CN102025103A - 搭载部件以及具有该搭载部件的半导体激光器装置 - Google Patents

Abstract

提供一种搭载部件，其设有受光元件，可以抑制大型化、并且可以将多个激光器元件部靠近配置。该搭载部件具有：分别包括在第一方向上排列的元件搭载部的三个以上的电极以及在元件搭载部的与第一方向交叉的第二方向侧配置的受光元件。三个以上的元件搭载部中的在第一方向的两端配置的元件搭载部的至少一个的第二方向的长度，小于三个以上的元件搭载部中的在第一方向的内侧配置的元件搭载部的第二方向的长度。

Description

搭载部件以及具有该搭载部件的半导体激光器装置

技术领域

本发明涉及一种搭载部件以及具有该搭载部件的半导体激光器装置，尤其涉及一种设置有多个电极的搭载部件以及具有该搭载部件的半导体激光器装置。

背景技术

目前公知一种设有多个电极的搭载部件(例如，参照日本特开2004-55744号公报)。

在上述日本特开2004-55744号公报中公开一种半导体激光器装置，其具有：在规定的方向上排列的三个半导体激光器元件；以及设有分别搭载三个半导体激光器元件的三个电极的块(搭载部件)。

在块上，在半导体激光器元件的里面射出侧(后端面侧)的部分设有用于监测半导体激光器元件的光输出的光电二极管(photodiode)(受光元件)。因此，在该半导体激光器装置中，与另外设置用于监测半导体激光器元件的光输出的光电二极管的情况相比，可以简化构造，并且可以抑制装置大型化。

此外，块的各电极包括：搭载半导体激光器元件的元件搭载部；以及与元件搭载部连接且结合(bonding)导电线的部分(配线部)。

并且，在三个电极中，中央的电极的结合导电线的部分形成在中央的电极的元件搭载部和与一方侧相邻的电极的元件搭载部之间。因此，很难使中央的电极的元件搭载部和与一方侧相邻的电极的元件搭载部接近配置，并且很难使三个半导体激光器元件中的中央的半导体激光器元件和一方侧的半导体激光器元件接近配置。其结果是产生如下不便：即，很难将半导体激光器元件射出的光照射的透镜等光学部件在三个半导体激光器元件上共用。

为了改善该不便，提出一种半导体激光器装置，其使中央的电极的结合导电线的部分向与半导体激光器元件的排列方向正交的方向突出(例如，参照日本特开2009-27149号公报)。

在上述日本特开2009-27149号公报中，公开一种半导体激光器装置，其具有：在规定的方向上排列的三个半导体激光器元件(激光器元件部)；以及搭载三个半导体激光器元件的基台。

在基台上设有分别搭载三个半导体激光器元件的三个电极层。各电极层包括：搭载半导体激光器元件的元件搭载部以及与元件搭载部连接且结合Au线的区域(配线部)。并且，三个电极层中的中央的电极层的结合Au线的区域从元件搭载部向与半导体激光器元件的光射出面相反方向突出形成。

因此，在该半导体激光器装置中，可以将中央的电极层的元件搭载部和相邻的电极层的元件搭载部接近配置，并且可以将三个半导体激光器元件接近配置。由此，可以将从半导体激光器元件射出的光所照射的透镜等光学部件在三个半导体激光器元件共用。

但是，在上述日本特开2009-27149号公报中，与上述日本特开2004-55744号公报不同，在基台上没有设置用于监视半导体激光器元件(激光器元件部)的光输出的受光元件。因此，上述日本特开2009-27149号公报由于需要另外设置用于监测半导体激光器元件的光输出的受光元件，所以很难简化构造，并且存在装置大型化的问题点。

此外，虽然可以考虑在上述日本特开2009-27149号公报的基台(搭载部件)上形成上述日本特开2004-55744号公报的光电二极管(受光元件)，但是由于需要将中央的电极层的结合Au线的区域形成为从元件搭载部朝向与半导体激光器元件的光射出面相反的方向(光电二极管侧)突出，所以在元件搭载部和光电二极管之间配置中央的电极层的结合Au线的区域。因此，由于元件搭载部和光电二极管之间的距离变大，所以存在很难抑制基台大型化的问题点。

发明内容

本发明为了解决上述那样的问题而提出，本发明的目的在于提供一种搭载部件以及具有该搭载部件的半导体激光器装置，其设有受光元件，可以抑制大型化，并且可将多个激光器元件部接近配置。

