CN102033825B - 电池包和控制数据闪存的操作的方法 - Google Patents

电池包和控制数据闪存的操作的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种控制数据闪存的操作的方法和电池包,该电池包能够执行该方法。在该方法中,根据记录在数据闪存的预定的相应位置中的状态标记在两个数据闪存上执行写入、拷贝和删除操作。如果一个数据闪存充满数据,则当将一部分数据从该数据闪存拷贝到另一数据闪存或从该数据闪存删除数据时可防止数据闪存失效。

Description

电池包和控制数据闪存的操作的方法
技术领域
实施例涉及一种控制数据闪存的操作的方法和被构造为执行该方法的电池包。
背景技术
可充电电池或二次电池可用于为诸如蜂窝电话、笔记本计算机、便携式摄像机和个人数字助理(PDA)的各种便携式电子装置供电。二次电池包括各种形式的电池,例如,镍镉电池、铅酸电池、镍金属氢化物电池(NiMH)、锂离子电池、锂聚合物电池、金属锂电池和可充电锌空气电池。一个或多个的二次电池可与电路结合以形成电池包,并可经电池包的外部端子充电和放电。
电池包可包括电池单体和具有充电电路/放电电路的外围电路。可以以印刷电路板的形式制造外围电路,之后将外围电路与电池单体结合。当经电池包的外部端子将外部电源提供给充电/放电电路时,电池单体可被电源充电。然后,当将负载连接到电池包的外部端子时,可将充在电池单体中的电功率经充电/放电电路和外部端子提供给负载。充电/放电电流可经外部端子控制电池单体的充电或放电。
发明内容
实施例提出一种控制数据闪存的操作的方法和被构造为执行该方法的电池包,其基本上克服了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。
因此,实施例的特征是提供一种控制数据闪存的操作的方法以防止数据闪存失效,例如当一个数据闪存充满数据而因此将存储在该数据闪存中的一部分数据拷贝到另一数据闪存或从该数据闪存删除数据时可由发生非正常重置导致的数据闪存失效。
可通过提供控制包括在微型计算机中的第一数据闪存和第二数据闪存的操作的方法来实现至少一个上述或其它特征和优点,所述方法包括如下步骤:将数据写入到第一数据闪存;当第一数据闪存充满数据时,将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存;当将所述一部分数据拷贝到第二数据闪存的步骤完成时,删除存储在第一数据闪存中的数据,其中,根据存储在第一数据闪存和第二数据闪存中的预定的对应位置中的状态标记来执行写入数据、拷贝所述一部分数据和删除数据的步骤。
第一数据闪存和第二数据闪存的分别的状态标记可指示:数据是否已经从第一数据闪存和第二数据闪存被删除了;数据是否正在被拷贝到第一数据闪存和第二数据闪存;数据是否已经被拷贝到第一数据闪存和第二数据闪存;或者是否在使用第一数据闪存和第二数据闪存。
当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存,第二数据闪存的状态标记指示数据正在被拷贝到第二数据闪存且发生重置事件时,那么可删除正在被拷贝到第二数据闪存的数据,可将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存,并可从第一数据闪存删除数据。
当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存,第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么可删除存储在第一数据闪存中的数据。
当第一数据闪存的状态标记指示存储在第一数据闪存中的数据已经被删除,第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么可删除存储在第一数据闪存中的数据。
第一数据闪存和第二数据闪存中的预定的对应位置可以分别为第一数据闪存和第二数据闪存的最后3个字节段。
存储在第一数据闪存中的那部分数据可以是最后记录在第一数据闪存中的数据。
微型计算机被包括在电池包中,电池包具有至少一个电池单体,第一数据闪存和第二数据闪存可用于存储与保护电池单体有关的数据和指令中的至少一个。
