CN101959395A - 屏蔽壳体及其表面处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种屏蔽壳体的表面处理方法,包括下列步骤。首先,提供一金属层,其中金属层由镁铝合金所压铸成型。之后,对金属层的一表面全面性地进行一激光雕刻制程,以在金属层上形成一氧化物层。此外,一种应用上述表面处理方法的屏蔽壳体亦被提出。

Description

屏蔽壳体及其表面处理方法
技术领域
本发明有关于一种表面处理,且特别是有关于一种屏蔽壳体的表面处理。
背景技术
由于电子元件间的电磁干扰(EMI,Electro Magnetic Interference)会造成整个装置的性能降低,因此,在手机领域应用镁铝合金来作电子元件的屏蔽材料的情形相当普遍,以减少电磁干扰的影响。
图1为已知的一种屏蔽壳体的剖面示意图。请参考图1,屏蔽壳体100包括一金属层110、一皮膜层120、一导电漆层130以及一导电胶层140。就制程上而言,首先,会以铝镁合金压铸成型出金属层110。接着,为了避免铝镁合金的金属层110遇到空气而氧化,通常会在金属层110上形成皮膜层120并涂布导电漆层130于皮膜层120上。最后,再局部地形成导电胶层140于其上。
然而,导电漆层130的材质不但不环保而且价格也偏高。此外,由于压铸成型的金属层110表面会有很多针孔性的空隙,且通常有离型喷雾剂残留在金属层110的表面。因此,导电漆层130便不容易形成于金属层110上,而需要利用与导电漆层130结合性佳的皮膜层120来改善。即使如此,良率却只有60%,相当不符合生产上对成本的要求,也影响产品的品质。
发明内容本发明提供一种屏蔽壳体及其表面处理方法,能够降低成本与提高制程良率。
本发明提供一种屏蔽壳体的表面处理方法,包括下列步骤。首先,提供一金属层,其中金属层由镁铝合金所压铸成型。之后,对金属层的一表面全面性地进行一激光雕刻制程,以在金属层上形成一氧化物层。
在本发明的一实施例中,在对金属层进行激光雕刻制程的步骤之前,屏蔽壳体的表面处理方法还包括对金属层进行一机械表面处理。
在本发明的一实施例中,在对金属层进行激光雕刻制程的步骤之前,屏蔽壳体的表面处理方法还包括对金属层进行一防氧化处理。
在本发明的一实施例中,进行防氧化处理的步骤包括于金属层的表面上形成一皮膜层。
在本发明的一实施例中,皮膜层的材料为钙系磷酸盐。
在本发明的一实施例中,在进行激光雕刻制程的步骤中,皮膜层被激光雕刻制程所移除。
在本发明的一实施例中,在对金属层进行激光雕刻制程的步骤之后,屏蔽壳体的表面处理方法还包括于金属层的局部形成一导电胶层。
本发明还提供一种屏蔽壳体,包括一金属层以及一氧化物层。金属层由镁铝合金所压铸成型。氧化物层透过一激光雕刻制程全面性地形成于金属层的一表面。
在本发明的一实施例中,屏蔽壳体还包括一导电胶层,局部地覆盖于金属层。
基于上述,本发明藉由激光雕刻在屏蔽壳体上形成氧化物层的方式,可避免导电漆涂布不均、不环保的问题,亦可降低成本与提高良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为已知一种屏蔽壳体的剖面示意图。
图2为本发明一实施例的屏蔽壳体的剖面示意图。
图3为本发明一实施例的屏蔽壳体的表面处理方法的流程示意图。
图4为本发明另一实施例的屏蔽壳体的表面处理方法的流程示意图。
图5A~图5D为图4的屏蔽壳体的表面处理方法的产出物的剖面示意图。
图5E为图5D的屏蔽壳体配置于电路板的剖面示意图。
图6A为图5D的屏蔽壳体的仰视图。
图6B为图5D的屏蔽壳体的俯视图。
主要元件符号说明
100:屏蔽壳体
110:金属层
120:皮膜层
130:导电漆层
140:导电胶层
200、300:屏蔽壳体
210、310:金属层
220、330:氧化物层
320:皮膜层
340:导电胶层
PT1a、PT1b、PT2a、PT2b、PT3a、PT3b、PT4a、PT4b:测试位置