为了实现上述目的，本发明的第一方式的搭载部件搭载第一半导体激光器元件和第二半导体激光器元件，所述第二半导体激光器元件是单片(monolithic)型的多波长半导体激光器元件，

所述搭载部件具有：

分别包括在第一方向上排列的元件搭载部的三个以上的电极；以及

相对于元件搭载部在与第一方向交叉的第二方向侧配置的受光元件，

三个以上的元件搭载部中的、在第一方向的两端配置的元件搭载部的至少一个的在第二方向的长度，小于三个以上的元件搭载部中的、在第一方向的内侧配置的元件搭载部的在第二方向的长度，

包括内侧配置的元件搭载部的电极包括配线部，所述配线部与内侧配置的元件搭载部连接，并且所述配线部相比于两端配置的元件搭载部的至少一个延伸到第一方向的外侧。

在该第一方式的搭载部件中，如上述那样，在元件搭载部的第二方向的部分设置受光元件。由此，与独立于搭载部件另外设置受光元件的情况相比，可以简化半导体激光器装置的构造，并且可以抑制装置大型化。

此外，在第一方式的搭载部件中，如所述那样，使三个以上的元件搭载部中的、在第一方向的两端配置的元件搭载部的至少一个的在第二方向的长度，小于三个以上的元件搭载部中的、在第一方向的内侧配置的元件搭载部的在第二方向的长度，在包括内侧配置的元件搭载部在内的电极上设置配线部，配线部相比于两端配置的元件搭载部的至少一个延伸到第一方向的外侧。由此，由于不需要将配线部配置在元件搭载部彼此之间，所以可以将三个以上的元件搭载部靠近配置。因此，可以将第一半导体激光器元件的激光器元件部以及第二半导体激光器元件的激光器元件部靠近配置。由此，可以将从第一半导体激光器元件以及第二半导体激光器元件射出的光所照射的透镜等光学部件在第一半导体激光器元件以及第二半导体激光器元件共用。其结果是，可以抑制光学部件等零件件数的增加，并且可以抑制装置大型化。

此外，在第一方式的搭载部件中，如上述那样，使两端配置的元件搭载部的至少一个的在第二方向的长度小于内侧配置的元件搭载部的在第二方向的长度。由此，不会使配线部从内侧配置的元件搭载部向第二方向突出，并且在不与两端配置的元件搭载部接触的状况下，相比于两端配置的元件搭载部的至少一个，能够将配线部形成到第一方向的外侧。这样，由于不需要使配线部从元件搭载部向第二方向突出，所以可以抑制元件搭载部和受光元件之间的距离变大。由此，可以抑制搭载部件大型化。

在上述第一方式的搭载部件中，优选的是，在配线部中的、两端配置的元件搭载部的至少一个的在第二方向的部分设有元件搭载区域，在元件搭载区域上设有绝缘层。只要这样构成，由于可以抑制配线部与在第一半导体激光器元件或者第二半导体激光器元件的元件搭载区域上配置的部分电连接，所以可以将配线部配置成通过第一半导体激光器元件以及第二半导体激光器元件的激光器元件部的至少一个的下方。

在上述配线部设有元件搭载区域的搭载部件上，优选在元件搭载区域和绝缘层之间设有第一粘接层。只要这样构成，就可以容易提高配线部的元件搭载区域和绝缘层的粘接强度。

在上述第一方式的搭载部件中，优选的是在元件搭载部上设有导电性粘接层。这样，在搭载部件的元件搭载部上通过预先设置导电性粘接层，可以简化将第一半导体激光器元件以及第二半导体激光器元件搭载在搭载部件上时的制造工艺。

在上述元件搭载部上设有导电性粘接层的搭载部件中，优选的是在配线部中的、两端配置的元件搭载部的至少一个的在第二方向的部分设有元件搭载区域，在元件搭载区域上设有绝缘层，导电性粘接层的一部分也配置在绝缘层上，在绝缘层和导电性粘接层之间设有第二粘接层。这样，通过在配线部的元件搭载区域上设置绝缘层，可以抑制配线部与在第一半导体激光器元件或者第二半导体激光器元件的元件搭载区域上配置的部分电连接，因此，可以将配线部配置成通过第一半导体激光器元件以及第二半导体激光器元件的激光器元件部的至少一个的下方。

