CN1020312C - 光记录体及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种光记录体，包括基体、形成其上的内层及形成于该内层上的记录层，其中记录层被能量束辐照以在其上形成相应于给定信息的信息单元，从而记录该信息。记录层含有Te、Cr、C和H，其中Cr的比例(基于构成该记录层的所有原子)为0.1-40%(原子)，而记录层中所含的C的这一比例为0.1-40%(原子)。由于记录层中含有Te、Cr、C和H，因此记录层的耐氧化能力得到了提高且光记录体的使用寿命得到了延长。

Description

本发明涉及一种光记录体，其类型是，相应于给定信息的信息单元（bits）通过能量束如光或热的辐射，被形成在设于一基体上的记录层上;本发明还涉及这种光记录体的制造方法。

有两种类型的光记录体，其中一种是通过能量束的辐照在记录层的某一部位物理性地形成孔或凹状;另一种是通过能量束的辐照在记录层的某一部位形成其光学性质如折射率和反射率均已改变了的部分。

基本上由低熔点金属如碲（Te）构成的记录层于是被得知为使用于两种类型的光记录体之一的那些物质（日本公开专利公报71196/1983和9234/1983）。作为典型的低熔点金属涂层的碲涂层，通过使用非常低的能量就能形成所需的物理性变形的部分或光学性质变化的部分[以后通称为信息单元（bits）]，因此能十分有效地用作高灵敏度的材料。此处和后文所使用的灵敏度这一术语是被定义为形成每单位表面积上的信息单元所需的能量（mw/cm）。

然而，碲在与大气接触时会被氧气或湿气氧化，于是其透射率会增加并会变得透明。由于其薄涂层薄如约几百

，因此，仅由碲所形成的记录层在该薄记录层中所含的碲由于氧化而增加其透射率时，其灵敏度会显著降低。这就是说，当仅由Te构成的记录层被氧化时，其熔化温度和蒸发温度会增加，同时，当它变得透明时，如光这样的能量吸收就会变小，其结果是需要大量能量来形成信息单元，所以，记录层的灵敏度会显著降低。例如，当形成在基体上的Te涂层被置于70℃且85%的相对温度（RH）时，其灵敏度在约5小时之内会降低20%，在25小时之内会降低50%。

为了解决以上所述的问题，已经有了各种防止Te涂层氧化的措施。其中已知的一种措施为，Te涂层被涂敷在具有稳定的无机物质的表面。尽管这种措施能有效地防止Te涂层的氧化，但还不能付诸于实际应用，因为使用这种要被涂敷的稳定的无机物质会在Te涂层上造成Te涂层灵敏度的下降，并且也是昂贵的。另一方面，人们也得知可在塑料的表面涂敷Te，但这种措施在防止Te涂层的氧化方面几乎无实际用处，其原因是塑料会使得氧或湿气较容易地渗透过物体，尽管塑料因其低的导热性而具有一定的优点，但在获得Te涂层的灵敏性方面是差的。

再者，人们又提出了一种技术，其目的在于通过在Te涂层中渗入C和H来防止作为记录层的Te涂层的氧化（日本专利公告33320/1984）

上述技术具有这样一种趋势，即：当C的含量降低时，记录层的耐氧化性仍然是不够的，并且，当C的含量增加以改善耐氧化性时，读出所记录信息时的C/N则会减少。

为解决上述问题，日本公开专利公报第63038/1984揭示了具有基本上由Te构成并另外又含有Cr的记录层的光记录体。如该公报中所述，人们已得知，当基本上由Te构成的记录层中含有Cr时，所生成的记录层的耐氧化能力之改善是与所说记录层中Cr的含量成比例的，因此就可延长具有上述记录层的光记录体的寿命。

然而，上述公报中所揭示的、具有基本上由Te构成且另外又含有Cr的记录体的光记录体存在着这样的缺点，即，当记录层中含有大量Cr时，其记录的灵敏度就下降。为此，从改善耐氧化能力和改善记录的灵敏度这一观点出发，目前通常的做法是，基本上由Te构成的记录层中所含的Cr的含量被确定为5-15%（重量，基于记录层中存在的Te），如上述所引用的日本公开专利公报第63038/1984中所 报道的。

