CN101976713A - 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 - Google Patents
一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101976713A CN101976713A CN 201010278595 CN201010278595A CN101976713A CN 101976713 A CN101976713 A CN 101976713A CN 201010278595 CN201010278595 CN 201010278595 CN 201010278595 A CN201010278595 A CN 201010278595A CN 101976713 A CN101976713 A CN 101976713A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- gan
- self
- etching
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000012497 inhomogeneous sample Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理、化学等刻蚀方法将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑(厚膜)衬底，并使图形区域和被掩膜保护的区域具有一定的高度差；用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法在已经做好图形的衬底上进行同质外延GaN基LED、LD器件结构。采用本发明可有效的防止同质自支撑(厚膜)GaN衬底的翘曲形变，从而有效提高光电子器件的效率。
Description
技术领域
本发明涉及基于同质外延方法制备高效、大功率氮化镓基发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)等光电子学器件的方法，属于光电子器件的制备领域。
背景技术
GaN基氮化物半导体发光二极管(LED)，以其较高的理论光电转化效率和在恶劣工作条件下的稳定性，得到了科研领域以及工商业的广泛重视，引起了人们极大的兴趣。GaN基LED是目前世界各国发展半导体固态照明、推动世界性照明革命的关键性光源。另外，作为照明光源，它的体积小重量轻等优势较以往的照明光源更有优势。发展高亮度LED适应了我国当前构建节约型社会的基本国策。此外，GaN基光电子学、电子学器件在光存储、紫外光探测和日盲探测、生物医药的分析以及导弹预警、制导、紫外通讯等众多民生、军事领域有广泛应用。
尽管目前的GaN基光电器件已经成功实现商业化，但其性能还没有达到理论预测的最高水平，还有很大的提升空间。贯穿位错被半导体材料研究领域认为是器件中的非辐射复合中心，严重影响器件的光电性能，被成为“发光杀手”(Nakamura，Shuji.Science，Vol.281，p956)。由于目前大部分的氮化物光电器件的制备都基于在蓝宝石衬底上的两步生长法，这种异质外延方法成功的生长出了不开裂的GaN薄膜，但其缺点也是十分明显的，在释放应力的同时不可避免的在器件结构中引入了大量的贯穿位错等缺陷。
用于同质外延的自支撑单晶氮化镓(GaN)衬底是近年来被公认的提高GaN基器件性能的最佳解决方案。同质外延避免了衬底和外延层之间失配带来的位错，可以大大降低器件中的位错密度。现有技术制备得到的氮化镓厚膜自支撑或氮化镓/蓝宝石复合衬底(以下称复合衬底)在应用于LED器件的制备过程中，尚存在一些问题。这主要由于衬底制备过程中，样品各个部分应力释放不均匀导致的样品翘曲和开裂等问题。在一股蓝宝石衬底(或Si、SiC衬底)上生长的薄膜GaN材料受到的是来自于衬底的压应力(或张应力)，这个压应力的测定值高达-1.2Gpa(1.0Gpa)。在这些异质衬底上，当GaN生长到一定厚度时，由于应力的作用会引起样品的翘曲。样品的翘曲对外延LED器件结构的过程影响非常大，主要表现为样品弯曲的几何形状破坏了化学反应容器中气流场、温度场的均匀性。这将导致LED器件的大规模工业化生产受到影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新的方法，用于在同质自支撑(或在Si、SiC等衬底上外延的厚膜，以下简称厚膜)GaN衬底上制备光电子器件结构，采用这种方法可以有效的防止同质自支撑(厚膜)GaN衬底的翘曲形变对LED外延过程的影响，可有效提高LED、LD器件的效率。
本发明的技术方案是：
在得到的氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底样品上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜。采用光刻和刻蚀的方法在上述掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理、化学等刻蚀方法将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑(厚膜)衬底，并使图形区域和被掩膜保护的区域具有一定的高度差。用金属有机物化学气相沉积法(MOVPE)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延法(HVPE)在已经做好图形的衬底上进行同质外延GaN基LED、LD器件结构。
上述氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底包括利用氢化物气相外延法(HVPE)、氨热法(Ammonthermal)、高压合成法或其他方法生长得到薄膜和体材料。
上述有机或无机介质材料包括通过旋涂法得到的光刻胶薄膜或者利用溅射或等离子体增强化学气相沉积法沉积的SiO2、SiON、SiNx或阳极氧化铝等在物理、化学刻蚀过程中与GaN选择比较高的材料作。
上述SiO2、SiON、SiNx或阳极氧化铝掩膜层厚度一股为200nm～10μm。
上述生长窗口可以是条形、圆形、三角形等几何图形，其尺寸和图形之间的间距应该是微米量级。图1是条形掩膜的图形，图3是正六边形掩膜的图形。
上述物理、化学等刻蚀方法包括诱导耦合等离子体(ICP)、反应离子刻蚀(RIE)或光电化学腐蚀等方法。刻蚀结束后，若掩膜材料为SiO2、SiON或SiNx等无机介质薄膜，则该薄膜可以保留，作为同质外延过程中的掩膜，使同质外延具有悬臂外延的效果。
上述以金属有机物化学气相沉积法(MOVPE)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延法(HVPE)为基础的同质外延过程主要包括在高温(1000-1100℃)下生长的非掺GaN外延层、n型GaN层、InGaN/GaN量子阱有源区和p型GaN层等LED和LD的器件结构。
