进行反相，才能连接到Nandflash存储器5上。
表1说明了CE[3:0]和片使能信号CE#的对应关系。
表1
| CE[3:0] | CE0# | CE1# | CE2# | CE3# | CE4# | CE5# | CE6# | CE7# |
| ‘h0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ‘h1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ‘h2 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ‘h3 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ‘h4 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
| ‘h5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |
| ‘h6 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 |
| ‘h7 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 |
| 其它值 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
结合图2所示。在实际应用中，当多通道Nandflash控制器6每个通道上连接的片使能信号CE#不大于CE的位数时，例如图1所示的Nandflash控制器6连接的Nandflash存储器5数量不大于4，可以不对片使能信号CE#进行先编码后译码的处理，CE[3:0]可以直接连接到Nandflash存储器5的片使能信号CE#输入端上，以简化多通道Nandflash控制器6和Nandflash存储器5的连接。
表2表示了图2所示连接方案中，CE[3:0]和片使能信号CE#的对应关系。
表2
| CE[3:0] | CE0# | CE1# | CE2# | CE3# |
| ‘b1110 | 0 | 1 | 1 | 1 |
| ‘b1101 | 1 | 0 | 1 | 1 |
| ‘b1011 | 1 | 1 | 0 | 1 |
| ‘b0111 | 1 | 1 | 1 | 0 |
| ‘b1111 | 1 | 1 | 1 | 1 |
以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，例如若采用带取反功能的译码器，多个反相器可以省略等，这些也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种多通道Nandflash控制器，其特征在于，包括：
微控制器，负责对片使能信号CE#进行编码；
寄存器，其输入端与微控制器相连接，输出端直接连接到Nandflash控制器芯片的管脚端，用于寄存已编码片使能信号；
译码器，与寄存器相连接，用于对已编码片使能信号进行译码；
多个反相器，其输入端分别连接在所述译码器的输出端，其输出端分别连接到相应Nandflash存储器的片使能信号输入端，负责对译码器的输出进行取反。
2.如权利要求1所述的多通道Nandflash控制器，其特征在于：若片使能信号CE#信号数量大于等于2n-1但小于2n，则编码为n位宽的已编码片使能信号，其中，n为大于等于1的整数；在Nandflash控制器芯片内，片使能信号CE#的选择由微控制器通过对寄存器写n位宽的已编码片使能信号来实现。
3.如权利要求1所述的多通道Nandflash控制器，其特征在于：在Nandflash控制器芯片外对已编码片使能信号进行译码时，需要在芯片外采用一个n到2n位的译码器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009102018992A CN102087636A (zh) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | 多通道Nandflash控制器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2009102018992A CN102087636A (zh) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | 多通道Nandflash控制器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN102087636A true CN102087636A (zh) | 2011-06-08 |
Family
ID=44099450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN2009102018992A Pending CN102087636A (zh) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | 多通道Nandflash控制器 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN102087636A (zh) |
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2009
- 2009-12-08 CN CN2009102018992A patent/CN102087636A/zh active Pending
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