此外，通过在绝缘层和导电性粘接层之间设置第二粘接层，可以容易提高绝缘层和导电性粘接层的粘接强度。

在上述第一方式的搭载部件中，优选的是在内侧配置的元件搭载部以及在两端配置的元件搭载部的一个上分别搭载第二半导体激光器元件的激光器元件部，两端配置的元件搭载部的一个的在第二方向的长度小于内侧配置的元件搭载部的在第二方向的长度，配线部形成为相比于两端配置的元件搭载部的一个延伸到第一方向的外侧。只要这样构成，由于不需要减小搭载第一半导体激光器元件的元件搭载部的第二方向的长度，所以可以抑制搭载部件和第一半导体激光器元件的粘接强度下降。并且，即使两端配置的元件搭载部的一个的在第二方向的长度相比于内侧配置的元件搭载部或搭载第一半导体激光器元件的元件搭载部的在第二方向的长度变小，由于第二半导体激光器元件不仅粘接于两端配置的元件搭载部的一个，也粘接于内侧配置的元件搭载部，所以可以充分确保搭载部件和第二半导体激光器元件的粘接强度。

在上述第一方式的搭载部件中，优选的是包括内侧配置的元件搭载部在内的电极的在第二方向的长度，与内侧配置的元件搭载部的在第二方向的长度大致相同。只要这样构成，配线部由于不从内侧配置的元件搭载部向第二方向突出，所以可以进一步抑制元件搭载部和受光元件的距离变大。

在上述第一方式的搭载部件中，优选的是搭载部件还具有第一导电型的半导体基板，所述第一导电型的半导体基板在表面上形成三个以上的电极，受光元件是通过在半导体基板中的、元件搭载部的第二方向的部分设置第二导电型的区域而形成的。只要这样构成，就可以容易地在搭载部件上设置受光元件。

在上述第一方式的搭载部件中，优选的是通过倒装方式搭载第一半导体激光器元件和第二半导体激光器元件。只要这样构成，由于可以将第一半导体激光器元件的激光器元件部以及第二半导体激光器元件的激光器元件部接近搭载部件的表面配置，所以即使在将受光元件靠近元件搭载部配置的情况下，也可以使从第一半导体激光器元件以及第二半导体激光器元件射出的光容易射入受光元件。

本发明的第二方式的半导体激光器装置具有：

搭载部件；

在搭载部件上搭载的第一半导体激光器元件；以及

搭载在搭载部件上，并且是单片型的多波长半导体激光器元件的第二半导体激光器元件，

搭载部件包括：

分别包括在第一方向上排列的元件搭载部的三个以上的电极；以及

相对于元件搭载部在与第一方向交叉的第二方向侧配置的受光元件，

三个以上的元件搭载部中的、在第一方向的两端配置的元件搭载部的至少一个的在第二方向的长度，小于三个以上的元件搭载部中的、在第一方向的内侧配置的元件搭载部的在第二方向的长度，

包括内侧配置的元件搭载部在内的电极包括配线部，配线部与内侧配置的元件搭载部连接，并且配线部相比于两端配置的元件搭载部的至少一个延伸到第一方向的外侧。只要这样构成，就可以得到设有受光元件，能够抑制大型化、并且可将多个激光器元件部靠近配置的半导体激光器装置。

附图说明

图1是表示本发明一实施方式的具有辅助架的三波长半导体激光器装置的构造的立体图；

图2是表示图1所示的本发明一实施方式的具有辅助架的三波长半导体激光器装置的构造的图；

图3是表示图1所示的本发明的一实施方式的辅助架的构造的立体图；

图4是表示除去图1所示的本发明的一实施方式的辅助架的焊锡层以及绝缘层的构造的立体图；

图5是表示除去图1所示的本发明的一实施方式的辅助架的焊锡层的构造的立体图；

图6是表示图1所示的本发明的一实施方式的辅助架的绝缘层周边的构造的放大剖面图；

图7是用于说明本发明的第一变形例的辅助架的构造的立体图；

图8是用于说明本发明的第二变形例的辅助架的构造的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。

参照图1～图6，对于本发明的一实施方式的具有辅助架(sub-mount)50的三波长半导体激光器装置1的构造进行说明。并且，三波长半导体激光器装置1是本发明的“半导体激光器装置”的一例。

本发明的一实施方式的三波长半导体激光器装置1，如图1所示，具有：蓝紫色半导体激光器元件10；二波长半导体激光器元件20；以及通过倒装(junction down)方式搭载蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20的辅助架50。其中，蓝紫色半导体激光器元件10是本发明的“第一半导体激光器元件”的一例，二波长半导体激光器元件20是本发明的“第二半导体激光器元件”的一例。此外，辅助架50是本发明的“搭载部件”的一例。

