CN102041505B

CN102041505B - 在低温衬底上制备fto透明导电薄膜的方法

Info

Publication number: CN102041505B
Application number: CN2009102365273A
Authority: CN
Inventors: 黄小铭; 孟庆波; 罗艳红; 李冬梅
Original assignee: Institute of Physics of CAS
Current assignee: Institute of Physics of CAS
Priority date: 2009-10-23
Filing date: 2009-10-23
Publication date: 2012-10-31
Anticipated expiration: 2029-10-23
Also published as: CN102041505A

Abstract

本发明提供一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，包括：在高温下在耐高温衬底上制备FTO薄膜；通过透明粘结剂将所述FTO薄膜与低温衬底粘结在一起，得到包含有耐高温衬底、FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底的膜片；将所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底完全溶于所述化学处理液后，取出由FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底所组成的FTO透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底，且不会与所述的FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底发生反应。本发明彻底解决了在低温衬底上不能制备FTO透明导电薄膜的难题。

Description

在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法

技术领域

本发明涉及FTO透明导电薄膜的制备方法，特别涉及在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法。

背景技术

透明导电氧化物(Transparent Conducting Oxides-TCO)薄膜因其同时具备高光学透过率和低电阻的性能而在当今及未来的多种领域中有着极其广泛的应用，如太阳能电池、平板显示器、传感器以及各种光电或电光器件。TCO薄膜的厚度一般在几十纳米至微米量级之间，因此该类薄膜往往需要附着在透明基底上，玻璃是使用最为广泛的透明基底。制备有透明导电氧化物薄膜的玻璃基底被称为透明导电玻璃。透明导电玻璃的应用非常广泛，例如：镀有低辐射(Low-E)膜的中空玻璃，隔离电磁辐射的屏蔽玻璃，雷达波衰减玻璃，抗静电玻璃，可加热玻璃，触摸面板，透明电极等等。适合制备透明导电氧化物薄膜的半导体材料目前只有氧化铟(In₂O₃)、氢化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)三种，这三种半导体材料往往还需要掺杂才能实现更高的导电性来提高性能以达到实用的地步，掺杂后所得到的半导体材料分别有：掺锡的氧化铟(In₂O₃:Sn，简称ITO)，掺氟的氧化锡(SnO₂:F，简称FTO)，掺铝的氧化锌(ZnO:Al，简称AZO)。

透明导电玻璃虽然应用广泛，但是它的玻璃基底还是对其进一步推广使用造成了很大的限制。因此，将前述的透明导电薄膜制备在透明柔性衬底上便成为最佳的替代方式。透明柔性衬底具有厚度超薄、质量轻、可卷曲、易携带等优点，因此将有助于极大地扩展透明导电薄膜在未来应用的领域，比如：柔性显示器、电子纸、柔性太阳能电池、曲面电路、柔性探测器、传感皮肤等等。由此，在柔性衬底上制备TCO薄膜技术成了近年来的研究热点。然而，目前所有的透明柔性衬底的热稳定性都不佳，具有在高温下极易卷曲变形甚至熔化燃烧的特点。而透明导电氧化物的性能恰恰对温度极其敏感，往往高温下制备的透明导电氧化物的导电性会大大优于低温下制备的性能。考虑到玻璃可以耐高温而柔性衬底不能，因此，传统的在玻璃基底上制备TCO薄膜的方法不能直接适用于柔性衬底。经过多年的研究，人们已经在柔性衬底和高温的矛盾中取得了不小的进展。利用真空磁控溅射的方法已经可以在透明柔性衬底上大面积制备ITO和AZO的薄膜，只是性能要稍弱于在玻璃基底上制备的薄膜。参考文献1“Thin Solid films，167，L11(1988)”和参考文献2“Thin SolidFilms，326，60(1998)”分别是关于ITO和AZO在低温柔性衬底上成功制备的最早期的文章，随后出现了一系列的文章和专利对其进行技术改进。然而，对于三大TCO之一的FTO薄膜，人们却一直没有开发出FTO薄膜在柔性衬底上的制备技术。这是因为目前制备FTO的有效技术主要包括化学气相沉积(CVD)法、液体喷淋法以及喷雾热解法等。这些技术全都要求将沉积的衬底加热至高温(350度-600度)，才能让氟原子很好地掺杂在氧化锡中形成接触良好的FTO膜层。因此，对于不耐高温的柔性衬底而言，无法利用现有技术在其上制备FTO薄膜。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术无法在不耐高温的衬底上制备FTO薄膜的缺陷，从而提供一种在不耐高温的衬底上制备FTO薄膜的方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，包括：

