CN101933230A - Saw传感器 - Google Patents

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崔斗焕
金台镐
徐在佑
林承晚
金度亨
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Abstract

本发明公开了一种通过使用表面声波(SAW)感测压力、温度等的SAW传感器。SAW传感器包括：基底，所述基底具有多个表面，且所述基底在所述多个表面中的一个表面上形成有空腔，所述空腔具有预定深度；压电板，所述压电板具有压电性，以产生表面声波，并且所述压电板连接到形成空腔的表面，从而覆盖基底的空腔；压力谐振器，所述压力谐振器安装到压电板的与空腔槽相对应的部分，并且由于施加到所述压力谐振器的射频(RF)信号而产生表面声波；和参考谐振器，所述参考谐振器安装到压电板以位于与空腔相对应的部分的外侧，并且平行于压力谐振器，并且所述参考谐振器由于施加到所述参考谐振器的RF信号而产生表面声波。

Description

SAW传感器
技术领域
本发明涉及一种表面声波(SAW)传感器，并且更具体地涉及一种通过使用由于施加到SAW谐振器的射频(RF)信号产生SAW的SAW谐振器感测压力、温度等变化的SAW传感器。
背景技术
一般地，产生表面声波(SAW)的谐振器可以通过将多个叉指换能器(IDT)金属电极以规则间隔设置在压电板上而构成，所述压电板由诸如LiNbO3的具有压电性的材料制成。
图1是通过使用SAW谐振器感测压力的传统SAW传感器的横截面图。
三个SAW谐振器4、5和6平行设置在压电板3上。压电板3安装在外壳2中以使压电板3的两端由外壳2支撑。外部压力可以直接施加到其上的隔膜1设置在压电板3上方。如图1所示，隔膜1在由外壳2支撑的压电板3的两端之间接触压电板3，以使外部压力通过隔膜1传递到压电板3。
当外部压力通过隔膜1传递到压电板3时，压电板3弯曲。由于压电板3的变形，SAW谐振器4、5和6的SAW特性改变。因而，SAW波谐振器4、5和6的每个的共振频率改变。因为压电板3的变形量根据每个SAW谐振器4、5和6所设置的位置而变化，因此每个SAW谐振器4、5和6的共振频率的变化量改变。
因此，外部压力的变化量可以通过分析由于压力而使得每个SAW谐振器4、5和6的共振频率的变化量来计算，所述SAW谐振器4、5和6由于施加到每个谐振器4、5和6的RF信号而振荡。
然而，在图1所示的传统的SAW传感器中，因为三个SAW谐振器4、5和6各自的共振频率都根据压力变化而变化，从而不能够精确地测量压力的变化量，因此难以通过感测谐振器4、5和6的各自的共振频率的变化量来计算压力的变化量。换句话说，SAW谐振器4、5和6不是即使压力变化而其不改变共振频率的SAW谐振器。
而且，在传统的表面声波传感器中，外部压力没有直接施加到压电板3，而是替代地通过隔膜1间接施加到所述压电板。此外，需要非常精细和精密的制造工艺来制造具有足够灵敏度和精度以感测压力的传统的SAW传感器，从而增加了传统SAW传感器的制造成本。
发明内容
技术问题
本发明提供了一种具有改进的结构的表面声波(SAW)传感器，其中外部压力直接施加到压电板以使可提高用于感测压力的灵敏度和精度，并且其中，设置具有即使外部压力变化而不变化的共振频率的另外的谐振器，以使可以提高感测压力的性能。
有益效果
在根据本发明的SAW传感器中，压力直接施加到在其内安装多个谐振器的压电板中，以使每个谐振器的根据压力的共振频率的变化量具有线性，并因此可以提供用于感测压力的精度和灵敏度。
此外，在根据本发明的SAW传感器中，设置具有即使外部压力变化也不变化的共振频率的另外的谐振器，以使可更加精确和容易地感测压力。
此外，每个谐振器的共振频率根据在其内安装谐振器的压电板的厚度、尺寸和材料变化。在根据本发明的SAW传感器的情况下，参考谐振器和压力谐振器都安装在压电板上，以使可以根据参考谐振器非常容易地校正压力谐振器的共振频率误差，并且可以实现高产量。
根据本发明的一个方面，提供了一种通过使用表面声波(SAW)感测压力、温度等的SAW传感器，SAW传感器包括：基底，所述基底具有多个表面，且所述基底在所述多个表面中的一个表面上形成有空腔，所述空腔具有预定深度；压电板，所述压电板具有压电性以产生SAW，并且所述压电板连接到形成空腔的表面，以覆盖基底的空腔；压力谐振器，所述压力谐振器安装到压电板的与空腔槽相对应的部分，并且由于施加到所述压力谐振器的射频(RF)信号而产生SAW；和参考谐振器，所述参考谐振器安装到压电板以位于与空腔相对应的部分的外侧，并且平行于压力谐振器，并且所述参考谐振器由于施加到所述参考谐振器的RF信号而产生SAW。
