CN101964377A - 薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法。薄膜特性测定方法，对通过多个沟槽划分为多个电极的、成膜于绝缘基板上的导电性薄膜的特性更细致地进行测定。本发明用于测定夹着沟槽的2个电极间的电特性。将由夹着所述沟槽的一方的电极的面对所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的电极的面对所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器，应用对于电容器的特性测定方法，测定夹着所述沟槽的2个电极间的电特性。

Description

薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法

技术领域

本发明涉及一种薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法，例如，能够适用于对太阳能电池中被切槽加工之后的透明电极进行评价的情形。

背景技术

使用非晶形硅等的半导体等的薄膜太阳能电池是在一个透明绝缘基板上并列设置多个太阳能电池元件。太阳能电池元件具有基板侧透明电极、光电转换半导体层、背面侧电极依次层叠的构成。太阳能电池元件的制造，在透明绝缘基板上形成了作为基板侧透明电极的薄膜后，照射激光束，在薄膜上设置沟槽(划线槽)，形成各元件的基板侧透明电极。然后，执行光电转换半导体层、背面侧电极的形成处理。

在专利文献1中记载有这样的技术：通过激光束在薄膜上形成沟槽时，在照射之前率先测定被照射激光束的位置的膜厚，根据膜厚控制激光束的照射量。

但是，在作为基板侧透明电极的薄膜上形成的沟槽使得夹着该沟槽的两个基板侧透明电极之间绝缘。该沟槽是薄膜太阳能电池中的对光电转换没有贡献的不灵敏区，因此要求缩窄沟槽的宽度。但是，如果沟槽的宽度狭窄，则产生作为细微的切割残留的斑点残留、沟槽底部处的残留从而导致绝缘不良的几率会有所增加。

图1是说明斑点残留的附图。用于切槽的激光束利用的是，强度分布为高斯分布状的圆形光束(高斯光束)，其中心部的强度最大，随着趋向外侧强度逐渐减弱。如图1的(A)所示，激光束的照射中心位置每次移动沟槽宽度一半左右的距离，同时在各位置照射激光束，使形成凹部的部分的长度渐渐地延长，最终形成沟槽的整体。即便是存在有多个照射中心位置的激光束照射的薄膜位置，在高斯分布状的强度小的位置上的照射重叠，且其薄膜位置的膜厚较厚的情况下，如图1的(B)所示，会产生斑点残留。沟槽的宽度比较狭窄的情况下，斑点残留部分与基板侧透明电极的面向沟槽的沿面的距离较短，容易产生绝缘性不充分的问题。又，虽然也有可以正常处理的斑点残留，但因为斑点残留而发生短路时，这是个比较大的问题。

在薄膜厚的情况下，即使是不产生斑点残留的情况，也有可能会产生残留有薄膜的切割残留，使得沟槽的底部没有到达透明绝缘基板面。

因此，要执行检查以判断夹着沟槽的2个基板侧透明电极间是否短路。

背景技术文献

专利文献

【专利文献1】日本特开2005-19818号公报

发明要解决的问题

根据专利文献1的记载技术，在照射之前测定被照射激光束的位置的膜厚，根据膜厚控制激光束的照射量，从而在薄膜上形成沟槽，因此，可以降低切割残留发生的可能性。

但是，为了膜厚的测定，向薄膜照射电磁波的照射部、测量透过了薄膜的电磁波的测量部等是必要的(将所测量的电磁波的特性转换成膜厚的转换部也是必要的)，除了激光头外还必须将照射部、测量部装载在激光单元上，这使装置的构成大型并且复杂。形成沟槽的大部分装置是照射多个激光束来同时形成多个沟槽的。采用这样的装置的话，临近地配置多个大型、复杂的激光单元具有很多困难。

作为基板侧透明电极的薄膜，是根据成膜工序制成的，但成膜的透明绝缘基板的长度方向的膜厚变化往往比透明绝缘基板的宽度方向的膜厚变化大。如果沟槽的形成是在透明绝缘基板的宽度方向上进行时，即使应用专利文献1的记载技术，因为本来膜厚变化较小，因此其优点并不大，另一方面，需要追加许多结构这样的缺点也有所增大。

又，原来对于发生切割残留的状况的对策是，在基板侧透明电极间施加规定电压，测定是否产生短路，并根据需要去除短路部分。

但是，测定结果只是短路的有无，用于追查产生短路的原因的信息很少，不能将测定结果反馈成为有效的对策。

虽然通过所施加的规定电压来进行判断，但是即使产生绝缘不良，如果其程度较低的话，也会判断为未发生短路。这样的微妙的绝缘电阻值使得通过太阳能电池元件发电得到的电流在内部损失，其结果导致发电效率降低。

