CN102021630A - 一种同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜 - Google Patents
一种同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。本发明所述的薄膜具有独特的纳米复合管结构特征,根据功能需要可实现自由控制薄膜厚度、外管直径和内管直径,具有优异的半导体特性和敏感性能,可重点应用于氧传感器、光电纳米器件等领域。
Description
技术领域
本发明属于无机半导体纳米材料技术领域,涉及一种同轴异质双管:二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。
背景技术
有序TiO2纳米管阵列薄膜因其具有优异的光电、催化、传感性能,成为纳米材料研究的热点之一。由于这种材料与粉体纳米TiO2薄膜相比具有更大的比表面积和更强的吸附能力,其潜在的应用领域也更加广阔,目前,许多科研机构开展了其在敏感器件、光催化、生物材料等很多领域的应用研究。
TiO2纳米管结构具有有序阵列结构形式,应用该材料可以提高光生电荷的传输寿命并降低其复合几率。因此TiO2纳米管阵列可以用于高灵敏度传感器、燃料染料敏化太阳能电池、水解制氢等方面。例如在室温下Ti02纳米管阵列可以测试到1000μl/L的氢气含量(化学吸附氢气后的TiO2纳米管薄膜电导增加8个数量级),这是目前所知道的对氢气最敏感材料。最近的应用研究还包括染料敏化太阳能电池。通过控制纳米管的取向性生长、排列及晶型结构等,使得纳米管在界面间具有优异的电子渗透传输通道,利用这类Ti02纳米管阵列薄膜组装的燃料敏化太阳能电池体系在AM1.5条件下光电转化效率已达到6.9%。有序TiO2纳米管阵列薄膜还具有显著的光分解水特性,在紫外光(320~400nm)照射下,目前报道的纳米管阵列的光电转化效率最高可达到16.25%。此外,纳米管阵列薄膜可形成排列整齐的有序双通孔结构,可应用于微流控制、分子过滤、药物输送及生物组织工程等高技术领域。
为进一步扩展TiO2纳米管阵列的光频谱响应范围、抑制光生载流子的复合,对TiO2纳米管阵列进行修饰、改性成为研究的焦点。例如,专利号为200710188544.5的中国专利“一种同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法”公开了一种化学成分为Nb、Mo、Zr、0、Ti的同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜,薄膜具有显著的半导体综合性能、优良的光催化性能、良好的生物活性。
二氧化铈纳米管具有优异的光催化性能和氧化还原性能,被认为是理想的催化剂材料。但是,经检索尚未见有同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜的报道。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明要解决的问题是提供一种同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜及其制备方法。利用本发明能成功地实现同轴异质纳米复合管结构的制备。
本发明所述同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于所述薄膜由如下方法制得:
(1)将钛箔机械加工成10±2mm×20±5mm的片状,用240#、360#、500#、800#、1200#或1500#砂纸打磨光亮,再采用粒度为1.0的金刚石抛光膏进行机械抛光,随后采用超声波依次在乙醇、丙酮中超声除油2~5分钟,之后用去离子水进行漂洗,烘干后,待用;
(2)以处理后的钛箔为阳极,以铂片为阴极,含0.3~0.5wt%NH4F(重量百分比) 和2~5vol%H20(体积百分比)的乙二醇溶液为电解液,在室温并磁子搅拌下,进行电化学反应;其中:电极间距为30±2mm,电压为20~60V,阳极氧化时间12~24小时;
(3)用去离子水漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔,干燥后,浸入0.8~1.5mol/L的盐酸溶液中超声处理0.5~1小时,溶解掉TiO2纳米管;
(4)将步骤(3)所述阳极——钛箔再作阳极,重复步骤(2),进行二次阳极氧化;
(5)用乙醇、去离子水分别漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔5~6遍,干燥后在马弗炉中进行退火处理,控制升温速率为1~2℃/min,恒温区温度范围为500~700℃,恒温区处理时间为0.5~2小时,获得覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片;
(6)将步骤(5)制备的覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片浸入浓度为1~1.5mol/L的硝酸亚铈(Ce(NO3)3·6H2O)的水溶液中,反应0.5~1.5小时;
(7)将步骤(6)反应后的钛基片在微波炉中热处理2~5分钟,在钛基片表面获得一层同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜。
其中:
上述钛箔纯度优选大于95%。
上述电解液优选为含0.4~0.5wt%NH4F(重量百分比)和3~4vol%H2O(体积百分比)的乙二醇溶液。
上述电化学反应的电压优选为40~50V,阳极氧化时间优选是15~18小时。
上述盐酸溶液的浓度优选为1~1.2mol/L。
上述退火处理的恒温区温度范围优选为500~600℃。
本发明所述的同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜具有独特的纳米复合管结构特征,根据功能需要可实现自由控制薄膜厚度、外管直径和内管直径,具有优异的半导体特性和敏感性能,可重点应用于氧传感器、光电纳米器件等领域。
具体实施方式
实施例1
将钛箔机械加工成10mm×20mm的片状,用240#、360#、500#、800#、1500#砂纸预打磨,再采用粒度为1.0的金刚石抛光膏进行机械抛光,随后采用超声波依次在乙醇、丙酮中超声除油3分钟,用去离子水进行漂洗,烘干;以处理后的钛箔为阳极,以铂片为阴极,含0.3wt%NH4F和2vol%H2O的乙二醇溶液为电解液,在室温并磁子搅拌下,进行电化学反应;其中:电极间距为30mm,电压为20V,阳极氧化时间12小时;用去离子水漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔,干燥后,浸入0.8mol/L的盐酸溶液中超声处理0.5小时,溶解掉TiO2纳米管;将阳极——钛箔再作阳极,再采用相同的工艺参数进行二次氧化;用乙醇、去离子水分别漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔5遍,干燥后在马弗炉中进行退火处理,控制升温速率为1℃/min,恒温区温度范围为500℃,恒温区处理时间为0.5小时,获得覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片;随后将具有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片浸入1mol/L的硝酸亚铈的水溶液中30分钟;然后将反应后的钛基片在微波炉中热处理2分钟,在钛基片表面获得一层同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜。
