CN102017414B - 负载电路的保护装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种在负载电路中已经发生完全短路的情况下立即仅仅切断该负载电路并保护该负载电路的负载电路的保护装置。该保护装置包括：E1检测电路(13)，其检测在用于连接多个负载电路和电源VB的共用配线中所引起反电动势E1；以及E2检测电路(12)，其检测在用于连接各个负载电路的负载连接配线的一部分处所引起的反电动势E2。此外，在已由E1检测电路(13)检测到共用配线中所引起的反电动势E1已超过预定的阈值，并且已由E2检测电路(12)检测到在负载连接配线中已经产生具有与E1相同方向的反电动势E2的情况下，相应的负载电路被切断。因此，在已发生短路故障的情况下，相应的负载电路能够被立即切断。此外，其他负载电路能够继续工作。

Description

负载电路的保护装置

技术领域

本发明涉及一种负载电路的保护装置，在多个负载电路的回路连接于同一个电源并且任意负载电路中已发生短路故障的情况下，该保护装置仅仅切断并保护其中已经发生短路故障的负载电路。

背景技术

负载，例如安装在车辆上的灯和电机，通过半导体开关与电源(蓄电池)连接。更具体地，其中半导体开关和负载串联连接的负载电路作为多个回路连接于安装在车辆上的电源，并且通过ON/OFF操作各个负载电路中设置的半导体开关来控制各个负载的驱动和停止。

此外，设置有保护装置，目的在于，在由于诸如完全短路的短路故障所引起的过电流已经在各负载电路的任意一个中流动的情况下，可以通过尽快断开半导体开关来保护负载电路。作为这种负载电路保护装置的现有技术实例，在例如日本JP-A-2006-24997(专利文献1)和日本JP-A-2007-85861(专利文献2)中已经记载了已知的实例。

图4是示出了在专利文献1中所记载的负载电路的保护装置的构造的电路图。在图4中所示的电路中，图示出了负载电路(第一负载电路“A”和第二负载电路“B”)的两个回路并联连接于电源VB的实例。更具体地，包括由MOSFET(T101；半导体开关)和负载111(灯、电机等)组成的串联连接的第一负载电路“A”，以及包括由MOSFET(T101-1)和负载111-1组成的串联连接的第二负载电路“B”连接于电源VB。顺便提及，由于第一负载电路“A”和第二负载电路“B”在构造上相同，所以在下面将只描述第一负载电路“A”，而通过对其赋予后缀“-1”来省略对第二负载电路“B”的描述。

在图4中所示的电路中，对应于MOSFET(T101)的漏极的点P1连接于E1检测电路112。该E1检测电路112被设置为对于负载电路“A”和“B”共用。其检测在点P1和电源VB的正端子之间的配线(电阻Rw1和电感L1)中所产生的反电动势E1，并且在反电动势E1已达到预定的程度的情况下，该E1检测电路112输出H电平的检测信号到AND电路AND102的一个输入端子。

MOSFET(T101)的两端连接于VDS检测电路113。该VDS检测电路113测量MOSFET(T101)的端子电压，并且其在端子电压已达到预定值的情况下输出H电平的检测信号到AND电路AND102的另一个输入端子。

此外，当置于电源VB和电阻R106之间的开关SW101接通时，驱动指令通过AND电路AND101被输入到驱动器114，并当接收该驱动指令时，驱动器114输出H电平的驱动信号到MOSFET(T101)的栅极。从而，使MOSFET(T101)导通，并且驱动负载111。

此外，在负载电路“A”的任意位置中已经发生了诸如完全短路的短路故障的情况下，产生过大的反电动势E1，并且MOSFET(T101)的端子电压超过预定值。因此，AND电路AND102的输出信号变成H电平，并且该H电平信号被供给到锁存器DF101。结果，AND电路AND101的输出被置为L电平，并且使MOSFET(T103)导通，从而MOSFET(T101)的栅极接地以切断负载电路“A”。即，切断了其中已发生短路故障的负载电路“A”，并且保护了电路。