如上所述，形成沟槽的大部分的装置是通过照射多个激光束使多个沟槽同时形成的。这样的装置很难应用于必须装载激光光源以及照射部、测量部的专利文献1所记载的技术。又，使用多个激光头形成沟槽时，必须使多个激光头的特性一致。如果测定结果只是短路的有无，则只能进行加强发生短路部分多的激光头的照射强度等的粗略地调整，不能高精度地使激光头的特性一致。

即使是使得多个激光头的特性一致，如上所述，如果成膜的透明绝缘基板的长度方向的膜厚具有变化，也有可能发生切割残留(薄膜残留)。

因此，希望有这样一种薄膜特性测定装置及方法，其可以更加细致地测定成膜在基板上的薄膜上设有沟槽的薄膜的特性，又，还希望有一种可以引入其测定结果并反馈到薄膜的加工上的薄膜加工装置及方法。

发明内容

第1发明的薄膜特性测定方法，其对在成膜于绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽、将所述导电性薄膜分割为多个薄膜部分的测定对象基板，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性，其特征在于，将由夹着所述沟槽的一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器，应用对于电容器的特性测定方法，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性。

第2发明的薄膜加工方法，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，所述各激光头对成膜于绝缘性基板上的导电性薄膜照射激光束，形成平行的多个沟槽，其特征在于，薄膜特性测定方法，就每个所述激光头，对将夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间看作为电容而得到电特性的测定结果进行统计处理，由此得到所述激光头之间的照射能力的差异信息基于该反馈的所述差异信息，调整从所述各激光头发出的激光束的强度。

第3发明的薄膜加工方法，是在绝缘性基板上形成导电性薄膜的薄膜加工方法，其针对所述沟槽的正交方向求出，夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果的变化倾向，得到所述导电性薄膜的所述沟槽的正交方向的膜厚变化信息并进行反馈，所述测定结果的变化倾向是从多个所述沟槽得到的，基于反馈的所述膜厚变化信息，进行调整使所述导电性薄膜的膜厚均匀。

第4发明的薄膜特性测定装置，其对在成膜于绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽、将所述导电性薄膜分割为多个薄膜部分的测定对象基板，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性，其特征在于，具有测定单元，该测定单元将由夹着所述沟槽的一方的所述薄膜部分的面对所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的所述薄膜部分的面对所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器，应用对于电容器的特性测定方法，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性。

第5发明的薄膜加工装置，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，所述各激光头对成膜于绝缘性基板上的导电性薄膜照射激光束，形成平行的多个沟槽，其特征在于，反馈来源的薄膜特性测定装置，就每个所述激光头，对将夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间看作为电容器而得到电特性的测定结果进行统计处理并反馈，所述薄膜加工装置具有基于反馈的所述差异信息，调整从所述各激光头发出的激光束的强度的单元。

第6发明的薄膜加工装置，是在绝缘性基板上形成导电性薄膜的薄膜加工装置，作为反馈来源的薄膜特性测定装置，针对所述沟槽的正交方向求出，将夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间看作为电容器而得到电特性的测定结果的变化倾向，得到所述导电性薄膜的所述沟槽的正交方向的膜厚变化信息并进行反馈，所述测定结果的变化倾向是从多个所述沟槽得到的，所述薄膜加工装置具有基于反馈的所述膜厚变化信息，进行调整以使所述导电性薄膜的膜厚均匀的单元。

【发明的效果】

根据本发明，通过将沟槽的周围的构成看作是电容器来进行测定，可以细致地测定在成膜于基板上的薄膜上设置有沟槽的薄膜的特性，还可以将其测定结果反馈到薄膜的加工上。

附图说明

图1为通过对薄膜照射激光束形成沟槽时产生的切割残留(薄膜残留)的说明图。

图2为示出实施形态的薄膜加工装置和实施形态的薄膜特性测定装置的位置关系的框图。

图3为示出测定对象基板的结构和实施形态的透明电极间绝缘电阻测定装置的结构的说明图。

图4为示出实施形态的透明电极间绝缘电阻测定装置的动作流程的流程图。

图5为示出未进行对于激光划线器的反馈时的实施形态的透明电极间绝缘电阻测定装置的对于某1个测定对象基板的绝缘电阻的测定结果的图表。

图6为对于图5的图表追加了表示绝缘电阻值的变化倾向的曲线的图表。

图7为示出将图5的测定时的测定对象基板以基板中心作为中心旋转180度后测定的绝缘电阻的测定结果的图表。

符号的说明

1…激光划线器、2…透明电极间绝缘电阻测定装置、10…薄膜太阳能电池的透明绝缘基板、11…基板侧透明电极、12…沟槽(划线槽)、20…测定对象基板搬送机构、21…探测器、24…奇偶切换开关组、25…奇数位置用漏电流测定器、26…偶数位置用漏电流测定器、27…信息处理部。