参考谐振器和压力谐振器可以安装压电板的面对基底的表面上，并且参考谐振器容纳在其中的参考谐振器槽形成在基底中。
参考谐振器和压力谐振器可以安装在压电板的面对基底的表面上，并且基底的与参考谐振器相对应的部分被穿孔。
参考谐振器和压力谐振器每个都可以包括振荡叉指换能器(IDT)、和多个反射IDT，所述振荡叉指换能器由于外部施加的RF信号而产生SAW，所述多个反射IDT中一个或多个分别设置在振荡IDT的两侧，并且反射在振荡IDT中产生的SAW。
SAW传感器还可以包括温度谐振器，所述温度谐振器温度谐振器安装在压电板上，所述温度谐振器被设置成相对于参考谐振器倾斜，并且所述温度谐振器由于施加到所述温度谐振器RF信号而产生SAW。
参考谐振器、压力谐振器和温度谐振器可以安装在压电板的面对基底的表面上，并且参考谐振器容纳在其中的参考谐振器槽和温度谐振器容纳在其中的温度谐振器槽形成在基底中。
参考谐振器、压力谐振器和温度谐振器可以安装在压电板的面对基底的表面上，并且基底的与参考谐振器和温度谐振器相对应的部分中的每一个都被穿孔。
参考谐振器、压力谐振器和温度谐振器每个都可以包括振荡叉指换能器(IDT)、和多个反射IDT，所述振荡叉指换能器由于外部施加的RF信号而产生SAW，所述多个反射IDT中一个或多个分别设置在振荡IDT的两侧，并且反射在振荡IDT中产生的SAW。
附图说明
图1是传统的表面声波(SAW)传感器的横截面图；
图2是根据本发明的实施方式的SAW传感器的分解立体图；
图3和4是沿着图2所示的SAW传感器的III-III线截得的横截面图；和
图5是根据本发明的另一个实施方式的SAW传感器的分解立体图。
附图标记说明
100，200：SAW传感器
110，210：基底
120，220：压电板
111，211：空腔
130，230：压力谐振器
140，240：参考谐振器
150，250：温度谐振器
121，221：薄膜
112：参考谐振器槽
113：压力谐振器槽
212：参考谐振器孔
213：压力谐振器孔
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的示例性实施方式。
图2是根据本发明的实施方式的表面声波(SAW)传感器100的分解立体图，而图3是沿着图2中SAW传感器100的线III-III截得的横截面图。
参照图2和3，根据本发明的实施方式的SAW传感器100包括：基底110、压电板120、参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150。
具有预定深度的空腔111形成在基底110中。基底110可以由多种材料形成。在本实施方式中，基底110由硅(Si)形成，所述硅有助于通过使用半导体加工工艺或微型机电系统(MEMS)执行的诸如蚀刻等的处理。
压电板120由具有压电性的材料形成。LiNbO3等可以用作用于压电板120的材料。在本实施方式中，压电板120由石英形成。
参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150都是通过使用施加到其上的射频(RF)信号而生成SAW的SAW谐振器。参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150分别包括振荡叉指换能器(IDT)131、141、151和两个反射IDT132和133、142和143、152和153。每个参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150通过在压电板120上印刷金属IDT电极形成。振荡IDT131、141或151由于外部施加的RF信号而产生SAW。两个反射IDT132和133、142和143、152和153沿着在振荡IDT131、141和151中产生的SAW的传播方向分别设置在振荡IDT131、141和151的两侧。
压力谐振器130平行参考谐振器140设置；然而，温度谐振器150被设置成不平行于参考谐振器140。可以根据压电板120的材料的特性确定形成在参考谐振器140和温度谐振器150之间的角度θ1。
在上面印刷参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150的压电板120连接到基底110。在这种情况下，在上面印刷参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150的压电板120的底表面面对基底110，以使压电板120和基底110可以相互连接。因而，基底110的空腔111被压电板120覆盖。压电板120的与空腔111对应的部分被称为薄膜121。
