CN102054430A - 显示装置和驱动显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

一种驱动显示装置的方法，所述显示装置通过安排每个具有驱动电路和电流驱动型发光部分的显示器件而形成，所述方法包括下述步骤：在时段TQ期间，以显示器件行为单位执行阈值电压抵消处理，其中预定参考电压施加到配置各组显示器件行的Q×N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，并且预定驱动电压施加到Q×N个显示器件的一个源极/漏极区，以便将另一源极/漏极区的电势朝向通过从参考电压减去驱动晶体管的阈值电压计算的电势改变；以及顺序执行写入处理Q次，其中视频信号施加到配置显示器件行的N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极。

Description

显示装置和驱动显示装置的方法
技术领域
本发明涉及显示装置和驱动显示装置的方法，并且更具体地涉及这样的显示装置和驱动该显示装置的方法，所述显示装置具有包括驱动电路和电流驱动型发光部分的显示器件。
背景技术
已知每个具有电流驱动型发光部分的显示器件和包括相关显示器件的显示装置。例如，每个包括使用有机材料的电致发光的有机电致发光部分的显示器件作为可以通过低压DC驱动发出具有高亮度的光的显示器件，已经吸引了关注。
类似于液晶显示装置，作为包括具有电流驱动发光部分的显示器件的显示装置的驱动方法，已知简单矩阵型和有源矩阵型。有源矩阵型具有复杂结构的缺点，但具有能够提高图像的亮度等的优点。具有通过有源矩阵驱动的电流驱动型发光部分的显示器件除了发光部分外，还包括用于驱动发光部分的驱动电路。
在JP-A-2009-122352的图2中，公开了通过发光器件EL(其对应于发光部分)、采样晶体管T1、驱动晶体管T2和保持电容器C1配置的像素电路2。此外，在图1中，公开了包括像素电路2的显示装置。
在JP-A-2009-122352中，为了抵消驱动晶体管T2的阈值电压Vth的变化对流过发光器件EL的漏极电流Ids的影响，在一个水平扫描时段期间，执行阈值电压校正操作和信号电势写入操作。此外，公开了由于显示装置的高清晰度等的影响而导致的缩短在作为一个水平扫描时段的一个水平扫描时段期间执行阈值电压校正操作和信号电势写入操作的难度(JP-A-2009-122352的第0011段等)。
在JP-A-2009-122352中，根据分配给多个扫描线的每个的扫描时段，设置包括第一时段和第二时段的复合扫描时段。在第一时段期间，控制信号一起输出到多个扫描线，使得一起执行阈值电压校正操作。此外，在第二时段期间，控制信号顺序输出到多个扫描线，并且顺序执行信号电势写入操作(JP-A-2009-122352的第0012段等)。
在JP-A-2009-122352的图14中，示出了用于其中组成两个水平扫描时段(2H)的情况的操作。在第一时段期间，控制信号P1一起输出到两个扫描线(第N线和第N+1线)，并且一起执行阈值电压校正操作。此后，在第二时段期间，控制信号P2顺序输出到两个扫描线，并且顺序执行信号电势写入操作。作为输入信号，在第一时段期间使用Vofs，在第二时段的第一半期间使用VSig1，并且在第二时段的第二半期间使用VSig2。第N线的采样晶体管T1(N)根据控制信号P2和采样VSig1而处于导通状态。此后，第N+1线的采样晶体管T1(N+1)根据控制信号P2和采样VSig2而处于导通状态(JP-A-2009-122352的第0038段等)。
在阈值电压校正操作中，如JP-A-2009-122352的图7所示，Vofs通过处于导通状态的采样晶体管T1而施加到驱动晶体管T2的栅极，并且第一电势VCC施加到驱动晶体管T2的漏极。驱动晶体管T2的源极的电势随时间经过而上升，并且驱动晶体管T2截止(处于不导通状态)，并且其源极的电势变为(Vofs-Vth)(JP-A-2009-122352的图8、第0028段等)。
发明内容
在JP-A-2009-122352的图14所示的操作中，在从第N线的控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段期间，第N线的采样晶体管T1(N)处于不导通状态。此外，在从第N+1线的控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段期间，第N+1线的采样晶体管T1(N+1)也处于不导通状态。
理想地，在从控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段期间，驱动晶体管T2的源极的电势维持在(Vofs-Vth)。然而，实际上，在从控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段期间，漏电流等流过发光器件EL或驱动晶体管T2，并且驱动晶体管T2的源极的电势从通过阈值电压校正操作设置的电势缓慢改变。随着从控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段变得更长，改变度变得更高。
因此，随着从控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段变得更长，在驱动晶体管T2的源极的电势从通过阈值电压校正操作设置的电势偏离得更多的状态下执行信号电势写入操作。然后，在JP-A-2009-122352的图14所示的操作中，从第N+1线的控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段长于从第N线的控制信号P1的下降到控制信号P2的上升的时段。因此，即使写入具有相同值的信号电势时，在第N线和第N+1线之间，在信号电势写入之后流过发光器件EL的电流也存在差别。因此，显示装置的亮度的一致性劣化。
因此，期望提供一种显示装置和驱动显示装置的方法，其即使在很短的扫描时段内，也能够很好地执行阈值电压抵消处理(阈值电压校正操作)和视频信号写入处理(信号电势写入操作)，并且实现亮度的优良的一致性。
根据本发明实施例，提供了一种显示装置和驱动该显示装置的方法。所述显示装置通过在行和列方向上以二维矩阵模式安排每个具有驱动电路和电流驱动型发光部分的显示器件而形成，所述驱动电路至少包括具有栅极电极和源极/漏极区的驱动晶体管，并且电流通过驱动晶体管的源极/漏极区流入发光部分。
根据本发明一实施例，提供了一种驱动显示装置的方法，包括下述步骤：当显示器件的行数由M表示、配置每行的显示器件的数量由N表示、并且通过将对于每行用于扫描第一行到第M行的显示器件的总时间除以M计算的时间由单位时间t0表示时，在通过配置每组显示器件行的多个显示器件行的数量Q和单位时间t0的乘积表示的时段TQ期间，以显示器件行为单位执行阈值电压抵消处理，其中预定参考电压施加到配置各组显示器件行的Q×N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，并且预定驱动电压施加到Q×N个显示器件的一个源极/漏极区，以便将另一源极/漏极区的电势朝向通过从参考电压减去驱动晶体管的阈值电压计算的电势改变，其中所述数量Q通过将M行的显示器件划分为多组显示器件行而获得；以及顺序执行写入处理Q次，其中视频信号施加到配置显示器件行的N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极。此外，在不超过时段TQ的一半的时段内，顺序执行写入处理Q次，并且执行阈值电压抵消处理，使得在配置显示器件行的组的每个显示器件行中，从阈值电压抵消处理的结束到写入处理的开始的时段的长度是恒定的。