具体实施方式

(A)主要实施形态

下面，参照附图说明将本发明的薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法应用于薄膜太阳能电池的制造时的一实施形态。

(A-1)实施形态的结构

图2为示出实施形态的薄膜加工装置和实施形态的薄膜特性测定装置的位置关系的框图。实施形态的薄膜加工装置是，对在薄膜太阳能电池的透明绝缘基板(例如钠玻璃基板)上形成的作为基板侧透明电极的薄膜(例如TCO膜)照射激光束而在薄膜上设置沟槽(划线槽)的激光划线器1，实施形态的薄膜特性测定装置是，测定夹着激光划线器1所形成的沟槽的2个基板侧透明电极间的绝缘电阻的透明电极间绝缘电阻测定装置2。透明电极间绝缘电阻测定装置2，如后文所述，将激光照射强度的控制信息反馈到激光划线器1，因此可以成为激光划线器1的构成要素。

省略了图示，激光划线器1包括例如4个激光头，同时形成4个沟槽。现存的薄膜太阳能电池的薄膜(例如TCO膜)的厚度是约为150～400nm，厚度的容许误差是±15％左右。现存的薄膜太阳能电池的沟槽的宽度是45、80、100μm左右。1个透明绝缘基板上形成有约119～159个沟槽，形成有大约120～160个基板侧透明电极。

该实施形态中，通过激光划线器1形成沟槽的透明绝缘基板(以下、称为测定对象基板)全部被搬送到透明电极间绝缘电阻测定装置2，通过透明电极间绝缘电阻测定装置2测定相邻的透明电极间的绝缘电阻。

图3是示出测定对象基板3的结构和实施形态的透明电极间绝缘电阻测定装置2的结构的说明图。

图3中，测定对象基板3，如上所述，包括薄膜太阳能电池的透明绝缘基板(例如钠玻璃基板)10和在透明绝缘基板10上形成的各元件的基板侧透明电极(例如TCO膜)11，相邻的基板侧透明电极11、11之间设置有通过激光划线器1形成的沟槽(划线槽)12。

又，图3中，透明电极间绝缘电阻测定装置2包括：测定对象基板搬送机构20、检测器21、奇偶切换开关组24、奇数位置用漏电流测定器25、偶数位置用漏电流测定器26及信息处理部27。检测器21具有多个探针22和安装所有探针22的检测器基板23。下面，虽然说明的是信息处理部27进行该装置的整体的控制的情形，信息处理27和控制部也可以分开设置。

测定对象基板搬送机构20包括例如搬送马达、搬送传送带等，在信息处理部27的控制下，将从激光划线器1供给的测定对象基板3搬送到测定位置进行测定，在测定结束后，将测定对象基板3搬送到下个工序的执行装置等。

检测器21在信息处理部27的控制下能够上下运动。当测定对象基板搬送机构20将测定对象基板3搬入到测定位置时、或将测定对象基板3从测定位置搬出时，检测器21在上方的待机位置待机，不会妨碍到测定对象基板3的搬送。检测器21在测定时，使探针22与测定对象基板3的透明电极11电连接。

探针22，例如设置为与测定对象基板3的透明电极11的个数相同，在测定时，全部的探针22分别都与1个透明电极11电连接。又，在透明电极间绝缘电阻测定装置2通用地构成时，设置与可能处理的测定对象基板3中最多的透明电极11的个数相同的探针22，此时的与测定对象基板3的透明电极11的个数相同的探针22的每一个都与1个透明电极11电连接。

可以设置线状或面状的连接构件来代替探针22，从而实现与透明电极11的一对一的连接。又，利用具有基端侧互相电连接的、沿透明电极11的长度方向排列的多个探针的连接构件来代替探针22，实现与透明电极11的一对一的连接。

实施形态的透明电极间绝缘电阻测定装置2能将不同种类(例如，沟槽12的宽度、沟槽的个数)的测定对象基板3作为处理对象时，例如，将所安装的检测器21作为与测定对象基板3的种类相应的部件来对应。

多个奇数位置用漏电流测定器25，对从测定对象基板3搬送方向的前端侧起计数获得的奇数位置的沟槽12，测定夹着该沟槽12的透明电极11、11之间的漏电流，多个偶数位置用漏电流测定器26，对从测定对象基板3搬送方向的前端侧起计数获得的偶数位置的沟槽12，测定夹着该沟槽12的透明电极11、11之间的漏电流。下面，将夹着沟槽12的透明电极11、11之间的漏电流称为“沟槽12的漏电流”，将夹着沟槽12的透明电极11、11之间的绝缘电阻称为“沟槽12的绝缘电阻”。