本发明在同质自支撑(厚膜)GaN衬底上制备LED、LD器件结构过程中采用图形刻蚀和同质外延技术。由于图形刻蚀技术能够将生长面以开槽的方式分割开，能够有效的释放衬底内部在制备过程中积聚的应力和应变。悬臂同质外延和侧向外延(ELOG)技术能够使生长得到的器件质量大幅提高，从而提高器件的光电转化效率。采用本发明得到的GaN基LED、LD器件结构，具有应力释放均匀，光电转换效率高，工艺简单，适于大规模工业生产的特点。
附图说明
图1是本发明ELOG掩膜和窗口区形状和尺寸的结构图；
图2是利用本发明制备的LED器件样品结构示意图；
图3是正六边形ELOG窗口区形状的掩膜结构图。
具体实施方式
下面通过实例对本发明做进一步说明。需要注意的是，公布实施例的目的在于帮助进一步理解本发明，但是本领域的技术人员可以理解：在不脱离本发明及所附权利要求的精神和范围内，各种替换和修改都是可能的。因此，本发明不应局限于实施例所公开的内容，本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。
具体实施例如下：
如图2所示，本实施例在制备过程中需在同质自支撑(厚膜)GaN衬底1上制备掩膜层2，经过刻蚀后在同质自支撑(厚膜)GaN衬底1形成具有一定深度的窗口区3。在此之后，利用MOVPE法在带有图形3和掩膜2的同质自支撑(厚膜)GaN衬底1上进行同质生长，得到悬臂外延非掺杂GaN层5。最后，在悬臂外延非掺杂GaN层5上依次生长n型Si掺杂GaN层6、InGaN/GaN量子阱有源区7和p型Mg掺杂GaN层8。主要过程如下：
1、在同质自支撑(厚膜)GaN衬底1上用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积1～5μm厚的SiO2薄膜2；
2、在步骤1的基础上，用光刻和氢氟酸(HF)化学腐蚀的方法在SiO2掩膜2上表面开出5μm宽的长条形型窗口，图形窗口之间掩膜的宽度为5μm，如图1所示。此过程结束后，整个同质自支撑(厚膜)GaN衬底1表面都均匀分布这样的条形掩膜；或窗口的基本单元图形为如图3所示，生长窗口为边长20μm的正六边形，相邻正六边形之间的最短距离为20μm。整个掩膜图形由此基本单元向横、纵两个方向重复布满整个生长区域。
3、在步骤2的基础上，用感应耦合等离子体刻蚀法(ICP)将SiO2掩膜2上的图形转移至同质自支撑(厚膜)GaN衬底1上，并刻蚀一定的深度，形成刻蚀图形区3，该区深度约为1～20μm，如图2(b)所示；
4、在步骤3的基础上，用普通的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，氢气(H2)氛下，升温到1040℃并以三甲基镓和氨气为源生长非掺杂的悬臂外延GaN层4，由于表面张力的差异造成GaN在SiO2材料表面不浸润从而难以成核的特性，生长过程中在SiO2材料表面难以生成GaN的结晶，此过程结束后的结构如图2(c)所示；
5、在步骤4的基础上，把温度保持在1040℃，以硅烷(SiH4)为掺杂源，每小时1800nm生长n型Si掺杂层5。该层的主要作用为制备发光器件过程中金属电极的欧姆，接触掺杂浓度为1×1018cm-3，厚度为1500nm；
6、在步骤5的基础上，把温度降为700～900℃，生长LED结构的InGaN/GaN量子阱有源层6，其中包括InGaN阱层和GaN垒层，该区域总厚度为约为100nm；
7、在步骤6的基础上，把温度升至1000℃左右，以二茂镁为掺杂源，生长LED的p型Mg掺杂层7，掺杂浓度为1×1018cm-3，厚度为200nm，整个器件的结构如图2(d)所示。
Claims (7)
1.一种光电子器件的制备方法，其步骤包括：
1)在氮化镓同质自支撑衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；
2)采用光刻和刻蚀的方法在上述掩膜上开出具有几何形状的窗口；
3)将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑衬底，并使图形区域和被掩膜保护的区域具有一定的高度差；
4)在上述做好图形的衬底上进行同质外延GaN生长，得到悬臂外延非掺杂GaN层；
5)在悬臂外延非掺杂GaN层上依次生长n型GaN层、量子阱有源区和p型GaN层，得到GaN基LED、LD器件结构。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，氮化镓同质自支撑衬底包括：利用氢化物气相外延法、氨热法、高压合成法或其他方法生长得到薄膜和体材料。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，有机或无机介质材料包括通过旋涂法得到的光刻胶薄膜或者利用溅射或等离子体增强化学气相沉积法沉积的SiO2、SiON、SiNx或阳极氧化铝等在物理、化学刻蚀过程中与GaN选择比较高的材料作。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，上述SiO2、SiON、SiNx或阳极氧化铝材料层厚度为200nm～10μm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，具有几何形状的窗口是条形、圆形、三角形等任意图形，其尺寸和图形之间的间距为微米量级。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，采用物理、化学等刻蚀方法将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑衬底，该刻蚀方法包括诱导耦合等离子体、反应离子刻蚀或光电化学腐蚀等方法。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)和步骤5)中，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行同质外延GaN生长，包括在高温1000-1100℃下生长的非掺GaN外延层、n型GaN层、InGaN/GaN量子阱有源区和p型GaN层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102785959A CN101976713B (zh) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102785959A CN101976713B (zh) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101976713A true CN101976713A (zh) | 2011-02-16 |
| CN101976713B CN101976713B (zh) | 2011-12-28 |
Family
ID=43576578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010102785959A Expired - Fee Related CN101976713B (zh) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101976713B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969410A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-13 | 中国科学院半导体研究所 | 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 |