根据本发明另一实施例，提供了一种显示装置。当显示器件的行数由M表示、配置每行的显示器件的数量由N表示、并且通过将对于每行用于扫描第一行到第M行的显示器件的总时间除以M计算的时间由单位时间t0表示时，在通过配置每组显示器件行的多个显示器件行的数量Q和单位时间t0的乘积表示的时段TQ期间，以显示器件行为单位执行阈值电压抵消处理，其中预定参考电压施加到配置各组显示器件行的Q×N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，并且预定驱动电压施加到Q×N个显示器件的一个源极/漏极区，以便将另一源极/漏极区的电势朝向通过从参考电压减去驱动晶体管的阈值电压计算的电势改变，其中所述数量Q通过将M行的显示器件划分为多组显示器件行而获得；以及在不超过时段TQ的一半的时段内，顺序执行写入处理Q次，其中视频信号施加到配置显示器件行的N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，并且执行阈值电压抵消处理，使得在配置显示器件行的组的每个显示器件行中，从阈值电压抵消处理的结束到写入处理的开始的时段的长度是恒定的。
根据按照本发明实施例的显示装置和驱动显示装置的方法，在配置显示器件行的组的每个显示器件行中，从阈值电压抵消处理的结束到写入处理的开始的时段的长度是恒定的。因此，即使在阈值电压抵消处理的结束到写入处理的开始之间、由于漏电流等而导致驱动晶体管的另一源极/漏极区的电势改变时，在配置显示器件行的组的每个显示器件中，改变度也近似相同。因此，在配置显示器件行的组的每个显示器件中，伴随上述驱动晶体管的另一源极/漏极区的电势的改变的亮度的改变度也近似相同。因此，难以视觉识别亮度的相对改变。因此，可以改进显示图像的亮度的一致性。
附图说明
图1是示出根据实施例的显示装置的示意图。
图2是包括驱动电路的显示器件的等效电路图。
图3是显示装置的示意部分截面图。
图4是表示根据实施例的驱动显示装置的方法中的各个定时的示意图。
图5是表示根据现有技术的示例的驱动显示装置的方法中的各个定时的示意图。
图6是图示根据实施例的驱动显示装置的方法中的显示器件的操作的示意时序图。
图7A到7F是示意性表示配置显示器件的驱动电路的晶体管的导通状态/不导通状态的图。
图8A到8D是跟随图7F的、示意性表示配置显示器件的驱动电路的晶体管的导通状态/不导通状态的图。
图9是示出包括驱动电路的显示器件的等效电路图。
具体实施方式
以下，将参照附图描述本发明的优选实施例。然而，本发明不限于此，并且实施例中描述的各个数值和材料仅是示例。将以下面的顺序呈现描述。
1.根据本发明实施例的显示装置和驱动显示装置的方法以及整体描述
2.实施例
[根据本发明实施例的显示装置和驱动显示装置的方法以及整体描述]
在根据本发明实施例的显示装置和驱动显示装置的方法中(以下，可统称为本发明)，M行的显示器件划分为多组显示器件行。配置一组显示器件行的多个显示器件行可相邻布置。替代地，多个显示器件行的全部或一部分可配置为彼此分离布置。从显示装置的控制的方便度等的观点而言，优选地，多个显示器件行布置为彼此相邻。
配置一组显示器件行的显示器件行的数量Q可根据显示装置的设计等适当设置，其中显示器件的若干百分比的行数M设为上限。Q的最小值为2。然而，从确保其间执行阈值电压抵消处理的时段充分长的观点而言，Q的值优选地大到一定程度。尽管依赖于M的值，但是作为示例，Q的值在3到25的范围内，优选地在4到20的范围内，并且更优选地在5到15的范围内。Q的值可以在每组显示器件行中是相同的值，或可以在显示器件行的一部分组中不同。例如，当在M行显示器件等分为多组显示器件行的情况下存在剩余部分时，对应于剩余部分的显示器件行可配置为适当地分布到各组显示器件行。从显示装置的控制的方便度而言，Q的值优选地配置为在每组显示器件行中是相等的值。在一些情况下，Q的值在所有组显示器件行中可以是不同的。
在根据本发明实施例的驱动显示装置的方法中，为了顺序执行Q次施加视频信号到配置显示器件行的N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极的写入操作，方便地按配置显示器件行的组的显示器件行的安排的顺序执行写入处理。然而，该顺序不限于此。因此，执行写入处理的顺序可根据显示装置的设计等适当设置。此外，同样适用于在根据本发明实施例的显示装置中顺序执行Q次写入处理的情况。
根据本发明实施例，当对每个显示器件行顺序扫描显示装置时，单位时间t0对应于分配到每个显示器件行的时间。换句话说，单位时间t0对应于当以线序方式以一行为单位扫描显示装置时的扫描时段，并且更具体地对应于所谓的水平扫描时段。
在根据本发明实施例的驱动显示装置的方法中，其间在配置显示器件行的组的每个显示器件行中执行阈值电压抵消处理的时段的长度可配置为恒定。在这样的配置中，在每个显示器件行中，在显示器件行中的其间执行阈值电压抵消处理的时段和其间执行写入处理的时段之间的关系是相同的。此外，在根据本发明实施例的显示装置中，其间执行阈值电压抵消处理的时段的长度可配置为恒定。
在如上所述的根据本发明实施例的优选配置中，可配置为显示装置还包括在行方向延伸的多个扫描线和在列方向延伸的多个数据线，驱动电路还包括写入晶体管，所述写入晶体管具有连接到扫描线的栅极电极，连接到数据线的一个源极/漏极区，以及连接到驱动晶体管的栅极电极的另一源极/漏极区。因此，在此情况下，通过基于从扫描线发送的扫描信号允许写入晶体管处于导通状态，从数据线发送的视频信号和预定参考电压施加到驱动晶体管的栅极电极。
在根据具有如上所述的各优选配置的本发明实施例的驱动显示装置的方法中，通过在预定驱动电压施加到驱动晶体管的一个源极/漏极区的状态下执行写入处理，驱动晶体管的另一源极/漏极区的电势可配置改变。此外，在根据包括如上所述的各优选配置的本发明实施例的显示装置中，通过在预定驱动电压施加到驱动晶体管的一个源极/漏极区的状态下执行写入处理，驱动晶体管的另一源极/漏极区的电势可配置改变。
在具有如上所述的各优选配置的本发明实施例中，可配置为驱动电路还包括电容器部分，所述电容器部分具有连接到驱动晶体管的另一源极/漏极区的一个电极，以及连接到驱动晶体管的栅极电极的另一电极，并且发光部分连接到驱动晶体管的另一源极/漏极区。在此情况下，通过在每个写入处理后停止施加视频信号到驱动晶体管的栅极电极，对应于电容器部分中维持的电压的值的电流通过驱动晶体管的源极/漏极区流到发光部分。
在具有如上所述的各优选配置的本发明实施例中，可配置为显示装置还包括在行方向上延伸的多个馈送线，驱动晶体管的一个源极/漏极区连接到馈送线，并且预定驱动电压从馈送线施加到驱动晶体管的一个源极/漏极区。
作为电流驱动型的发光部分，可使用有机电致发光发光部分、无机电致发光发光部分、LED发光部分、半导体激光发光部分等。这样的发光部分可通过使用已知材料和已知方法配置。从配置用于彩色显示的平板显示装置的观点看，优选地，通过上述发光部分中的有机电致发光发光部分配置发光部分。有机电致发光发光部分可以是所谓的顶部发射型或底部发射型。
这里，“配置显示器件行的组的每个显示器件行中的从阈值电压抵消处理的完成到写入处理的开始的时段的长度是恒定的”的情况不仅包括时段的长度严格恒定的情况，而且包括时段的长度基本恒定的情况。在配置显示器件行的组的显示器件行中的从阈值电压抵消处理的完成到写入处理的开始的时段的平均长度用作参考的情况下，当长度在平均长度的0.8倍到1.2倍的范围内时，该时段的长度被认为是基本恒定的。此外，上面的描述类似地适用于“配置显示器件行的组的每个显示器件行中的执行阈值电压抵消处理的时段的长度是恒定的”。