在这种情况下，在负载电路“B”中，能够不考虑负载电路“A”的切断而维持负载电路“B”的驱动状态。即，在图4所示的电路中，在各负载电路的多个的回路中，仅仅切断已经经受短路故障的负载电路，并且任意其他的负载电路能够照常工作。

现有技术文献。

专利文献

专利文献1：日本JP-A-2006-24997

专利文献2：日本JP-A-2007-85861

发明内容

本发明要解决的问题

然而，利用专利文献1中所公开的上述现有技术实例，在负载电路“A”中已经发生完全短路的情况下，即使E1检测电路112立即检测到反电动势E1的产生，在MOSFET(T101)两端产生的电压超过预定值之前也需要很长时间。因此，在VDS检测电路113的输出信号变成H电平之前需要很长时间，导致了MOSFET(T101)的关断延迟的缺点。

为了解决现有技术的这种问题已经进行了本发明，并且本发明的目的是提供一种负载电路的保护装置，用于在负载电路中已发生完全短路的情况下，通过立即切断仅仅该负载电路来保护负载电路。

解决问题的手段

为了完成上述目的，本发明的第一方面存在于负载电路的保护装置，其中多个负载电路并联连接，在每一个负载电路中，半导体开关和负载通过负载连接配线而连接，每一个负载电路和电源通过对所有负载电路共用的共用配线而连接，并且当在至少一个负载电路中已经产生过电流时，已经受过电流的负载电路被切断；该保护装置包括：第一反电动势检测单元，用于检测出现在共用配线中的第一反电动势；以及第二反电动势检测单元，其设置在至少一个负载电路中，并且用于检测在负载连接配线中是否引起了与第一反电动势相同方向的第二反电动势；以及切断控制单元，在第一反电动势已经超过预定的阈值并且在负载连接配线中已经引起第二反电动势的情况下，该切断控制单元用于切断具有负载连接配线的负载电路。

本发明的第二方面是，其中本发明的第一方面中的负载连接配线是在从共用配线分支到各个负载电路的分支点与用于将每一个负载电路接地的接地点之间所使用的配线；并且本发明的第一方面中的所述第二反电动势检测单元检测由于在负载连接配线的一部分处存在的电感成分所引起的反电动势。

本发明的第三方面在于负载电路的保护装置，其中多个负载电路并联连接，在每个负载电路中，半导体开关和负载通过负载连接配线连接；每个负载电路和电源通过对于每个负载电路都共用的共用配线连接，并且当在至少一个负载电路中已经产生过电流的时候，已经受过电流的负载电路被切断；该保护装置包括第一反电动势检测单元，其检测出现在共用配线中的第一反电动势；以及设置在至少一个负载电路中的切断控制单元，在已经设定了由半导体开关和一部分负载连接配线组成的负载电路的区间、已经测量了出现在该负载电路的区间两端的电压降并且第一反电动势已经超过预定的阈值，同时该负载电路的区间两侧的电压降已经超过预定的判定值的情况下，该切断控制单元用于切断具有负载连接配线的负载电路。

本发明的优点

利用根据本发明的负载电路的保护装置，在短路已经开始的瞬间，可以通过第一反电动势检测单元进行对在共用配线(点P1和VB之间的配线)中产生的第一反电动势E1是否已经超过预定值的判定，而且可以在很短的时间内对经受短路的负载电路的进行后续识别，使得从短路发生到切断负载电路所消耗的时间段能够比现有技术的短。

因此，能够抑制由于经过半导体开关和配线的短路电流的流动而产生的电力损耗以及伴随着该电力损耗的发热，并且提高了保护布线系统的性能，特别是保护半导体开关的性能。此外，在共用配线中产生的反电动势E1超过预定值的现象是当在任意的负载电路的负载连接配线中已经发生短路接地时所发生的特殊现象，并且它不会由于任何其他原因而发生，因此即使当将判定时间段被设定为短的时候，也不用担心错误的判定。因此，能够通过本发明来实现尽管快速切断但也具有高可靠性的负载电路的保护装置。

