CN102032984A - 发光二极管的光性量测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管的光性量测方法，是用于检测一个置放在一个透明承载板上的发光二极管，该发光二极管具有一正面及一背面，该光性量测方法包括步骤：(A)制备一个上光侦测装置及一个下光侦测装置，分别对应该发光二极管的正、背面；(B)利用点测方式使该发光二极管发光，并由该上、下光侦测装置侦测该发光二极管的正、背面方向的光，以获得该发光二极管的正、背面方向的光性资料；(C)收集该上、下光侦测装置侦测所得的光性资料，并进行综合分析及计算。借此，可获得最接近该发光二极管封装后的光性资料。

Description

发光二极管的光性量测方法
技术领域
本发明涉及一种半导体元件的量测方法，特别是涉及一种发光二极管的光性量测方法。
背景技术
发光二极管在封装前，如果量测资料越准确，就越能掌握封装后的发光特性，进而满足良率与品质的要求，以往发光二极管在封装前的光性测试，无论是在晶圆切割前或切割后使用，都是针对发光二极管的一发光面做单面的光收集工作，接着进行分析、运算后以获得光亮度、光谱等光性数据，来仿真封装后所能提供的光性数据。
然而，针对使用基材为透明材料，例如蓝宝石等材料的发光二极管时，由于其正面、背面皆有相当的发光强度，所以只有使用单面光收集的方式时，就会对这一类发光二极管的光性量测产生较大误差。
此外，这一类发光二极管在正面与背面的亮度比例也未必固定，例如第一批发光二极管的正面亮度占65％，背面亮度占25％，收集不到的亮度占10％时，第二批发光二极管的正面亮度占40％，背面亮度占50％，收集不到的亮度占10％，两批发光二极管的亮度比例差异其实在制程中是不容易控制的变化，所以即使目前量测技术已经将其中一面的收光角度调整到最大范围，也无法兼顾收集另一面的发光亮度，然而另一面的发光亮度却会对于封装制程的规划，以及封装后的整体亮度产生很大影响。
发明内容
本发明的目的是在于提供一种可获得发光二极管正背两面方向的光性资料，以供综合分析运用的发光二极管的光性量测方法。
本发明发光二极管的光性量测方法是用于检测一个置放在一个透明承载板上的发光二极管，该发光二极管具有一正面及一背面。
本发明发光二极管的光性量测方法的特征在于包括以下步骤：
(A)制备一个上光侦测装置及一个下光侦测装置，分别对应该发光二极管的正、背面。
(B)利用点测方式使该发光二极管发光，并由该上、下光侦测装置侦测该发光二极管正、背面方向的光，以获得该发光二极管正、背面方向的光性资料。
(C)收集该上、下光侦测装置侦测所得的光性资料，并进行综合分析及计算。
本发明的有益效果在于：透过该上、下光侦测装置收集该发光二极管正面与背面方向的光性资料，就可以避免忽略其中一面的光亮度、光谱等光性资料，进而更完善地获得整体光性数据，以计算模拟出最接近该发光二极管封装后的发光状态，另外透过分析该正面方向与该背面方向所占的不同光亮度比例，就可以作为选择封装方法的参考资料，以及回溯制程影响的分析资料，所以能达到增进制程良率及产品品质的使用效果。
附图说明
图1是一示意图，说明本发明发光二极管的光性量测方法的第一较佳实施例；
图2是一方块图，说明该第一较佳实施例中，一个上光侦测装置、一个下光侦测装置及一个运算单元，针对一个发光二极管的量测架构；
图3是一示意图，说明本发明发光二极管的光性量测方法的第二较佳实施例；及
图4是一示意图，说明本发明发光二极管的光性量测方法的第三较佳实施例。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：
在本发明被详细描述前，要注意的是，以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
如图1、2所示，本发明发光二极管的光性量测方法的第一较佳实施例，是用于检测一个设置在一个透明承载板20上的发光二极管21，该发光二极管21具有一正面211及一背面212，该光性量测方法包括以下步骤：
(A)制备一个上光侦测装置30、一个下光侦测装置40及一个电连接于该上、下光侦测装置30、40的运算单元50，该上、下光侦测装置30、40分别对应该发光二极管21的正面211与背面212，该上光侦测装置30包括一个积分球31(Integrating sphere)、一个连接于该积分球31的光侦测器32(Photo Detector)、一个分光计33(Spectrometer)，及一条连接该积分球31与该分光计33之间的光纤34(Fiber)，且该下光侦测装置40也包括一个积分球41、一个连接于该积分球41的光侦测器42、一个分光计43，及一条连接该积分球41与该分光计43之间的光纤44。
