CN102085635A - 单面抛光的双面无蜡抛光工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，将硅片放于游轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0.2-0.4Mpa；对粗抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0.3-0.5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即完成。本发明的有益效果是：通过本工艺可以实现产品的批量化生产，且生产的成品平整度高，节省了工序，降低了操作难度以及劳动强度，提高了产量以及效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种抛光工艺，尤其是一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺。
背景技术
现有技术中，硅片不仅平整度要求，还应根据用户线宽和光刻设备的不同提供完全满足用户隐含的平整度要求。硅片平整度主要取决于抛光方法和设备。当前在硅片生产中主要有三种抛光工艺：一是有蜡单面抛光。采用有蜡单面抛光机加工，生产的硅片平整度好，但工艺、设备较复杂，成本也较高，为直径150-200mm硅片主流工艺；二是无蜡单面抛光。采用无蜡单面抛光机加工，生产的硅片平整度较差，但工艺、设备较简单，成本较低，为直径100mm通用硅片的主流工艺；三是无蜡双面抛光。采用无蜡双面抛光机加工，可以显著提高硅片平整度，生产平整度极好的双面抛光硅片，直径300mm硅片、红外滤光片和传感器的衬底片多采用该工艺。
发明内容
为了克服以上缺陷，本发明要解决的技术问题是：提出一种有效保证产品平整度的单面抛光的双面无蜡抛光工艺。
本发明所采用的技术方案为：一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，将硅片放于游轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0.2-0.4Mpa；对粗抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0.3-0.5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即完成。
根据本发明的另外一个实施例，单面抛光的双面无蜡抛光工艺进一步包括粗抛时采用氧化铅作为磨料，将氧化铅均匀的抛撒于抛光盘表面。
根据本发明的另外一个实施例，单面抛光的双面无蜡抛光工艺进一步包括精抛时采用柏油、松香合成材料制成的抛光盘抛光。
根据本发明的另外一个实施例，单面抛光的双面无蜡抛光工艺进一步包括粗抛时间为30-50min，精抛时间为20-40min。
本发明的有益效果是：通过本工艺可以实现产品的批量化生产，且生产的成品平整度高，节省了工序，降低了操作难度以及劳动强度，提高了产量以及效率。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
本发明涉及一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，将硅片放于游轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0.2-0.4Mpa；对粗抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0.3-0.5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即完成。通过本工艺可以实现产品的批量化生产，且生产的成品平整度高，节省了工序，降低了操作难度以及劳动强度，
为粗抛时的工作效率，本发明优选粗抛时采用氧化铅作为磨料，将氧化铅均匀的抛撒于抛光盘表面。其中，粗抛时间一般为30-50min，这样能够更好的为精抛做准备。
为提高单面精度，本发明优选精抛时采用柏油、松香合成材料制成的抛光盘抛光。而精抛的控制时间一般为20-40min。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (4)
1.一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于：将硅片放于游轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0.2-0.4Mpa；对粗抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0.3-0.5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即完成。
2.根据权利要求1所述的单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于：粗抛时采用氧化铅作为磨料，将氧化铅均匀的抛撒于抛光盘表面。
3.根据权利要求1所述的单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于：精抛时采用柏油、松香合成材料制成的抛光盘抛光。
4.根据权利要求1所述的单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于：粗抛时间为30-50min，精抛时间为20-40min。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2010
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110608 |