如图2所示，蓝紫色半导体激光器元件10和二波长半导体激光器元件20在宽度方向(X方向)上相邻配置。此外，蓝紫色半导体激光器元件10在二波长半导体激光器元件20的X方向的一方侧(X1方向侧)上配置。并且，X方向是本发明的“第一方向”的一例。

蓝紫色半导体激光器元件10具有射出例如约405nm带的波长的激光(蓝紫色的激光)的功能，用于BD(Blu-ray Disc(登录商标))的记录、再生等。

此外，蓝紫色半导体激光器元件10包括：半导体基板11；半导体层12，其形成在半导体基板11的主面11a上；电极层13，其形成在半导体层12上并具有数μm的厚度；以及电极层14，其形成在半导体基板11的背面上。并且，通过半导体层12和电极层13构成半导体激光器元件部10a。

在半导体层12上形成有在与X方向正交的方向(Y方向(参照图1))上延伸的光波导(未图示)。该光波导的前端部(Y1方向(参照图1)的端部)成为射出激光的光射出部(未图示)。此外，光波导的后端部(Y2方向(参照图1)的端部)成为射出激光的一部分的光射出部12a。并且，从光射出部12a射出的激光与从前端侧(Y1方向)的光射出部射出的激光相比，输出低，用于监测蓝紫色半导体激光器元件10的光输出。此外，Y方向是本发明的“第二方向”的一例。

电极层13配置在辅助架50的后述的电极52上。

此外，在电极层14上结合未图示的Au线。

二波长半导体激光器元件20是单片型的二波长(多波长)半导体激光器元件，其包括：半导体基板21；在半导体基板21的主面21a上的规定区域设置的红色半导体激光器元件部30以及红外半导体激光器元件部40；以及在半导体基板21的背面上形成的共用电极层22。并且，红色半导体激光器元件部30以及红外半导体激光器元件部40是本发明的“激光器元件部”的一例。

红色半导体激光器元件部30具有射出例如约660nm带的波长的激光(红色的激光)的功能，用于DVD(Digital Versatile Disc)的记录、再生等。红外半导体激光器元件部40具有射出例如约785nm带的波长的激光(红外的激光)的功能，用于CD(Compact Disc)的记录、再生等.

此外，红色半导体激光器元件部30形成于半导体基板21的主面21a上的X方向一方侧(X1方向侧)的部分，红外半导体激光器元件部40形成于半导体基板21的主面21a上的X方向另一方侧(X2方向侧)的部分。此外，红色半导体激光器元件部30以及红外半导体激光器元件部40在X方向上隔开规定的间隔配置。

此外，红色半导体激光器元件部30包括半导体层31以及电极层32，电极层32形成在半导体层31上并具有数μm的厚度。

在半导体层31上形成有在Y方向上(参照图1)延伸的光波导(未图示)。该光波导(光導波路)的前端部(Y1方向(参照图1)的端部)成为射出激光的光射出部(未图示)。此外，光波导的后端部(Y2方向(参照图1)的端部)成为射出激光的一部分的光射出部31a。并且，从光射出部31a射出的激光与从前端侧(Y1方向)的光射出部射出的激光相比，输出低，用于监测红色半导体激光器元件部30的光输出。

电极层32配置在辅助架50的后述的电极53上。

红外半导体激光器元件部40包括半导体层41以及电极层42，电极层42形成在半导体层41上，并具有数μm的厚度。

在半导体层41上形成有在Y方向上(参照图1)延伸的光波导(未图示)。该光波导的前端部(Y1方向(参照图1)的端部)成为射出激光的光射出部(未图示)。此外，光波导的后端部(Y2方向(参照图1)的端部)成为射出激光的一部分的光射出部41a。并且，从光射出部41a射出的激光与从前端侧(Y1方向)的光射出部射出的激光相比，输出低，用于监测红外半导体激光器元件部40的光输出。

此外，光射出部31a和蓝紫色半导体激光器元件10的光射出部12a的距离约为110μm，光射出部31a和光射出部41a的距离也约为110μm。

如图1所示，电极层42(参照图2)配置在辅助架50的后述的电极53以及54上。

此外，在共用电极层22上结合未图示的Au线。

在本实施方式中，如图3所示，辅助架50包括：n型的由硅形成的半导体基板51；以及在半导体基板51的上表面51a上形成的电极52、53以及54。并且，n型是本发明的“第一导电型”的一例，上表面51a是本发明的“表面”的一例。