实验测定,上述同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜厚度为45μm,外管直径为130nm,内管直径为80nm。
实施例2
将钛箔机械加工成10mm×20mm的片状,用240#、360#、800#、1200#砂纸预打磨,再采用粒度为1.0的金刚石抛光膏进行机械抛光,随后采用超声波依次在乙醇、丙酮中超声除油5分钟,用去离子水进行漂洗,烘干;以处理后的钛箔为阳极,以铂片为阴极,含0.4wt%NH4F和3vo l%H2O的乙二醇溶液为电解液,在室温并磁子搅拌下,进行电化学反应;其中:电极间距为30mm,电压为40V,阳极氧化时间17小时;用去离子水漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔,干燥后,浸入1.Omol/L的盐酸溶液中超声处理0.5小时,溶解掉TiO2纳米管;将阳极——钛箔再作阳极,再采用相同的工艺参数进行二次氧化;用乙醇、去离子水分别漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔6遍,干燥后在马弗炉中进行退火处理,控制升温速率为1.5℃/min,恒温区温度范围为600℃,恒温区处理时间为1.5小时,获得覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片;随后将具有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片浸入1.2mol/L的硝酸亚铈的水溶液中40分钟;然后将反应后的钛基片在微波炉中热处理3分钟,在钛基片表面获得一层同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜。
实验测定,上述同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜厚度为70μm,外管直径为150nm,内管直径为90nm。
实施例3
将钛箔机械加工成10mm×20mm的片状,用240#、500#、800#、1500#砂纸预打磨,再采用粒度为1.0的金刚石抛光膏进行机械抛光,随后采用超声波依次在乙醇、丙酮中超声除油4分钟,用去离子水进行漂洗,烘干;以处理后的钛箔为阳极,以铂片为阴极,含0.5wt%NH4F和5vo l%H2O的乙二醇溶液为电解液,在室温并磁子搅拌下,进行电化学反应;其中:电极间距为30mm,电压为30V,阳极氧化时间24小时;用去离子水漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔,干燥后,浸入1.2mol/L的盐酸溶液中超声处理0.8小时,溶解掉TiO2纳米管;将阳极——钛箔再作阳极,再采用相同的工艺参数进行二次氧化;用乙醇、去离子水分别漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔5遍,干燥后在马弗炉中进行退火处理,控制升温速率为2℃/min,恒温区温度范围为700℃,恒温区处理时间为2小时,获得覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片;随后将具有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片浸入1.5mol/L的硝酸亚铈的水溶液中50分钟;然后将反应后的钛基片在微波炉中热处理5分钟,在钛基片表面获得一层同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜。
实验测定,上述同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜厚度为50μm,外管直径为110nm,内管直径为70nm。
Claims (6)
1.一种同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于所述薄膜由如下方法制得:
(1)将钛箔机械加工成10±2mm×20±5mm的片状,用240#、360#、500#、800#、1200#或1500#砂纸打磨光亮,再采用粒度为1.0的金刚石抛光膏进行机械抛光,随后采用超声波依次在乙醇、丙酮中超声除油2~5分钟,之后用去离子水进行漂洗,烘干后,待用;
(2)以处理后的钛箔为阳极,以铂片为阴极,含0.3~0.5wt%NH4F和2~5vol%H2O的乙二醇溶液为电解液,在室温并磁子搅拌下,进行电化学反应;其中:电极间距为30±2mm,电压为20~60V,阳极氧化时间12~24小时;
(3)用去离子水漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔,干燥后,浸入0.8~1.5mol/L的盐酸溶液中超声处理0.5~1小时,溶解掉TiO2纳米管;
(4)将步骤(3)所述阳极——钛箔再作阳极,重复步骤(2),进行二次阳极氧化;
(5)用乙醇、去离子水分别漂洗生成有TiO2纳米管阵列的阳极——钛箔5~6遍,干燥后在马弗炉中进行退火处理,控制升温速率为1~2℃/min,恒温区温度范围为500~700℃,恒温区处理时间为0.5~2小时,获得覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片;
(6)将步骤(5)制备的覆有多孔的TiO2纳米管阵列的钛基片浸入浓度为1~1.5mol/L的硝酸亚铈的水溶液中,反应0.5~1.5小时;
(7)将步骤(6)反应后的钛基片在微波炉中热处理2~5分钟,在钛基片表面获得一层同轴异质CeO2纳米管-TiO2纳米管阵列薄膜。
2.如权利要求1所述同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于:所述钛箔纯度大于95%。
3.如权利要求1所述同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于:所述电解液为含0.4~0.5wt%NH4F和3~4vol%H2O的乙二醇溶液。
4.如权利要求1所述同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于:所述电化学反应的电压为40~50V,阳极氧化时间是15~18小时。
5.如权利要求1所述同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于:所述盐酸溶液的浓度为1~1.2mol/L。
6.如权利要求1所述同轴异质二氧化铈纳米管-二氧化钛纳米管阵列薄膜,其特征在于:所述退火处理的恒温区温度范围为500~600℃。
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