但是，本发明者发现，具有Cr含量为5-15%（重量，基于Te）的Te记录层的光记录体与具有仅含Te的记录层的光记录体相比较，其记录的灵敏度仍然是低的。对于这种具有基本上由Te构成另外还含有Cr的记录层的光记录体，本发明者进行了锐意的研究，结果发现，具有基本上由Te构成另外还含有特定量的Cr、C和H的记录层的光记录体，其耐氧化能力增强了，而且，与具有含大量Cr的Te记录层的光记录体相比较，其记录的灵敏度也显著改善了，同时，记录幅度也扩大了。本发明者还发现，当其基体上具有基本上由Te构成且另外还含有Cr、C和H的记录层的光记录体接受热处理时，其记录灵敏度可得到进一步改善，而且其记录幅度被扩大了。

本发明是在以上所得的新技术信息之基础上完成的，本发明之目的是要提供这样一类光记录体，即它们的记录层的耐氧化能得到改善，尤其是高温和高湿度情况下的耐氧化能力得到改善，所说光记录体的寿命得到延长，同时，信息可通过使用小能量来记录，而且，记录灵敏度高且记录幅度宽。本发明还提供一类制造上述光记录体的方法。

为了达到上述目的，本发明的光记录体包括一基体和形成于其上的记录层，其中，通过能量束的辐照而形成相应于给定信息的信息单元来记录信息。

上述的记录层含有Te、Cr、C和H，其中Cr的比例（基于构成记录层的原子的总量）为0.1-40%（原子），而C的比例也为0.1-40%（原子）。

另一方面，本发明的光记录体同样含有一基体和形成于其上的记录层，其中记录层包括Te、Cr    C和H。Cr的比例（基于存在于记录层中的Te和Cr原子的总量）为0.1-60%（原子），而C的比例（基于存在于记录层中Te、Cr和C原子的总量）为1-40%（原子）。 按照本发明，由于光记录体的记录层是如此设计的，即它含有Te、Cr、C和H，因此该记录层改善了耐氧化能力，且光记录体的寿命也延长了。这种记录层能显著地改善其耐氧化能力，尤其是在高温度和高湿度的情况下当C的含量（基于存在于记录层中Te、Cr和C原子的总量）被调整到0.1-40%（原子）时的耐氧化能力得到了改善。再者，在本发明中，当记录层中的Cr的含量为低于传统的含有Cr的Te记录层时，例如所说的Cr含量为0.1-40%（原子）尤其在0.5-10%（原子）（基于存在于记录层的原子的总量）时，或Cr的含量为0.1-60%（原子）尤其为0.5-10%（原子）（基于存在于记录层中Te和Cr原子的总量）时，如此设计的本发明的记录层与含有大量Cr的传统的Te记录层相比较就具有优异的记录灵敏度。

再者，在一定的情况下可有效地阻止随记录层中C含量的增加时记录幅度变窄且C/N降低这样一种趋势，这就是C的含量（基于存在于记录层中的原子的总量或存在于记录层中的Te、Cr和C原子的总量）被减少至5%（原子）以下。

在本发明中，记录层中所含有的C的分布并不总是均匀的，但C可按这样一种方式被分布，即，离基体越远则C的含量越小。

为了达到上述本发明的目的，制造光记录体的方法包括，在基体上形成上述记录层，然后使如此形成的记录层接受热处理。

上述热处理最好是在70-300℃的温度下被进行至少5秒钟，更好为5秒-10小时，最好为5分钟-2小时。

根据制造本发明的光记录体的方法，形成在基体上的记录层需接受热处理，于是可发现形成在记录层上的信息单元在其形状上是均匀的，即使记录能的输出是不断地变化时也是如此，而记录幅度扩大了，同时，C/N改善了，而且，如此获得的光记录体的记录灵敏度也提 高了。

再者“记录幅度窄小”是指记录能输出的范围是窄的，以便在读出时获得高于预定值的C/N（该意义在后文也适用），换句话说，它是指，C/N是根据记录能输出的变化而变化的。又，C/N是被用作一种指数，以表示在读出所记录的信息时所产生的尖噪声之程度，且C/N值越高，则噪声越小。