(B)利用点测方式使该发光二极管21发光，并由该上、下光侦测装置30、40分别侦测该发光二极管21正、背面方向的光，以获得该发光二极管21的正、背面211、212方向的光性资料。在本实施例中，该发光二极管21是借由二支探针90供电而发光，且借由所述积分球31、41分别收集该发光二极管21的正、背面211、212方向的光，并经由所述光侦测器32、42及分光计33、43分别得到该发光二极管21的正、背面211、212方向的光亮度、光谱等光性资料，该光亮度资料包括光强度(cd或mcd)、光通量(流明)、光功率(W或mW)等，该光谱资料包括主波长、峰波长、中心波长、半波宽、色纯度、色坐标、演色性等。
(C)收集该上、下光侦测装置30、40侦测所得的光亮度、光谱等光性资料，并输出至该运算单元50内进行综合分析及计算。该运算单元50除了可以单独分析该发光二极管21的正面211方向或背面212方向的光亮度、光谱等光性资料，最重要的是可将该发光二极管21的正、背面211、212方向的光性资料对应混合计算及分析。此外，该运算单元50也可以视将来该发光二极管21可能进行的不同封装方式，给予不同的分析计算方法，以获得最接近该发光二极管21封装后的光性资料。
综上所述，本发明透过该上、下光侦测装置30、40收集该发光二极管21的正面211与背面212的光性资料，就可以避免忽略其中一面的光亮度、光谱等光性资料，进而更完善地获得整体光性数据，以计算模拟出最接近该发光二极管21封装后的发光状态，另外透过分析该发光二极管21的正面211方向与背面212方向所占的不同光亮度比例，就可以作为选择封装方法的参考资料，以及回溯制程影响的分析资料，所以能达到增进制程良率及产品品质的使用效果。
由于本发明主要在于提供以往发光二极管单面光性量测所忽略的另一面的光性对封装后的影响，因此也可以提供该发光二极管在磊晶制程的重要资料分析，借以观察不同制程或是不同批生产的发光二极管，其正面及背面方向的发光效益在比例上有何变化。
值得一提的是，在步骤(B)中，该上、下光侦测装置30、40的侦测方式，可以是当该发光二极管21点亮一次时，该上、下光侦测装置30、40同时进行侦测，以同步获得光性资料，也可以先点亮该发光二极管21一次，使其正面211方向的上光侦测装置30进行侦测，再点亮一次使该发光二极管21背面212方向的下光侦测装置40进行侦测，以轮流获得该发光二极管21的正、背面211、212方向的光性资料。
此外，在实际应用时，该上、下光侦测装置30、40也可视制造需求，分别采用不同的侦测元件，以量测获得该发光二极管21的正、背面211、212方向的光性资料，如图3所示，为本发明的第二较佳实施例，其与第一较佳实施例的不同处在于该下光侦测装置40是以一积分球41收集该发光二极管21的背面方向的光，并经由一连接于该积分球41的光侦测器42得到该发光二极管21的背面方向的光性资料；另如图4所示，为本发明的第三较佳实施例，其与第一较佳实施例的不同处在于，该下光侦测装置40只采用一光侦测器42侦测得到该发光二极管21的背面方向的光性资料；又该上、下光侦测装置30、40可相互对调设置，同样能够获得所需发光二极管21的正、背面方向的光性资料。如图1、3、4所示，因此，本发明的上、下光侦测装置30、40可视需求将上述光侦测器32、42、光纤34、44与分光计33、43、积分球31、41等侦测元件单独或混搭使用，以分别获得该发光二极管21正、背面方向的光性资料，而供分析计算使用，如此同样能达到本发明的目的。

Claims (14)

1.一种发光二极管的光性量测方法，是用于检测一个置放在一个透明承载板上的发光二极管，该发光二极管具有一正面及一背面，其特征在于包括以下步骤：
(A)制备一个上光侦测装置及一个下光侦测装置，分别对应该发光二极管的正、背面；
(B)利用点测方式使该发光二极管发光，并由该上、下光侦测装置侦测该发光二极管正、背面方向的光，以获得该发光二极管正、背面方向的光性资料；及
(C)收集该上、下光侦测装置侦测所得的光性资料，并进行综合分析及计算。