还可通过提供一种具有至少一个电池单体和用于保护电池单体的微型计算机的电池包来实现至少一个上述和其它特征和优点,微型计算机包括:用于存储保护电池单体的数据并存储状态标记的第一数据闪存,所述状态标记指示:数据是否已经从第一数据闪存被删除了,数据是否正在被拷贝到第一数据闪存,将数据拷贝到第一数据闪存的步骤是否已经完成,或是否在使用第一数据闪存;用于存储保护电池单体的数据并存储状态标记的第二数据闪存,所述状态标记指示:数据是否已经从第二数据闪存被删除了,数据是否正在被拷贝到第二数据闪存,将数据拷贝到第二数据闪存的步骤是否已经完成,或是否在使用第二数据闪存;控制器,用于根据存储在第一数据闪存和第二数据闪存中的对应的状态标记来控制第一数据闪存和第二数据闪存的操作。
控制器可将数据写入第一数据闪存,可以在第一数据闪存充满数据时将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存,且可以在将所述一部分数据拷贝到第二数据闪存的步骤完成时从第一数据闪存删除数据。
存储在第一数据闪存中的那部分数据可以是最后记录在第一数据闪存中的数据。
当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存,第二数据闪存的状态标记指示数据正在被拷贝到第二数据闪存且发生重置事件时,那么控制器可删除正在被拷贝到第二数据闪存的数据,可将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存,并可从第一数据闪存删除数据。
当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存、第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么控制器可删除存储在第一数据闪存中的数据。
当第一数据闪存的状态标记指示存储在第一数据闪存中的数据已经被删除、第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么控制器可删除存储在第一数据闪存中的数据。
第一数据闪存和第二数据闪存中的状态标记可分别为第一数据闪存和第二数据闪存的最后3个字节段。
还可通过提供一种包括计算机可读记录介质的制造物来实现至少一个上述和其它特征和优点,所述记录介质具有记录于其上的用于执行根据实施例的方法。
附图说明
通过参照附图对示例性实施例进行的详细描述,对本领域普通技术人员来讲,上述和其他特征和优点将会变得更加明显,附图中:
图1示出了根据实施例的电池包的电路图;
图2示出了根据实施例的包括在图1中的电池包中的微型计算机的示意性框图;
图3示出了根据实施例的包括在图2中的微型计算机中的存储装置之间的数据交换;
图4A和图4B示出了根据实施例的数据闪存的结构;
图5示出了表示数据闪存的结构的细节的示图;
图6A至图6E示出了根据实施例的控制数据闪存的操作的方法。
具体实施方式
2009年9月28日在韩国知识产权局提交的名称为“BatteryPack,andMethodofControllingOperationofDataFlash”的第10-2009-0091778号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
现在,将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例;然而,示例实施例可以以不同的形式来实施,且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的,并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中,为了清晰地示出起见,会夸大层和区域的尺寸。相同的标号始终表示相同的元件。
图1示出了根据实施例的电池包的电路图。参照图1,电池包100可包括电池单体单元130和保护电路。电池单体单元可以是可再充电的。电池包100可以安装到诸如便携笔记本计算机的外部系统中,以对电池单体单元130进行充电和放电。电池单体单元130可包括多个电池单体。
保护电路可包括微型计算机110、模拟前端(AFE)集成电路(IC)120、外部端子(未示出)、充电单元140、放电单元150和熔断器160。微型计算机110的一端可连接到AFEIC120,微型计算机110的另一端可连接到熔断器160。AFEIC120可并联连接到电池单体单元130、充电单元140和放电单元150。充电单元140和放电单元150可串联连接到电池单体单元130和外部端子之间的强电流路径(heavycurrentpath,HCP)。熔断器160可串联连接到外部端子和放电单元150之间的HCP。电池包100的保护电路还可包括电流感应单元170,电流感应单元170串联连接到电池单体单元130和外部端子之间的HCP,并且还连接到微型计算机110。电池包100的保护电路还可包括在微型计算机110或外部系统的控制下熔断熔断器160的自保护控制器(未示出)。如果确定电池单体单元130过充电或过放电,则微型计算机110可截止充电单元140、放电单元150或熔断熔断器160,从而电池单体单元130不能被进一步充电或放电。即,当确定电池单体单元130过充电或过放电时,微型计算机110可输出与所述确定对应的控制信号,以通过利用例如控制开关(未示出)或加热器(未示出)来熔断熔断器160。