在半导体基板51的上表面51a的Y2方向侧的规定区域，通过掺杂p型的杂质从而形成p型区域51b。由该p型区域51b和半导体基板51的p型区域51b下的n型区域构成用于监测蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20的光输出的光电二极管55。此外，如图4所示，p型区域51b(光电二极管55)形成在电极52的后述的元件搭载部52a、电极53的后述的元件搭载部53a、以及电极54的后述的元件搭载部54a的Y2方向侧。并且，p型是本发明的“第二导电型”的一例，p型区域51b是本发明的“第二导电型的区域”的一例。此外，光电二极管55是本发明的“受光元件”的一例。

此外，在p型区域51b的规定区域形成有用于将光电二极管55产生的监测电流输出到外部的电极56。该电极56是通过蒸镀Al等而形成的。此外，在电极56上结合未图示的Au线。

电极52、53以及54是通过蒸镀Al等而形成的，并且形成为例如约1μm的厚度。

此外，电极52的后述的元件搭载部52a、电极53的后述的元件搭载部53a以及电极54的后述的元件搭载部54a在X方向上顺次排列。

电极52包括：元件搭载部52a，其搭载蓝紫色半导体激光器元件10的半导体激光器元件部10a(参照图1)；以及配线部52b，其与元件搭载部52a连接。并且，元件搭载部52a是本发明的“两端配置的元件搭载部”的一例。

该配线部52b从元件搭载部52a仅向X1方向突出，而不向Y方向突出。即，元件搭载部52a的Y方向的长度与电极52的Y方向的长度相同。此外，元件搭载部52a的Y方向的长度与蓝紫色半导体激光器元件10的半导体激光器元件部10a(参照图1)的Y方向的长度大致相同。

此外，如图3所示，在元件搭载部52a(参照图4)上，设置有用于将蓝紫色半导体激光器元件10的半导体激光器元件部10a(参照图1)电连接到电极52上的焊锡层57。该焊锡层57通过蒸镀AuSn等而形成，并且形成为例如约0.2μm的厚度。并且，焊锡层57是本发明的“导电性粘接层”的一例。

此外，在配线部52b上结合未图示的Au线。

如图4所示，电极53包括：元件搭载部53a，其搭载二波长半导体激光器元件20的红色半导体激光器元件部30(参照图1)；以及配线部53b，其与元件搭载部53a连接。并且，元件搭载部53a是本发明的“内侧配置的元件搭载部”的一例。

该配线部53b从元件搭载部53a仅向X2方向突出，而不向Y方向突出。即，元件搭载部53a的Y方向的长度与电极53的Y方向的长度相同。此外，元件搭载部53a的Y方向的长度与红色半导体激光器元件部30(参照图1)的Y方向的长度大致相同。

此外，如图3所示，在元件搭载部53a(参照图4)上，设置有用于将红色半导体激光器元件部30(参照图1)电连接到电极53上的焊锡层58。该焊锡层58是通过蒸镀AuSn等而形成的，并且形成为例如约0.2μm的厚度。并且，焊锡层58是本发明的“导电性粘接层”的一例。

在此，在本实施方式中，如图4所示，配线部53b形成为相比于电极54的后述的元件搭载部54a延伸到X2方向的外侧。

此外，配线部53b形成为通过电极54的后述的元件搭载部54a和光电二极管55之间。此外，如图1所示，配线部53b形成为通过二波长半导体激光器元件20的红外半导体激光器元件部40的下方。

即，在本实施方式中，如图5所示，配线部53b包括搭载红外半导体激光器元件部40(参照图1)的一部分的元件搭载区域53c，在元件搭载区域53c上设置有绝缘层60。该绝缘层60是通过蒸镀SiO₂等而形成的，并且形成为例如约0.1μm～约0.2μm的厚度。此外，元件搭载区域53c被设置在配线部53b中的、电极54的后述的元件搭载部54a的Y2方向的部分。

如图3所示，在绝缘层60上配置有后述的焊锡层59的一部分。此外，如图5所示，绝缘层60具有比配线部53b的元件搭载区域53c大的面积。由此，能够容易控制电极53和焊锡层59(参照图3)电连接。