第i个沟槽12用符号“12-i”表示的同时，从测定对象基板3的搬送方向前端侧计数第j个位置的透明电极11用符号“11-j”表示。

奇数位置用漏电流测定器25测定i是奇数的位置的沟槽12-i的漏电流，偶数位置用漏电流测定器26测定i是偶数的位置的沟槽12-i的漏电流。下面，使用“o”作为表示奇数的参数，使用“e”作为表示偶数的参数，其他的使用“i”表示。

即使是在无尘室内设置透明电极间绝缘电阻测定装置2的情况下，装置周围如果是空气的话，沟槽12-i中存在有空气，沟槽12-i成为绝缘层。又，透明电极11-i的搬送方向的反方向的沿面与沟槽12-i相对，透明电极11-(i+1)的搬送方向的沿面与沟槽12-i相对。沟槽12-i的宽度大约是45、80、100μm时，在一方的沿面积蓄电荷，在夹着沟槽12-i的另一个沿面感应异性电荷。即，本发明发明者发现，可以将划分沟槽12-i的部分看作为一种电容器。

因此，转用在市场上出售的测定电容器的漏电流的装置作为各奇数位置用漏电流测定器25及各偶数位置用漏电流测定器26。或者，应用与在市场出售的装置同样结构的装置。JIS C 5101-1的4.9项中，记载了电容器的漏电流值的测定方法(又，在JIS C 5101-1的4.5项中记载了电容器的绝缘电阻值的测定方法)，以该测定方法为依据的测定器在市场上有出售。在电容器上施加不会破坏电容器程度的规定电压V，停止施加时，施加过程中的大的漏电流在施加停止之后立即变小，经过某程度的时间后，保持与经过的时间无关的大致相同的漏电流值，这样的稳定时的漏电流值ix是与绝缘电阻R对应的。即，得到漏电流值ix后，可以通过R＝V/ix求出绝缘电阻R。

各奇数位置用漏电流测定器25及各偶数位置用漏电流测定器26施加规定电压V，测定从施加结束开始经过规定时间后的漏电流值ix，后述的信息处理部27可以对得到的漏电流值ix应用转换式R＝V/ix，从而得到(换算)绝缘电阻R。

又，可以应用测定绝缘电阻值的绝缘电阻测定器，代替漏电流测定器25及26，此时，不需要进行信息处理部27的换算。

例如，透明电极11-2的搬送方向的沿面与沟槽12-1相对，搬送方向的反方向的沿面与沟槽12-2相对。透明电极11-2，在沟槽12-1的测定时施加电压，在沟槽12-2的测定时也施加电压，不能同时进行沟槽12-1及沟槽12-2的测定。另一方面，按时间依次执行各沟槽12-i的测定的话，1个测定对象基板3的测定所需要的时间过长。

因此，在信息处理部27的控制下，同时测定奇数位置的沟槽12-1、12-3、…的漏电流，然后，同时测定偶数位置的沟槽12-2、-12-4、…的漏电流。

奇偶切换开关组24，在信息处理部27的控制下，切换探针22和漏电流测定器(25或者26)的连接。进行奇数位置的沟槽12-o的漏电流测定时，奇偶切换开关组24使与夹着奇数位置的沟槽12-o的透明电极11-o及11-(o+1)接触的探针22-o及22-(o+1)与第(o+1)/2个奇数位置用漏电流测定器25-((o+1)/2)连接。又，进行偶数位置的沟槽12-e的漏电流测定时，奇偶切换开关组24使与夹着偶数位置的沟槽12-e的透明电极11-e及11-(e+1)接触的探针22-e及22-(e+1)与第e/2个偶数位置用漏电流测定器26-(e/2)连接。

又，奇偶切换开关组24可以切换探针22-i、22-(i+1)与漏电流测定器(25或者26)的连接，使得不仅可以进行多个沟槽的并行的测定，还可以在信息处理部27的控制下，只执行所指示的1个沟槽12-i的漏电流的测定。

信息处理部27，控制各部分，使全部的沟槽12的漏电流都被測定。又，信息处理部27，将各沟槽12的漏电流值换算(转换)成绝缘电阻值。进一步地，信息处理部27基于全部的沟槽12的绝缘电阻值，判断是否存在产生绝缘不良的沟槽，输出其判断结果。该输出，可以是对于LED等的显示元件、显示器的显示输出，也可以是通过音响或者声音的发音输出，进一步地，还可以是对于其他装置(例如，集中监视装置等的上位装置)的发送输出。