当参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150设置在压电板120上时，压力谐振器130设置在与薄膜121对应的部分中，即，设置在压电板120将面对基底110的空腔111的部分中。参考谐振器140和温度谐振器150设置在薄膜121外。
当基底110和压电板120相互连接时，压力谐振器130容纳在空腔111中，并且压力谐振器130不接触基底110。此外，在基底110和压电板120之间的间隔形成在薄膜121中。
另外，参考谐振器槽112和温度谐振器槽113形成在基底110中，以使参考谐振器140和温度谐振器150不接触基底110。因此，当压电板120和基底110相互连接时，参考谐振器140和温度谐振器150分别容纳在参考谐振器槽112和温度谐振器113中。
以下说明图1中的SAW传感器100的功能。
当将RF信号施加到参考谐振器140的振荡IDT141时，振荡IDT141以共振频率振动并且产生SAW。然后，产生的SAW朝向分别设置在振荡IDT141两侧的反射IDT142和143移动，并且被反射并恢复到振荡IDT141。恢复的SAW然后通过振荡IDT141被转换成RF信号。
压力谐振器130和温度谐振器150以与参考谐振器140相同的模式操作。
天线(未显示)分别连接到参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150的每个电极134和135、144和145、154和155，从而以无线方式将RF信号施加到每个电极134和135、144和145、154和155，并且分析SAW在其内被恢复的每个参考谐振器140、压力谐振器130和温度谐振器150的共振频率。因而，可以感测外部压力和温度的的变化中的每一个。
首先，以下详细说明感测压力变化的方法。
如图3所示，当相同压力施加到薄膜121的顶表面和底表面时，RF信号施加到每个参考谐振器140和压力谐振器130，从而测量在每个参考谐振器140和压力谐振器130中产生的SAW的共振频率。
当外部压力增加时，如图4所示，薄膜121变形。因而，薄膜121的压电板120的SAW的特征改变，并且压力谐振器130的共振频率改变。测量压力谐振器130的共振频率的变化量，从而计算施加到薄膜121的压力。因为即使外部压力变化参考谐振器140的共振频率也不变化，因此可测量参考谐振器140和压力谐振器130的共振频率之间的差，并且可以由所述差来计算施加到薄膜121的压力。
依此方式，在根据本发明的本实施方式的SAW传感器100中，与图1的传统SAW传感器不同，具有尽管外部压力变化而其不变化的共振频率的参考谐振器140另外设置在薄膜121外，因此，与图1的传统SAW传感器相比，可以进一步提高用于感测压力的精度。而且，在图1的传统SAW传感器中，压力通过隔膜1间接施加到压电板3。另一方面，在根据本发明的本实施方式的SAW传感器100中，压力直接施加到压电板120，并且薄膜121变形。因而，在SAW传感器100中，可以进一步提高用于感测压力的灵敏度，并且与图1的传统SAW传感器相比，可以更简单并且精确地执行计算压力的方法。
以下说明感测温度变化的方法。
如上所述，温度谐振器150相对于参考谐振器140倾斜预定角度θ1(参见图2)。包括石英的用作用于压电板120的材料的压电材料具有方向性。换句话说，压电材料物质的诸如热膨胀系数等的特性根据压电板120的结晶方向而改变。因此，当压电板120由于外部温度变化而收缩或膨胀时，参考谐振器140和温度谐振器150的共振频率的变化量改变。可以根据参考谐振器140和温度谐振器150之间形成的角度θ1、压电板120的结晶方向和每个参考谐振器140和温度谐振器150的共振频率的变化量来计算外部温度。在本领域所公知的是可以从被设置成使得温度谐振器150相对于参考谐振器140倾斜的每个参照和温度谐振器140和150的共振频率变化量来感测温度，因此，其详细说明被省略。
参考谐振器和温度谐振器140和150印刷在压电板120的两个表面中的面对基底110的一个表面上，并且压力谐振器130容纳在基底110的空腔111中，而参考谐振器140和温度谐振器150分别容纳在参考谐振器槽112和温度谐振器槽113中。因为每个参考谐振器140和温度谐振器150没有暴露到SAW传感器100的外部，SAW传感器100因为很少由于外部灰尘、化学材料等被污染或损坏，因此SAW传感器100可以长时间使用。
如上所述，根据本发明的实施方式的SAW传感器100可以通过使用印刷在压电板120上的温度谐振器、参考谐振器和压力谐振器130、140和150同时感测压力和温度。因为参考谐振器140和温度谐振器150设置在薄膜121外，因此参考谐振器140和温度谐振器150不受外部压力变化的影响，并因此可以精确地感测温度。