| CN104900779A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-09 | 苏州纳维科技有限公司 | 一种iii-v族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法 |
| CN111864535A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-30 | 中国计量科学研究院 | 光频梳器件和光频梳器件的制作方法 |
| CN112301325A (zh) * | 2019-08-01 | 2021-02-02 | 北京飓芯科技有限公司 | 一种3d叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030006419A (ko) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 박막 형성방법 |
| US20030183157A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Nec Corporation | Group III nitride based semiconductor substrate and process for manufacture thereof |
| CN1759469A (zh) * | 2003-03-07 | 2006-04-12 | 住友化学株式会社 | 氮化镓单晶基板及其制造方法 |
| CN101026092A (zh) * | 2006-02-16 | 2007-08-29 | 三星电子株式会社 | 用于生长悬臂外延的衬底及其制造方法 |
| JP2010037156A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及び窒化ガリウム自立基板の製造方法 |
| JP2010037155A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体結晶の製造方法 |
| CN101685768A (zh) * | 2008-09-23 | 2010-03-31 | 北京大学 | 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 |
-
2010
- 2010-09-10 CN CN2010102785959A patent/CN101976713B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030006419A (ko) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 박막 형성방법 |
| US20030183157A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Nec Corporation | Group III nitride based semiconductor substrate and process for manufacture thereof |
| CN1759469A (zh) * | 2003-03-07 | 2006-04-12 | 住友化学株式会社 | 氮化镓单晶基板及其制造方法 |
| CN101026092A (zh) * | 2006-02-16 | 2007-08-29 | 三星电子株式会社 | 用于生长悬臂外延的衬底及其制造方法 |
| JP2010037156A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及び窒化ガリウム自立基板の製造方法 |
| JP2010037155A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体結晶の製造方法 |
| CN101685768A (zh) * | 2008-09-23 | 2010-03-31 | 北京大学 | 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969410A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-13 | 中国科学院半导体研究所 | 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 |
| CN104900779A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-09 | 苏州纳维科技有限公司 | 一种iii-v族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法 |
| CN104900779B (zh) * | 2015-06-25 | 2018-10-19 | 苏州纳维科技有限公司 | 一种iii-v族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法 |
| CN112301325A (zh) * | 2019-08-01 | 2021-02-02 | 北京飓芯科技有限公司 | 一种3d叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法 |
| CN111864535A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-30 | 中国计量科学研究院 | 光频梳器件和光频梳器件的制作方法 |
| CN111864535B (zh) * | 2020-06-22 | 2021-11-23 | 中国计量科学研究院 | 光频梳器件和光频梳器件的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101976713B (zh) | 2011-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8574939B2 (en) | Semiconductor optoelectronics structure with increased light extraction efficiency and fabrication method thereof | |
| KR100631905B1 (ko) | 질화물 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법 | |
| CN106374023B (zh) | 生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱led及其制备方法 | |