在这里的描述中，各个等式中表现的条件不仅在数学上严格满足等式的情况下满足，而且在基本满足等式的情况下满足。关于等式的满足，允许在设计或制造过程中生成的显示器件或显示装置的各种变化的存在。
根据本发明实施例，当通过执行阈值电压抵消处理、驱动晶体管的另一源极/漏极区的电势达到通过从参考电压减去驱动晶体管的阈值电压获得的电势时，驱动晶体管变为不导通状态。另一方面，当驱动晶体管的另一源极/漏极区的电势没有达到通过从参考电压减去驱动晶体管的阈值电压获得的电势时，驱动晶体管不处于不导通状态。在本发明实施例中，驱动晶体管的不导通状态不必是阈值电压抵消处理的结果。
显示装置可具有所谓的单色显示的配置或彩色显示的配置。例如，可使用彩色显示的配置，其中通过多个子像素形成一个像素，具体地，通过红色发光子像素、绿色发光子像素和蓝色发光子像素的三个子像素形成一个像素。此外，显示装置可由通过添加一个或多个子像素到上述三种子像素而配置的一个集合配置(例如，通过添加发出用于改善亮度的白色光的子像素获得的一个集合，通过添加发出用于增加色彩再现的范围的互补色光的子像素获得的一个集合，通过添加发出用于增加色彩再现的范围的黄色光的子像素获得的一个集合，以及通过添加发出用于增加色彩再现的范围的黄色光和青色光获得的一个集合)。
作为显示装置的像素数，如VGA(640，480)、S-VGA(800，600)、XGA(1024，768)、APRC(1152，900)、S-XGA(1280，1024)、U-XGA(1600，1200)、HD-TV(1920，1080)、Q-XGA(2048，1536)、(1920，1035)、(720，480)和(1280，960)的图像显示的若干分辨率可表现为示例。然而，显示装置的像素数不限于此。
在显示装置中，如扫描线、数据线和馈送线的各种布线以及发光部分可具有已知配置或结构。例如，在通过有机电致发光发光部分配置发光部分的情况下，发光部分可通过阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极电极等配置。下面要描述的各种电路(如电源单元、扫描电路和信号输出电路)可通过已知电路组件配置。
作为配置驱动电路的晶体管的示例，存在n沟道薄膜晶体管(TFT)。配置驱动电路的晶体管可以是增强型或抑制型。在n沟道晶体管中，可形成LDD结构(轻度掺杂漏极结构)。在一些情况下，LDD结构可形成为非对称的。当显示器件发光时，大电流流过驱动晶体管。因此，例如可使用这样的配置，其中LDD结构仅形成在在发光时变为漏极区侧的一个源极/漏极区上。此外，例如，p沟道薄膜晶体管可用作上述晶体管。
配置驱动电路的电容器部分可通过一个电极、另一电极、以及夹在其间的介电层配置。配置驱动电路的上述晶体管和电容器部分形成在(例如，支撑体上形成的)平面内，并且发光部分例如通过层间绝缘层，形成在配置驱动电路的晶体管和电容器部分的上侧。此外，驱动晶体管的另一源极/漏极区例如通过接触孔，连接到发光部分的一端(包括在发光部分中的阳极电极等)。此外，可使用其中晶体管形成在半导体基底上的配置等。
在一个晶体管中包括的两个源极/漏极区中，术语“一个源极/漏极区”可用于连接到电源侧的源极/漏极区的含义。此外，晶体管导通的状态表示其中在源极/漏极区之间形成沟道的状态。形成这样的状态，不管电流是否从晶体管的一个源极/漏极区流到其另一源极/漏极区。另一方面，晶体管不导通的状态表示其中在源极/漏极区之间不形成任何沟道的状态。源极/漏极区可通过不仅使用包含杂质的如多晶硅或无定形硅的传导材料、而且使用从金属、合金、传导粒子、及其堆叠结构形成的层或有机材料(传导聚合体)而配置。
在下面呈现的描述中使用的时序图中，表示每个时段的水平轴的长度(时间长度)示意性示出，并且不表示时段的时间长度的比率。这同样适用于垂直轴。此外，时序图中示出的波形的形状也是示意性示出。
[实施例]
现在将描述根据本发明实施例的显示装置和驱动显示装置的方法。
图1中示出实施例的显示装置的示意图。图2中示出包括驱动电路11的显示器件10的等效电路图。如图1所示，实施例的显示装置通过在行和列方向以二维矩阵模式安排每个具有驱动电路11和电流驱动型发光部分ELP的显示器件10而形成。在行方向安排N个显示器件，并且在列方向安排M个显示器件。结果，总共安排N×M个显示器件。在图1中，表示形成三列的显示器件10。然而，显示器件10的安排仅是示例。
显示装置还包括连接到扫描电路101并在行方向延伸的多个扫描线SCL、连接到信号输出电路102并在列方向延伸的多个数据线DTL、以及连接到电源单元100并在行方向延伸的多个馈送线PS1。
显示器件10的行数为M，并且配置每行的显示器件10的数量为N。第m(这里，m＝1，2，...，M)行的显示器件10连接到第m扫描线SCLm和第m馈送线PSlm，从而配置一个显示器件行DLm。此外，第n(这里，n＝1，2，...，N)行的显示器件10连接到第n数据线DTLn。
如图2所示，驱动电路11至少包括具有栅极电极和源极/漏极区的驱动晶体管TRD。电流通过驱动晶体管TRD的源极/漏极区流过发光部分ELP。显示器件10具有其中驱动电路11和连接到驱动电路11的发光部分ELP层叠的结构。发光部分ELP通过有机电致发光发光部分形成。
驱动电路11除了驱动晶体管TRD外，还包括写入晶体管TRW和电容器部分C1。驱动晶体管TRD通过具有栅极电极和源极/漏极区的n沟道TFT形成。此外，写入晶体管TRW通过具有栅极电极和源极/漏极区的n沟道TFT形成。此外，例如，可使用其中通过p沟道TFT形成写入晶体管TRW的配置。此外，驱动电路11还可包括附加晶体管。下面将描述电容器部分C1。
驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区连接到馈送线PS1。另一源极/漏极区连接到发光部分ELP的一端(在该实施例中，发光部分ELP中包括的阳极电极)，并且连接到电容器部分C1的一个电极。栅极电极连接到写入晶体管TRW的另一源极/漏极区，并且连接到电容器部分C1的另一电极。
在写入晶体管TRW中，一个源极/漏极区连接到数据线DTL，并且栅极电极连接到扫描线SCL。
写入晶体管TRW的另一源极/漏极区和电容器部分C1的另一电极连接到驱动晶体管TRD的栅极电极，并且驱动晶体管TRD的栅极电极形成第一节点ND1。发光部分ELP的电容器部分C1的一个电极和一端(具体描述，阳极电极)连接到驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区，并且驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区形成第二节点ND2。
发光部分ELP的另一端(具体描述，阴极电极)连接到第二馈送线PS2。第二馈送线PS2对于所有显示器件10是公共的。在图1中，馈送线PS2未示出。
预定电压Vcat从第二馈送线PS2施加到发光部分ELP的阴极电极。发光部分ELP的电容通过符号GEL表示。此外，发光部分ELP的发光必须的阈值电压通过Vth-EL表示。换句话说，当等于或高于Vth-EL的电压施加在发光部分ELP的阳极电极和阴极电极之间时，发光部分ELP发光。
