CN101924539B - 低边到高边的信号传输电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低边到高边的信号传输电路,其特征在于,包括逻辑处理电路,逻辑处理电路的一个输入端连接低边信号Vi,另一输入端连接反馈控制电路,逻辑处理电路的输出端连接第一、第二MOS管M1、M2的栅极;第一、第二MOS管M1、M2的源极和衬底极接地;第一MOS管M1的漏极连接电阻R1的一端并同时连接采样保持电路的一个输入端;第二MOS管M2的漏极连接电阻R2的一端并同时连接采样保持电路的另一个输入端;第一、第二电阻R1、R2的另一端连接高电位VB;采样保持电路的一个输出端输出高边信号VO;另一个输出端通过反馈控制电路连接逻辑处理电路;采样保持电路丄侧与高电位VB相连;下侧与低电位VS相连。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路领域,用于功率MOS管等双边(低边和高边)驱动器的信号传输电路,具体涉及一种低边到高边信号传输电路。
背景技术
在双边(低边和高边,亦称low side and high side)驱动器电路中,高边和低边之间存在很高的电压差,无法用普通的低压器件实现,而且高压器件的栅源耐压较低,也无法满足直接传输的要求,低边到高边的信号传输电路为关键核心部分。
现有的典型结构如IR公司的IR2113,其原理框图如附图1所示。此结构在IR公司双边驱动器产品中广泛使用。该电路的工作原理:脉冲发生器把输入的方波信号Vi转换成两路窄脉冲信号输出,分别驱动两个共源的高压MOS管M1、M2,漏极输出,完成电平移位。输出的窄脉冲电平幅度为VS~VB,经过脉冲滤波电路滤波整形,驱动RS触发器,RS触发器输出驱动输出管,完成电路功能。其各节点波形图如图2所示。
此电路能够有效的完成低边到高边的信号传输。
但当系统对芯片的尺寸、传输延迟和可靠性要求比较高时,此电路结构的问题就显现出来。一是信号为开环传输,可靠性不高,为了降低动态功耗,提高工作频率,脉冲发生器输出信号的脉冲宽度tw应尽可能窄,由于生产工艺的波动和其它信号的干扰,会造成窄脉冲信号无法正常控制RS触发器动作,信号传递失效;二是线路太过复杂,脉冲发生器中包括了使用电容实现的延时电路、反相器组成的信号整形电路和两个或非门,再加上脉冲滤波电路和RS触发器,占用的芯片面积较大;三是整个信号流程较长,传输延迟大。
发明内容
本发明的目的是提供一种低边到高边信号闭环传输电路,具有传输可靠、传输延迟低、功耗小和适应电压范围宽等特点,使用于双边驱动器电路中, 可有效提高驱动器性能参数。
为达到以上目的,本发明是采取如下技术方案予以实现的:
一种低边到高边的信号传输电路,其特征在于,包括逻辑处理电路、采样保持电路、反馈控制电路、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一电阻R1和第二电阻R2,其中逻辑处理电路的一个输入端连接低边信号Vi,另一输入端连接反馈控制电路,逻辑处理电路的输出端连接第一、第二MOS管M1、M2的栅极;第一、第二MOS管M1、M2的源极和衬底极接地;第一MOS管M1的漏极连接电阻R1的一端并同时连接采样保持电路的一个输入端;第二MOS管M2的漏极连接电阻R2的一端并同时连接采样保持电路的另一个输入端;第一、第二电阻R1、R2的另一端连接高电位VB;采样保持电路的一个输出端输出高边信号VO;另一个输出端通过反馈控制电路连接逻辑处理电路;采样保持电路丄侧与高电位VB相连;下侧与低电位VS相连。所述反馈控制电路包括第三、第四MOS管M3、M4,第三、第四电阻R3、R4和两个与非门,从第三、第二反相器INV3、INV2的输出与第一触发器RS1的输出Q、Q非分别进行与非操作后,驱动第三、第四MOS管M4、M3,将高边信号下传,产生反馈低边信号控制第二触发器RS2并保持。
上述方案中,所述的逻辑处理电路包括第二触发器RS2、第一反相器INV1和两个或非门,输入的低边信号Vi一路与第二触发器RS2的Q输出进行或非操作,从第二或非门输出点点驱动第二MOS管M2;另一路经过第一反相器INV1与第二触发器RS2的Q非输出进行或非操作,从第一或非门输出点点驱动第一MOS管M1。
所述采样保持电路包括第一触发器RS1、第二、第三反相器INV2、INV3和两个与非门,第一、第二MOS管M1、M2和第一、第二电阻R1、R2组成的上传电路的两路输出信号,分别经过第二、第三反相器INV2、INV3来控制第一触发器RS1并保持,第一触发器RS1的输出Q非即为低边到高边信号传输电路输出的高边信号Vo。
本发明提出的低边到高边信号闭环传输电路,具有传输可靠、传输延迟低、功耗小和适应电压范围宽等特点。
附图说明
图1为IR2113低边到高边信号传输电路框图。