信息处理部27基于全部的沟槽12的绝缘电阻的倾向，形成向激光划线器1的反馈信息(激光照射强度的控制信息)后，将其赋予激光划线器1。关于该反馈信息的形成方法，将通过动作项的说明使其明确。

(A-2)实施形态的动作

下面，参照图4的流程图详细说明实施形态的透明电极间绝缘电阻测定装置2的动作。又，图4示出从某测定对象基板3已安装于透明电极间绝缘电阻测定装置2的测定位置的状态开始的动作的流程。

在开始图4的流程之前，操作人员需要对于信息处理部27预先设定在测定时施加到透明电极间的电压V、从施加结束时刻到检测出漏电流值ix的时间、划分绝缘电阻的良否的判定用电阻值等。

例如，测定时必要的施加电压，对应沟槽12的宽度(间隙长)是不同的。因此，在信息处理部27中，预先准备了使间隙长和施加电压相对应的转换表格，操作人员输入了间隙长时，可以选出相对应的施加电压进行设定。进一步地，预先准备了使间隙长与施加电压、检测所要时间、判定用电阻值的组合对应的转换表格，操作人员输入了间隙长时，可以选出相对应的参数组进行设定。可以使信息处理部27利用根据间隙长算出施加电压的转换式，来代替使间隙长和施加电压对应的转换表格。

新的测定对象基板3安装到透明电极间绝缘电阻测定装置2的测定位置时，信息处理部27使各个探针22-i分别与测定对象基板3的各透明电极11-i电连接后，通过全部的奇数位置用漏电流测定器25，测定夹着奇数的沟槽12-o的透明电极11-o及11-(o+1)间的漏电流(步骤S100)。此时，奇偶切换开关组24，通过信息处理部27，调整到测定夹着奇数位置的沟槽12-o的透明电极11-o及11-(o+1)间的漏电流时的开关状态。

接着，信息处理部27，通过全部的偶数位置用漏电流测定器26，测定夹着偶数位置的沟槽12-e的透明电极11-e及11-(e+1)间的漏电流(步骤S101)。此时，奇偶切换开关组24，通过信息处理部27，调整到测定夹着偶数位置的沟槽12-e的透明电极11-e及11-(e+1)间的漏电流时的开关状态。

然后，信息处理部27判断是否有透明电极间的漏电流值是被认为短路的值(步骤S102)。

没有一处短路部位时，直接转移到后述步骤S104，另一方面，存在一处以上的短路部位时，信息处理部27分别重新测定短路部位附近(或者短路部位)的透明电极间的漏电流(步骤S103)。上述步骤S100的测定是同时执行透明电极11-1及11-2间的漏电流的测定和透明电极11-3及11-4间的漏电流的测定。这里，如果透明电极11-2及11-3间存在短路，则透明电极11-1及11-2间的漏电流的测定变成，透明电极11-1和被施加不同的电位的、处于短路状态的透明电极11-2及11-3之间的漏电流的测定，可能不能进行正确测定，又，透明电极11-3及11-4间的漏电流的测定变成，被施加不同的电位的、处于短路状态的透明电极11-2及11-3和透明电极11-4之间的漏电流的测定，可能不能进行正确测定。因此，例如，在透明电极11-2及11-3间短路的情况下，通过步骤S103的处理，错开时间，分别进行透明电极11-1及11-2间的漏电流的测定和透明电极11-3及11-4间的漏电流的测定。又，在透明电极11-2及11-3间短路时，其周边的透明电极11-1及11-2间的漏电流有时也可能成为被认为是短路程度的值，因此，优选单个测定被判断为短路部位的透明电极间的漏电流。

一个短路部位都不存在时，或者因存在短路部位而单独(個別)执行了其附近的透明电极间的漏电流的测定时，信息处理部27将全部的沟槽12的漏电流换算为绝缘电阻值(步骤S104)。然后，信息处理部27判断绝缘电阻的良否等，进行判断结果的输出处理的同时(步骤S105)，将得到的绝缘电阻值、判断结果存储到内部的存储装置(步骤S106)。输出处理，如上所述，是显示输出、发音输出、发送输出等。

信息处理部27解析所得到的绝缘电阻值(或者判断结果)，形成反馈到激光划线器1的激光照射强度的控制信息(步骤S107)，将形成的信息反馈到激光划线器1上(步骤S108)。

如上所述，1个测定对象基板3在测定位置状态下的透明电极间绝缘电阻测定装置2的动作结束，执行向下一个工序的搬送等动作。

图4中记载了每次处理1个测定对象基板3都形成向激光划线器1的反馈信息并进行反馈的情形，但向激光划线器1反馈的反馈信息的形成也可以在每次积蓄对于规定个数的测定对象基板3的测定值时进行。