发光部分ELP具有例如通过阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极电极等形成的已知配置或结构。电源单元100、扫描电路101、信号输出电路102、扫描线SCL、数据线DTL、馈送线PS1和第二馈送线PS2可具有已知配置或结构。
这里，驱动晶体管TRD的电压设置得使得在显示器件10的发光状态下，驱动晶体管工作在饱和区。因此，驱动驱动晶体管TRD以便允许根据下面等式(1)的漏极电流Ids流动。在显示器件10的发光状态下，驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区用作漏极区，并且另一源极/漏极区用作源极区。为了描述方便，在下面呈现的描述中，驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区可简称为漏极区，并且另一源极/漏极区可简称为源极区。这里，符号定义如下。
μ：有效迁移率
L：沟道长度
W：沟道宽度
Vgs：栅极电极和源极区之间的电势差
Vth：阈值电压
Cox：(栅极绝缘层的相对介电常数)×(真空的介电常数)/(栅极绝缘层的厚度)
kΞ(1/2)·(W/L)·Cox
等式(1)
Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)2
通过允许该漏极电流Ids流过发光部分ELP，显示器件10的发光部分ELP发光。显示器件10的发光部分ELP的发光状态(亮度)根据漏极电流Ids的值控制。
预定电压基于信号输出电路102的操作，从数据线DTL施加到写入晶体管TRW的一个源极/漏极区。具体地，从信号输出电路102提供用于控制发光部分ELP的亮度的视频信号(驱动信号或亮度信号)VSig和下面要描述的参考电压VOfs。写入晶体管TRW的导通状态/不导通状态根据从连接到写入晶体管TRW的栅极电极的扫描线SCL发送的扫描信号(并且更具体地，从扫描电路101发送的扫描信号)而控制。
图3示出显示装置的示意部分截面图。配置驱动电路11的晶体管TRD和TRW以及电容器部分C1在支撑体20上形成，并且发光部分ELP例如通过中间绝缘层40，在配置驱动电路11的晶体管TRD和TRW以及电容器部分C1的上侧形成。此外，驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区通过接触孔，连接到发光部分ELP中包括的阳极电极。在图3中，仅示出驱动晶体管TRD。隐藏其它晶体管以便不可见。
更具体地描述，在驱动晶体管TRD中，通过对应沟道形成区34，配置栅极电极31、栅极绝缘层32和半导体层33中布置的源极/漏极区35和35以及源极/漏极区35和35之间的半导体层33的一部分。此外，电容器部分C1通过另一电极36、通过栅极绝缘层32的延伸部分配置的介电层以及一个电极37而形成。配置电容器部分C1的栅极电极31、栅极绝缘层32的一部分以及另一电极36形成在支撑体20上。驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区35连接到布线38(其对应于馈送线PS1)，并且另一源极/漏极区35连接到一个电极37。驱动晶体管TRD、电容器部分C1等覆盖有层间绝缘层40，并且通过阳极电极51、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极电极53形成的发光部分ELP布置在层间绝缘层40之上。在图中，空穴传输层、发光层和电子传输层示出为一层52。在其中未布置发光部分ELP的层间绝缘层40的部分上，布置第二层间绝缘层54，并且在第二层间绝缘层54和阴极电极53上，布置透明基底21。发光层中发射的光通过基底21透射到外部。此外，一个电极37和阳极电极51通过层间绝缘层40中布置的接触孔彼此连接。阴极电极53通过第二层间绝缘层54和层间绝缘层40中布置的接触孔56和55，连接到栅极绝缘层32的延伸部分上布置的布线39(其对应于第二馈送线PS2)。
将描述图3等中示出的制造显示装置的方法。首先，通过使用已知方法在支撑体20上适当形成配置电容器部分C1的电极、从半导体层、层间绝缘层、接触孔形成的晶体管等。此后，通过使用已知方法执行薄膜形成和图案形成，以便形成以矩阵模式安排的发光部分ELP。然后，对其已经执行上述处理的支撑体20布置为面向基底21，其外围密封，并且布线例如连接到外部电路，从而可获得显示装置。
实施例的显示装置是用于包括多个显示器件10(例如，N×M＝1920×480)的彩色显示的显示装置。每个显示器件10配置子像素，并且一个像素通过由多个子像素形成的组配置，并且像素在行和列方向以二维矩阵模式安排。一个像素通过包括在扫描线SCL的延伸方向对准的红色发光子像素、绿色发光子像素、和蓝色发光子像素的三种子像素配置。
显示装置通过以二维矩阵模式安排的(N/3)×M个像素配置。显示帧率假设为FR(次/秒)。配置在第m行上安排的(N/3)像素(N个子像素)的每个的显示器件10同时驱动。换句话说，配置一个显示器件行DL的N个显示器件10的发光/不发光定时以显示器件所属的显示器件行为单位控制。通过将用于对于每行扫描第一行到第M行的显示器件10的总时间除以M获得的时间由单位时间t0表示。如上所述，单位时间t0对应于当以线序方式以一行为单位扫描显示器件时每一行的扫描时间，并且更具体地，对应于一个水平扫描时段的时间长度(所谓的1H)。单位时间t0短于(1/FR)×(1/M)秒。
在下面呈现的描述中，为了方便，M行的显示器件10划分为从相邻显示器件行DL形成的多组显示器件行，并且配置每组显示器件行的多个显示器件行DL的数量Q是相同值。此外，为了顺序执行写入处理Q次，根据配置显示器件行的组的显示器件行的安排顺序执行布线处理。图1表示Q＝5的情况作为示例。当显示器件行的组数由P表示时，在此情况下，P＝M/5。第一组显示器件行LG1通过显示器件行DL1到显示器件行DL5配置，并且第二组显示器件行LG2通过DL6到显示器件行DL10配置。第P组显示器件行LGp通过显示器件行DLM-4到显示器件行DLM配置(在图1中，显示器件行DL6到显示器件行DL10，并且显示器件行DLM-4到显示器件行DLM-2未示出)。这里，Q＝5仅是示例。
这里，第p(这里，p＝1，2，3，...，P)组显示器件行由符号LGp表示，并且显示器件行的组LGp中的第q(这里，q＝1，2，3，...，Q)显示器件行DL由第[p，q]行的显示器件行DL表示。M行的显示器件10划分为通过相邻显示器件行DL形成的显示器件行的组LG。在配置每组显示器件行LG的显示器件行DL的数量Q对于所有显示器件行的组LG相同的条件下，第[p，q]行的显示器件行DL对应于第(Q·(p-1)+q)行的显示器件行DL。在下面呈现的描述中，例如，属于第[p，q]行的显示器件行DL的扫描线SCL或馈送线PS1通过使用符号[p，q]表示。这同样适用于另一显示器件行DL。此外，施加到信号线DTL的视频信号VSig通过使用相同符号表示。
此后，将描述驱动实施例的显示器件的方法(以下，缩写为实施例的驱动方法)。图4是表示实施例的驱动方法中的各个定时的示意图。首先，当在以线序方式以行为单位扫描显示装置的同时、在一个扫描时段内(并且更具体地，在一个水平扫描时段(所谓的1H)内)执行阈值电压抵消处理和写入处理时，假设在一个水平扫描时段(1H)内的时段ta期间执行阈值电压抵消处理，然后，在一个水平扫描时段(1H)内的时段tb期间执行写入处理。如上所述，一个水平扫描时段(1H)对应于单位时间t0，并且存在关系t0＝ta+tb。
此外，图5中示出表示根据现有技术的示例在驱动显示装置的方法(以下，缩写为现有技术的示例的驱动方法)中的各定时的示意图，其中在第一时段期间一起执行阈值电压抵消处理。