图2为图1电路节点波形图。
图3为本发明提出的电路结构框图。
图4本发明提出的低边到高边信号传输电路
图5本发明电路的逻辑功能图
图6本发明电路输入、输出和中间节点信号波形图
具体实施方式
一种低边到高边的信号传输电路,如图3所示,在图3中,低边到高边信号的传递是闭环实现的,具有很高的可靠性。逻辑处理电路用来对输入信号和反馈信号进行逻辑运算,输出窄脉冲信号,驱动高压MOS管M1、M2的栅极。高压MOS管M1、M2分别和电阻R1、R2组成两路信号上传电路,实现窄脉冲信号由低边到高边的传递。采样保持电路完成对上传的高边窄脉冲信号的采样保持并输出。反馈控制电路把采样保持电路的高边信号转换为低边信号,并进行逻辑运算输出到逻辑处理电路。
在图3中,高电平VB的幅度是由高压MOS管的漏源击穿电压决定的,在工艺允许和VB与VS(低电平)的电压差满足低压电路工作电压条件下,VB可以达到高压MOS管漏源击穿电压工艺极限的高度。
图4是本发明的低边到高边信号传输电路的一个具体实施例原理图。
在图4中,低边到高边信号的传递是闭环实现的,具有很高的可靠性。输入信号流程短,降低了传输延迟信号上传。
输入的低边信号Vi一路与触发器RS2的Q进行或非操作,从A点驱动高压NMOS管M2;另一路经过反相器INV1与RS2的Q非进行或非操作,从B点输出驱动高压NMOS管M1。M1、M2分别和电阻R1、R2组成两路信号上传电路将低边信号(电平幅度0~VCC)上传,其中VCC为低边信号的高电位。产生高边信号(电平幅度VS~VB),高边信号经过反相器(INV2、INV3)控制触发器RS1并保持,RS1的输出Q非即为低边到高边信号传输电路的输出信号Vo输出。另外,反相器INV3、INV2的输出与RS1的输出Q、Q非分别进行与非操作,分别从AH、 BH点驱动高压PMOS管M4、M3,将高边信号下传,产生低边信号控制触发器RS2并保持。
逻辑功能图如图5所示。从图5中可看出,该电路能够稳定可靠工作。只有输入信号Vi成功上传并输出后,反馈控制电路采集输出信号与输入信号进行逻辑操作,才关掉上传通道,确保信号传输的可靠性。并且信号Vi从输入到输出,流程短,降低了传输延迟。电路主要由数字电路构成,工艺适应性增强,静态功耗几乎为零。驱动高压MOS管的窄脉冲信号的脉冲宽度,是由电路自身结构和工艺条件决定的,在电路可靠传输信号的前提下,高压MOS管M3、M4、M1、M2导通时间可以达到工艺确定的最短时间,能大大降低动态功耗。
采用国内某工艺线的工艺模型,对本发明电路进行模拟仿真,输入输出和内部节点信号波形如图6所示。从图6中的仿真结果看出,电路达到了设计目标。
Claims (3)
1.一种低边到高边的信号传输电路,其特征在于,包括逻辑处理电路、采样保持电路、反馈控制电路、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一电阻R1和第二电阻R2,其中逻辑处理电路的一个输入端连接低边信号Vi,另一输入端连接反馈控制电路,逻辑处理电路的输出端连接第一、第二MOS管M1、M2的栅极;第一、第二MOS管M1、M2的源极和衬底极接地;第一MOS管M1的漏极连接电阻R1的一端并同时连接采样保持电路的一个输入端;第二MOS管M2的漏极连接电阻R2的一端并同时连接采样保持电路的另一个输入端;第一、第二电阻R1、R2的另一端连接高电位VB;采样保持电路的一个输出端输出高边信号VO;另一个输出端通过反馈控制电路连接逻辑处理电路;采样保持电路上侧与高电位VB相连;下侧与低电位VS相连;所述反馈控制电路包括第三、第四MOS管M3、M4,第三、第四电阻R3、R4和两个与非门,从第三、第二反相器INV3、INV2的输出与第一触发器RS1的输出Q、Q非分别进行与非操作后,驱动第四、第三MOS管M4、M3,将高边信号下传,产生反馈低边信号控制第二触发器RS2并保持。
2.如权利要求1所述的低边到高边的信号传输电路,其特征在于,所述的逻辑处理电路包括第二触发器RS2、第一反相器INV1和两个或非门,输入的低边信号Vi一路与第二触发器RS2的Q输出进行或非操作,从第二或非门输出点驱动第二MOS管M2;另一路经过第一反相器INV1与第二触发器RS2的Q非输出进行或非操作,从第一或非门输出点驱动第一MOS管M1。
3.如权利要求2所述的低边到高边的信号传输电路,其特征在于,所述采样保持电路包括第一触发器RS1、第二、第三反相器INV2、INV3和两个与非门,第一、第二MOS管M1、M2和第一、第二电阻R1、R2组成的上传电路的两路输出信号,分别经过第二、第三反相器INV2、INV3来控制第一触发器RS1并保持,第一触发器RS1的输出Q非即为低边到高边信号传输电路输出的高边信号Vo。
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