步骤1)、在高温下在耐高温衬底上制备FTO薄膜；

步骤2)、通过透明粘结剂将所述FTO薄膜与低温衬底粘结在一起，得到包含有耐高温衬底、FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底的膜片；

步骤3)、将步骤2)所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底完全溶于所述化学处理液后，取出由FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底所组成的FTO透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底，且不会与所述的FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底发生反应。

上述技术方案中，所述耐高温衬底由熔点在500℃以上的金属单质，或合金，或金属氧化物，或表面附着有金属单质或合金或金属氧化物的耐高温基板组成。

上述技术方案中，所述的金属单质为铜、银、铝、铁、镍、钴、锰、铬、锑、锗中的一种，所述的合金为带有铜、银、铝、铁、镍、钴、锰、铬、锑、锗中的一种的合金。

上述技术方案中，所述耐高温衬底为表面光滑，或表面具有一定的粗糙度。

上述技术方案中，所述透明粘结剂为α-氰基丙烯酸的酯类胶水、紫外线胶水、环氧树脂胶、热熔胶中的一种。

上述技术方案中，所述低温衬底是透明的。

上述技术方案中，所述低温衬底是柔性衬底。

上述技术方案中，所述低温衬底由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚芳脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚醚砜树脂、聚烯烃、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素中的任意一种制成。

上述技术方案中，所述的化学处理液为稀硝酸、浓硝酸、稀盐酸、稀硫酸、草酸、稀强碱液中的一种。

上述技术方案中，所述的FTO薄膜为大面积均匀的透明导电膜，其厚度在100纳米至1微米之间。

本发明还提供了一种FTO透明导电薄膜，包括FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底；其中，所述的FTO薄膜通过透明粘结剂固化到所述低温衬底上。

本发明的优点在于：

1、本发明彻底解决了在低温衬底上不能制备FTO透明导电薄膜的难题。

2、本发明既保留了FTO薄膜在高温下成膜的所有优势，又让FTO薄膜能制备在低温柔性衬底上，彻底克服了低温柔性衬底和高温间的矛盾关系。

3、本发明不要求密闭腔室与真空，不需要惰性气体保护，生产要求宽松，工业上可以大面积生产均匀的透明导电薄膜。

附图说明

图1为在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的示意图；

图2为在耐高温衬底上制备FTO透明导电薄膜时所采用的超声喷雾热解装置的示意图。

图面说明

1耐高温衬底 2FTO薄膜 3透明粘结剂

4低温柔性衬底 21超声起雾器 22液体蠕动泵管

23雾气混合器 24气体流速控制阀 25雾气输送管道

26喷雾口 27抽气装置 28喷雾室

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

为了在不耐高温的衬底上制备FTO透明导电薄膜，本发明首先在高温下制备FTO透明导电薄膜，然后在室温下将制备所得的FTO透明导电薄膜完整地转移到不耐高温的衬底(也被称为低温衬底)上。低温衬底可以是柔性的衬底，也可以是其它类型的衬底。在下面的实施例中，以低温柔性衬底为例，对本发明的制备过程进行说明，但本领域技术人员应当了解，其它类型的衬底同样可以采用本发明的方法制备。