此外，下面在图6所示的[时段-TP(2)2]期间的操作的描述中，将描述阈值电压抵消处理的操作。类似地，在图6所示的[时段-TP(2)4]期间的操作的描述中，将详细描述写入处理的操作。
在实施例的驱动方法中，对于在通过Q×(1H)＝Q×t0表示的时段TQ的第一半(第一时段)期间配置显示器件组的第p组LGp的、在第Q行的显示器件行DL中布置的配置显示器件行的组LG的Q×N个显示器件10，以显示器件行为单位执行阈值电压抵消处理，其中预定参考电压VOfs施加到驱动晶体管TRD的栅极电极，并且预定驱动电压VCC-H施加到一个源极/漏极区，从而将另一源极/漏极区的电势朝向通过从参考电压VQfs减去驱动晶体管TRD的阈值电压Vth计算的电势而改变。
此外，在时段TQ的第二半(第二时段)期间，对于配置显示器件行DL的N个显示器件10，顺序执行Q次写入处理，其中视频信号施加到驱动晶体管TRD的栅极电极。
然后，在实施例的驱动方法中，在不超过时段TQ的一半的时段内，顺序执行Q次写入处理，并且执行阈值电压抵消处理，使得配置显示器件行的组LG的每个显示器件行DL中的从阈值电压抵消处理的结束到写入处理的开始的时段(以下，可缩写为“等待时段”)的长度恒定。
此外，在图6所示的[时段-TP(2)3]期间的操作的描述中，将详细描述等待时段期间执行的操作。
此外，在实施例的驱动方法中，其间在配置显示器件行的组LG的显示器件行DL中执行阈值电压抵消处理的时段的长度恒定。在这样的配置中，显示器件行DL中的其间执行阈值电压抵消处理的时段和其间执行写入处理的时段之间的关系对于每个显示器件行DL是相同的。
如图4所示，时段TQ的第一半(第一时段)的长度是时段Q×ta。此外，第二半(第二时段)的长度是时段Q×tb。
在第一时段期间，预定参考电压VQfs基于信号输出电路102的操作而施加到数据线DTL。此外，在第二时段期间，基于信号输出电路102的操作，对于每个时段tb，对应于显示器件行DL的视频信号顺序施加到数据线DTL。具体地，在第二时段的开始到时段tb之间，对应于第[p，1]行的显示器件行DL的视频信号VSig_[p，1]施加到数据线DTL，此后，在时段tb期间，对应于第[p，2]行的显示器件行DL的视频信号VSig_[p，2]施加到数据线DTL。对应于第[p，3]行及此后的显示器件行DL的视频信号VSig类似地施加。
在第一时段期间，数据线DTL的电压是参考电压VQfs。在实施例中，参考电压VQfs通过写入晶体管TRW，从数据线DTL施加到驱动晶体管TRD的栅极电极，并且预定驱动电压VCC-H从馈送线PS1施加到驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区。因此，执行阈值电压抵消处理。因此，第一时段是其间可执行阈值电压抵消处理的时段。
这里，基于写入处理的顺序的关系，对于第[p，Q]行的显示器件行DL，从第一时段的结束到当执行视频信号的写入处理时的时段变为最长，并且该时段变为(Q-1)×tb。换句话说，在第[p，Q]行中，等待时段不短于(Q-1)×tb。
因此，在实施例的驱动方法中，执行阈值电压抵消处理，使得第[p，1]行到第[p，Q]行的显示器件行DL中的等待时间恒定，并且更具体地，(Q-1)×tb。具体地，设置阈值电压抵消处理的结束以便满足上述条件。此外，在此情况下，在等待时间恒定的条件下，等待时间设置为尽可能最短的时段。
然后，在等待时间设置恒定为(Q-1)×tb的情况下，从第一时段的开始到阈值电压抵消处理的结束的时段最短的显示器件行DL是第[p，1]行的显示器件行。该时段的长度ta’可表示为以下等式(A)。
等式(A)
ta’＝Q×ta-(Q-1)×tb＝ta+(Q-1)x(ta-tb)
因此，在其间执行阈值电压抵消处理的时段的长度恒定的条件下，其间执行阈值电压抵消处理的时段的最长长度是上述ta’。根据实施例的驱动方法，执行阈值电压抵消处理，使得阈值电压抵消处理的开始和结束之间的时间为ta’，并且第[p，1]行到第[p，Q]行的显示器件行DL中的所有等待时间是(Q-1)×tb。
在此情况下，从第一时段的开始到阈值电压抵消处理的开始的时段的长度在第[p，Q]行的显示器件行DL中最长，并且在第[p，1]行的显示器件行DL中最短。在第[p，q]行的显示器件行DL中，从第一时段的开始到阈值电压抵消处理的开始的时段的长度是(q-1)×tb。
这里，在不超过时段TQ的一半的时段内，顺序执行Q次写入处理。因此，第二时段短于第一时段。这里，第一时段的长度是Q×ta，并且第二时段的长度是Q×tb。因此，ta＞tb。因此，等式(A)的第二项一直具有正值。与在一个水平扫描时段(1H)内执行阈值电压抵消处理和写入处理的情况相比，拉长了其间执行阈值电压抵消处理的时段。因此，可以很好地执行阈值电压抵消处理。
在图5所示的现有技术的示例的驱动方法中，在第一时段期间执行阈值电压抵消处理。因此，在第[p，1]行到第[p，Q]行的显示器件行D1中，等待时段的长度是不同的。相反，根据实施例的驱动方法，等待时间恒定。因此，即使当驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区的电势由于等待时间期间的漏电流等而改变时，在配置第[p，1]行到第[p，Q]行的显示器件行DL的显示器件10中，改变度也近似相同。
在配置第[p，1]行到第[p，Q]行的显示器件行DL的显示器件10中，伴随上述驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区的电势的改变的亮度的改变度基本相同。因此，难以视觉识别相对亮度的改变。因此，可以改进显示图像的亮度的一致性。
接下来，将详细描述第[p，q]行的显示器件行DL中布置的第n显示器件10的操作。
在下面呈现的描述中，电压或电势的值如下所述设置。然而，这仅是用于描述。因此，所述值不限于此。
VSig(用于控制发光部分ELP的亮度的视频信号)：1伏特(黑色显示)到8伏特(白色显示)
VCC-H(用于允许电流流过发光部分ELP的驱动电压)：20伏特
VCC-L(第二节点初始化电压)：-10伏特
VQfs(用于初始化驱动晶体管TRD的栅极电极的电势(第一节点ND1的电势)的参考电压)：0伏特
Vth(驱动晶体管TRD的阈值电压)：3伏特
VCat(施加到发光部分ELP的阴极电极的电压)：0伏特
Vth-EL(发光部分ELP的阈值电压)：3伏特
图6示意性示出图示根据实施例的驱动方法的显示器件10的操作的时序图。图7A到7F和图8A到8C示意性表示显示器件10的晶体管的导通状态/不导通状态。
[时段-TP(2)-1](见图6和7A)
[时段-TP(2)-1]是例如在完成之前显示帧的操作和之前时间的各种处理之后、其间第[p，q]行的显示器件10处于发光状态的时段。换句话说，基于下面要描述的等式(5)的漏极电流I’ds流过配置第[p，q]行的第n子像素的显示器件10的发光部分ELP，并且配置第[p，q]行的第n子像素的显示器件10的亮度具有对应于漏极电流I’ds的值。这里，写入晶体管TRW处于不导通状态，并且驱动晶体管TRD处于导通状态。第[p，q]行的显示器件10的发光状态继续，使得发光时段的长度恒定。在图6所示的示例中，发光状态继续，直到对应于显示器件行的第p’组的时段TQ(为了描述方便，通过TQ(p’)表示)中的、其间对应于第[p’，q]行的显示器件行DL的视频信号VSig_[p’，q]施加到数据线DTL的时段的结束。