以下，通过参照附图所示的方案来对本发明作详细的描述。

图1是本发明的光记录体的一个方案的截面示意图。

图2和图3是曲线图，它们显示了本发明光记录体和现有技术之光记录体之间在性能和效果上的差异。

图4是本发明的光记录体的另一方案的截面示意图。

如图1所示，光记录体10由基体11和形成在其上的记录层12组成。

用于制作基体11的材料可以为例如玻璃或铝这样的无机材料，也可以是有机材料，例如聚甲基异丁烯酸酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和聚碳酸酯的聚合物合金，无规聚烯烃（如美国专利说明书第4，614，778号所揭示的）、聚-4-甲基-1-戊烯、环氧树脂、聚醚砜、聚砜、聚醚酰亚胺、乙烯/四环癸烯共聚物等等。基体11的厚度应该能足以使其获得适当的刚度，例如，较好地为0.5-2.5mm，最好为1-1.5mm。

记录层12含有作为主要组分的Te，并另外还至少含有Cr、Cr和H，该记录层除了Te或其它组分之外还可含有低熔点元素。除了要被掺入该记录层12的Te之外的元素可包括Ti、Mn、Ni、Zr、Nd、Ta、Al、Pt、Sm、Bi、In、Se、Pb、Co、Si、Pd、Sn、Zn等。

该记录层12中所含的Cr的比例（基于记录层中所含的总原子数）为0.1-40%（原子），较好为0.5-10%（原子），最好为1-4%（原子），或者是0.1-60%（原子）、较好的为0.5-15%（原子），最好为1-6% （原子）（基于存在于记录层中的Te和Cr原子的总量）。其理由是，记录层12不会降低其记录的灵敏度，而记录层12的耐氧化能力得到了增强，在某些情况下，通过掺入上述范围的Cr可使记录的灵敏度得到提高。

从延长记录层的寿命和提高其记录灵敏度这样的角度来看，理想的是记录层12中的C含量是0.1-40%（原子），更好的为5-40%（原子），尤其是从增强其耐氧化能力这一立场出发，该含量较好的应为5-20%（原子），最好为5-10%（原子）（基于存在于记录层中的原子的总量），或者是5-40%（原子），较好是5-20%（原子），最好是5-10%（原子）（基于存在于记录层中的Te、Cr和C原子的总量）。通过按上述范围在记录层12中掺入C，就有可能增加其耐氧化能力，尤其是在高温和高湿度情况下不会降低其记录灵敏度。从增加其记录灵敏度和记录幅度而不怎么降低其耐氧化能力之立场出发，理想的是：记录层12中C的含量为0.1-5%（原子），最好为3-55（原子）（基于存在于记录层中的原子的总量），或者是0.1-5%（原子），最好是3-5%（原子）（基于存在于记录层中Te、Cr和C原子的总量）。通过按上述范围把C掺入到该记录层12中，就能够提高该记录层的记录灵敏度和记录幅度。

在本发明的另一种方案中，记录层中C的含量被设计成：离开基体表面越远则C的含量越少。即：基体侧的记录层中C的含量高于记录层外表面附近的C的含量，这种分布或者是连续性的或者是分阶段的，例如，使C形成含有2层或二层以上的多层膜。一种极端的情况是，记录层外表面附近的C含量可以是0。

为了获得延长寿命等效果，记录层12中H的含量应为5-40%（原子），最好为5-25%（原子）（基于存在于记录层中的原子的总量）。记录层12中所含元素的含量可由以下方式来确定：通过感应耦合等离子 体（ICP）发射光谱分析来测定金属元素（Te、Cr等），通过X-射线光电子光谱（XPS）和（ESCA）来测定C，通过有机元素分析来测定H。

在把信息记录在具有上述组成的记录层12时，可通过如下途径来实现对给定信息的理想记录;用例如激光束（根据要被记录的信息而调节的）这类能量束辐照该记录层并在记录层的被辐照了的区域上形成相应的信息单元。这种信息单元可以是那些经物理性处理的具有孔或凹状的部分，或者是记录层的其光学性质如折射率和反射率均已通过辐照而改变了的部分。

上述记录层12之厚度必须厚到能从那里获得足够的光反射之程度，同时，也必须薄到其灵敏度丝毫不受影响。具体地说，当物理性地变形的部分如孔被形成在记录层12时，记录层的膜厚应该为大约100

