CN102031107B - 一种深红色发光材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种深红色发光材料,其组成式为:Mg4-aZnaGe1-bMb(O1-c+F2c)6:dMn,其中M为Si,Sn中至少一种,0.1≤a≤1.0,0.001≤b≤0.5,0.001≤c≤0.1,0.001≤d≤0.1。其制备方法包括以下步骤:将原料混合均匀,装入坩埚,在1000~1300℃下高温灼烧1~4小时;将烧结物破碎、研磨、过筛;加入助熔剂,混合研磨均匀;将研磨均匀的物料,在900~1100℃再次灼烧3~12小时;破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。本发明方法制备的红色发光材料,性能稳定,发光强度高。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光材料及其制备方法,特别涉及一种深红色发光材料及其制备方法。
背景技术
随着生活水平的不断提高,人们对照明光源的品质要求也越来越高,照明光源的显色性越来越受到重视。在一些特种行业及场所,对照明光源的显色性要求更加严格。例如印染业、彩色印刷业所使用的荧光灯,不仅要求一般显色指数Ra>95,而且R9~R14各特殊显色指数也要求>90。另外有一些地区对R9(饱和红色)要求其≥45。因此,提光源的显色性,开发高显色性光源不仅具有重要的意义也有很好的市场前景。
光源的显色性取决于其发射光谱。白炽灯和日光光谱由于在380~780nm可见光范围内连续都有辐射,显色指数很高,Ra可达100。而其他光源由于缺少某些范围光谱的发射,显色指数Ra达不到100。例如现在广泛应用的三基色荧光灯中,缺少480~520nm的蓝绿光及>620nm的红光发射,而公认的继白炽灯、荧光灯之后的下一代照明光源白光LED固态照明光源也存在需要提高显色指数的问题。
研究表明:要提高光源显性,需要增加荧光粉发射光谱中480~520nm蓝绿光及>620nm的红光。20世纪80年代以来人们开展了许多研究,已开发出多种红色发光材料,如CN200910155305.9、CN200910309902.2、CN200910218693.0等,公开了各种不同组成的红色发光材料,在这些文件中,同时公开了各种不同的制备方法,得到的发光材料也各不相同。
发明内容
本发明的目的在于提供一种深红色发光材料及其制备方法。
本发明所采取的技术方案是:
一种深红色发光材料,其组成式为:Mg4-aZnaGe1-bMb(O1-c+F2c)6:dMn,其中M为Si,Sn中至少一种,0.1≤a≤1.0,0.001≤b≤0.5,0.001≤c≤0.1,0.001≤d≤0.1。
上述深红色发光材料的制备方法,包括以下步骤:
1) 将原料混合均匀,装入坩埚,在1000~1300℃下高温灼烧1~4小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入助熔剂,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在900~1100℃再次灼烧3~12小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
优选的,助熔剂的添加量为过筛物总质量的0.1~5%,助熔剂为NH4F。
本发明的深红色发光材料,在200~450nm紫外—蓝光宽激发带有效地激发,并发射620~700nm的深红色光。用于荧光灯,可吸收部分汞的可见谱线,也增加了波长大于620nm的深红色光谱,提高了灯的显色指数,特别能提高R9(饱和红色)。应用于蓝光、近紫外光LED上,结合其他荧光粉可得到白光LED,也可有效地提高白光LED的显色性。
本发明方法制备的红色发光材料,性能稳定,发光强度高。
附图说明
图1为实施例1的样品的XRD粉末衍射图。
图2为实施例1的样品的激发光谱。
图3为实施例1的样品的发射光谱。
具体实施方式
一种深红色发光材料,其组成式为:Mg4-aZnaGe1-bMb(O1-c+F2c)6:dMn,其中M为Si,Sn中至少一种,0.1≤a≤1.0,0.001≤b≤0.5,0.001≤c≤0.1,0.001≤d≤0.1。
上述深红色发光材料的制备方法,包括以下步骤:
1) 将原料混合均匀,装入坩埚,在1000~1300℃下高温灼烧1~4小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入助熔剂,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在900~1100℃再次灼烧3~12小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
优选的,助熔剂的添加量为过筛物总质量的0.1~5%,助熔剂为NH4F。
下面结合实施例,进一步说明本发明。
实施例1
发光材料的组成式为:Mg3.9Zn0.1Ge0.9M0.1(O0.9+F0.2)6:0.02Mn
1) 按发光材料的组成称取原料,混合均匀,装入坩埚,于1200℃下灼烧3小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入过筛物总质量1%的助熔剂NH4F,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在1000℃再次灼烧10小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