此外，参考电压VQfs和视频信号VSig按照每个时段TQ施加到数据线DTLn。然而，写入晶体管TRW处于不导通状态。因此，即使当在[时段-TP(2)-1]中数据线DTLn的电势(电压)改变时，第一节点ND1和第二节点ND2的电势也不改变。(实际上，由于寄生电容的电容性耦合等，可能存在电势的改变。然而，这种改变可以忽略。)这在下面要描述的[时段-TP(2)0]中是类似的。
图6所示的[时段-TP(2)0]到[时段-TP(2)3]是在完成之前时间的各种处理之后、紧接在完成发光状态之后的下一写入处理之前的操作时段。在[时段-TP(2)0]到[时段-TP(2)4]期间，第[p，q]行的显示器件10基本处于不发光状态。如图6所示，[时段-TP(2)1]到[时段-TP(2)4]包括在对应于第p组显示器件行LGp的时段TQ中(为了描述方便，通过时段TQ(p)表示)。紧接[时段-TP(2)4]的[时段-TP(2)5]可包括时段TQ(p)的一部分。具体地，从其间对应于第[p，q]行的显示器件行DL的视频信号VSig_[p，q]施加到数据线DTL的时段的结束到时段TQ(p)的结束的时段包括在[时段-TP(2)5]中。
此后，将描述[时段-TP(2)0]到[时段-TP(2)5]的每个时段。
[时段-TP(2)0](见图6和7B)
[时段-TP(2)0]是例如从之前显示帧到当前显示帧的操作时段。换句话说，[时段-TP(2)0]是从对应于之前显示帧的第[p’，q+1]行的显示器件行DL的视频信号VSig_[p’，q+1]的施加的开始到当前显示帧的时段TQ(p)的开始的时段。在该[时段-TP(2)0]期间，第[p，q]行的显示器件10基本处于不发光状态。在[时段-TP(2)0]的开始，从电源单元100提供到馈送线PS1[p，q]的电压从驱动电压VCC-H变为第二节点初始化电压VCC-L。结果，第二节点ND2的电势降到VCC-L。因此，在发光部分ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，从而发光部分ELP处于不发光状态。此外，在第二节点ND2的电势下降之后，第一节点ND1的电势(驱动晶体管TRD的栅极电极)也降低。
[时段-TP(2)1](见图6和7C)
然后，当前显示帧的时段TQ(p)开始。数据线DTLn的电压从之前时段TQ(p-1)的视频信号变为参考电压VQfs。
该[时段-TP(2)1]对应于图4所示的第一时段的开始到阈值电压抵消处理的开始。如参考图4所述，[时段-TP(2)1]的长度为(q-1)×tb。显示器件10维持之前状态。
[时段-TP(2)2](见图6和图7D到7F)
[时段-TP(2)2]对应于其间执行图4所示的阈值电压抵消处理的时段。如参考图4所述，该时段的长度为ta’＝ta+(Q-1)×(ta-tb)。然后，以显示器件行为单位执行阈值电压抵消处理，其中参考电压VQfs施加到驱动晶体管TRD的栅极电极，并且预定驱动电压施加到一个源极/漏极区，以便将另一源极/漏极区的电势朝向通过从参考电压VQfs减去驱动晶体管TRD的阈值电压Vth计算的电压改变。
具体地，通过在[时段-TP(2)2]的开始允许扫描线SCL[p，q]处于高电平，写入晶体管TRW处于导通状态(图7D)。然后，参考电压VOfs从数据线DTLn施加到驱动晶体管TRD的栅极电极。结果，第一节点ND1的电势变为VOfs(0伏特)。由于第二节点初始化电压VCC-L(-10伏特)从馈送线PS1[p，q]施加到驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区，因此第二节点ND2的电势继续为VCC-L。
第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差为10伏特，并且驱动晶体管TRD的阈值电压Vth为3伏特。因此，驱动晶体管TRD处于导通状态。此外，第二节点ND2和发光部分ELP中包括的阴极电极之间的电势差为-10伏特，并且不超过发光部分ELP的阈值电压Vth-EL。
此后，在其中维持写入晶体管TRW的导通状态的状态下，馈送线PS1[p，q]的电压从电压VCC-L变为驱动电压VCC-H。结果，尽管第一节点ND1的电势不变(维持VOfs＝0伏特)，但是第二节点ND2的电势朝向通过从第一节点ND1的电势减去驱动晶体管TRD的阈值电压Vth计算的电势改变。换句话说，第二节点ND2的电势上升(图7E)。
当该[时段-TP(2)2]充分长时，驱动晶体管TRD的栅极电极和另一源极/漏极区之间的电势差达到Vth，并且驱动晶体管TRD处于不导通状态(图7F)。换句话说，第二节点ND2的电势变为接近(VOfs-Vth)，并最终变为(VOfs-Vth)。这里，当确保下面等式(2)的条件时，换句话说，当选择和确定电势以便满足等式(2)时，发光部分ELP不发光。
等式(2)
(VOfs-Vth)＜(Vth-EL+VCat)
如上所述，第二节点ND2的电势仅依赖于驱动晶体管TRD的阈值电压Vth和参考电压VOfs确定。另一方面，第二节点ND2的电势与发光部分ELP的阈值电压Vth-EL无关。
[时段-TP(2)3](见图6和图8A到8B)
[时段-TP(2)3]对应于参考图4所述的“等待时段”。如参考图4所述，该时段的长度为(Q-1)×tb。通过在[时段-TP(2)3]的开始允许扫描线SCL[p，q]处于低电平，写入晶体管TRW处于不导通状态(图8A)。
当在阈值电压抵消处理中驱动晶体管TRD达到不导通状态时，理想地，第一节点ND1和第二节点ND2的电势不变。然而，实际上，由于来自驱动晶体管TRD和或发光部分ELP的漏电流，第二节点ND2的电势从通过阈值电压抵消处理设置的电势缓慢改变(上升)。另一方面，当在阈值电压抵消处理中驱动晶体管TRD没有达到不导通状态时，具有超过漏电流的值的电流通过驱动晶体管TRD流入第二节点ND2。因此，第二节点ND2的电势改变(上升)。[时段-TP(2)3]期间第二节点ND2的电势的改变量ΔVW随着[时段-TP(2)3]的长度(即，等待时段的长度)的增加而增加。此外，第一节点ND1的电势也通过自举操作而上升。
在现有技术的示例的驱动方法中，[时段-TP(2)3]的长度对于每个显示器件行是不同的，因此，上述改变量ΔVW对于每个显示器件行是不同的。另一方面，如上所述，在实施例的驱动方法中，[时段-TP(2)3]的长度是恒定的，因此，上述改变量ΔVW的值对于显示器件10基本相同。
[时段-TP(2)4](见图6和8C)
在其间对应于第[p，q]行的显示器件行DL的视频信号VSig_[p，q]施加到数据线DTLn的该时段内，执行写入处理。根据从扫描线SCL[p，q]发送的扫描信号，写入晶体管TRW处于导通状态。然后，视频信号VSig_[p，q]通过写入晶体管TRW从数据线DTLn施加到第一节点ND1。结果，第一节点ND1的电势上升到VSig_[p，q]。驱动晶体管TRD处于导通状态。
这里，假设电容器部分C1的值为c1，并且发光部分ELP的电容CEL的值为CEI。此外，驱动晶体管TRD的栅极电极和另一源极/漏极区之间的电容的值假设为Cgs。当第一节点ND1和第二节点ND2之间的电容的值通过符号CA表示时，CA＝C1+Cgs。此外，当第二节点ND2和第二馈送线PS2之间的电容的值通过符号CB表示时，CB＝CEL。可使用其中附加电容器部分以并联方式跨越发光部分ELP连接的配置。然而，在此情况下，附加电容器部分的电容值还加到CB。
