CN102064060A - 温度熔断器及其制造方法 - Google Patents

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CN102064060A CN2011100276605A CN201110027660A CN102064060A CN 102064060 A CN102064060 A CN 102064060A CN 2011100276605 A CN2011100276605 A CN 2011100276605A CN 201110027660 A CN201110027660 A CN 201110027660A CN 102064060 A CN102064060 A CN 102064060A
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钱朝勇
张子川
沈海波
杨彬
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Shanghai Changyuan Wayon Circuit Protection Co Ltd
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Shanghai Changyuan Wayon Circuit Protection Co Ltd
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Abstract

本发明涉及温度熔断器及其制造方法,包括金属导电件、低温易熔合金和绝缘膜,其中,金属导电件之间在正反两面分别由两层低温易熔合金连接,低温易熔合金表面涂覆有助熔树脂,且导电件端头、合金及树脂被绝缘膜包裹,中层绝缘层的垫层分离两层合金,与导电件连接。制造方法:金属导电件焊接到中层绝缘膜上,端头有间隙;将两层低温易熔合金焊接在金属导电件端头正反两面,助熔树脂涂覆在低温易熔合金表面;将两层绝缘膜覆盖在中层绝缘膜上,将金属导电件端头、低温合金、助熔树脂包裹在其间。优点是:适应温度保险丝小尺寸、电流大的工作场合。功能近似两个温度保险丝并联,但比两个温度保险丝并联在动作一致性上更好,且尺寸小、节约空间、成本。