电池包100可经外部端子连接到外部系统以充电或放电。外部端子和电池单体单元130之间的HCP可用作相对高的电流流经的充电/放电路径。电池包100还可包括微型计算机110和保护电路的外部端子之间的系统管理总线(SMBUS),以与外部系统通信,例如与由电池包100供电的便携笔记本计算机或其它装置通信。
经外部端子连接到电池包100的外部系统可以是诸如便携笔记本计算机的便携电子装置,并且可额外地包括诸如A/C-D/C转换器的电源适配器以向便携电子装置供电。如果外部系统与电源适配器连接,则可通过电源适配器操作外部系统,且可从电源适配器经沿HCP的外部端子向电池单体单元130供电,从而用来自电源适配器的电功率对电池单体单元130充电。如果外部系统与电源适配器分离,则电功率可从电池单体单元130经外部端子放电至外部系统的负载。因此,当与电源适配器连接的外部系统连接到电池包100的外部端子时,可执行充电操作。在这种情况下,可从电源适配器对外部端子、放电单元150、充电单元140并且最终对电池单体单元130充电。当电源适配器与外部系统分离且外部系统的负载连接到外部端子时,可执行放电操作。在这种情况下,可从电池单体单元130向充电单元140、放电单元150、外部端子并且最终向外部系统的负载放电。
参照图1,电池单体单元130可以是二次(可再充电)电池单体,其中,B+表示输入端,大的电流提供给输入端,B-表示输出端,从输出端输出大的电流。电池单体单元130可将诸如电池单体单元130的温度和电压的关于电池单体单元130的内部的各种信息以及例如流过电池单体单元130的电流的量的单体相关信息传输到AFEIC120。
充电单元140和放电单元150可串联连接到外部端子和电池单体单元130之间的HCP,以对电池包100进行充电或放电。充电单元140和放电单元150中的每个可包括场效应晶体管FET和寄生二极管D。因而,充电单元140可包括场效应晶体管FET1和寄生二极管D1,放电单元150可包括场效应晶体管FET2和寄生二极管D2。充电单元140的场效应晶体管FET1的源极和漏极可以沿与设置放电单元150的场效应晶体管FET2的源极和漏极的方向相对的方向设置。因此,充电单元140的场效应晶体管FET1可防止电流从外部端子流到电池单体单元130,放电单元150的场效应晶体管FET2可防止电流从电池单体单元130流到外部端子。充电单元140的场效应晶体管FET1和放电单元150的场效应晶体管FET2可用于开关装置,然而,能够执行开关操作的各种电子装置可用来替代场效应晶体管FET1和FET2。可构造充电单体140的寄生二极管D1和放电单元150的寄生二极管D2,使得电流仅沿一个方向流过充电单体140的寄生二极管D1和放电单元150的寄生二极管D2。
AFEIC120可并联连接到电池单体单元130、充电单元140和放电单元150,并可串联连接在电池单体单元130和微型计算机110之间。AFEIC120可检测电池单体单元130的电压、将电压检测结果传输给微型计算机110并在微型计算机110的控制下控制充电单元140和放电单元150的操作。
例如,当电池单体单元130连接到与电源适配器连接的外部系统时,AFEIC120可导通充电单元140的场效应晶体管FET1和放电单元150的场效应晶体管FET2,从而可对电池单体单元130进行充电。类似地,当电池单体单元130与负载相连时,AFEIC120可导通放电单元150的场效应晶体管FET2,从而电池单体单元130可以放电。
微型计算机110可以是串联连接在AFEIC120和外部系统之间的IC。微型计算机110可经AFEIC120来控制充电单元140和放电单元150,从而防止电池单体单元130过充电、过放电或被提供过电流。微型计算机110可将由从AFEIC120接收的检测结果指示的电池单体单元130的电压与在微型计算机110中设置的过充电电压进行比较,然后可(根据比较结果)将控制信号传输到AFEIC120,以导通或截止充电单元140和放电单元150。因此,可防止电池单体单元130过充电、过放电或被提供过电流。