当驱动晶体管TRD的栅极电极的电势从VOfs变为VSig_[p，q](＞VOfs)时，第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势改变。换句话说，根据第一节点ND1和第二节点ND2之间的电容值、和第二节点ND2和第二馈送线PS2之间的电容值，分散基于驱动晶体管TRD的栅极电极的电势(＝第一节点ND1的电势)的改变量(VSig_[p，q]-VOfs)的电荷。然而，当值Cb(＝CEL)充分大于值CA(＝C1+Cgs)时，第二节点ND2的电势的改变小。通常，发光部分ELP的电容CEL的值CEL大于电容器部分C1的值C1和驱动晶体管TRD的寄生电容的值Cgs。为了描述方便，此后，将不考虑根据第一节点ND1的电势的改变而生成的第二节点ND2的电势的改变。此外，在图6所示的驱动时序图中，将不考虑根据第一节点ND1的电势的改变而生成的第二节点ND2的电势的改变。
在上述写入处理中，在驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区被从馈送线PS1[p，q]提供驱动电压VCC-H的状态下，视频信号VSig_[p，q]施加到驱动晶体管TRD的栅极电极。因此，如图6所示，在[时段-TP(2)4]期间，第二节点ND2的电势上升。下面将描述电势的上升量(图6所示的ΔV)。当驱动晶体管TRD的栅极电极(第一节点ND1)的电势为Vg、并且驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区(第二节点ND2)的电势为Vs时，在不考虑[时段-TP(2)4]期间的第二节点ND2的电势的上升的情况下，Vg的值和Vs的值如下。第一节点ND1和第二节点ND2之间的电势差(即，驱动晶体管TRD的栅极电极和用作源极区的另一源极/漏极区之间的电势差Vgs)可表示为下面的等式(3)。
等式(3)
Vg＝VSig_[p，q]
Vs≈VOfs-Vth+ΔVW
Vgs≈VSig_[p，q]-(VOfs-Vth+ΔVW)
换句话说，在用于驱动晶体管TRD的写入处理中获得的Vgs基本依赖于用于控制发光部分ELP的亮度的视频信号VSig_[p，q]、驱动晶体管TRD的阈值电压Vth和参考电压VOfs。另一方面，Vgs与发光部分ELP的阈值电压Vth-EL无关。
接下来，将描述上述[时段-TP(2)4]期间的第二节点ND2的电势的上升。在上述驱动方法中，关于写入处理，在其中驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区施加有驱动电压的状态下执行写入处理，从而驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区的电势改变。因此，执行迁移率校正处理，其根据驱动晶体管TRD的特性(例如，迁移率μ的大小等)，提升驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区的电势(即，第二节点ND2的电势)。
在驱动晶体管TRD从多晶硅薄膜晶体管等制造的情况下，难以避免晶体管的迁移率μ的变化的生成。因此，即使当具有相同值的视频信号VSig施加到具有不同迁移率μ的多个驱动晶体管TRD的栅极电极时，流过具有高迁移率的驱动晶体管TRD的漏极电流Ids和流过具有低迁移率μ的驱动晶体管TRD的漏极电流Ids之间存在差别。当生成这种差别时，显示装置的屏幕的一致性劣化。
在上述驱动方法中，在驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区通过馈送线PS1[p，q]提供有驱动电压VCC-H的状态下，视频信号VSig_[p，q]施加到驱动晶体管TRD的栅极电极。因此，如图6所示，第二节点ND2的电势在[时段-TP(2)4]期间上升。在驱动晶体管TRD的迁移率μ的值高的情况下，驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区的电势(即，第二节点ND2的电势)的上升量ΔV(电势校正值)增加。另一方面，在驱动晶体管TRD的迁移率μ的值低的情况下，驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区的电势的上升量ΔV(电势校正值)减小。这里，驱动晶体管TRD的栅极电极和用作源极区的另一源极/漏极区之间的电势差Vgs从等式(3)变为如下等式(4)。
等式(4)
Vgs≈VSig_[p，q]-(VOfs-Vth+ΔVW)-ΔV
此外，其间执行写入处理的预定时间(更精确地，[时段-TP(2)4]中的、其间写入晶体管TRW处于导通状态的总时间)可根据显示器件10或显示装置的设计而确定。此外，确定其间执行写入处理的预定时间，使得此时的驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区的电势(VOfs-Vth+ΔV+ΔVW)满足以下等式(2’)。在[时段-TP(2)4]期间，发光部分ELP不发光。通过执行迁移率校正处理，同时执行用于系数k(≡(1/2)·(W/L)·Cox)的变化的校正。
等式(2’)
(VOfs-Vth+ΔV+ΔVW)＜(Vth-EL+VCat)
[时段-TP(2)5](见图6和8D)
通过在写入处理之后停止将视频信号施加到驱动晶体管TRD的栅极电极，对应于电容器部分C1中维持的电压的值的电流通过驱动晶体管TRD的源极/漏极区，流入发光部分ELP。
紧接在[时段-TP(2)5]之前，基于扫描电路101的操作，允许扫描线SCL[p，q]处于低电平，写入晶体管TRW处于不导通状态，并且第一节点ND1(即，驱动晶体管TRD的栅极电极)与数据线DTLn电分离。
由于维持其中驱动电压VCC-H从馈送线PS1[p，q]施加到驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区的状态，结果，如上所述，第二节点ND2的电势上升。
这里，尽管存在电容器部分C1，但是在驱动晶体管TRD的栅极电极中出现在所谓的自举电路中出现的现象，并且第一节点ND1的电势也上升。结果，驱动晶体管TRD的栅极电极和用作源极区的另一源极/漏极区之间的电势Vgs维持在等式(4)所示的值。
此外，第二节点ND2的电势上升到超过(Vth-EL+VCat)，因此，发光部分ELP开始发光(见图6F)。此时，流过发光部分ELP的电流是从驱动晶体管TRD的漏极区流到源极区的漏极电流Ids，并且可如等式(1)表示。这里，基于等式(1)到(4)，等式(1)可如下面等式(5)改变。
等式(5)
Ids＝k·μ·(VSig_[p，q]-VOfs-ΔV-ΔVW)2
因此，例如，当VOfs设为0伏特、并且ΔV＞＞ΔVW时，流过发光部分ELP的电流Ids与通过从用于控制发光部分ELP的亮度的视频信号VSig[p，q]的值减去由于驱动晶体管TRD的迁移率μ而导致的电势校正值ΔV计算的值的平方成比例。换句话说，流过发光部分ELP的电流Ids不依赖于发光部分ELP的阈值电压Vth-EL和驱动晶体管TRD的阈值电压Vth。换句话说，发光部分ELP的发光的量(亮度)不受发光部分ELP的阈值电压Vth-EL和驱动晶体管TRD的阈值电压Vth影响。第[p，q]行的显示器件的亮度是对应于相关电流Ids的值。
此外，随着驱动晶体管TRD的迁移率μ增加，电势校正值ΔV增加，因此，等式(4)的左侧的Vgs的值减小。因此，在等式(5)中，即使在迁移率μ高的情况下，(VSig_[p，q]-VOfs-ΔV-ΔVW)2的值也减小。因此，可校正由于驱动晶体管TRD的迁移率μ的变化(此外，k的变化)而导致的漏极电流Ids的变化。因此，可校正由于迁移率μ的变化(此外，k的变化)而导致的发光部分ELP的亮度的变化。