实施例2
发光材料的组成式为:Mg3.5Zn0.5Ge0.999M0.001(O0.999+F0.002)6:0.01Mn
1) 按发光材料的组成称取原料,混合均匀,装入坩埚,于1100℃下灼烧4小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入过筛物总质量5%的助熔剂NH4F,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在1000℃再次灼烧8小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
实施例3
发光材料的组成式为:Mg3Zn1Ge0.9M0.1(O0.9+F0.2)6:0.01Mn
1) 按发光材料的组成称取原料,混合均匀,装入坩埚,于1150℃下灼烧3小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入过筛物总质量2%的助熔剂NH4F,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在900℃再次灼烧12小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
实施例4
发光材料的组成式为:Mg3.8Zn0.2Ge0.5M0.5(O0.9+F0.2)6:0.02Mn
1) 按发光材料的组成称取原料,混合均匀,装入坩埚,于1300℃下灼烧1小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入过筛物总质量0.5%的助熔剂NH4F,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在950℃再次灼烧12小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
实施例5
发光材料的组成式为:Mg3.9Zn0.1Ge0.99M0.01(O0.9+F0.2)6:0.015Mn
1) 按发光材料的组成称取原料,混合均匀,装入坩埚,于1100℃下灼烧3小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入过筛物总质量2%的助熔剂NH4F,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在1000℃再次灼烧4小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
图1为实施例1的样品的XRD粉末衍射图;图2为实施例1的样品的激发光谱;图3为实施例1的样品的发射光谱。从图中可以看出本发明的荧光粉发射峰宽窄,发光性能好。其他实施例的荧光粉,其性能与实施例1的较为接近,发光性能同样较为优越。
本发明的深红色发光材料,在200~450nm紫外—蓝光宽激发带有效地激发,并发射620~700nm的深红色光。用于荧光灯,可吸收部分汞的可见谱线,也增加了波长大于620nm的深红色光谱,提高了灯的显色指数,特别能提高R9(饱和红色)。应用于蓝光、近紫外光LED上,结合其他荧光粉可得到白光LED,也可有效地提高白光LED的显色性。
本发明方法制备的红色发光材料,性能稳定,发光强度高。
Claims (3)
1.一种深红色发光材料,其组成式为:Mg4-aZnaGe1-bMb(O1-c+F2c)6:dMn,其中M为Si,Sn中至少一种,0.1≤a≤1.0,0.001≤b≤0.5,0.001≤c≤0.1,0.001≤d≤0.1,其制备方法包括如下步骤:
1) 将原料混合均匀,装入坩埚,在1000~1300℃下高温灼烧1~4小时;
2) 将烧结物破碎、研磨、过筛;
3) 加入助熔剂,混合研磨均匀;
4) 将研磨均匀的物料,在900~1100℃再次灼烧3~12小时;
5) 破碎、洗涤、烘干,得到发光材料。
2.根据权利要求1所述深红色发光材料,其特征在于:助熔剂的添加量为过筛物总质量的0.1~5%。
3.根据权利要求1所述深红色发光材料,其特征在于:助熔剂为NH4F。
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CN1885581A (zh) * | 2005-06-22 | 2006-12-27 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置 |
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Temperature measurements of microhotplates using fluorescence thermometry;C.W. Meyer et al.;《Sensors and Actuators A》;20051003;第127卷;第235-240页 * |
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