S110~S120、S210~S250:步骤
具体实施方式
图2为本发明一实施例的屏蔽壳体的剖面示意图。请参考图2,屏蔽壳体200包括一金属层210以及一氧化物层220。金属层210由镁铝合金所压铸成型。氧化物层220透过一激光雕刻制程全面性地形成于金属层的一表面。在本实施例中,氧化物层220例如为氧化镁。
图3为本发明一实施例的屏蔽壳体的表面处理方法的流程示意图。从另一角度来说,请参考图2与图3,屏蔽壳体200例如是经由步骤S110~S120所制成。首先,提供由铝镁合金压铸成型的金属层210(步骤S110)。举例来说,金属层210可以根据铝镁合金的材料不同,而选用不同的热室压铸机(有200T,350T,500T等)所压铸成型。不同材质的金属层210可以搭配不同的热室压铸机来制作。
就一般业界常用的材料而言,WD100用的是200T热室压铸机,材质为AZ91D(溶汤温度在摄氏680度~700度之间)。锌合金压铸:ZA8、Zamak3(溶汤温度在摄氏430度~450度之间)也是热室压铸。铝合金压铸:AlSi9Cu3、ADC12等(溶汤温度在摄氏650度~680度之间),一般是冷室压铸。以上合金都是由各种元素组成,例如镁、铝、锌、锰、铁、镍、铜、硅等。各种元素的含量多少会对合金的性能和工艺成型都有很大的影响,比如说:铜的含量比例过高会使产品出现龟裂,硅的含量比例达到一定的程度有利于溶汤的流动性,而能够帮助产品成型。
接着,对金属层210的表面全面性地进行激光雕刻制程,以在金属层210上形成氧化物层220(步骤S120)。详细而言,在激光雕刻制程中,可调整激光光的波长、照射时间,并搭配不同的冷却方式,可让金属层210的表面产生熔融等结构上的改变,使得金属层210的表面重新结晶进而形成氧化物层220等保护层。
值得一提的是,由于屏蔽壳体200的金属层210被其上的氧化物层220所保护。因此,金属层210的表面不会直接接触空气,所以减少氧化的机会。此外,由于金属层210上不需再形成导电漆层,所以不但制程的程序减少、生产成本降低,也能减少对环境的伤害,进而实现了环保的要求。
图4为本发明另一实施例的屏蔽壳体的表面处理方法的流程示意图,图5A~图5D为图4的屏蔽壳体的表面处理方法的产出物的剖面示意图。为了更进一步说明屏蔽壳体的制作过程,以下将配合图4及图5A~5D来描述。
请先参考图4与图5A,首先进行步骤S210,提供一金属层310。金属层310由镁铝合金所压铸成型。接着可进行步骤S220,对金属层310进行一机械表面处理。举例来说,可对金属层310进行打磨去毛刺、抛光等机械表面处理,以让金属层310的表面更为平整。打磨的方式可分为手工打磨去毛刺、机械震动/滚动去毛刺、ABB机械手臂去毛刺/抛光等。
就手工打磨去毛刺而言,通常因为效率低、成本高且品质不稳定,所以一般不建议使用。就机械震动/滚动去毛刺而言,可将金属层310放到一个锅型容器中,在配以研磨砂材通过电机驱动以一定的频率去震动/滚动达到去毛刺的效果。砂材一般是包含树脂、SiO2石子、细钢珠等材料。砂材的形状和大小也各不相同,且可根据产品的形状来选配。就ABB机械手臂去毛刺/抛光而言,即是使用机械手臂对金属层310自动化打磨抛光。
请参考图4与图5B,在机械表面处理完之后,可进行步骤S230,对金属层进行一防氧化处理。亦即,可于金属层310的表面上形成一皮膜层320。在本实施例中,在形成皮膜层320之前,可先经脱脂、酸洗、中和等前处理。此外,皮膜层320的材料例如为钙系磷酸盐。
请接着参考图4与图5C,进行步骤S240,对金属层310的一表面全面性地进行一激光雕刻制程,以在金属层310上形成一氧化物层330。详细来说,激光雕刻制程会先将皮膜层320移除,再使得金属层310的表面结构改变,进而形成氧化物层330。
接下来请参考图4与图5D,可进行步骤S250,于金属层310的局部形成一导电胶层340,而完成屏蔽壳体300的制作。在本实施例中,导电胶层340是透过氧化物层330而形成于金属层310上。