然后，发光部分ELP的发光状态继续，直到对应于第p’组显示器件行的时段TQ(p’)期间的、对应于第[p’，q]行的显示器件行DL的视频信号VSig_[p’，q]的施加时段的结束。该时段变为发光时段。
如上面所呈现的，已经描述了本发明优选实施例。然而，本发明不限于此。实施例中描述的显示装置或显示器件的配置或结构、以及驱动显示器件或显示装置的方法的处理是示例，并且可适当改变。
在实施例的驱动方法中，在等待时间恒定的条件下，等待时段设为最短时段，并且在其间执行阈值电压抵消处理的时段的长度恒定的条件下，其间执行阈值电压抵消处理的时段设为最长时段。然而，本发明实施例不限于此。因此，等待时间可不必设为最短时段。此外，其间执行阈值电压抵消处理的时段可不必设为最长时段。
在实施例的驱动方法中，其间在配置显示器件行的组LG的每个显示器件行DL中执行阈值电压抵消处理的时段的长度描述为恒定。在其间执行阈值电压抵消处理的时段的长度的差别没有特殊影响的情况下，在第[p，1]行到第[p，Q]行的显示器件行DL中，可使用这样的配置，其中例如从第一时段的开始起，开始阈值电压抵消处理。
如图9所示，可使用这样的配置，其中配置显示器件10的驱动电路11具有连接到第一节点ND1的晶体管(第一晶体管TR1)。在第一晶体管TR1中，参考电压VOfs施加到一个源极/漏极区，并且另一源极/漏极区连接到第一节点ND1。通过经由第一晶体管控制线AZ1将从第一晶体管控制电路103发送的控制信号施加到第一晶体管TR2的栅极电极，控制第一晶体管TR1的导通状态/不导通状态。因此，可设置第一节点ND1的电势。此外，可使用其中进一步包括不同晶体管的配置。
在实施例中，驱动晶体管TRD描述为n沟道型。在驱动晶体管TRD是p沟道晶体管的情况下，可形成布线，使得互换发光部分ELP的阳极电极和阴极电极。此外，在这样的配置中，改变漏极电流流动的方向，因此，可适当改变施加到馈送线等的电压的值。
本申请包含涉及于2009年10月26日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-245176中公开的主题，在此通过引用并入其全部内容。
本领域技术人员应当理解，依赖于设计需求和其他因素可以出现各种修改、组合、子组合和更改，只要它们在权利要求或其等效物的范围内。

Claims (10)

1.一种驱动显示装置的方法，所述显示装置通过在行和列方向上以二维矩阵模式安排每个具有驱动电路和电流驱动型发光部分的显示器件而形成，
所述驱动电路至少包括具有栅极电极和源极/漏极区的驱动晶体管，并且电流通过驱动晶体管的源极/漏极区流入发光部分，
所述方法包括下述步骤：
当显示器件的行数由M表示、配置每行的显示器件的数量由N表示、并且通过将对于每行用于扫描第一行到第M行的显示器件的总时间除以M计算的时间由单位时间t0表示时，
在通过配置每组显示器件行的多个显示器件行的数量Q和单位时间t0的乘积表示的时段TQ期间，以显示器件行为单位执行阈值电压抵消处理，其中预定参考电压施加到配置各组显示器件行的Q×N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，并且预定驱动电压施加到Q×N个显示器件的一个源极/漏极区，以便将另一源极/漏极区的电势朝向通过从参考电压减去驱动晶体管的阈值电压计算的电势改变，其中所述数量Q通过将M行的显示器件划分为多组显示器件行而获得；以及
顺序执行写入处理Q次，其中视频信号施加到配置显示器件行的N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，
其中，在不超过时段TQ的一半的时段内，顺序执行写入处理Q次，并且执行阈值电压抵消处理，使得在配置显示器件行的组的每个显示器件行中，从阈值电压抵消处理的结束到写入处理的开始的时段的长度是恒定的。
2.如权利要求1所述的方法，其中在配置显示器件行的组的每个显示器件行中，其间执行阈值电压抵消处理的时段的长度是恒定的。
3.如权利要求1所述的方法，
其中所述显示装置还包括在行方向上延伸的多个扫描线、以及在列方向延伸的多个数据线，
所述驱动电路还包括写入晶体管，所述写入晶体管具有连接到扫描线的栅极电极、连接到数据线的一个源极/漏极区、以及连接到驱动晶体管的栅极电极的另一源极/漏极区，
通过基于从扫描线发送的扫描信号允许写入晶体管处于导通状态，将从数据线发送的视频信号和预定参考电压施加到驱动晶体管的栅极电极。
4.如权利要求1所述的方法，其中，通过在预定驱动电压施加到驱动晶体管的所述一个源极/漏极区的状态下执行写入处理，改变驱动晶体管的所述另一源极/漏极区的电势。
5.如权利要求4所述的方法，
其中，所述驱动电路还包括电容器部分，其具有连接到驱动晶体管的所述另一源极/漏极区的一个电极、以及连接到驱动晶体管的栅极电极的另一电极，
所述发光部分连接到驱动晶体管的所述另一源极/漏极区，并且
在每个写入处理之后，通过停止将视频信号施加到驱动晶体管的栅极电极，对应于电容器部分中维持的电压的值的电流通过驱动晶体管的源极/漏极区，流入发光部分。
6.如权利要求1到5的任一所述的方法，
其中，所述显示装置还包括在行方向上延伸的多个馈送线，并且
驱动晶体管的所述一个源极/漏极区连接到馈送线，并且预定驱动电压从馈送线施加到驱动晶体管的所述一个源极/漏极区。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述发光部分从有机电致发光发光部分形成。
8.一种显示装置，通过在行和列方向上以二维矩阵模式安排每个具有驱动电路和电流驱动型发光部分的显示器件而形成，
其中，所述驱动电路至少包括具有栅极电极和源极/漏极区的驱动晶体管，
电流通过驱动晶体管的源极/漏极区流入发光部分，并且
当显示器件的行数由M表示、配置每行的显示器件的数量由N表示、并且通过将对于每行用于扫描第一行到第M行的显示器件的总时间除以M计算的时间由单位时间t0表示时，在通过配置每组显示器件行的多个显示器件行的数量Q和单位时间t0的乘积表示的时段TQ期间，以显示器件行为单位执行阈值电压抵消处理，其中预定参考电压施加到配置各组显示器件行的Q×N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，并且预定驱动电压施加到Q×N个显示器件的一个源极/漏极区，以便将另一源极/漏极区的电势朝向通过从参考电压减去驱动晶体管的阈值电压计算的电势改变，其中所述数量Q通过将M行的显示器件划分为多组显示器件行而获得；以及在不超过时段TQ的一半的时段内，顺序执行写入处理Q次，其中视频信号施加到配置显示器件行的N个显示器件的驱动晶体管的栅极电极，并且执行阈值电压抵消处理，使得在配置显示器件行的组的每个显示器件行中，从阈值电压抵消处理的结束到写入处理的开始的时段的长度是恒定的。
9.一种驱动显示装置的方法，所述显示装置通过在行和列方向上以矩阵模式安排每个具有驱动电路和发光部分的显示器件而形成，所述方法包括以下步骤：
执行第一处理，其中预定参考电压施加到多行中的驱动晶体管的栅极电极；以及
顺序执行第二处理，其中视频信号施加到一行中的驱动晶体管的栅极电极，
其中，执行第一处理，使得在每行中从第一处理的结束到第二处理的开始的时段的长度是恒定的。
10.如权利要求9所述的方法，其中，在每行中，其间执行第一处理的时段的长度是恒定的。
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