图5是示出对于透明电极11的个数是120的1个测定对象基板3的绝缘电阻的测定结果，其示出对激光划线器1没有反馈时的测定结果。横轴是表示供测定的“透明电极11、11间”的位置，换而言之，是表示“沟槽12”的位置的号码。这里，被測定的测定对象基板3是通过4个激光头(第1激光头～第4激光头)，同时形成4个平行的沟槽12。

透明电极11、11间的绝缘电阻，不仅根据沟槽12的宽度(间隙长)变化，还根据透明电极11的厚度(切槽前的薄膜的厚度(膜厚))而变化。即，相对于薄的膜厚，厚的膜厚的绝缘电阻较小。又，其根据每个激光头的激光束的照射强度的差异等也会发生变化。

透明电极11在膜厚为某程度厚度、并且绝缘电阻值较低、而且稳定的情况下，可以减小形成太阳能电池元件时元件间的差异。

从图5可以看出，从第1及第3的激光头发出的激光束较强，从第2及第4的激光头发出的激光束较弱。因此，从第2及第4的激光头发出的激光束所形成的沟槽12的薄膜的去除较弱，有可能产生切割残留(斑点残留、在沟槽底部的残留)。

通过从第1激光头发出的激光束形成的沟槽12是第1、第5、第9、…的沟槽(N是0或者自然数，一般书写为第(4×N+1)个沟槽)、通过从第1激光头发出的激光束所形成的沟槽12的绝缘电阻值的平均值表示从第1激光头发出的激光束的强度。同样地，第(4×N+2)个沟槽12的绝缘电阻值的平均值表示从第2激光头发出的激光束的强度，第(4×N+3)个沟槽12的绝缘电阻值的平均值表示从第3激光头发出的激光束的强度，第(4×N+4)个沟槽12的绝缘电阻值的平均值表示从第4激光头发出的激光束的强度。

信息处理部27，例如如上所述，算出反映从各激光头发出的激光束的强度的绝缘电阻平均值。在信息处理部27中，分别预先设定不变更强度时的绝缘电阻平均值的范围，强度增大1个等级时的绝缘电阻平均值的范围，强度增大2个等级时的绝缘电阻平均值的范围，强度降低1个等级时的绝缘电阻平均值的范围，强度降低2个等级时的绝缘电阻平均值的范围等，辨别所算出的从激光头发出的激光束的绝缘电阻平均值属于哪个范围，形成与所属范围对应的反馈信息，反馈到激光划线器1。

例如，在从第1激光头发出的激光束的强度固定了的情况下，绝缘电阻因沟槽12的不同而不同意味着形成沟槽12之前的该薄膜部分的厚度不同。图5是固定了从第1～第4的激光头发出的激光束的强度的情况。根据第1～第4激光头，激光束的强度不同，而从第1个沟槽到第119个沟槽的绝缘电阻值的变化的倾向表示被切分为透明电极前的薄膜的与沟槽正交方向上的厚度的变化。

从平均上来说，号码小的沟槽侧及号码大的沟槽侧的绝缘电阻值较高，因此可以判断其膜厚较薄。中间的沟槽，其绝缘电阻值整体上较低，并且某电阻值附近的差异较小，因此可以判断膜厚较厚并且稳定。

图6是相对于图5追加了表示从第1个沟槽到第119个沟槽的绝缘电阻值的变化的倾向的曲线CUR的图。如上所述，该曲线表示被切分为透明电极之前的薄膜的与沟槽正交方向上的厚度的变化。例如，曲线CUR假设为2次函数曲线的一部分，可以通过求出与测量值的差分平方和为最小的2次函数而求得。第1～第4个的沟槽的绝缘电阻值的平均值设定在横轴的第2.5的位置，第2～第5个的沟槽的绝缘电阻值的平均值设定在横轴的第3.5的位置，第3～第6个的沟槽的绝缘电阻值的平均值设定在横轴的第4.5的位置，下面，通过重复同样的处理可以得到曲线(折线)CUR。

在信息处理部27预先设定维持基准的激光强度时的与膜厚对应的绝缘电阻值的范围、比基准的激光强度大1个等级时的绝缘电阻平均值的范围、强度小1个等级时的绝缘电阻平均值的范围等，捕捉曲线CUR的各部分属于哪个范围，形成与各部分所属范围对应的反馈信息，反馈到激光划线器1。