如图1所示，本发明首先要在耐高温衬底1上制备一层FTO薄膜2。在耐高温衬底1上制备FTO薄膜2完全可以通过现有技术实现，如背景技术中提到的化学气相沉积法、液体喷淋法以及喷雾热解法。在本发明所涉及的实施例中，采用了超声喷雾热解法来制备FTO薄膜2。超声喷雾热解法需要用到图2中所示的超声喷雾热解装置，该装置包括超声起雾器21、可调流速的液体蠕动泵管22、雾气混合器23、气体流速控制阀24、雾气输送管道25和包含喷雾口26、抽气装置27的喷雾室28。在制备过程中，将用来生成FTO薄膜2的溶液，如配置好的掺NH₄F的SnCl₄乙醇溶液，置于超声起雾器21中，然后将超声起雾所得到的气体经由液体蠕动泵管22、雾气混合器23、气体流速控制阀24、雾气输送管道25送达喷雾口26，由喷雾口26将雾气大口径均匀地喷到380-500℃的耐高温衬底1上，通过控制喷雾的时间可以控制生长的FTO薄膜的厚度。本发明中涉及的FTO薄膜的厚度为100纳米至1微米之间。喷雾热解结束后可以得到耐高温衬底表面大面积均匀的FTO薄膜，然后冷却至室温取出。采用上述的超声喷雾热解装置有助于得到面积大、均匀性好的FTO薄膜，但若采用现有技术中的其他方法同样可以得到FTO薄膜。

由于耐高温衬底1需要能够耐高温，因此优先选用熔点在500℃以上的金属单质，或合金，或它们的氧化物。由于在后续的操作中，需要实现耐高温衬底1与FTO薄膜2间的剥离，因此，耐高温衬底1所采用的金属单质、合金或它们的氧化物还应当容易被化学处理(酸碱腐蚀)去除，且所述的化学处理去除不会与FTO薄膜发生反应。基于上述要求，在本发明所涉及的实施例中，耐高温衬底1可以优选铜、银、铝、铁、镍、钴、锰、铬、锑、锗等以及它们的合金。耐高温衬底1除了可以是全部由前述的金属单质、或合金、或它们的氧化物组成外，还可以由附着有前述的金属单质、合金、氧化物的耐高温基板组成，如在玻璃板、石英板、硅片等基板上镀金属或合金层。此外，根据所要生成的FTO薄膜的具体要求，耐高温衬底1可以是表面光滑平整的，也可以是具有一定粗糙度的。如果是表面光滑的耐高温衬底1就能够相应生成表面光滑的FTO薄膜，但如果是表面有粗糙度的耐高温衬底1，则能相应生成表面粗糙的FTO薄膜。耐高温衬底1表面的粗糙度可以通过化学腐蚀或电化学腐蚀得到。

通过前述操作得到FTO薄膜以后，就要将这一薄膜转移到前述的柔性衬底上。继续参考图1，在所述FTO薄膜2上与耐高温衬底1相异的另一面均匀涂上一层透明粘结剂3，然后在透明粘结剂3上平整地覆盖上客户所希望的低温柔性衬底4。待透明粘结剂3将低温柔性衬底4和FTO薄膜2、耐高温衬底1粘结在一起并完全固化后，将其整体放入化学处理液中除去原来的耐高温衬底1。待耐高温衬底1完全溶于化学处理液后，取出由FTO薄膜2、透明粘结剂3、低温柔性衬底4所组成的整体。用去离子水冲洗表面残留的化学处理液，并烘干，最终得到低温柔性衬底4上的FTO薄膜2，FTO薄膜2与低温柔性衬底4之间通过透明粘结剂3固化在一起。

在上述过程中，所采用的透明粘连剂3优选透明的，而且不会与化学处理液发生反应的粘连剂。在本发明所涉及的实施例中，优选α-氰基丙烯酸的酯类胶水(如502胶)、紫外线胶水、环氧树脂胶、热熔胶等，但也可以是满足前述条件的其它材料。