在示例实施例中,如果电池单体单元130的电压等于或大于过充电电压,例如4.35V,那么微型计算机110确定电池单体单元130被过充电,并根据电压确定结果将控制信号传输到AFEIC120以截止充电单元140的场效应晶体管FET1。然后,通过与外部系统连接的电源适配器防止电池单体单元130被充电。在这种情况下,即使充电单元140的场效应晶体管FET1被截止,充电单元140的寄生二极管D1也允许电池包100放电。相反,如果电池单体单元130的电压低于在微型计算机110中设定的过放电电压,例如2.30V,那么微型计算机110确定电池单体单元130过放电,并根据电压确定结果将控制信号传输到AFEIC120以截止放电单元150的场效应晶体管FET2。然后,防止从电池单体单元130到外部系统负载的放电的发生。在这种情况下,即使放电单元150的场效应晶体管FET2被截止,放电单元150的寄生二极管D2也允许电池包100充电。
微型计算机110可经SMBUS与外部系统通信。因此,微型计算机110可从AFEIC120接收关于电池单体单元130的信息,例如电池单体单元130的电压,并可将所述信息提供给外部系统。关于电池单体单元130的信息可与从SMBUS的时钟线输出的时钟信号同步,并可经SMBUS的数据线传送到外部系统。
电流感测单元170可感测流过电池包100的电流。与由电流感测单元170感测的电流的相关信息可被提供给微型计算机110。如果过电流流过电池包100,则微型计算机110可输出用于中断电流流动的控制信号,以截止充电单元140、放电单元150或熔断器160,从而防止将过电流提供给电池包100。
图2示出了根据实施例的包括在图1中的电池包100中的微型计算机110的示意性框图。图3示出了根据实施例的包括在图2中的微型计算机110中的存储装置之间的数据交换。
参照图2,微型计算机110可包括控制器111、只读存储器(ROM)112、随机存取存储器(RAM)113、数据闪存_BDF_B114和数据闪存_ADF_A115。数据闪存可用于存储管理电池包的数据和/或指令。如图2中实线所示,控制器111、ROM112、RAM113、数据闪存_BDF_B114和数据闪存_ADF_A115可经数据总线连接。
在示例实施例中,微型计算机110使用两个数据闪存区:数据闪存_BDF_B114和数据闪存_ADF_A115。例如,当数据闪存_BDF_B114充满数据时,从数据闪存_BDF_B114向数据闪存_ADF_A115拷贝最新的数据,且数据被从数据闪存_BDF_B114删除。
微型计算机110可控制电池包100的保护电路的整体操作。如下所述,参照图3描述微型计算机110的ROM112、RAM113、数据闪存_BDF_B114和数据闪存_ADF_A115中执行的写入、拷贝和擦除操作的示例。
参照图2和图3,静态数据和可变数据可存储在ROM112中。在示例实施例中,在初始重置操作期间,数据闪存(DF)初始值(即可变数据)被拷贝到RAM113。在初始重置操作期间,被拷贝到RAM113的DF初始值被以预定时间间隔(例如以10秒的间隔)写入数据闪存_BDF_B114。在重置操作期间,从数据闪存_BDF_B114向RAM113重新载入最新的数据。如果数据闪存_BDF_B114充满了数据,则从数据闪存_ADF_A115向数据闪存_BDF_B114拷贝最新的数据,之后删除存储在数据闪存_BDF_B114中的数据。
图4A和图4B示出了根据实施例的如上面参照图2和图3所述的数据闪存DF_A和DF_B的结构。数据闪存DF_A和DF_B均可以是例如闪速存储器、其他类型的非易失性存储器等。图4A和图4B示出了均为2K字节的两个数据闪存,例如2K字节的数据闪存DF_B和2K字节的数据闪存DF_A。
在示例实施例中,如图4A所示,在将数据写入数据闪存DF_B期间如果数据闪存DF_B变为充满了数据,那么只有存储在数据闪存DF_B中的一部分数据,例如最新的数据,被拷贝到数据闪存DF_A中,且从数据闪存DF_B删除最新的数据,如图4B所示。然而,在没有额外的防护措施的情况下,在将最近的数据拷贝到数据闪存DF_A期间或从数据闪存DF_B删除数据期间发生重置时,可能没有满意地完成拷贝或删除,且可能发生数据闪存失效。
图5示出了表示数据闪存DF_A和DF_B的结构的细节的示图。参照图5,可设置指示数据闪存DF_A的电流状态的状态标记并可将其存储在数据闪存DF_A的预定位置500中,并且可设置指示数据闪存DF_B的电流状态的状态标记并可将其存储在数据闪存DF_B的预定位置510中。因此,即使在拷贝或擦除操作期间发生重置,也可根据数据闪存DF_A和DF_B的状态标记来控制数据闪存DF_A和DF_B的操作。状态标记可以是3-字节,即24-比特(二进制),与六(6)个数位的十六进制标记对应。例如,状态标记可以是FFFFFF(十六进制)。状态标记可分别存储在数据闪存DF_A和DF_B的例如数据闪存DF_A和DF_B的最后3个字节段中。最后3个字节段可以分别是数据闪存DF_A和DF_B的最高地址区。
