CN101982569A - 直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置 - Google Patents
直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101982569A CN101982569A CN2010105596056A CN201010559605A CN101982569A CN 101982569 A CN101982569 A CN 101982569A CN 2010105596056 A CN2010105596056 A CN 2010105596056A CN 201010559605 A CN201010559605 A CN 201010559605A CN 101982569 A CN101982569 A CN 101982569A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid level
- silicon liquid
- motor
- growing furnace
- czochralski crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010559605 CN101982569B (zh) | 2010-11-24 | 2010-11-24 | 直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010559605 CN101982569B (zh) | 2010-11-24 | 2010-11-24 | 直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101982569A true CN101982569A (zh) | 2011-03-02 |
CN101982569B CN101982569B (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=43619477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010559605 Expired - Fee Related CN101982569B (zh) | 2010-11-24 | 2010-11-24 | 直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101982569B (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102605420A (zh) * | 2012-03-19 | 2012-07-25 | 上海施科特光电材料有限公司 | 一种泡生法单晶炉的全角度视窗 |
CN102732960A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 晶体硅生长速度的测试方法及系统 |
CN102995111A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-03-27 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置 |
CN103305905A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-18 | 浙江长兴众成电子有限公司 | 一种变埚比的单晶硅生长方法 |
CN105350071A (zh) * | 2015-10-23 | 2016-02-24 | 西安理工大学 | 一种可抑制波动的直拉硅单晶炉液位检测方法 |
CN106906513A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-06-30 | 天通吉成机器技术有限公司 | 单晶炉的锅跟比调节方法及锅跟比调节装置 |
CN106982518A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-07-25 | 歌尔股份有限公司 | 工装运动距离的调整方法及装置、控制装置 |
CN114046755A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-02-15 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 获取直拉法拉制硅棒的实时长度的装置、方法及拉晶炉 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5437242A (en) * | 1992-09-17 | 1995-08-01 | Wacker-Chemitronic Gessellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process and apparatus for controlling the melt level while pulling single crystals |
US20050022722A1 (en) * | 2000-05-31 | 2005-02-03 | Keiichi Takanashi | Method for pulling a single crystal |
JP2005097050A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造装置及び単結晶の製造方法 |
CN2754036Y (zh) * | 2004-09-15 | 2006-01-25 | 中色科技股份有限公司 | 大吨位倾动炉激光液位控制装置 |
CN101126173A (zh) * | 2006-05-30 | 2008-02-20 | 株式会社上睦可 | 单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置 |
CN101168848A (zh) * | 2006-10-23 | 2008-04-30 | 北京有色金属研究总院 | 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法 |
-
2010
- 2010-11-24 CN CN 201010559605 patent/CN101982569B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5437242A (en) * | 1992-09-17 | 1995-08-01 | Wacker-Chemitronic Gessellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process and apparatus for controlling the melt level while pulling single crystals |
US20050022722A1 (en) * | 2000-05-31 | 2005-02-03 | Keiichi Takanashi | Method for pulling a single crystal |
JP2005097050A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造装置及び単結晶の製造方法 |
CN2754036Y (zh) * | 2004-09-15 | 2006-01-25 | 中色科技股份有限公司 | 大吨位倾动炉激光液位控制装置 |
CN101126173A (zh) * | 2006-05-30 | 2008-02-20 | 株式会社上睦可 | 单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置 |
CN101168848A (zh) * | 2006-10-23 | 2008-04-30 | 北京有色金属研究总院 | 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102732960A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 晶体硅生长速度的测试方法及系统 |
CN102732960B (zh) * | 2011-04-14 | 2015-07-08 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 晶体硅生长速度的测试方法及系统 |
CN102605420A (zh) * | 2012-03-19 | 2012-07-25 | 上海施科特光电材料有限公司 | 一种泡生法单晶炉的全角度视窗 |
CN102995111A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-03-27 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置 |
CN102995111B (zh) * | 2012-11-07 | 2015-05-27 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置 |
CN103305905A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-18 | 浙江长兴众成电子有限公司 | 一种变埚比的单晶硅生长方法 |
CN103305905B (zh) * | 2013-05-30 | 2015-08-05 | 浙江中晶科技股份有限公司 | 一种变埚比的单晶硅生长方法 |
CN105350071A (zh) * | 2015-10-23 | 2016-02-24 | 西安理工大学 | 一种可抑制波动的直拉硅单晶炉液位检测方法 |
CN105350071B (zh) * | 2015-10-23 | 2017-09-22 | 西安理工大学 | 一种可抑制波动的直拉硅单晶炉液位检测方法 |
CN106982518A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-07-25 | 歌尔股份有限公司 | 工装运动距离的调整方法及装置、控制装置 |
CN106906513A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-06-30 | 天通吉成机器技术有限公司 | 单晶炉的锅跟比调节方法及锅跟比调节装置 |
CN114046755A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-02-15 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 获取直拉法拉制硅棒的实时长度的装置、方法及拉晶炉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101982569B (zh) | 2013-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101982569B (zh) | 直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置 | |
CN104109904A (zh) | 一种泡生法蓝宝石晶体生长的引晶方法 | |
CN103060913B (zh) | 一种大尺寸蓝宝石晶体生长方法 | |
CN201873777U (zh) | 硅液面位置控制装置 | |
CN103562443A (zh) | SiC单晶的制造方法和制造装置 | |
CN106801250B (zh) | 反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统 | |
CN209702906U (zh) | 一种单晶炉 | |
US20120186513A1 (en) | Kyropoulos sapphire single crystal growing apparatus using elliptic crucible | |
JP2007223830A (ja) | 酸化物単結晶の育成方法 | |
JP4830312B2 (ja) | 化合物半導体単結晶とその製造方法 | |
CN104911709B (zh) | 一种80kg以上大尺寸蓝宝石单晶的生长方法 | |
CN104073875A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石晶体动态温度场制备方法 | |
CN104099660A (zh) | 大公斤数蓝宝石晶体的旋转扩肩稳定拉升法 | |
CN104120488A (zh) | 一种大尺寸c轴蓝宝石晶体动态温度场制备方法 | |
CN103361727A (zh) | 蓝宝石单晶及其制备方法 | |
CN203530480U (zh) | 生长蓝宝石单晶的设备 | |
JP2013126926A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
CN112857297B (zh) | 单晶棒直径测量装置、单晶棒生长系统及方法 | |
CN108930059A (zh) | 一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法 | |
CN106687625B (zh) | 单晶的制造方法 | |
CN105369361B (zh) | 一种温场移动制备蓝宝石单晶体的方法及装置 | |
CN103695997A (zh) | 晶体生长复合称重设备及使用该设备的晶体生长炉 | |
CN103243384A (zh) | 晶体成长测量补偿系统及其方法 | |
CN102691103B (zh) | 一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法 | |
KR101744924B1 (ko) | 직접적인 온도 측정수단을 구비한 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Position control method and device for silicone liquid level of czochralski crystal grower Effective date of registration: 20170710 Granted publication date: 20130424 Pledgee: China Co. truction Bank Corp Jiashan branch Pledgor: RENESOLA ZHEJIANG Ltd. Registration number: 2017330000062 |
|
PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20200730 Granted publication date: 20130424 Pledgee: China Co. truction Bank Corp Jiashan branch Pledgor: RENESOLA ZHEJIANG Ltd. Registration number: 2017330000062 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130424 Termination date: 20211124 |