低温柔性衬底4可以是各种类型的柔性材料，只要这种柔性材料不与化学处理液发生反应即可。在某些特定的应用环境下，如要制备薄膜太阳能电池，则低温柔性衬底出于高光学透过率的考虑，还应当具有透明的特性，对于此类情况，低温柔性衬底4可优选采用诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚芳脂(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜树脂(PES)、聚烯烃(Polyolefin)、聚四氟乙烯(Teflon)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、三醋酸纤维素(TCA)等多种材料。

所述的化学处理液用于溶解前述的耐高温衬底，且不会对FTO薄膜造成影响，因此针对不同的耐高温衬底，采用不同的化学处理液。在本发明的实施例中，化学处理液优选稀硝酸、浓硝酸、稀盐酸、稀硫酸、草酸、稀强碱液等。

以上是对本发明方法的基本步骤的说明，在下面的多个实施例中，将结合前述说明就不同情况下如何制备FTO薄膜做具体的说明。

实施例1

取一片光滑平整的厚度约200微米的铝片，放在超声喷雾热解装置中的加热台上，加热至380℃。然后将配制好的0.075M掺19.15％质量比NH₄F的SnCl₄乙醇溶液倒入超声起雾器中，控制喷雾时间为10min，得到铝片上的厚度为150nm的FTO薄膜。降至室温，在铝片表面的FTO薄膜上均匀涂上一层502胶水，在502胶水上平整地覆盖上一层PET柔性透明衬底。待502胶水完全固化后，将其放入0.5M的盐酸溶液中，待铝片完全溶于稀盐酸之后，取出PET，用去离子水冲洗表面残留的盐酸液并烘干。于是，FTO薄膜被完全转移到了PET衬底上，FTO薄膜与PET之间通过502胶水完全粘结，最终得到了PET上的厚度为150nm的FTO薄膜。该FTO透明导电薄膜的方阻为280Ω/□，可见光(400nm-800nm)平均透过率为92％。

实施例2

取一片厚度约300微米的铝片作为阳极，放入0.3M的草酸溶液中加40V的电压对铝片表面进行电化学腐蚀处理3分钟，得到表面有一定规则度粗糙的铝片。将得到的粗糙的铝片放在超声喷雾热解装置中的加热台上，加热至400℃。然后将配制好的0.075M掺19.15％质量比NH₄F的SnCl₄乙醇溶液倒入超声起雾器中，控制喷雾时间为10min，得到铝片上的厚度为150nm的FTO薄膜。这层FTO薄膜会比较均匀地覆盖在粗糙的铝片表面，由于铝片的粗糙度会带来表面的凹凸起伏，FTO薄膜也会有一定的凹凸起伏。降至室温，在粗糙铝片表面的FTO薄膜上均匀涂上一层502胶水，在502胶水上平整地覆盖上一层PI衬底。待502胶水完全固化后，将其放入0.3M的盐酸溶液中，待铝片完全溶于稀盐酸之后，取出PI，用去离子水冲洗表面残留的盐酸液并烘干。于是，FTO薄膜被完全转移到了PI衬底上，FTO薄膜与PI之间通过502胶水完全粘结，最终得到了PI上的150nm的FTO薄膜。该FTO透明导电薄膜的方阻为350Ω/□，由于FTO薄膜表面从铝片上复制下来的凹凸起伏，使得薄膜有一定的雾度，可见光平均透过率为90％。