| TWI405257B (zh) | 分離基板與半導體層的方法 | |
| SG171762A1 (en) | Method of at least partially releasing an epitaxial layer | |
| CN102856446B (zh) | 具有纳米结构的磊晶基板及发光二极管的制作方法 | |
| CN102244170B (zh) | 准光子晶体图形蓝宝石衬底及其制造方法、发光二极管及其制备方法 | |
| US8785955B2 (en) | Light emitting diode | |
| JP2006191071A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| CN101667615A (zh) | 形成发光二极管装置的方法 | |
| CN101976713B (zh) | 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 | |
| CN104752117A (zh) | 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源 | |
| CN101685768A (zh) | 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 | |
| CN106684213A (zh) | GaN基半导体器件及其制作方法 | |
| CN106384762B (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱led及其制备方法 | |
| Zhao et al. | Enhancement in light-emission efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well layer by a porous-GaN mirror | |
| CN101257080B (zh) | 氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 | |
| CN105048284B (zh) | 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 | |
| CN104993012A (zh) | 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 | |
| KR101966623B1 (ko) | 반도체층 형성 방법 및 반도체 발광소자 | |
| CN108922947A (zh) | 一种基于多孔外延模板的紫外发光二极管及其制作方法 | |
| CN102255009A (zh) | Led芯片的制造方法 | |
| CN102005370B (zh) | 一种制备同质外延衬底的方法 | |
| CN103474524B (zh) | 发光二极管的制备方法 | |
| CN217507371U (zh) | 一种发光二极管外延结构及半导体芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: DONGGUAN INSTITUTE OF OPTO-ELECTRONICS PEKING UNIV Free format text: FORMER OWNER: BEIJING UNIV. Effective date: 20131209 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100871 HAIDIAN, BEIJING TO: 523808 DONGGUAN, GUANGDONG PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20131209 Address after: 523808 Guangdong province Dongguan Songshan Lake high tech Industrial Development Zone Technology Park Building 4 Building 417, room 418 Patentee after: DONGGUAN INSTITUTE OF OPTO-ELECTRONICS PEKING University Address before: 100871 Beijing the Summer Palace Road, Haidian District, No. 5 Patentee before: Peking University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170814 Address after: 523000, building 4, building 1, building 407, innovation and Technology Park, Songshan hi tech Industrial Development Zone, Dongguan, Guangdong Patentee after: Dongguan Yanyuan Investment Co.,Ltd. Address before: 523808 Guangdong province Dongguan Songshan Lake high tech Industrial Development Zone Technology Park Building 4 Building 417, room 418 Patentee before: Dongguan Institute of Opto-Electronics Peking University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20171211 Address after: Wujiang District of Suzhou City, Jiangsu province 215000 Lili town FENHU Road No. 558 Patentee after: SINOPOWER SEMICONDUCTOR CO.,LTD. Address before: 523000, building 4, building 1, building 407, innovation and Technology Park, Songshan hi tech Industrial Development Zone, Dongguan, Guangdong Patentee before: Dongguan Yanyuan Investment Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20111228 Termination date: 20210910 |