附图说明

图1是示出了根据本发明的第一实施例的负载电路的保护装置的构造的电路图。

图2是示出了根据对本发明的第一实施例的修改的负载电路的保护装置的构造的电路图。

图3是示出了根据本发明的第二实施例的负载电路的保护装置的构造的电路图。

图4是示出了现有技术中的负载电路的保护装置的构造的电路图。

参考标号和标记的说明

11负载

12 E2检测电路(第二反电动势检测单元)

13 E1检测电路(第一反电动势检测单元)

14控制电路(切断控制单元)

141电荷泵

142驱动器。

T1 MOSFET(半导体开关)

VB电源

具体实施方式

(第一实施例)

现在，将结合附图来描述本发明的各实施例。图1是示出了根据本发明的第一实施例的负载电路的保护装置的构造的电路图。图中所示的负载电路是用于驱动负载11(电阻Rz和电感Lz)的电路，并且该负载电路包括由MOSFET(T1；半导体开关)和负载11构成的串联连接电路，该负载11例如是安装在车辆上的灯或电机。此外，将这样的负载电路设置为多个回路(在图中仅示出了两个回路)，并且作为各负载电路的接合点的点P1通过具有电阻Rw1和电感L1的配线(下文中，称作为“共用配线”)而连接于电源VB的正端子。

此外，点P1连接于E1检测电路13(第一反电动势检测单元)，MOSFET(T1)的栅极连接于控制电路14(切断控制单元)，而对应于MOSFET(T1)的源极的点P2以及被设置在用于连接MOSFET(T1)的和负载11的配线(下文中，称作为“负载连接配线”)中间的点P3分别连接于E2检测电路12(第二反电动势检测单元)。这里，在点P2和P3之间的负载连接配线中存在电感，并且该电感由Lx来表示。此外，点P3和负载11之间的负载连接配线的电阻和电感分别由Rw2和L2来表示。

控制电路14包括开关SW1、电荷泵141、驱动器142、锁存器电路DF1、MOSFET(T3)等。开关SW1的一端连接于电源VB，同时其另一端分支到两个回路中。在这两个回路中，一条分支线通过电阻R11接地，而另一条分支线连接于AND电路AND1的一个输入端子。此外，AND电路AND1的另一个输入端子连接于锁存器DF1的-Q输出。

AND电路AND1的输出端子连接于驱动器142，该驱动器142与电荷泵141相连接，而且，该驱动器142的输出端子经过电阻R10连接于MOSFET(T1)的栅极。此外，在AND电路AND1的输出信号已成为H电平的情况下，驱动器142输出变成高于电源电压VB的电压的驱动信号到MOSFET(T1)的栅极，从而导通MOSFET(T1)。

电阻R10的一端经过MOSFET(T3)接地，并且该MOSFET(T3)的栅极连接于锁存器DF1的+Q输出。此外，AND电路AND2的输出端子连接于该锁存器DF1。顺便提及，图中的电阻和电容的符号下方标出的数值表示这些元件的具体值。例如，电阻R10的电阻值以1.5[kΩ]为例。

为多个负载电路设置一个E1检测电路13，该E1检测电路13包括比较器CMP2，并且该比较器CMP2的反相输入端子连接于点P1。此外，E1检测电路13包括由电阻R1和R2组成的串联连接电路，该串联连接电路设置在点P1和地面之间，并且作为电阻R1和R2之间的节点的点P4(电压V4)连接于比较器CMP2的非反相输入端子。此外，点P4经过电容器C1接地。比较器CMP2的输出端子连接于AND电路AND2的一个输入端子。顺便提及，比较器CMP2的输出端子分支到多个回路中，并且该输出端子连接于设置在各个负载电路中的AND电路AND2。