-1μm，更好为100-5000

，最好为150-500

。当光学性质变化了的那些部分被形成在记录层12上时，该记录层的膜厚就应是约100

-1μm，更好为100-5000

，最好为200-2000

。

记录层12可以按以下方式形成在基体11上。

首先，单个地被用作分离对阴极的Te和Cr或被用作一个对阴极的Te-Cr合金，在含有C和H如CH₄或C₂H₂和Ar气的有机气体的混合气体中接受磁控管溅镀。于是，由含有C和H的Te-Cr合金膜构成的记录层12被淀积在基体11上。也有可能不使用溅镀工艺，而通过使用CH气和处于等离子体的Te-Cr合金蒸气在该基体上形成由含有C和H的Te-Cr合金所构成的记录层12。再者，也可通过气相生长或等离子气相生长来形成记录层12。又，作为一个选择，Te、Cr、C和H原子总体的一部分可以经离子化作用而成为射线状态，从而被聚集在基体上。

当Te和Cr均为同时处于溅镀时，通过分别被施用在Te和Cr 上的电压;当Te和Cr被用作合金对阴极时，通过Te-Cr合金的组成可自由地控制由含有C和H的Te-Cr合金膜所构成的记录层12中所含的Te和Cr原子的比例。记录层12中所含的C和H的量可通过CH和Ar的混合比和所施用的电能来加以自由控制。在此情况下，Te-Cr合金膜最易稳定的H的量取决于这里所含的C的量。在本发明中，该合金膜中所含的H的量可以是任意选择的，但是该量不能大到在该膜中放出氢气（H₂）。记录层12的膜厚可被自由地控制，因为膜厚是与溅镀时间成比例的。

再者，如此设计的记录层12（记录层中的C含量在所述层的部分区域是离基体的表面越远则越低）可按下述方式被形成在基体上：使成膜操作后阶段上烃气的成膜气氛的浓度低于使用在成膜操作开始端（outset）的烃气浓度。该烃气的浓度可被连续地或分阶段地降低。

在如此形成的由含有C和H的Te-Cr合金膜所构成的记录层12中，其光学性质例如综合折射率和衰减系数可以因C和H的含量而不一样，当该记录层被用于信息记录之目的时，所述层的膜厚应根据原定目的所需的这些光学性质来确定。

在记录层形成时被掺入薄层成形装置的烃类包括甲烷、乙烷、乙炔等。通常，烃气与惰性气体一起被引入薄层成形装置。此时的惰性气体包括氦、氖、氩、氪、氮等，但在这些惰性气体中，氩为最可取。

在上述条件下形成的记录层12为无定形的，所以与仅由低熔点金属（例如Te）构成的记录层相比其耐氧化能力和记录灵敏度均有显著提高。

例如，通过实验已证实，在含有Cr、C和H的Te记录层中，在70℃和85%RH的条件下经过100小时之后，其反射率的变化随该层中所含的Cr的增加而变得更小，并且与仅由Te构成的记录层相比时，本发明的记录层之耐氧化性能得到了提高。

通过实验还证实，在本发明的记录层中，所需的能量输出较小且记录灵敏度得到了提高。

又，如图2所示，已经被证实，与具有含C和H的Te记录层这种传统的光记录体（图中的曲线B）相比较，本发明的记录体（图中曲线A）之C/N值实际上没有变化，只是记录能输出有一个微变V，并且本发明记录体有一较宽的记录幅度。

而且，如图3所示，还证实了：与具有含C和H的Te记录层的光记录体（如图中曲线B所示）相比较，本发明的光记录体（如图中曲线A所示）在静止时，其反射率无实际变化，其使用可靠性得到了提高。

在本发明中，按照上述方法在基体11上形成了记录层12之后，如果有必要，可使该记录层12在惰性气体、还原性气体或在含有氧的气氛中接受热处理。此时所用的热处理温度必须低于记录层中所含的Te的熔点，应该是70-300℃，最好是90-150℃。所采用的热处理时间应该至少为5秒钟，更好地为5秒-10小时，最好为5分-2小时。

在基体11上的该记录层12形成之后，按以上所述方法通过对该层的热处理，可改善所述记录层的记录灵敏度，同时，其记录幅度也改善了。这应归功于通过热处理将记录层结晶到了某一程度的缘故。