并且，在本实施方式中，绝缘层60的一部分还配置在后述的元件搭载部54a的Y2方向侧的端部上，但是绝缘层60也可以不配置在元件搭载部54a的Y2方向侧的端部上。

此外，如图6所示，在绝缘层60的上表面上(绝缘层60和后述的焊锡层59之间)形成有粘接层61。此外，在绝缘层60的下表面上(绝缘层60和元件搭载区域53c(电极53)之间)形成有粘接层62。粘接层61以及62分别由具有约0.01μm以下的厚度的铬层形成。并且，粘接层61是本发明的“第二粘接层”的一例。并且，粘接层62是本发明的“第一粘接层”的一例。

粘接层61是为了提高绝缘层60和后述的焊锡层59之间的粘接强度而设置的，粘接层62是为了提高电极53和绝缘层60之间的粘接强度而设置的。

此外，在配线部53b(参照图5)中，在比绝缘层60更偏向X2方向侧的部分结合未图示的Au线被焊接。

如图4所示，电极54包括：元件搭载部54a，其搭载二波长半导体激光器元件20的红外半导体激光器元件部40(参照图1)的一部分；以及配线部54b，其与元件搭载部54a连接。并且，元件搭载部54a是本发明的“配置在两端的元件搭载部”的一例。

该配线部54b从元件搭载部54a仅向X2方向突出，而不向Y方向突出。即，元件搭载部54a的Y方向的长度与电极54的Y方向的长度相同。

此外，在本实施方式中，元件搭载部54a的Y方向的长度小于红外半导体激光器元件部40(参照图1)的Y方向的长度。此外，元件搭载部54a的Y方向的长度与元件搭载部52a以及53a的Y方向的长度长。

此外，如图3所示，在元件搭载部54a(参照图4)上设置有用于将红外半导体激光器元件部40(参照图1)电连接到电极54上的焊锡层59。该焊锡层59是通过蒸镀AuSn等而形成的，并且形成为例如约0.2μm的厚度。并且，焊锡层59是本发明的“导电性粘接层”的一例。

并且，如图1以及图2所示，在焊锡层59上搭载了红外半导体激光器元件部40的状态下，利用焊锡层59以及红外半导体激光器元件部40的电极层42，可以吸收绝缘层60的台阶差(厚度)，半导体激光器元件部40(二波长半导体激光器元件20)与辅助架50的半导体基板51的上表面51a平行配置。

此外，在配线部54b(参照图1)结合未图示的Au线。

在本实施方式中，如上述那样，通过在辅助架50上设置光电二极管55，与独立于辅助架50而另外设置光电二极管(受光元件)的情况相比，可以简化三波长半导体激光器装置1的构造，并且可以抑制装置大型化。

此外，在本实施方式中，如上述那样，使元件搭载部54a的Y方向的长度小于元件搭载部53a的Y方向的长度，在电极53上设置相比于元件搭载部54a延伸到X2方向的外侧的配线部53b。由此，由于不需要在元件搭载部53a和元件搭载部52a之间、或在元件搭载部53a和元件搭载部54a之间配置配线部53b，所以可以将元件搭载部52a、元件搭载部53a以及元件搭载部54a接近配置。因此，可以将蓝紫色半导体激光器元件10的半导体激光器元件部10a、二波长半导体激光器元件20的红色半导体激光器元件部30以及红外半导体激光器元件部40接近配置。由此，可以将从蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20射出的光所照射的透镜等光学部件在蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20共用。其结果是，可以抑制光学部件等零件件数的增加，并且可以抑制装置大型化。

此外，在本实施方式中，如上述那样，通过使元件搭载部54a的Y方向的长度小于元件搭载部53a的Y方向的长度，可以不使电极53的配线部53b从元件搭载部53a向Y方向突出，并且可以不接触电极54而相比于元件搭载部54a在更靠X2方向的外侧形成。这样，由于以不从元件搭载部53a向Y方向突出的方式形成配线部53b，所以可以抑制蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20和光电二极管55之间的距离变大。由此，可以抑制辅助架50大型化。

此外，在本实施方式中，如上述那样，在元件搭载区域53c上通过设置绝缘层60，可以抑制电极53与红外半导体激光器元件部40电连接，并且可以将配线部53b配置成通过红外半导体激光器元件部40的下方。

此外，在本实施方式中，如上述那样，在辅助架50的元件搭载部52a、53a以及54a上，通过预先设置焊锡层57、58以及59，当在辅助架50上搭载蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20时，由于不需要在元件搭载部52a、53a以及54a上配置焊锡层57、58以及59，所以可以简化在辅助架50上搭载蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20时的制造工序。

