CN101976703B - 降低表面复合减反膜电池的工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域，尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反和/或钝化处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。本发明通过对传统电池工艺流程步骤改变，改变了传统电池的结构，不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC(表面减反射膜)层上进行制绒，这样制绒后可达到同样的表面限光效果，同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤，达到了提升电池效率的目标。

Description

降低表面复合减反膜电池的工艺
技术领域
本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域，尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺。
背景技术
晶体硅太阳能工艺开发中会引入RIE制绒工艺(等离子体反应刻蚀)相对于一般使用的化学液体腐蚀制绒可以增加其光吸收量，一般制绒后反射率可控制在10％以下，ARC后反射率可控制在4％以下，但同时会增加硅片的表面损伤，加剧其表面复合，从而降低电池的Voc，Isc等性能。所以工艺中一般要处理好ARC镀膜前的处理，在对电池片正面做好其ARC(表面减反射膜)的减反调节的同时做好其表面的钝化效果。
传统电池工艺制作流程为：硅片-RIE制绒-扩散-去PSG+刻边-表面减反膜处理-丝网印刷-烧结，一般是直接对硅片进行绒面处理以增加广吸收，这一方法在化学腐蚀的理论下，不会对电池表面造成制绒损伤；但RIE制绒是采用干法刻蚀原理，其工艺过程会在硅片表面造成刻蚀损伤，由于损伤层的存在会造成电池性能的降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了解决RIE制绒对硅片表面造成的刻蚀损伤，本发明提供一种降低表面复合减反膜电池的工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是：具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反钝化处理；d.再在减反钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
作为本发明的另一个技术方案，一种降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进行减反处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
本发明的有益效果是，本发明降低表面复合减反膜电池的工艺，通过对传统电池工艺流程步骤改变，改变了传统电池的结构，不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC(表面减反射膜)层上进行制绒，这样制绒后可达到同样的表面限光效果，同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤，达到了提升电池效率的目标。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是现有太阳能电池的结构示意图；
图2是本发明实施例一的结构示意图。
其中：1.SiN膜，2.RIE制绒层，3.ARC层。
具体实施方式
实施例一
如图2所示是本发明实施例一的结构示意图，降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反钝化膜处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
上述实施例一中的减反钝化膜采用SiN膜，厚度为1um；减反膜工艺完成后进行RIE制绒工艺，直接在SiN表面形成RIE制绒层2。
在此工艺流程下RIE制绒后的反射率可以达到1％以下，达到最佳光吸收效果。
实施例二
降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化膜处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进行减反膜处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
上述实施例二中的钝化膜采用SiO2膜，厚度为1um；减反膜采用SiN膜，厚度为80nm；此工艺是在SiO2层上进行RIE制绒，再用SiN膜进行覆盖，采用SiO2钝化可以达到更好的表面钝化效果，再加上RIE制绒和SiN膜的表面减反处理，同样可以达到1％以下的表面反射率，同时由于采用了SiO2膜又增加了表面钝化效果可进一步提升电池效率。
改变工艺顺序后，其制绒结构的位置也改变了，从而保证了其表面的复合不增加，同时应用其RIE制备为出来的微结构应用在ARC膜上，从而保证电池的光吸收。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (2)

1.一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是：具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反钝化处理；d.再在减反钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
2.一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是：具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进行减反处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
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