例如，首先实行与从各激光头发出的激光束的差异对应的调整动作，然后实行与膜厚的位置变化对应的调整动作，再形成反映二者的反馈信息，反馈到激光划线器1。

又，如图5所示，得到每个沟槽的绝缘电阻值时，通过和阈值比较，判断是否有绝缘不良的沟槽、谋求对策的沟槽。这里，绝缘不良的沟槽、谋求对策的沟槽，不仅是短路的状态，还可以包括绝缘电阻值低、光电转换效率低这样的情况。即，可以包括没有针对不良的对策的情况、对策的方法不同的情况等多个等级。即使是可以判断为良品的情况，也可能会谋求对策。

例如，图5中示出测定结果的测定对象基板3的情况，第55个沟槽的绝缘电阻值是最小的绝缘电阻值。该最小绝缘电阻值，例如是26.9MΩ，可以保持绝缘状态。但是，可以推测有斑点残留、在沟槽底部的残留。由此可知，虽然绝缘良好，也可以进行不良的除去动作。

(A-3)实施形态的效果

根据上述实施形态，假设由沟槽以及两个透明电极的沿面构成的部分为电容器，捕捉漏电流来检测绝缘电阻值，因此可以细致地测定沟槽的特性。结果，不仅可以检测是否短路，还可以得到膜厚、多个激光头的差异等其他的信息。

又，根据上述实施形态，将激光头的差异、膜厚变化反馈到激光划线器1，因此，可以使将薄膜切分成透明电极的切槽的精度提高。

(B)其他的实施形态

上述实施形态，示出的是将从每个沟槽的绝缘电阻值得到的膜厚变化的信息反馈到激光划线器1的情形，但也可以通过在线或者脱线的方式，将从每个沟槽的绝缘电阻值得到的膜厚变化的信息，反馈到在绝缘基板上形成被切分成透明电极前的薄膜的薄膜形成装置。此时，薄膜形成装置基于反馈信息，进行控制以使膜厚均匀。

又，上述实施形态中示出透明电极间绝缘电阻测定装置形成向前工序反馈的反馈信息，透明电极间绝缘电阻测定装置也可以形成向后工序的前馈信息。例如，如果后工序中具有对切槽不足的沟槽进行补充切割(或者短路除去动作)的装置，透明电极间绝缘电阻测定装置将进行补充切割的沟槽的号码(或者补充程度(例如基于绝缘电阻值和基准电阻值的差利用预先准备的表格来决定)给与后工序的装置。

进一步地，上述实施形态中示出透明电极间绝缘电阻测定装置形成反馈信息，但透明电极间绝缘电阻测定装置也可以输出每个沟槽的绝缘电阻值的测定结果，操作者解析其输出结果形成反馈信息。例如，显示输出图5或者图6所示的图表(可以包括表示与基准厚度对应的绝缘电阻值的基准线、表示良否判定用阈值的阈值线)，或者表示并显示输出每个激光头的平均绝缘电阻值，操作者根据其输出结果，识别强度不足的激光头，或者识别照射容易过度的位置，然后反馈到激光划线器1、薄膜形成装置，或者前馈到后工序的装置。

上述实施形态中，示出对1个测定对象基板3只测定1次，但也可以进行多次测定。

通过将多次测定得到的绝缘电阻值的平均值作为测定值，可以降低测定误差。

又，可以从第一次测定时的测定对象基板3的姿势开始，将测定对象基板3以基板3的中心为中心旋转180度，实行第二次测定。图7是将图5的图表作为示出第一次测定结果的图表时示出第二次测定结果的图表。在第一次的测定中作为第一个沟槽测定的沟槽，在第二次测定中作为第119个沟槽被测定。这样地一来，在第一次和第二次提供测定的漏电流测定器发生变化，因此，能够排除測定器的影响进行解析。又，在第一次测定和第二次测定中，同一沟槽流通的漏电流的方向不同，因此，能够进行排除了斑点残留部分的形状等的解析。

在上述说明中，说明由信息处理部27实行的处理的一部分也可以由其他的装置(上位装置等)实行。

激光划线器1和透明电极间绝缘电阻测定装置2的位置关系并不限定于上述实施形态。如果具有激光划线器1的企业是以具有被切槽的基板侧透明电极的透明绝缘基板的状态作为制品出货的企业，可以设置透明电极间绝缘电阻测定装置2作为出货时检查装置组的一个，又，接受侧的企业也可以设置透明电极间绝缘电阻测定装置2作为入货时的检查装置。上文中对全数检查做了说明，当然检查也可以是抽查。

上述实施形态的说明中示出的是测定全部的沟槽的绝缘电阻的情况，但也可以对指定的沟槽的绝缘电阻进行个别的测定。

上述实施形态中，示出的是以绝缘电阻值作为测定目的的特性，但也可以是以漏电流作为测定目的的特性。又，其特征也可以在于将沟槽及其两侧的透明电极的沿面部分作为电容器来测定特性，可以直接应用电容器的绝缘电阻值、漏电流的实施形态以外的现有的测定方法。