实施例3

将纯度为99.99％的铝用磁控溅射法溅射到玻璃板上，形成附着在玻璃板上厚度约150纳米的铝膜。将附着有铝膜的玻璃板放在超声喷雾热解装置中的加热台上，加热至450℃。然后将配制好的0.075M掺19.15％质量比NH₄F的SnCl₄乙醇溶液倒入超声起雾器中，制喷雾时间为7min，得到铝膜上的厚度为100nm的光滑的FTO薄膜。降至室温，在铝膜上的FTO薄膜的表面覆盖上一层30微米厚的透明热熔胶，然后在热熔胶上平整地覆盖上一层PMMA衬底，将其放置到热压机上(压板温度设为80-100℃)压1min，待热熔胶完全熔化固化后取下。然后将其放入0.3M的氢氧化钠溶液中，待玻璃上的铝膜完全被氢氧化钠碱液溶解后，玻璃板自然脱落，取出PMMA，用去离子水冲洗表面残留的碱液并烘干。于是，FTO薄膜完全被转移到了PMMA衬底上，FTO薄膜与PMMA之间通过热熔胶完全粘结，最终得到了PMMA上的厚度为100nm的FTO薄膜。该FTO透明导电薄膜的方阻为1.1kΩ/□，可见光平均透过率为95％。

实施例4

取一片光滑平整的厚度为200微米的黄铜(铜锌合金)，放在超声喷雾热解装置中的加热台上，加热至430℃。然后将配制好的0.075M掺19.15％质量比NH₄F的SnCl₄乙醇溶液倒入超声起雾器中，控制喷雾时间为15min，得到黄铜片上的厚度为250nm的FTO薄膜。降至室温，在黄铜片表面的FTO薄膜上均匀涂上一薄层紫外线胶水，在紫外线胶水上平整地覆盖上一层PAR衬底。将其放置在150W的紫外灯下照射30秒钟，待紫外线胶水完全固化后，将其放入4M的稀硝酸溶液中。当黄铜片完全溶于稀硝酸之后，取出PAR，用去离子水冲洗表面残留的硝酸液并烘干。于是，FTO薄膜完全被转移到了PAR衬底上，FTO薄膜与PAR之间通过紫外线胶水完全粘结，最终得到了PAR上的厚度为250nm的FTO薄膜。该FTO透明导电薄膜的方阻为30Ω/□，可见光平均透过率为86％。

实施例5

取一片厚度300微米的黄铜(铜锌合金)片，放入4M的稀硝酸中对其表面化学处理5分钟后取出，得到表面粗糙的黄铜片。将得到的粗糙的黄铜片放在超声喷雾热解装置中的加热台上，加热至450℃。然后将配制好的0.075M掺19.15％质量比NH₄F的SnCl₄乙醇溶液倒入超声起雾器中，控制喷雾时间为20min，得到黄铜片上的厚度为320nm的FTO薄膜。这层FTO薄膜均匀地覆盖在粗糙的黄铜片表面，由于黄铜片的粗糙度会带来表面的凹凸起伏，FTO薄膜也会有一定的凹凸起伏。降至室温，在粗糙黄铜片表面的FTO薄膜上均匀涂上一层紫外线胶水，在紫外线胶水上平整地覆盖上一层PEN衬底。将其放置在150W的紫外灯下照射30秒钟，待紫外线胶水完全固化后，将其放入5M的硝酸溶液中。当黄铜片完全溶于稀硝酸之后，取出PEN衬底，用去离子水冲洗表面残留的硝酸液并烘干。于是，FTO薄膜完全被转移到了PEN衬底上，FTO薄膜与PEN之间通过紫外线胶水完全粘结，最终得到了PEN上的厚度为320nm的FTO薄膜。该FTO透明导电薄膜的方阻为20Ω/□，由于FTO薄膜表面从铝片上复制下来的凹凸起伏，使得薄膜有一定的雾度，可见光平均透过率为82％。