2.如权利要求1所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)还制备一个运算单元，该步骤(C)是将该上、下光侦测装置侦测所得的光性资料输出至该运算单元内进行综合分析及计算。
3.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的上光侦测装置包括一个积分球、一个连接于该积分球的光侦测器、一个分光计，及一条连接该积分球与该分光计之间的光纤，该步骤(B)是借由该积分球收集该发光二极管的正面方向的光，并经由该光侦测器及分光计得到该发光二极管的正面方向的光性资料。
4.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的上光侦测装置包括一个积分球、一个分光计，及一条连接该积分球与该分光计之间的光纤，该步骤(B)是借由该积分球收集该发光二极管的正面方向的光，并经由该分光计得到该发光二极管的正面方向的光性资料。
5.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的上光侦测装置包括一个积分球，及一个连接于该积分球的光侦测器，该步骤(B)是借由该积分球收集该发光二极管的正面方向的光，并经由该光侦测器得到该发光二极管的正面方向的光性资料。
6.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的上光侦测装置包括一条光纤，及一个连接于该光纤的分光计，该步骤(B)是借由该光纤侦测该发光二极管的正面方向的光，并经由该分光计得到该发光二极管的正面方向的光性资料。
7.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的上光侦测装置是采用一个光侦测器，该步骤(B)是借由该光侦测器侦测得到该发光二极管的正面方向的光性资料。
8.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的下光侦测装置包括一个积分球、一个连接于该积分球的光侦测器、一个分光计，及一条连接该积分球与该分光计之间的光纤，该步骤(B)是借由该积分球收集该发光二极管的背面方向的光，并经由该光侦测器及分光计得到该发光二极管的背面方向的光性资料。
9.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的下光侦测装置包括一个积分球、一个分光计，及一条连接该积分球与该分光计之间的光纤，该步骤(B)是借由该积分球收集该发光二极管的背面方向的光，并经由该分光计得到该发光二极管的背面方向的光性资料。
10.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的下光侦测装置包括一个积分球，及一个连接于该积分球的光侦测器，该步骤(B)是借由该积分球收集该发光二极管的背面方向的光，并经由该光侦测器得到该发光二极管的背面方向的光性资料。
11.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的下光侦测装置包括一条光纤，及一个连接于该光纤的分光计，该步骤(B)是借由该光纤侦测该发光二极管的背面方向的光，并经由该分光计得到该发光二极管的背面方向的光性资料。
12.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(A)的下光侦测装置是采用一个光侦测器，该步骤(B)是借由该光侦测器侦测得到该发光二极管的背面方向的光性资料。
13.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(B)是利用二支探针使该发光二极管点亮发光，且当该发光二极管点亮一次时，该上、下光侦测装置同时进行侦测，以同步获得该发光二极管的正、背面方向的光性资料。
14.如权利要求2所述发光二极管的光性量测方法，其特征在于：该步骤(B)是利用二支探针使该发光二极管点亮发光，且当该发光二极管点亮第一次时，该上光侦测装置先进行侦测，当该发光二极管第二次点亮时，该下光侦测装置再进行侦测，以轮流获得该发光二极管的正、背面方向的光性资料。
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