数据闪存DF_A和DF_B的各个状态标记可指示:
---是否从数据闪存DF_A和DF_B删除了数据;
---是否正将数据拷贝到数据闪存DF_A和DF_B;
---是否已将数据拷贝到数据闪存DF_A和DF_B;
---是否在使用数据闪存DF_A和DF_B。
例如:
---如果数据闪存DF_A的状态标记是“FFFFFF”,那么可意味着已从数据闪存DF_A删除了数据,且另一数据闪存DF_B在使用或不在使用;
---如果数据闪存DF_A的状态标记是“FFFF5A”,那么可意味着正将有效数据写入数据闪存DF_A,且另一数据闪存DF_B充满了数据;
---如果数据闪存DF_A的状态标记是“FFA55A”,那么可意味着数据闪存DF_A在使用,即,已经将最新的数据拷贝到数据闪存DF_A,且正从另一数据闪存DF_B删除数据;
---如果数据闪存DF_A的状态标记是“5AA55A”,那么可意味着数据闪存DF_A在使用,且已从另一数据闪存DF_B删除了数据。
在示例实施例中,控制器111将数据写入数据闪存DF_B,在数据闪存DF_B充满数据时将存储在数据闪存DF_B中的数据拷贝到数据闪存DF_A,并在拷贝完毕时将数据从数据闪存DF_B删除。这里,控制器111根据被写入各个数据闪存DF_B和数据闪存DF_A的状态标记来控制写入、拷贝和删除操作。当感测到重置信号时,控制器111根据被写入各个数据闪存DF_B和数据闪存DF_A的状态标记来控制数据闪存DF_B和数据闪存DF_A的操作。
更具体地,如果数据闪存DF_A的状态标记为“FFFFFF”,数据闪存DF_B的状态标记为“5AA55A”,且发生重置,则确定数据闪存DF_B为有效的数据块,因此,不需要从数据闪存DF_B删除数据。如果数据闪存DF_A的状态标记为“FFFF5A”,数据闪存DF_B的状态标记为“5AA55A”,且发生重置,则确定数据闪存DF_B为有效的数据块,删除正被从数据闪存DF_B拷贝到数据闪存DF_A的一部分数据,将存储在数据闪存DF_B中的另一部分数据拷贝到数据闪存DF_A,并删除存储在数据闪存DF_B中的数据。如果数据闪存DF_A的状态标记为“FFA55A”,数据闪存DF_B的状态标记为“5AA55A”,且发生重置,则确定数据闪存DF_A为有效的数据块,并从数据闪存DF_B删除数据。如果数据闪存DF_A的状态标记为“FFA55A”,数据闪存DF_B的状态标记为“FFFFFF”,且发生重置,则确定数据闪存DF_A为有效的数据块,并从数据闪存DF_B删除数据。如果数据闪存DF_A的状态标记为“5AA55A”,数据闪存DF_B的状态标记为“FFFFFF”,且发生重置,则确定数据闪存DF_A为有效的数据块。
图6A至图6E示出了根据实施例的数据闪存DF_A和DF_B的控制操作的方法。
在所述方法的示例实施例中,如在图6A中示出,数据闪存DF_B充满数据,数据闪存DF_B的状态标记为“5AA55A”,数据闪存DF_A的状态标记为“FFFFFF”。在这种情况下,当感测到重置信号时,图2中的控制器111确定数据闪存DF_B为有效的数据块,且不需要从数据闪存DF_A和数据闪存DF_B删除数据。
参照图6B,数据闪存DF_B充满数据,数据闪存DF_B的状态标记为“5AA55A”,存储在数据闪存DF_B中的一部分数据正被拷贝到数据闪存DF_A,数据闪存DF_A的状态标记为“FFFF5A”。在这种情况下,当感测到重置信号时,控制器111确定数据闪存DF_B为有效的数据块,删除正被拷贝到数据闪存DF_A的那部分数据,并将数据闪存DF_B的另一部分数据拷贝到数据闪存DF_A。当拷贝完成时,删除数据闪存DF_B的数据。
参照图6C,数据闪存DF_B充满数据,数据闪存DF_B的状态标记为“5AA55A”,存储在数据闪存DF_B中的一部分数据已被拷贝到数据闪存DF_A,数据闪存DF_A的状态标记为“FFA55A”。在这种情况下,当感测到重置信号时,控制器111确定数据闪存DF_A为有效的数据块,并删除数据闪存DF_B的数据。
参照图6D,正在从数据闪存DF_B删除数据,数据闪存DF_B的状态标记为“FFFFFF”,存储在数据闪存DF_B中的一部分数据已被拷贝到数据闪存DF_A,数据闪存DF_A的状态标记为“FFA55A”。在这种情况下,当感测到重置信号时,控制器111确定数据闪存DF_A为有效的数据块,正在被从数据闪存DF_B删除的数据被继续删除。