E2检测电路12监测在点P2和P3之间出现的电压，从而来判定在负载电路中是否已经产生了与反电动势E1相同方向的反电动势E2。该E2检测电路包括放大器AMP1、比较器CMP1、MOSFET(T2)以及电阻R3、R4、R5和R6。

对应于MOSFET(T1)的源极的点P2(电压V2)经过由电阻R3、MOSFET(T2)和电阻R4组成的串联连接电路而接地，并且电阻R3和MOSFET(T2)之间的节点连接于放大器AMP1的非反相输入端子。此外，点P3连接于放大器AMP1的反相输入端子，并且该放大器AMP1的输出端子连接于MOSFET(T2)的栅极。

而且，对应于MOSFET(T2)的源极的点P5连接于比较器CMP1的非反相输入端子。此外，由电阻R5和R6组成的串联连接电路置于点P1和地面之间，并且作为电阻R5和R6的节点的点P6(电压V6)连接于比较器CMP1的反相输入端子。电压V6用作为判定电压(预定的判定值)，用于判定是否已经产生了反电动势E2。

此外，虽然省略了图示，但是在图1中所示的含有MOSFET(T1-1)和负载11-1的负载电路中也包括上述控制电路14和E2检测电路12。

[第一实施例的工作说明]

接下来，将描述上述用于负载电路的保护装置的工作。当开关SW1接通时，H电平信号被输入到AND电路AND1的一个输入端子，而且，锁存器DF1的-Q输出处于H电平，使得馈入到驱动器142的AND电路AND1的输出成为H电平。从而，从电荷泵141输出的电压被施加到驱动器142，并且该驱动器142输出比电源VB的输出电压高大约10到14[V]的电压到MOSFET(T1)的栅极，使得该MOSFET(T1)导通，以驱动负载11。

在配线中不存在任何异常并且负载11被正常驱动的条件下，如果在P2→P3的方向上流动的电流增大，那么在图中的箭头方向上产生反电动势E2，而如果在P2→P3的方向上流动的电流减小，那么在图中的箭头方向的反方向上产生反电动势E2。如果在P2→P3的方向上流动的电流不改变，那么反电动势E2为零。当在配线中不存在任何异常时，在图中箭头的方向上产生反电动势E2，并且当通过放大反电动势E2获得的电压V5已经超过作为反电动势E2的判定电压的V6而使得比较器CMP1的输出已经反相为H电平的时候，只要配线正常，E1检测电路13就被设置为不工作。由此，比较器CMP2的输出保持L电平。因此，AND电路AND2的输出不变成H电平。

现在，在连接了点P3和负载11的负载连接配线中已经发生例如完全短路的短路故障的情况下，即负载连接配线已经通过由电阻Rw3和电感L3组成的线路接地的情况下，由于该短路故障而在共用配线中产生反电动势E1。此外，点P1的电压V1由于反电动势E1的产生而突然减小。在此条件下，点P4的电压V4由于时间常数的存在而不能突然减小。因此，电压V1变得低于点P4的电压V4。结果，比较器CMP2的输出信号从L电平反相为H电平。即，在反电动势E1(第一反电动势)已经超过预定阈值的情况下，比较器CMP2的输出信号变成H电平。该H电平的信号被馈入到各负载电路中的AND电路AND2的一个输入端子。

此外，在连接了点P1、MOSFET(T1)、负载11和地面的配线(负载连接配线)中，也产生反电动势。这里，在点P2和P3之间的电感由Lx表示并且负载电流由ID表示的情况下，在从点P3朝着点P2的方向上产生的反电动势E2通过下面的公式(1)表示：

E2＝Lx*(dID/dt)...(1)

当产生反电动势E2的时候，流经电阻R3的电流I1由放大器AMP1和MOSFET(T2)来控制，使得该反电动势E2可以变成等于在电阻R3两端产生的电压。因此，在点P5处产生的电压V5变成(R4/R3)倍于反电动势E1的电压。在图1中所示的实例中，设定R3＝5[kΩ]且R4＝120[kΩ]，因此，发生在点P5处的电压V5变成24倍于反电动势E1的电压。