本发明不限于图1所示的实施例，且必须认为各种变化和修改均在本发明的精神和范围之内。

例如，如图4所示，内层13可被层压在基体11和记录层12之间。此时所用的内层13包括如：氟化镁（Mg F₂）这样的氟化物膜、氧化硅（SiO₂，SiO）或氮化硅（Si₃N₄）这样的硅化合物膜、由Ti、Ni、Cr、Al和Ni-Cr组成的金属膜、聚四氟乙烯（PTFE）膜这样的氟代碳氢化合物膜和/或其聚合物膜，以及Cr-C -H膜（含有Cr、C和H的膜）。尽管该膜厚是根据用作内层的材料而变化的，内层13通常具有10-1000

的膜厚，最好为50-500

。借助上述膜厚，以上例证的这些内层可保持其透明度，同时，可以展示出该内层13的各种特性。

该内层13可按照与记录层12相同的方式通过磁控管溅镀、气相生长、等离子体气相生长、真空蒸镀或旋涂等工艺被形成在基体11的表面上。

当内层13被设在基体11和记录层12之间时，这在某些情况下会进一步扩大其记录幅度。

根据本发明，表面层可被形成在图1和4所示的光记录体10的记录层12的表面。用于形成该表面层的材料包括，构成记录层的这些元素、Si、Ti等的氧化物、氮化物及金属。尽管膜厚可根据用于形成该膜的材料进行变化，但该表面层的膜厚一般为5-100

，最好为10-50 。

以下将参照具体例子对本发明进行描述，但这应该被解释为：本发明丝毫不受这些实施例的限制。

实施例1.

对一真空容器抽真空后，引入氩气和CH₄，容器中的内压为6×10^-3Torr（Ar/CH₄＝2/8∶气流比）。然后在该容器中对均被用作对阴极的Te和Cr同时进行溅镀，而对施加在每一对阴极上的电压进行控制，于是获得了由Te₅₃Cr₂C₁₅H₃₀组成的层。

实施例2

重复实施例1的程序，所不同的是使用Ar/CH₄＝8/2之比率的气流来获得由Te₈₀Cr₃C₆H₁₁组成、膜厚为240

的记录层。

实施例3

重复实施例1的程序，所不同的是使用Ar/CH₄＝8/2之比率的气 流，从而获得由Te₈₂Cr₁C₆H₁₁组成、膜厚为220

的记录层。

比较例1.

重复实施例1的程序，所不同的是使用Ar/CH₄＝9/1之比率的气流和Te对阴极，从而获得由Te₈₉C₄H₇组成、膜厚为250

的记录层。

参考例1

重复实施例1的程序，所不同的是仅使用氩气作为被引入真空容器的气体，从而获得由Te₉₇Cr₃组成、膜厚为250

的记录层。

实施例4-6

在N₂气氛中于100℃的温度下对实施例1-3中获得的记录层分别进行热处理20分钟。

实施例7

在对真空容器抽真空之后，把Ar气和CH₄引入该容器，容器的内压被控制在6×10^-3Torr（Ar/CH₄＝9/1气流比）。然后在该容器中，用作对阴极的Te和Cr被同时溅镀，而对施加到每一对阴极上的电压加以控制，从而获得由Te₈₇Cr₂C₄H₄所组成的层。

实施例8

重复实施例7的程序，所不同的是使膜厚为290

，于是获得由Te₈₇Cr₂C₄H₇组成的记录层。

实施例9-10

使实施例7-8中得到的记录层分别在N₂气氛且100℃下接受热处理达20分钟。

实施例11

重复实施例7的程序，所不同的是使用Te₉₇Cr₃合金对阴极并且使气流比率为Ar/CH₄＝9/1，从而获得由Te₈₇Cr₂C₄H₇所组成的、膜厚为230

的记录层。然后，按照与实施例9-10相同的方法使该记录层接受热处理。

实施例12

对真空容器抽真空后，把Ar气和CH₄气引入该容器，并且使容器的内部压力为6×10^-3Torr（Ar/CH₄＝9/1∶气流比）。然后，在该容器内对用作对阴极的Te和Cr同时进行溅镀，而对施加到每一对阴极上的电压加以控制，从而获得含有Te、Cr、C和H的记录层，所述记录层中Te、Cr和C的原子比，可由化学式（Te_98.8Cr_1.2）₉₆C₄来表示。