此外，在本实施方式中，如上述那样，使元件搭载部54a的Y方向的长度小于元件搭载部53a的Y方向的长度，通过以向X2方向一侧延伸的方式形成配线部53b，由于不需要减小元件搭载部52a的Y方向的长度，所以可以抑制辅助架50(元件搭载部52a)和蓝紫色半导体激光器元件10的粘接强度下降。并且，元件搭载部54a的Y方向的长度虽然相比于元件搭载部52a或元件搭载部53a的Y方向的长度变小，但是由于二波长半导体激光器元件20不仅粘接于元件搭载部54a也粘接于元件搭载部53a，所以可以充分确保辅助架50和二波长半导体激光器元件20的粘接强度。

此外，在本实施方式中，如上述那样，通过倒装(junction down)方式将蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20搭载在辅助架50上，由此，可以将蓝紫色半导体激光器元件10的光射出部12a(半导体激光器元件部10a)、二波长半导体激光器元件20的光射出部31a(红色半导体激光器元件部30)以及光射出部41a(红外半导体激光器元件部40)接近辅助架50的半导体基板51的上表面51a进行配置。由此，即使在将光电二极管55接近蓝紫色半导体激光器元件10以及二波长半导体激光器元件20配置的情况下，也可以容易使蓝紫色半导体激光器元件10的光射出部12a、二波长半导体激光器元件20的光射出部31a以及41a射出的光射入光电二极管55。

并且，此次公开的实施方式在全部的点上都是示例，应认为并不限定于此。本发明的范围不是由上述的实施方式的说明表示，而由权利要求书表示，进而包括在与权利要求均等意义以及范围内的全部变更。

例如，在上述实施方式中，虽然表示了第一导电型为n型，第二导电型为p型的例子，但是本发明不仅限于此，也可以令第一导电型为p型，令第二导电型为n型。

此外，在上述实施方式中，表示了使用包括两个半导体激光器元件部的二波长半导体激光器元件作为第二半导体激光器元件(多波长半导体激光器元件)的例子，但是本发明不仅限于此，也可以使用含有三个以上的半导体激光器元件部的多波长半导体激光器元件。

此外，作为第一半导体激光器元件，也可以使用多波长半导体激光器元件。

此外，在上述实施方式中，表示了在辅助架上设置分别包括元件搭载部的三个电极的例子，但是，本发明不仅限于此，也可以在辅助架上设置分别包括元件搭载部的四个以上的电极。例如，在辅助架上设置分别包括元件搭载部的四个电极的情况下，只要将内侧的两个电极的配线部形成为相比于两端的电极延伸到X方向的外侧即可。

此外，在上述实施方式中，表示了使用射出蓝紫色激光的蓝紫色半导体激光器元件作为第一半导体激光器元件的例子，但是本发明不仅限于此，也可以使用射出蓝紫色以外的激光的半导体激光器元件。

此外，在上述实施方式中，表示了以包括射出红色激光的红色半导体激光器元件部和射出红外激光的红外半导体激光器元件部的方式构成第二半导体激光器元件(多波长半导体激光器元件)的例子，但是本发明不仅限于此，也可以以包括射出红色或红外以外的激光的半导体激光器元件部的方式构成第二半导体激光器元件。

此外，在上述实施方式中，表示了在辅助架上搭载蓝紫色半导体激光器元件以及二波长半导体激光器元件的例子，但是本发明不仅限于此，也可以在辅助架以外的搭载部件上搭载蓝紫色半导体激光器元件以及二波长半导体激光器元件。

此外，在上述实施方式中，表示了以通过电极54的元件搭载部54a和光电二极管55之间的方式形成电极53的配线部53b的例子，但是本发明不仅限于此，也可以如图7所示的本发明的第一变形例那样，以不通过电极154的元件搭载部154a和光电二极管55之间的方式形成电极153的配线部153b。

此外，在上述实施方式中，表示了以通过红外半导体激光器元件部的下方的方式形成电极53的配线部53b的例子，但是本发明不仅限于此，也可以如图8所示的本发明的第二变形例那样，以通过蓝紫色半导体激光器元件的下方的方式形成电极253的配线部253b。

此外，在上述实施方式中，表示了向X方向的一方侧(X2方向)延伸来形成电极53的配线部53b的例子，但是本发明不仅限于此，也可以向X方向的两侧(X1方向以及X2方向)延伸形成。