图5是根据本发明的另一个实施方式的SAW传感器的分解立体图。
参照图5，根据本发明的实施方式的SAW传感器200的特征在于：设置具有与图2的基底110的结构不同结构的基底210。另外，图5的SAW传感器200的压力谐振器230、参考谐振器240和温度谐振器250分别与图2的SAW传感器100的压力谐振器130、参考谐振器140和温度谐振器150相同，但是如图5所示连接到外部电路的电极234、235、244、245、254和255的位置与图2中的电极的相应的位置不同。
图5的SAW传感器200也包括基底210、参考谐振器240、压力谐振器230、温度谐振器250和压电板220。
同样，具有预定深度的空腔211形成在基底210中。
压电板220具有压电性，并且参考谐振器240、压力谐振器230和温度谐振器250印刷在压电板220上。
分别与图2的压力谐振器、参考谐振器和温度谐振器130、140和150相同，压力谐振器、参考谐振器和温度谐振器230、240和250包括振荡IDT231、241和251，和两个反射IDT232和233、242和243或252和253。不同点在于参考谐振器140的电极144和145和温度谐振器150的电极154和155放置在压电板120的边缘处，而图5中的参考谐振器240的电极244和245和温度谐振器250的电极254和255分别放置在振荡IDT241和251附近。此外，与图2的压力谐振器130的电极134和135相同，压力谐振器230的电极234和235放置在压电板220的边缘处。
压力谐振器230平行于参考谐振器240设置，而温度谐振器250相对于参考谐振器240以预定角度θ2倾斜设置。
压电板220的在上面设置压力谐振器230、参考谐振器240和温度谐振器250的表面面对基底210，以使压电板220和基底210可以相互连接。因而，基底210的空腔211被压电板220覆盖。压电板220的与空腔311相对应的部分被称作为薄膜221。
如同图2，压力谐振器230设置在薄膜221上，而参考谐振器240和温度谐振器250设置在薄膜221外侧。
与图2所示的参考谐振器槽112和温度谐振器槽113形成在基底110中不同，参考谐振器孔212和温度谐振器孔213分别形成在与参考谐振器240和温度谐振器250相对应的部分中。
因此，压力谐振器230容纳在空腔211中，并且不接触基底210，而参考谐振器240和温度谐振器250分别容纳在参考谐振器孔212和温度谐振器孔213中，并且不接触基底210。
在图5的SAW传感器200中，可以通过参考谐振器孔212和温度谐振器孔213对参考谐振器240和温度谐振器250的电极244、245、254和255执行引线接合。因此，参考谐振器240和温度谐振器250的电极244、245、254和255可以容易地连接到外部电路。
图5的SAW传感器200的功能和通过使用SAW传感器200感测压力和温度的方法与图2的SAW传感器100的功能和使用SAW传感器100感测压力和温度的方法相同。
如上所述，已经说明了根据本发明的SAW传感器的示例性实施方式。然而，根据本发明的SAW传感器不限于上述说明的实施方式，并且在不背离本发明的精神和保护范围的情况下，可以通过对实施例的修改和组合来确定各种类型的SAW传感器。
例如，如前所述，压力谐振器、参考谐振器和温度谐振器130、140和150或230、240和250分别安装在压电板120或220的面对基底110或210的一个表面上。然而，压力谐振器、参考谐振器和温度谐振器130、140和150或230、240和250可以安装在与面对基底110或210的表面相对的表面上。
另外，如前所述，图2的SAW传感器100或图5的SAW传感器200分别包括温度谐振器150或250。然而，SAW传感器100或200可以仅包括压力谐振器和参考谐振器，而不包括温度谐振器150或250。
此外，如前所述，参考谐振器140或240、压力谐振器130或230和温度谐振器150或250分别包括振荡IDT131、141和151或231、241和251以及反射IDT132和133、142和143、152和153、232和233、242和243或252和253。然而，可以构造使用具有与SAW传感器100和200的结构不同结构的SAW谐振器的SAW传感器。
虽然已经具体显示并参照本发明的示例性实施方式说明了本发明，但是本领域技术人员应理解在没有背离由如下权利要求所限定的本发明的精神和保护范围的情况下，可以在形式和细节上做各种变化。