此外，在比较器CMP1中比较点P5的电压V5与判定电压V6，并且在电压V5已变得高于判定电压V6的情况下，比较器CMP1的输出信号从L电平反相为H电平。即，在由于短路故障而已经产生反电动势E2并且通过放大反电动势E2而获得的电压V5已变得高于判定电压V6的情况下，比较器CMP1的输出信号变成H电平。在这种条件下，由于反电动势E1的产生，已经降低了判定电压V6。因此，电压V5变得容易超过判定电压V6。相应地，比较器CMP1的输出信号变得容易反相。

这里，在E2检测电路12中，能够检测其是否满足已经产生了与反电动势E1的方向相同的反电动势E2。因此，判定电压V6可以为正值。然而实际上，为了避免由于噪声等引起的误操作，判定电压V6被确定为：使得在由电感Lx引起的反电动势E2已变得高于20[mV]的情况下，V5＞V6可以保持为真(换言之，比较器CMP1的输出信号可以反相)。

此外，当H电平的信号被馈入到AND电路AND2电路的两个输入端子的时候，AND电路AND2的输出从L电平反相到H电平，并且H电平的信号馈入到锁存器DF1。锁存器DF1的-Q输出变成L电平，而其+Q输出变成H电平。因此，AND电路AND1的输出信号变成L电平，并且MOSFET(T1)的驱动停止。此外，MOSFET(T3)导通，并且MOSFET(T1)的栅极接地。因此，使MOSFET(T1)保持其关断状态，直到锁存器DF1被重置为止。

在这种情况下，仅仅在其中已经发生短路故障的负载电路中产生与反电动势E1相同方向的反电动势E2。因此，其中没有产生与反电动势E1相同方向的反电动势E2的其他负载电路不被切断，并且能够保持其驱动状态。

以这种方式，在根据第一实施例的用于负载电路的保护装置中，在所设置的多个负载电路中的任意一个中已经发生例如完全短路的短路故障的情况下，在对于多个负载电路共用的共用配线(点P1和电源VB之间的配线)中产生反电动势E1(第一反电动势)。因此，通过E1检测电路13来检测反电动势E1。此外，在已经发生短路故障的负载电路中，在负载连接配线(点P2和P3之间的配线)中在图1中箭头的方向(与反电动势E1的方向相同的方向)上产生反电动势E2。因此，通过E2检测电路12来检测该反电动势E2。

此外，在已经产生反电动势E1，并且此外，在与反电动势E1相同的方向上已经产生了反电动势E2的情况下，MOSFET(T1)关断，从而保护负载11。因此，在负载电路中已经发生短路故障的情况下，该负载电路能够立即被切断，并且其中没有发生任何短路故障的其他负载电路能够继续工作。

顺便提及，在上述第一实施例中，在MOSFET(T1)和负载11之间的配线中，MOSFET(T1)的源极侧上的部分区间(点P2和P3之间)已被设定为用于检测反电动势E2的区间。然而，本发明不限于此区间，而是位于点P1和地面之间的配线中的部分区间都能够被设置为用于检测反电动势E2的区间。此外，在上述第一实施例中，已经描述了利用电阻R3和R4而产生通过放大反电动势E2所获得的电压V5的实例，但是也可以采用不放大该反电动势而产生与反电动势E2相同的电压以便与判定电压相比较的构造。

[对第一实施例的修改]

下面，将描述对根据上述第一实施例的负载电路的保护装置的修改。图2是示出了根据该修改的负载电路的保护装置的构造的电路图。图2中示出的电路与图1中示出的电路不同，不同点在于电容器C2置于E2检测电路12的点P6和地面之间。此外，由于包括电容器C2，点P6的电压V6随时间常数改变，并且即使在发生例如完全短路的短路故障时，点P1的电压V1已经降低的情况下，判定电压V6也能够被保持在基本恒定的数值。