实施例13

重复实施例12的程序，所不同的是使膜厚为290 ，从而获得含有Te、Cr、C和H的记录层，所述记录层中Te、Cr和C原子的比例可由化学式（Te₉₈Cr₂）₉₆C₄来表示。

实施例14

重复实施例12的程序，所不同的是使膜厚为260

，从而获得含有Te、Cr、C和H的记录层，所述记录层中Te、Cr、和C的原子比例由化学式（Te_96.8Cr_3.2）₉₆C₄来表示。

实施例15

重复实施例12的程序，所不同的是使膜厚为230

，从而获得含有Te、Cr、C和H的记录层，所述记录层中Te、Cr、C的原子比例可由化学式（Te₉₂Cr₈）₉₈C₂来表示。

实施例16

重复实施例12的程序，所不同的是使用Te₉₇Cr₃合金对阴极并使膜厚为230

，从而获得含有Te、Cr、C和H的记录层，记录层中Te、Cr和C的原子比例可由化学式（Te_97.5Cr_2.5）₉₆C₄来表示。

实施例17

重复实施例12的程序，所不同的是使用Te₉₄Cr₆合金对阴极并使膜厚为250

，从而获得含有Te、Cr、C和H的记录层，记录层 中Te、Cr、C的原子比例可由化学式（Te_95.1Cr_4.9）₉₈C₂来表示。

实施例18-23

在N₂气氛中于100℃的温度下对实施例12-17中获得的记录层分别进行热处理达20分钟。

实施例24

在对真空容器抽真空之后，把Ar气和CH₄引入该容器，使容器中的内压为6×10^-3Torr（Ar/CH₄＝2/8;气流比）。然后对用作该容器中对阴极的Te和Cr同时进行溅镀，并对施加到每一对阴极的电压进行控制，从而在无规聚烯烃基体上获得含有Te₅₃Cr₂C₁₅H₃₀的厚度为60

的层，接着，重复上述程序，但使气流比为Ar/CH₄＝8/2，于是在上述层上形成含有Te₈₁Cr₂C₆H₁₁的第二层。最后得到由以上所得的2层所构成、总膜厚为260 的记录层。

实施例25

重复实施例24的程序，从而获得含有Te₅₃Cr₂C₁₅H₃₀的膜厚为100

的层。然后在该层上形成含有Te₅₃Cr₂C₁₅H₃₀的第二层，从而获得由以上所得的二层所构成、总膜厚为260

的记录层。

实施例26

重复实施例24的程序，从而形成含有Te₅₃Cr₂C₁₅H₃₀的膜厚度为100 的层。然后按照与以上同样的程序（但是使气流比为Ar/CH₄＝9/1），在该层上获得含有Te₈₇Cr₂C₄H₇的层，于是，获得总膜厚为320 的Te-Cr-C-H记录层。

实施例27

重复实施例24的程序，获得了含有Te₅₃Cr₂C₁₅H₃₀的膜厚为100

的层。然后在该层上，按照与上述相同的方法（但仅使用Ar气）形成了含有Te₉₅Cr₄的第二层。最后获得了由以上所得两层所构成、总膜厚为250

的记录层。

实施例28

在100℃的温度下，对实施例27中获得的记录层进行热处理达20分钟。

比较例2

通过使气流比为Ar/CH₄＝9/1和使用Te对阴极，从而获得了含有Te₈₇C₄H₇且膜厚为250

的记录层。

实施例29

对真空容器抽真空之后，引入Ar气，使该容器的内压力为6×10^-3Torr。在该容器中，对用作对阴极的聚四氟乙烯进行溅镀，从而在无规聚烯烃的表面形成膜厚约为300

的内层。然后，在该容器中引入Ar气和CH₄气，并在这里对用作对阴极的Te₉₇Cr₃合金进行溅镀，而对施加在对阴极上的电压和溅镀时间进行控制，最后获得含有Te₈₇Cr₂C₄H₇且膜厚为200