参照图6E,数据已经从数据闪存DF_B被删除了,数据闪存DF_B的状态标记为“FFFFFF”,存储在数据闪存DF_B中的一部分数据已被拷贝到数据闪存DF_A,数据闪存DF_A的状态标记为“5AA55A”。在这种情况下,当感测到重置信号时,控制器111确定数据闪存DF_A为有效的数据块,不需要从数据闪存DF_A和数据闪存DF_B删除数据。
在根据当前实施例的方法中,可防止在重置操作期间数据闪存失效,并稳定的在两个数据闪存之间执行写入、拷贝和删除操作。
根据实施例的方法可实施为诸如能够存储由计算机系统读取的数据的制造物的计算机可读介质的计算机可读代码,计算机可读介质例如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、压缩盘(CD)-ROM、磁带、软盘、光数据存储装置等。计算机可以是信息处理机器或处理器,例如上面描述的微型计算机110。计算机可读介质可分布在通过网络互连的计算机系统中,在所分布的系统中,编码方法可存储和实施为计算机可读代码。可由本领域的计算机程序员容易地构造为完成编码方法的功能程序、代码和代码段。
根据上述实施例,可防止当一个数据闪存充满数据因而将存储在该数据闪存中的一部分数据拷贝到其它数据闪存时或从该数据闪存删除数据时发生非正常重置导致的数据闪存失效。相反,对于在一般的电池包中的微型计算机,使用两个数据闪存,当数据闪存中的一个充满数据时,从该数据闪存将最新的数据拷贝到另一数据闪存,然后从该数据闪存删除数据。然而,在拷贝或删除数据期间,当重置电池包时,两个数据闪存都处于不稳定状态,例如,数据被写入两个数据闪存,从而导致数据闪存失效。可通过控制被构造为执行根据实施例的方法的数据闪存和电池包的操作的上述方法来防止这样的失效。例如,在所述方法中,可根据记录在数据闪存的预定的对应位置中的状态标记而在两个数据闪存上执行写入、拷贝和删除操作。因此,如果数据闪存中的一个充满数据,则在将一部分数据从该数据闪存拷贝到另一数据闪存或从该数据闪存删除数据时可防止数据闪存失效的发生。
这里已经公开了示例性实施例,尽管采用了特定术语,但仅以通常的和描述性的意义而非出于限制的目的来使用它们。因此,本领域普通技术人员应该理解,在不过离由权利要求阐述的本发明的精神和范围的情况下,可以作出形式和细节上的各种改变。

Claims (11)

1.一种控制包括在微型计算机中的第一数据闪存和第二数据闪存的操作的方法,所述方法包括如下步骤:
将数据写入到第一数据闪存;
当第一数据闪存充满数据时,将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存;
当将所述一部分数据拷贝到第二数据闪存的步骤完成时,删除存储在第一数据闪存中的所述一部分数据,
其中,根据存储在第一数据闪存和第二数据闪存的预定的对应位置中的状态标记来执行写入数据、拷贝所述一部分数据和删除所述一部分数据的步骤,
其中,第一数据闪存的状态标记指示:
数据是否已经从第一数据闪存被删除了;
数据是否正在被拷贝到第一数据闪存;
数据是否已经被拷贝到第一数据闪存;或者
是否在使用第一数据闪存,
第二数据闪存中的状态标记指示:
数据是否已经从第二数据闪存被删除了;
数据是否正在被拷贝到第二数据闪存;
数据是否已经被拷贝到第二数据闪存;或者
是否在使用第二数据闪存,
其中,当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存,第二数据闪存的状态标记指示数据正在被拷贝到第二数据闪存且发生重置事件时,那么:
删除正在被拷贝到第二数据闪存的数据,将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存,并从第一数据闪存删除所述一部分数据。
2.如权利要求1所述的方法,其中,当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存,第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么:
删除存储在第一数据闪存中的数据。
3.如权利要求1所述的方法,其中,当第一数据闪存的状态标记指示存储在第一数据闪存中的数据已经被删除,第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么:
不再从第一数据闪存删除数据也不再从第二数据闪存删除数据,直至需要进一步的数据操作。