此外，由于这种构造，尽管比较器CMP1的输出信号的反相时刻变得稍有延迟，但是判定电压也能比上述第一实施例的更稳定。因此，能够再进一步地减少由于噪声等的任何误操作的发生。

(第二实施例)

下面，将描述本发明的第二实施例。图3是示出了根据第二实施例的负载电路的保护装置的构造的电路图。当与前述的图1中所示的电路相比时，图3所示的电路的不同点在于，设置于E2检测电路12中的电阻R3的一端连接于点P1。更具体地，在第一实施例所参考的图1中，电阻R3的一端已经连接于MOSFET(T1)的源极，但是在关于第二实施例的图3中，电阻R3的该一端连接于点P1。此外，在图3中的点P2和P3之间所示的电感Lx表示点P1和P3之间的全部电感。即，该电感Lx包含MOSFET(T1)所具有的电感成分。由于剩余的构造与图1中的相同，所以将省略详细构造的描述。

下面将描述根据第二实施例的负载电路的保护装置的工作。图3所示的放大器AMP1和MOSFET(T2)控制电流I1流经电阻R3，使得电阻R3两端产生的电压可以变成等于在点P1和P3之间产生的电压(由“Va”表示)。这里，电压Va成为MOSFET(T1)的漏极-源极电压Vds和由电感Lx引起的反电动势E2的总电压。因此，电压Va能够由下面的公式(2)来表示：

Va＝E2+Vds＝Lx*(dID/dt)+Ron*ID...(2)

其中“Ron”表示MOSFET(T1)的导通电阻，而“ID”表示负载电流。

此外，在第二实施例中，在任意负载电路中已经发生短路故障的情况下，在连接了点P1和电源VB的共用配线中产生反电动势E1，并且比较器CMP2的输出信号以和前述第一实施例相同的方式变成H电平。

此外，在已经发生短路故障的负载电路中，由电感Lx引起的反电动势E2和由负载电流ID的增加而放大的MOSFET(T1)的端子电压Vds的总和(＝Va)升高，从而使点P5的电压V5升高。结果，电压V5变得高于判定电压V6，使得比较器CMP1的输出信号反相为H电平。即，在点P1和P3之间的区间内的电压降已经超过预定的判定值的情况下，比较器CMP1的输出信号变成H电平。

结果，馈入到AND电路AND2的两个输入端子的两个信号变成H电平，并且MOSFET(T1)的栅极通过锁存器DF1接地，从而来关断该MOSFET(T1)。从而，能够保护其中已经发生短路故障的负载电路，并且其中没有发生任何短路故障的其他负载电路能够继续工作。

以这种方式，在根据第二实施例的负载电路的保护装置中，在所设置的多个负载电路中的任意一个中已经发生例如完全短路的短路故障的情况下，在对于多个负载电路共用的共用配线(点P1和电源VB之间的配线)中产生反电动势E1(第一反电动势)。因此该反电动势E1由E1检测电路13来检测。此外，在其中已经发生短路故障的负载电路中，在点P1和点P3之间的配线(负载连接配线)中，在图3中箭头的方向(即，与反电动势E1相同的方向)上产生反电动势E2，并且在MOSFET(T1)两端产生的电压Vds升高。因此，这些电压的总电压Va(＝E2+Vds)升高，并且由E2检测电路12检测到在点P5处产生的电压V5变得比判定电压V6高。结果，锁存器DF1被操作为使MOSFET(T1)关断并且保护负载11。因此，在负载电路中已经发生短路故障的情况下，负载电路能够被立即切断，而其中没有发生任何短路故障的其他负载电路能够继续工作。

这里，在第二实施例中，E2检测电路12检测通过将反电动势E2与MOSFET(T1)的端子电压Vds相加而获得的电压Va，并且放大该电压Va，从而产生电压V5。在电压V5已变得高于判定电压V6的情况下，该E2检测电路12检测短路故障的发生。因此，在第二实施例中，判定电压V6需要被设为这样的电压，该电压大于以配线正常时(当没有发生短路故障时)的负载电流ID和MOSFET(T1)的导通电阻Ron之间的乘积(Ron*ID)乘以电阻比(R4/R3)的方法获得的电压。