实施例6

用磁控溅射法将铜锌合金溅射到石英片上，形成附着在石英板上厚度约200纳米的黄铜膜。将附着有黄铜膜的石英板放在超声喷雾热解装置中的加热台上，加热至480℃。然后将配制好的0.075M掺19.15％质量比NH₄F的SnCl₄乙醇溶液倒入超声起雾器中，控制喷雾时间为25min，得到黄铜膜上的厚度为400nm的FTO薄膜。降至室温，在黄铜膜上的FTO薄膜的表面均匀地涂上一薄层环氧树脂胶，并在上面平整地覆盖上一层PC。过24小时待其完全固化后，将其放入4M的稀硝酸溶液中，待石英上的黄铜膜完全被稀硝酸溶解后，石英片自然脱落，取出PC，用去离子水冲洗表面残留的酸液并烘干。于是，FTO薄膜完全被转移到了PC衬底上，FTO薄膜与PC之间通过透明环氧树脂胶完全粘结，最终得到了PC上的厚度为400nm的FTO薄膜。该FTO透明导电薄膜的方阻为15Ω/□，可见光平均透过率为81％。

实施例7

用真空热蒸镀法往硅片基底上蒸镀一层厚度约60纳米的银膜。将镀好银的硅片放在超声喷雾热解装置中的加热台上，加热至500℃。然后将配制好的0.075M掺19.15％质量比NH₄F的SnCl₄乙醇溶液倒入超声起雾器中，控制喷雾时间为50min，得到银膜上的厚度约900纳米的FTO薄膜。降至室温，在银膜上的FTO薄膜的表面均匀地涂上一薄层环氧树脂胶，并在上面平整地覆盖上一层TCA。过24小时待其完全固化后，将其放入6M的硝酸溶液中，待硅片上的银膜完全被硝酸溶解后，硅片自然脱落，取出TCA，用去离子水冲洗表面残留的酸液并烘干。于是，FTO薄膜完全被转移到了TCA衬底上，FTO薄膜与TCA之间通过透明环氧树脂胶完全粘结，最终得到了TCA上的厚度为900nm的FTO薄膜。该FTO透明导电薄膜的方阻为6Ω/□，可见光平均透过率为63％。

最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims

1.一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，包括：

步骤1）、在高温下在耐高温衬底（1）上制备FTO透明导电薄膜（2）；

步骤2）、通过透明粘结剂（3）将所述FTO透明导电薄膜（2）与低温衬底（4）粘结在一起，得到包含有耐高温衬底（1）、FTO透明导电薄膜（2）、透明粘结剂（3）以及低温衬底（4）的膜片；

步骤3）、将步骤2）所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底（1）完全溶于所述化学处理液后，取出由FTO透明导电薄膜（2）、透明粘结剂（3）以及低温衬底（4）所组成的FTO透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底（1），且不会与所述的FTO透明导电薄膜（2）、透明粘结剂（3）以及低温衬底（4）发生反应。

2.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述耐高温衬底（1）由熔点在500℃以上的金属单质，或合金，或金属氧化物，或表面附着有金属单质或合金或金属氧化物的耐高温基板组成。

3.根据权利要求2所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述的金属单质为铜、银、铝、铁、镍、钴、锰、铬、锑、锗中的一种，所述的合金为带有铜、银、铝、铁、镍、钴、锰、铬、锑、锗中的一种的合金。

4.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述耐高温衬底（1）为表面光滑，或表面具有一定的粗糙度。

5.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述透明粘结剂（3）为α-氰基丙烯酸的酯类胶水、紫外线胶水、环氧树脂胶、热熔胶中的一种。

6.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述低温衬底（4）是透明的。

7.根据权利要求1或6所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述低温衬底（4）是柔性衬底。

8.根据权利要求7所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述低温衬底（4）由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚芳脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚醚砜树脂、聚烯烃、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素中的任意一种制成。

9.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述的化学处理液为稀硝酸、浓硝酸、稀盐酸、稀硫酸、草酸、稀强碱液中的一种。

10.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述的FTO透明导电薄膜（2）为大面积均匀的透明导电膜，其厚度在100纳米至1微米之间。

11.一种根据权利要求1所述的方法所制备的FTO透明导电薄膜，其特征在于，包括FTO透明导电薄膜（2）、透明粘结剂（3）以及低温衬底（4）；其中，所述的FTO透明导电薄膜（2）通过透明粘结剂（3）固化到所述低温衬底（4）上。