Description

温度熔断器及其制造方法
技术领域
本发明涉及电子产品用温度熔断器及其制造方法,尤其涉及手机电池的温度保险丝元件。
背景技术
近几年来,通讯业日趋发达,尤其是在无线电通讯方面,手机的市场己普及到几乎是人手一部。手机的普及直接带动了手机零部件尤其是手机电池市场规模的扩大。
随着3G(第三代通信)技术的发展使得手机向多功能化方向发展,多功能化要求手机电池容量进一步增大,容量从以往的600mAh激增到目前最大3600mAh(型号DB736),如此高容量电池的爆炸威力可见一斑。
目前大多数手机电池只是依赖过流保护,也就是说只能提供过流保护,但即使是在电流稳定的状态下,依焦耳热定律,其温度还是会持续的上升,温度若持续升高要么直接引起爆炸;要么在锂电池内的阴极座逐渐析出金属锂然后接触到阳极座,引起短路而产生危险。
合金型温度熔断器是一种比较可靠的保护元件,且其是不可恢复的,虽然有只能动作一次的缺点,但从另一方面来说,其安全性却大大提高了,只要经受过一次高温使得温度保险丝熔断的电池,宁可不用,因为正常使用环境下,导致温度保险丝熔断的概率是很小的。
但是随着电子元件小型化的发展,对温度保险丝也要求尺寸越来越小,尺寸越小,温度保险丝的正常工作电流也就有限制。需要一种既能满足小尺寸又能满足大电流的温度保险丝。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种温度熔断器。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种温度熔断器的制造方法。
本发明解决上述技术问题所采取的技术方案是:一种温度熔断器,包括一对金属导电件、低温易熔合金和上、中、下三层绝缘膜,所述的一对金属导电件之间在正反两面分别由两层低温易熔合金连接,低温易熔合金表面涂覆有助熔树脂,且一对金属导电件连接低温合金的端头、低温合金及助熔树脂一并被上、下两层绝缘膜所包裹,其中,中层绝缘层形成的垫层分离上、下两层低熔点合金,并与一对金属导电件连接,在电路上呈并联连接。
在上述方案基础上,所述的绝缘膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜,厚度为100~125um。
在上述方案基础上,所述的金属导电件为镍、铜、铝中的一种导电材料或其合金,其端头设有与低温易熔合金焊接的镀层。
在上述方案基础上,所述上下二层绝缘膜呈外凸状态,包裹在两层低温易熔合金外表面,并把低温易熔合金密闭的包裹起来。
针对上述温度熔断器的制造方法,依序包括下述步骤:
第一步:把一对金属导电件焊接到中层绝缘膜上,一对金属导电件的端头留有一段间隙;
第二步:将上、下两层低温易熔合金分别焊接在一对金属导电件端头的正反两面,并分布在间隙的两面,将助熔树脂涂覆在上、下两层低温易熔合金的表面;
第三步:将上、下两层绝缘膜覆盖在中层绝缘膜上,并将一对金属导电件与连接低温合金的端头、低温合金、助熔树脂包裹在上、下两层绝缘膜之间。
在上述方案基础上,所述的上、下两层绝缘膜均呈凸起状态,上、下两层绝缘膜与一对金属导电件及低温易熔合金分两次焊接;或者,上、下两层绝缘膜与一对金属导电件及低温易熔合金一次焊接。
本发明的有益效果是:
本发明的温度熔断器适应了温度保险丝小尺寸、电流大的工作场合。功能上近似于两个温度保险丝并联,但比两个温度保险丝并联在动作一致性上更好,且尺寸小、节约空间、节约成本。
附图说明
图1为本发明中层绝缘膜的结构示意图。
图2为本发明中层绝缘膜与一对金属导电件相连接的结构示意图。
图3为低温易熔合金焊接在一对金属导电件之间的主视结构示意图。
图4为两层低温易熔合金分别焊接在一对金属导电件正反二面的截面示意图。
图5为在图4基础上在两层易熔合金外表面涂覆助熔树脂的截面示意图。
图6为本发明产品的主视结构示意图。
图7为本发明产品的侧视结构示意图。
图8为对比例产品的侧视结构示意图。
附图中标号说明
1,2—金属导电件;    3—中层绝缘层;      4—垫层;
5,6—低温易熔合金;  7,8—助熔树脂;     
9—上层绝缘膜;       10—下层绝缘膜;
11—绝缘膜。
具体实施方式
请参阅图1为本发明中层绝缘膜的结构示意图,图2为本发明中层绝缘膜与一对金属导电件相连接的结构示意图,图3为低温易熔合金焊接在一对金属导电件之间的主视结构示意图,图4为两层低温易熔合金分别焊接在一对金属导电件正反二面的截面示意图,图5为在图4基础上在两层易熔合金外表面涂覆助熔树脂的截面示意图,图6为本发明产品的主视结构示意图和图7为本发明产品的侧视结构示意图所示。
本发明一种新型温度熔断器,包括一对金属导电件1、2,低温易熔合金5、6,上层绝缘膜9、中层绝缘膜3和下层绝缘膜10。
所述的一对金属导电件1、2之间在正反两面分别由两层低温易熔合金5、6连接,低温易熔合金5、6表面涂覆助熔树脂7、8,且一对金属导电件1、2连接低温易熔合金5、6的端头、低温易熔合金5、6和助熔树脂7、8被上层绝缘膜9和下层绝缘膜10所包裹。
其中,中层绝缘层3形成的垫层4分离上、下两层低温易熔合金5、6,并与一对金属导电件1、2连接,在电路上呈并联连接。
所述的绝缘膜选用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯),厚度为100~125um,金属导电件1、2选用端头镀锡的镍材料。
将金属导电件1,2按预定位置与中层绝缘膜3焊接好(如图2所示),中层绝缘膜3在位于金属导电件1,2之间间隙处形成垫层4,然后将低温易熔合金5、6焊接在金属导电件1、2的正反二面(如图3、图4所示),在两层低温易熔合金5、6上涂覆助熔树脂7、8(如图5所示),最后用上层绝缘膜9和下层绝缘膜10将助熔树脂7、8、低温易熔合金5,6包裹并精密塑料焊接,成品如图6和图7所示。
本实施例的制造过程描述如下:
首先把一对金属导电件1、2与中层绝缘膜3焊接,金属导电件1、2的端头留有一段间隙,低温易熔合金5、6焊在一对金属导电件1、2端头的正反两面,且分布在间隙的两侧,把助熔树脂7、8涂覆在两层低温易熔合金5、6的外表面,最后,把上层绝缘膜9和下层绝缘膜10覆盖在中层绝缘膜3上,并把金属导电件1、2连接低温易熔合金5、6的端头、易熔合金5、6和助熔树脂7、8包裹在上层绝缘膜9和下层绝缘膜10之间。
上层绝缘膜9和下层绝缘膜10均呈凸起状态,上层绝缘膜9和下层绝缘膜10与金属导电件1、2及低温易熔合金5、6可以分两次焊接;或者,上层绝缘膜9和下层绝缘膜10与金属导电件1、2及低温易熔合金5、6一次焊接成功。
中层绝缘层3形成的垫层4将上下两层低温易熔合金5、6之间绝缘,低温易熔合金5、6与金属导电件1、2连接后,在电路上呈并联连接。
中层绝缘层3也可使用两层分别置于金属导电件1、2的上下两侧。实施例1、2与对比例采用同样熔点的合金与绝缘膜尺寸。
实施例1
中层绝缘膜3与垫层4采用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯),上层绝缘膜9和下层绝缘膜10采用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯),采用两次焊接,第一步焊接上层绝缘膜9与中层绝缘膜3,第二步再焊接下层绝缘膜10与中层绝缘膜3,焊接后得到样品。
实施例2
中层绝缘膜3与垫层4采用PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯),上层绝缘膜9和下层绝缘膜10采用PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯),采用一次焊接,焊接上层绝缘膜9、下层绝缘层10与中层绝缘膜3,焊接后得到样品。
对比例
请参阅图8为对比例产品的侧面结构示意图所示,其他结构与实施例相同,绝缘膜选用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯),厚度为100~125um,金属导电件1、2选用端头镀锡的镍材料。将金属导电件1、2按预定位置与绝缘膜11按图7的方式焊接好(绝缘膜11只是一层上层绝缘膜),然后,将低温易熔合金焊接好,在易熔合5上涂覆助熔树脂,再用上层绝缘膜9将助熔树脂、易熔合金包裹并精密塑料焊接,成品如图7和图8所示。
测定实施例与对比例样品的熔断温度与额定电流,额定电流为在不同电流下及60℃环境温度度,持续168小时不熔断为合格。测试结果如表1所示:
Figure 2011100276605100002DEST_PATH_IMAGE001
从表1可知,本发明的温度熔断器能在长度尺寸与宽度尺寸不变的情况下额电电流加倍。