由于这个原因，在确定已发生例如完全短路的短路故障的负载电路方面，消耗了比前述第一实施例中更长的时间段。然而，另一方面，即使在产生了具有其中反电动势E1或E2没有超过判定电压V4或V6的平缓增加斜率的过电流的情况下，在第二实施例中所示的负载电路的保护装置也变得能够检测过电流的产生。

此外，如现有技术中所说明的在图4中所示的电路具有这样的构造，其中仅仅利用过电流的大小来确定已经受短路故障的负载电路，而在第二实施例中，利用电压Va(＝Vds+E2)来确定已经受短路故障的负载电路，在该电压Va中，将正比于过电流的增加斜率的电压(E2)与正比于过电流大小的电压Vds(＝Ron*ID)相加。因此，在确定已经受短路故障的负载电路上所消耗的时间段被缩短。随着短路电流的增加斜率越大，即，随着完全短路的程度越高，该缩短的量就变大的越多。以这种方式，在根据第二实施例的负载电路的保护装置中，在确定已经受短路故障的负载电路上所消耗的时间段能够变得比现有技术中的短的多。

虽然到目前为止已经结合所示出的各实施例描述了在本发明中的负载电路的保护装置，但是本发明不限于这些实施例，而是各部件的构造能够由具有同样功能的所需构造来替换。

工业实用性

本发明对于在负载电路中已经发生短路故障的情况下迅速切断仅仅发生短路的负载电路，从而保护该负载电路是非常有用的。

Claims (3)

1.一种负载电路的保护装置，其中多个负载电路并联连接，在每一个该负载电路中，半导体开关和负载通过负载连接配线而连接，每一个所述负载电路都通过对每个所述负载电路来说共用的共用配线而与一电源连接，并且，当在至少一个所述负载电路中已经产生过电流时，已经经受了所述过电流的负载电路被切断；该保护装置包括：

第一反电动势检测单元，该第一反电动势检测单元用于检测出现在所述共用配线中的第一反电动势；以及第二反电动势检测单元，该第二反电动势检测单元设置在至少一个所述负载电路中，并且用于检测是否在所述负载连接配线中引起了与所述第一反电动势相同方向的第二反电动势；以及

切断控制单元，在所述第一反电动势已经超过预定的阈值并且在所述负载连接配线中已经引起所述第二反电动势的情况下，该切断控制单元用于切断具有所述负载连接配线的负载电路。

2.根据权利要求1所述的负载电路的保护装置，其中，所述负载连接配线是在从所述共用配线分支到各个负载电路的分支点与用于将各个负载电路接地的接地点之间所使用的配线；并且

所述第二反电动势检测单元检测由在所述负载连接配线的一部分处存在的电感成分所引起的反电动势。

3.一种负载电路的保护装置，其中多个负载电路并联连接，在每个所述负载电路中，半导体开关和负载通过负载连接配线而连接；每个所述负载电路都通过对于每个该负载电路来说都共用的共用配线而与一电源连接，并且当在至少一个所述负载电路中已经产生过电流的时候，已经受所述过电流的负载电路被切断；该保护装置包括：

第一反电动势检测单元，该第一反电动势检测单元用于检测出现在所述共用配线中的第一反电动势；

第二反电动势检测单元，该第二反电动势检测单元设置在至少一个所述负载电路中，并且用于检测第二反电动势和所述半导体开关的电压降的总电压，所述第二反电动势与所述第一反电动势方向相同并且是在所述负载连接配线中引起的；以及

切断控制单元，该切断控制单元设置在至少一个所述负载电路中，并且在所述第一反电动势已经超过预定的阈值，并且出现在所述负载连接配线中的总电压已经超过预定的判定值的情况下，所述切断控制单元用于切断具有所述负载连接配线的负载电路。