Claims (8)

1.一种通过使用表面声波(SAW)感测压力、温度等的SAW传感器，所述SAW传感器包括：
基底，所述基底具有多个表面，且所述基底在所述多个表面中的一个表面上形成有空腔，所述空腔具有预定深度；
压电板，所述压电板具有压电性以产生SAW，并且所述压电板连接到形成有所述空腔的表面，从而覆盖所述基底的所述空腔；
压力谐振器，所述压力谐振器安装到所述压电板的与空腔槽相对应的部分，并且所述压力谐振器由于施加到所述压力谐振器的射频(RF)信号而产生SAW；和
参考谐振器，所述参考谐振器安装到所述压电板以位于与所述空腔相对应的部分的外侧，并且平行于所述压力谐振器，并且所述参考谐振器由于施加到所述参考谐振器的RF信号而产生SAW。
2.根据权利要求1所述的SAW传感器，其中，所述参考谐振器和所述压力谐振器安装在所述压电板的面对所述基底的表面上，并且参考谐振器槽形成在所述基底中，所述参考谐振器容纳在所述参考谐振器槽内。
3.根据权利要求1所述的SAW传感器，其中，所述参考谐振器和所述压力谐振器安装在所述压电板的面对所述基底的表面上，并且所述基底的与所述参考谐振器相对应的部分被穿孔。
4.根据权利要求1至3任何一项所述的SAW传感器，其中，所述参考谐振器和所述压力谐振器每个都包括振荡叉指换能器(IDT)、和多个反射IDT，所述振荡叉指换能器由于外部施加的RF信号而产生SAW，所述多个反射IDT中的一个或多个分别设置在所述振荡IDT的两侧，并且多个反射IDT反射在所述振荡IDT中产生的SAW。
5.根据权利要求1所述的SAW传感器，还包括温度谐振器，所述温度谐振器安装在所述压电板上，所述温度谐振器相对于所述参考谐振器倾斜设置，并且所述温度谐振器由于施加到所述温度谐振器的RF信号而产生SAW。
6.根据权利要求5所述的SAW传感器，其中，所述参考谐振器、所述压力谐振器和所述温度谐振器安装在所述压电板的面对所述基底的表面上，并且参考谐振器槽和温度谐振器槽形成在所述基底中，所述参考谐振器容纳在所述参考谐振器槽中，所述温度谐振器容纳在所述温度谐振器槽中。
7.根据权利要求5所述的SAW传感器，其中，所述参考谐振器、所述压力谐振器和所述温度谐振器安装在所述压电板的面对所述基底的表面上，并且所述基底的与所述参考谐振器和所述温度谐振器相对应的部分中的每一个都被穿孔。
8.根据权利要求5或6所述的SAW传感器，其中，所述参考谐振器、所述压力谐振器和所述温度谐振器每个都包括振荡叉指换能器(IDT)，和多个反射IDT，所述振荡IDT由于外部施加的RF信号而产生SAW，所述多个反射IDT中的一个或者多个分别设置在所述振荡IDT的两侧，并且反射在所述振荡IDT中产生的SAW。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102820984A (zh) * 2011-01-29 2012-12-12 特克特朗尼克公司 自动网络拓扑结构检测和建模
CN103022013A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 英飞凌科技股份有限公司 带有无线saw温度传感器的功率半导体模块
CN103565425A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 广州三星通信技术研究有限公司 人体体征测量方法及应用此的便携式终端
CN110081918A (zh) * 2019-04-26 2019-08-02 中北大学 多参数声表面波传感装置及其制备方法
WO2020215611A1 (zh) * 2019-04-26 2020-10-29 中北大学 多参数声表面波传感装置、制备方法及飞行器监测系统

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101529169B1 (ko) * 2009-06-11 2015-06-16 삼성전자주식회사 Ｓａｗ 센서 디바이스
CN103399593A (zh) * 2013-07-30 2013-11-20 四川大尔电气有限责任公司 一种高压开关柜无源无线温度测控系统及方法
US11143561B2 (en) * 2018-12-05 2021-10-12 Resonant Inc. Passive microphone/pressure sensor using a piezoelectric diaphragm
US11835414B2 (en) 2018-12-05 2023-12-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Passive pressure sensor with a piezoelectric diaphragm and a non-piezoelectric substrate