4.如权利要求1所述的方法,其中,第一数据闪存和第二数据闪存的预定的对应位置分别为第一数据闪存和第二数据闪存的最后3个字节段。
5.如权利要求1所述的方法,其中,存储在第一数据闪存中的所述一部分数据是最后记录在第一数据闪存中的数据。
6.如权利要求1所述的方法,其中:
微型计算机被包括在电池包中,电池包具有至少一个电池单体,第一数据闪存和第二数据闪存用于存储与保护电池单体有关的数据和指令中的至少一个。
7.一种电池包,所述电池包具有至少一个电池单体和用于保护电池单体的微型计算机,微型计算机包括:
用于存储保护电池单体的数据并存储状态标记的第一数据闪存,所述状态标记指示:
数据是否已经从第一数据闪存被删除了,
数据是否正在被拷贝到第一数据闪存,
将数据拷贝到第一数据闪存的步骤是否已经完成,或者
是否在使用第一数据闪存;
用于存储保护电池单体的数据并存储状态标记的第二数据闪存,所述状态标记指示:
数据是否已经从第二数据闪存被删除了,
数据是否正在被拷贝到第二数据闪存,
将数据拷贝到第二数据闪存的步骤是否已经完成,或者
是否在使用第二数据闪存;
控制器,用于根据存储在第一数据闪存和第二数据闪存中的对应的状态标记控制第一数据闪存和第二数据闪存的操作,
其中,控制器将数据写入第一数据闪存,在第一数据闪存充满数据时将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存,且在将所述一部分数据拷贝到第二数据闪存的步骤完成时从第一数据闪存删除所述一部分数据,
其中,当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存,第二数据闪存的状态标记指示数据正在被拷贝到第二数据闪存且发生重置事件时,那么:
控制器删除正在被拷贝到第二数据闪存的数据,将存储在第一数据闪存中的一部分数据拷贝到第二数据闪存,并从第一数据闪存删除所述一部分数据。
8.如权利要求7所述的电池包,其中,存储在第一数据闪存中的所述一部分数据是最后记录在第一数据闪存中的数据。
9.如权利要求7所述的电池包,其中,当第一数据闪存的状态标记指示在使用第一数据闪存,第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么:
控制器删除存储在第一数据闪存中的数据。
10.如权利要求7所述的电池包,其中,当第一数据闪存的状态标记指示存储在第一数据闪存中的数据已经被删除,第二数据闪存的状态标记指示已经完成将数据拷贝到第二数据闪存的步骤且发生重置事件时,那么:
控制器不需要从第一数据闪存和第二数据闪存删除数据。
11.如权利要求7所述的电池包,其中,第一数据闪存和第二数据闪存中的状态标记分别为第一数据闪存和第二数据闪存的最后3个字节段。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014205924A1 (de) * 2014-03-31 2015-10-01 Robert Bosch Gmbh Speichereinheit für erweiterte Fahrzeugdatenaufzeichnung
JP7065578B2 (ja) * 2017-09-21 2022-05-12 キヤノン株式会社 情報処理装置、その制御方法、及びプログラム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101232668A (zh) * 2007-01-24 2008-07-30 乐金电子(昆山)电脑有限公司 移动设备的电池电源控制装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03241444A (ja) * 1990-02-20 1991-10-28 Nec Corp データ保持方式
JPH05225073A (ja) * 1991-11-08 1993-09-03 Yokogawa Electric Corp データ処理装置及び物理量測定装置
JP3268130B2 (ja) * 1994-07-20 2002-03-25 株式会社東芝 フラッシュeepromを用いたデータ処理装置
US5699275A (en) * 1995-04-12 1997-12-16 Highwaymaster Communications, Inc. System and method for remote patching of operating code located in a mobile unit