的记录层。

实施例30

重复实施例29的程序，所不同的是使用SiO₂作为溅镀对阴极以形成内层，使内层的膜厚为约250 ，并使要被形成在所述内层上的记录层的膜厚为大约240

，于是在该内层上获得记录层。

实施例31

重复实施例29的程序，所不同的是使用Ti作为溅镀对阴极以形成内层，使内层的膜厚为约100

，使要被形成在所述内层上的记录层的膜厚为约240A，从而在内层上获得记录层。

实施例32

重复实施例29的程序，所不同的是把Si₃N₄用作溅镀对阴极以形成内层，使内层的膜厚为约500

，使要被形成在所述内层上的记录层的膜厚为约240 ，于是在内层上获得记录层。

实施例33

重复实施例29的程序，所不同的是把MgF₂用作溅镀对阴极以形成内层，使内层的膜厚为约200

，使要被形成在所说内层上的记录层的膜厚为约240

，从而在内层上获得记录层。

实施例34

在对真空容器抽真空之后，引入Ar气和CH₄气，使该容器内的压力为6×10^-3Torr（Ar/CH₄＝5/5∶气流比）。在该容器中，对用作对阴极的Cr进行溅镀，从而在无规聚烯烃的基体上形成由Cr-C-H层构成的、膜厚为约50

的内层。然后在该容器内引入Ar和CH₄并重复了与实施例29中相同的程序，最后在内层上获得含有Te₈₇Cr₂C₄H₇的、膜厚为约230

的记录层。

实施例35

重复实施例34的程序，所不同的是使Cr-C-H层的膜厚度为大约130

，从而在该内层上形成记录层。

实施例36

在100℃且氮气氛中对实施例35中获得的光记录体进行热处理达20分钟。

实验结果

（1）按1800rpm的速率对光记录体的圆片进行旋转、并用3.7MH频率的激光束进行辐照，从而检验记录特性。这里所使用的C/N最大意在于显示当激光能变化时的C/N最大值。记录灵敏度意在于显示当C/N最大×0.9＜C/N时激光能的最小值。

实施例1-6中获得的结果分别显示在表1。实施例7-23中获得的结果分别显示在表3。实施例24-28中获得的结果分别显示在表5。实施例29-36中获得的结果分别显示在表7。

（2）将光记录体盘片在70℃及85%RH的条件下放置500小时后测定的反射率R与初始反射率R₀作比较，从而可测出反射率的百分变化。

实施例6中获得的结果被显示在表2。实施例9和18中获得的结果显示在表4。实施例24和28中获得的结果显示在表6。实施例36中获得的结果显示在表8。

Claims (7)

1、一种包括基体和记录层的光记录体，其特征在于，在该基体与记录层之间有形成于基体之上的内层，该记录层形成于内层之上，其中记录层被能量束辐照以在其上形成相应于给定信息的信息单元，从而记录该信息，所述记录层含有Te作为主要成分，另含有Cr、C和H，且该记录层中基于构成该记录层的原子总量计算的Cr的含量比例为0.1-40%(原子)，C的这一比例为0.1-40%(原子)，H的这一比例为5-40%(原子)。

2、一种包括基体和记录层的光记录体，其特征在于，在该基体与记录层之间有形成于基体之上的内层，该记录层形成于内层之上，其中记录层被能量束辐照以在其上形成相应于给定信息的信息单元，从而记录该信息，所述记录层含有Te作为主要成分，另含有Cr、C和H，该薄层中基于记录层所含的Te和Cr原子的总量计算的Cr的含量比例为0.5-15%，该记录层中，基于记录层中的Te、Cr和C原子总量的C的含量比例为0.1-40%（原子），而该记录层中，基于构成该记录层的原子总量计算的H的含量比例为5-40%（原子）。

3、根据权利要求1所述的光记录体，其特征在于，其中，基于构成该记录层的原子总量计算的C含量比例为5-40%（原子）。

4、根据权利要求2所述的光记录体，其特征在于，其中基于该记录层中所含的Te、Cr和C原子总量计算的C含量比例为5-40%（原子）。

5、根据权利要求1所述的光记录体，其特征在于，其中，基于构成该记录层的原子总量计算的C含量比例为0.1-5%（原子）。

6、根据权利要求2所述的光记录体，其特征在于，其中，基于该记录层中所含的Te、Cr和C原子总量计算的C含量比例为0.1-5%（原子）。

7、根据权利要求1-6任一项所述的光记录体，其特征在于，其中，所述的内层是从氟化物或硅化合物层、金属层、氟代碳氢化合物和/或它们的聚合物层以及Cr-C-H层中挑选的至少一种薄层。

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