此外，在上述实施方式中，表示了使用在电极上设有焊锡层的辅助架的例子，但是本发明不仅限于此，也可以不在辅助架的电极上预先设置焊锡层。

此外，在上述实施方式中，表示了通过蒸镀形成辅助架的电极或焊锡层的例子，但是本发明不仅限于此，也可以使用例如镀的方法来形成辅助架的电极或焊锡层。

本申请基于2009年9月15日申请的日本专利申请序号2009-213322，其内容在本申请说明书中参照引用。

Claims (10)

1.一种搭载部件，其搭载第一半导体激光器元件和第二半导体激光器元件，所述第二半导体激光器元件是单片型的多波长半导体激光器元件，其特征在于，所述搭载部件具有：

分别包括在第一方向上排列的元件搭载部的三个以上的电极；以及

相对于所述元件搭载部在与所述第一方向交叉的第二方向侧配置的受光元件，

三个以上的所述元件搭载部中的、在所述第一方向的两端配置的所述元件搭载部的至少一个的所述第二方向的长度，小于所述三个以上的元件搭载部中的、在所述第一方向的内侧配置的所述元件搭载部的所述第二方向的长度，

包括所述内侧配置的元件搭载部的电极包括配线部，所述配线部与所述内侧配置的元件搭载部连接，并且所述配线部相比于所述两端配置的元件搭载部的至少一个延伸到所述第一方向的外侧。

2.如权利要求1所述的搭载部件，其特征在于，

在所述配线部中的、所述两端配置的元件搭载部的至少一个的在所述第二方向的部分设有元件搭载区域，

在所述元件搭载区域上设有绝缘层。

3.如权利要求2所述的搭载部件，其特征在于，

在所述元件搭载区域和所述绝缘层之间设有第一粘接层。

4.如权利要求1所述的搭载部件，其特征在于，

在所述元件搭载部上设有导电性粘接层。

5.如权利要求4所述的搭载部件，其特征在于，

在所述配线部中的、所述两端配置的元件搭载部的至少一个的在所述第二方向的部分设有元件搭载区域，

在所述元件搭载区域上设有绝缘层，

所述导电性粘接层的一部分也配置在所述绝缘层上，

在所述绝缘层和所述导电性粘接层之间设有第二粘接层。

6.如权利要求1所述的搭载部件，其特征在于，

在所述内侧配置的元件搭载部以及在所述两端配置的元件搭载部的一个上分别搭载所述第二半导体激光器元件的激光器元件部，

所述两端配置的元件搭载部的一个的在所述第二方向的长度，小于所述内侧配置的元件搭载部的在所述第二方向的长度，

所述配线部形成为相比于所述两端配置的元件搭载部的一个延伸到所述第一方向的外侧。

7.如权利要求1所述的搭载部件，其特征在于，

包括所述内侧配置的元件搭载部的电极的在所述第二方向的长度，与所述内侧配置的元件搭载部的在所述第二方向的长度大致相同。

8.如权利要求1所述的搭载部件，其特征在于，

所述搭载部件还具有第一导电型的半导体基板，所述第一导电型的半导体基板在表面上形成所述三个以上的电极，

所述受光元件是通过在所述半导体基板中的、所述元件搭载部的在所述第二方向的部分设置第二导电型的区域而形成的。

9.如权利要求1所述的搭载部件，其特征在于，

通过倒装方式搭载所述第一半导体激光器元件和所述第二半导体激光器元件。

10.一种半导体激光器装置，其特征在于，其具有：

搭载部件；

在所述搭载部件上搭载的第一半导体激光器元件；以及

搭载在所述搭载部件上，并且是单片型的多波长半导体激光器元件的第二半导体激光器元件，

所述搭载部件包括：

分别包括在第一方向上排列的元件搭载部的三个以上的电极；以及

相对于所述元件搭载部在与所述第一方向交叉的第二方向侧配置的受光元件，

三个以上的所述元件搭载部中的、在所述第一方向的两端配置的所述元件搭载部的至少一个的在所述第二方向的长度，小于所述三个以上的元件搭载部中的、在所述第一方向的内侧配置的所述元件搭载部的在所述第二方向的长度，

包括所述内侧配置的元件搭载部的电极包括配线部，所述配线部与所述内侧配置的元件搭载部连接，并且所述配线部相比于所述两端配置的元件搭载部的至少一个延伸到所述第一方向的外侧。

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