图5E为图5D的屏蔽壳体配置于电路板的剖面示意图。请参考图5D与图5E,屏蔽壳体300可配置于电路板50,以屏蔽电路板50上的电子元件(未绘示)。上述所形成的导电胶层340位于电路板50与金属层310之间,以藉由导电胶层340的弹性与柔软度提升屏蔽壳体300与电路板50之间的接合平整度。
图6A为图5D的屏蔽壳体的仰视图,图6B为图5D的屏蔽壳体的俯视图。请参考图6A与图6B,屏蔽壳体300上有四组的测试位置,分别是PT1a与PT1b(对应表1、表2的PT1)、PT2a与PT2b(对应表1、表2的PT2)、PT3a与PT3b(对应表1、表2的PT3)、PT4a与PT4b(对应表1、表2的PT4)。以下,将对屏蔽壳体300的四组测试位置进行阻抗测试的结果进行说明(方案B)。此外,为了比较差异,以下并辅以方案A与方案C进行说明,其中方案A指的是由金属层、皮膜层与导电胶层构成的屏蔽壳体;方案C指的是前述的屏蔽壳体200。
如表1所示,方案A出现了多个阻抗大于1Ω的情形,而方案B与方案C皆未出现。根据理论,当阻抗大于1Ω时,屏蔽效果不稳定。也就是说,屏蔽壳体未经激光雕刻,仅于皮膜层上形成导电胶层的话,屏蔽效果不稳定,无法通过检测的标准。此外,方案B与方案C的结果显示,无论是否于金属层上形成导电胶层,都不影响屏蔽的效果。亦即,导电胶层改善的是金属层与电路板接合的平整度,屏蔽壳体并非一定要形成导电胶层。
Figure B2009101607951D0000051
Figure B2009101607951D0000061
表2的数据为各方案的屏蔽壳体在HQA环测后的测试结果。如表2所示,经过HQA环测之后,方案A的阻抗值明显地增加,代表屏蔽效果会随着使用时间越久而越差。再如方案2与方案3所示,经过HQA环测之后,方案A与方案B的阻抗值仍维持在1Ω以下,代表屏蔽效果不会随着使用时间而改变。
Figure B2009101607951D0000071
综上所述,本发明藉由激光雕刻在屏蔽壳体上形成氧化物层的方式,可避免导电漆涂布不均、不环保的问题,亦可降低成本与提高良率。此外,本发明藉由在金属层上形成导电胶层,可进一步改善金属层与电路板接合的平整度。
虽然本发明已以实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (9)

1.一种屏蔽壳体的表面处理方法,包括:
提供一金属层,其中该金属层由镁铝合金所压铸成型;以及
对该金属层的一表面全面性地进行一激光雕刻制程,以在该金属层上形成一氧化物层。
2.如权利要求1所述的屏蔽壳体的表面处理方法,其特征在于,在对该金属层进行该激光雕刻制程的步骤之前,还包括:
对该金属层进行一机械表面处理。
3.如权利要求1所述的屏蔽壳体的表面处理方法,其特征在于,在对该金属层进行该激光雕刻制程的步骤之前,还包括:
对该金属层进行一防氧化处理。
4.如权利要求3所述的屏蔽壳体的表面处理方法,其特征在于,进行该防氧化处理的步骤包括:
于该金属层的该表面上形成一皮膜层。
5.如权利要求4所述的屏蔽壳体的表面处理方法,其特征在于中该皮膜层的材料为钙系磷酸盐。
6.如权利要求4所述的屏蔽壳体的表面处理方法,其特征在于,在进行该激光雕刻制程的步骤中,该皮膜层被该激光雕刻制程所移除。
7.如权利要求1所述的屏蔽壳体的表面处理方法,其特征在于,在对金属层进行该激光雕刻制程的步骤之后,还包括:
于该金属层的局部形成一导电胶层。
8.一种屏蔽壳体,包括:
一金属层,由镁铝合金所压铸成型;以及
一氧化物层,透过一激光雕刻制程全面性地形成于该金属层的一表面。
9.如权利要求8所述的屏蔽壳体,其特征在于,还包括:
一导电胶层,局部地覆盖于该金属层。
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