CN112697262B (zh) * 2020-12-08 2023-06-27 联合微电子中心有限责任公司 水听器及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1457549A (zh) * 2001-02-16 2003-11-19 德累斯顿协会莱布尼茨固体材料研究所 声表面波元件
CN1619954A (zh) * 2003-11-20 2005-05-25 米其林技术公司 压力检测膜片的表面声波换能界面
JP2006047229A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 River Eletec Kk 表面弾性波デバイスセンサ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5887880A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Hitachi Ltd 半導体ダイアフラム形センサ
DE112004002281B4 (de) * 2003-11-27 2016-12-22 Kyocera Corp. Drucksensorvorrichtung
WO2005083882A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-09 Mnt Innovations Pty Ltd Layered surface acoustic wave sensor
EP1764597B1 (en) * 2005-09-16 2011-03-23 STMicroelectronics Srl Surface acoustic wave pressure sensor
US7146861B1 (en) * 2005-10-18 2006-12-12 Honeywell International Inc. Disposable and trimmable wireless pressure sensor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1457549A (zh) * 2001-02-16 2003-11-19 德累斯顿协会莱布尼茨固体材料研究所 声表面波元件
CN1619954A (zh) * 2003-11-20 2005-05-25 米其林技术公司 压力检测膜片的表面声波换能界面
JP2006047229A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 River Eletec Kk 表面弾性波デバイスセンサ

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102820984A (zh) * 2011-01-29 2012-12-12 特克特朗尼克公司 自动网络拓扑结构检测和建模
CN102820984B (zh) * 2011-04-29 2018-04-20 网络搜索系统德克萨斯有限责任公司 自动网络拓扑结构检测和建模
CN103022013A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 英飞凌科技股份有限公司 带有无线saw温度传感器的功率半导体模块
CN103022013B (zh) * 2011-09-23 2015-10-28 英飞凌科技股份有限公司 带有无线saw温度传感器的功率半导体模块
CN103565425A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 广州三星通信技术研究有限公司 人体体征测量方法及应用此的便携式终端
CN103565425B (zh) * 2012-08-09 2016-01-27 广州三星通信技术研究有限公司 人体体征测量方法及应用此的便携式终端
CN110081918A (zh) * 2019-04-26 2019-08-02 中北大学 多参数声表面波传感装置及其制备方法
WO2020215611A1 (zh) * 2019-04-26 2020-10-29 中北大学 多参数声表面波传感装置、制备方法及飞行器监测系统

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