Claims (6)

1.一种温度熔断器,包括一对金属导电件、低温易熔合金和上、中、下三层绝缘膜,其特征在于:所述的一对金属导电件之间在正反两面分别由两层低温易熔合金连接,低温易熔合金表面涂覆有助熔树脂,且一对金属导电件连接低温合金的端头、低温合金及助熔树脂一并被上、下两层绝缘膜所包裹,其中,中层绝缘层形成的垫层分离上、下两层低熔点合金,并与一对金属导电件连接,在电路上呈并联连接。
2.根据权利要求1所述温度熔断器,其特在于:所述的绝缘膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜,厚度为100~125um。
3.根据权利要求1所述温度熔断器,其特在于:所述的金属导电件为镍、铜、铝中的一种导电材料或其合金,其端头设有与低温易熔合金焊接的镀层。
4.根据权利要求1所述温度熔断器,其特在于:所述上下二层绝缘膜呈外凸状态,包裹在两层低温易熔合金外表面,并把低温易熔合金密闭的包裹起来。
5.针对权利要求1至4之一所述温度熔断器的制造方法,其特征在于依序包括下述步骤:
第一步:把一对金属导电件焊接到中层绝缘膜上,一对金属导电件的端头留有一段间隙;
第二步:将上、下两层低温易熔合金分别焊接在一对金属导电件端头的正反两面,并分布在间隙的两面,将助熔树脂涂覆在上、下两层低温易熔合金的表面;
第三步:将上、下两层绝缘膜覆盖在中层绝缘膜上,并将一对金属导电件与连接低温合金的端头、低温合金、助熔树脂包裹在上、下两层绝缘膜之间。
6.根据权利要求5所述温度熔断器的制造方法,其特征在于:所述的上、下两层绝缘膜均呈凸起状态,上、下两层绝缘膜与一对金属导电件及低温易熔合金分两次焊接;或者,上、下两层绝缘膜与一对金属导电件及低温易熔合金一次焊接。
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PB01 Publication
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Address after: Seven road 201202 Shanghai Pudong New Area Shiwan No. 1001

Applicant after: Shanghai Changyuan Wayon Circuit Protection Co., Ltd.

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Applicant before: Shanghai Changyuan Wayon Circuit Protection Co., Ltd.

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C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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