上述实施形态中，示出将本发明应用到薄膜太阳能电池的透明电极的特性的测定中，但也可以将本发明应用到以具有被切槽了的导电性薄膜的绝缘性基板为对象的特性测定中。

Claims (16)

1.一种薄膜特性测定方法，其对在成膜于绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽、将所述导电性薄膜分割为多个薄膜部分的测定对象基板，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性，其特征在于，

将由夹着所述沟槽的一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器，应用对于电容器的特性测定方法，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性。

2.如权利要求1所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

在夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分施加规定电压，将施加所述电压后经过规定时间之后的漏电流的值，或者，所述规定电压除以所述漏电流得到的绝缘电阻的值，作为测定值。

3.如权利要求1所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

所述沟槽是通过激光束的照射而形成的，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，

就每个所述激光头，对夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果进行统计处理，由此得到所述激光头之间的照射能力的差异信息。

4.如权利要求3所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

将所得到的所述差异信息反馈到薄膜加工方法中，所述薄膜加工方法利用从激光头发出的激光束在成膜于所述绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽。

5.如权利要求1所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

针对所述沟槽的正交方向求出，夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果的变化倾向，得到所述导电性薄膜的所述沟槽的正交方向的膜厚变化信息，所述测定结果的变化倾向是从多个所述沟槽得到的。

6.如权利要求5所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

将所得到的所述膜厚变化信息向薄膜加工方法反馈，所述薄膜加工方法是利用从激光头发出的激光束在成膜于所述绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽的薄膜加工方法，或者是在所述绝缘性基板上形成所述导电性薄膜的薄膜加工方法。

7.一种薄膜加工方法，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，所述各激光头对成膜于绝缘性基板上的导电性薄膜照射激光束，形成平行的多个沟槽，其特征在于，

基于利用权利要求4所述的薄膜特性测定方法所反馈的所述各激光头的照射能力的差异信息，调整从所述各激光头发出的激光束的强度。

8.一种薄膜加工方法，其在绝缘性基板上形成导电性薄膜，其特征在于，

基于利用权利要求6所述的薄膜特性测定方法所反馈的所述膜厚变化信息，进行调整使所述导电性薄膜的膜厚均匀。

9.一种薄膜特性测定装置，该薄膜特性测定装置对在成膜于绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽、将所述导电性薄膜分割为多个薄膜部分的测定对象基板，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性，其特征在于，

具有测定单元，该测定单元将由夹着所述沟槽的一方的所述薄膜部分的面对所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的所述薄膜部分的面对所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器，应用对于电容器的特性测定方法，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性。

10.如权利要求9所述的薄膜特性测定装置，其特征在于，

所述测定单元，在夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分施加规定电压，将施加所述电压后经过规定时间之后的漏电流的值，或者，所述规定电压除以所述漏电流得到绝缘电阻的值，作为测定值。

11.如权利要求9所述的薄膜特性测定装置，

所述沟槽是通过激光束的照射而形成的，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，

所述测定单元，就每个所述激光头，对夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果进行统计处理，得到所述激光头之间的照射能力的差异信息。

12.如权利要求11所述的薄膜特性测定装置，其特征在于，

具有将所得到的所述差异信息反馈到薄膜加工装置的单元，所述薄膜加工装置利用从激光头发出的激光束，在成膜于所述绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽。

13.如权利要求9所述的薄膜特性测定装置，其特征在于，

所述测定单元，针对所述沟槽的正交方向求出，夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果的变化倾向，从而得到所述导电性薄膜的所述沟槽的正交方向的膜厚变化信息，所述测定结果的变化倾向是从多个所述沟槽得到的。

14.如权利要求13所述的薄膜特性测定装置，其特征在于，

具有将所得到的所述膜厚变化信息反馈到薄膜加工装置的单元，所述薄膜加工装置是利用从激光头发出的激光束在成膜于所述绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽的薄膜加工装置，或者是在所述绝缘性基板上形成所述导电性薄膜的薄膜加工装置。

15.一种薄膜加工装置，其存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，所述各激光头对成膜于绝缘性基板的导电性薄膜照射激光束，形成平行的多个沟槽，其特征在于，

具有基于利用权利要求12所述的薄膜特性测定装置所反馈的所述各激光头的照射能力的差异信息，调整从所述各激光头发出的激光束的强度的单元。

16.一种薄膜加工装置，其在绝缘性基板上形成导电性薄膜，其特征在于，

具有基于利用权利要求14所述的薄膜特性测定装置所反馈的所述膜厚变化信息，进行调整以使所述导电性薄膜的膜厚均匀的单元。

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