US5933847A (en) * 1995-09-28 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Selecting erase method based on type of power supply for flash EEPROM
JPH11249947A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Sony Corp ファイル管理装置及びファイル管理方法
FI109620B (fi) * 1999-10-26 2002-09-13 Tellabs Oy Menetelmä ja järjestely atomaaristen päivitysten toteuttamiseksi loogista flashmuistilaitetta käyttäen
JP3629553B2 (ja) * 2001-05-08 2005-03-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電源供給システム、コンピュータ装置、電池、異常充電の保護方法、およびプログラム
JP3692313B2 (ja) * 2001-06-28 2005-09-07 松下電器産業株式会社 不揮発性メモリの制御方法
JP3818130B2 (ja) * 2001-11-14 2006-09-06 日本電信電話株式会社 データ管理方法及び装置及びデータ管理プログラム及びデータ管理プログラムを格納した記憶媒体
JP2003216506A (ja) 2002-01-23 2003-07-31 Hitachi Ltd フラッシュメモリを搭載した記憶装置及び計算機
JP4133166B2 (ja) * 2002-09-25 2008-08-13 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
JP4183237B2 (ja) * 2002-10-28 2008-11-19 シャープ株式会社 記憶装置
JP2004341783A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Canon Finetech Inc データ記憶方法、及びデータ記憶装置
WO2006011186A1 (ja) * 2004-07-23 2006-02-02 Spansion Llc コントローラ、データ記憶システム、データ書き換え方法及びコンピュータプログラムプロダクト
JP2006126919A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Kyocera Corp フラッシュメモリのデータ管理装置およびフラッシュメモリの制御方法
JP2007034858A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Kyocera Mita Corp データバックアップ方法及びメモリ装置
JP2007122419A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Seiko Epson Corp 不揮発性データ更新システム、不揮発性データ更新方法及びプログラム
JP2007236033A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Sony Corp バッテリパックおよびバッテリ保護方法
JP2008071223A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Sony Corp 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム
JP2008090876A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101232668A (zh) * 2007-01-24 2008-07-30 乐金电子(昆山)电脑有限公司 移动设备的电池电源控制装置

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Publication number Publication date
JP5364670B2 (ja) 2013-12-11
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