CN101906609B - 热蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
一种热蒸镀装置，其包括一用于承载一待镀膜基板的基板基座、一与该基板基座相对设置且用于承载蒸镀材料的坩埚、一位于该待镀膜基板与该坩埚之间的钨丝线及一电场产生组件。该钨丝线电性连接一第一外部电源使该钨丝线表面产生电子。该电场产生组件用于产生施加在该基板基座与该坩埚之间的电场。该坩埚加热产生的蒸镀材料分子气体经由该钨丝线携带该电子，使携带该电子的蒸镀材料分子气体在该电场中加速并到达该待镀膜基板。所述热蒸镀装置，通过增加蒸镀材料分子气体的动能，使该待镀膜基板上形成的薄膜的膜强度较高且膜层致密性较强，从而提高该待镀膜基板的镀膜良率。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜装置，尤其涉及一种热蒸镀装置。
背景技术
热蒸镀膜(evaporate coating)技术采用的设备成本低，技术简单，被广泛应用于各个领域。然而，在镀膜过程中，由于热蒸发所产生的镀膜材料粒子动能较低，通常无法形成较高膜强度及较强膜层致密性的镀膜层。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可形成较高膜强度及较强膜层致密性的镀膜层的热蒸镀装置。
一种热蒸镀装置，其包括一用于承载一待镀膜基板的基板基座、一与该基板基座相对设置且用于承载蒸镀材料的坩埚、一位于该待镀膜基板与该坩埚之间的钨丝线及一电场产生组件。该钨丝线电性连接一第一外部电源使该钨丝线表面产生电子。该电场产生组件用于产生施加在该基板基座与该坩埚之间的电场。该电场产生组件包括一金属框架，该金属框架与一第二外部电源的负极电性连接。该坩埚加热产生的蒸镀材料分子气体经由该钨丝线携带该电子，携带该电子的蒸镀材料分子气体在该电场中加速并到达该待镀膜基板。
与现有技术相比，所述热蒸镀装置，通过使蒸镀材料分子气体携带由钨丝线产生的电子，经由电场产生组件产生的电场加速达到待镀膜基板上，由于该蒸镀材料分子气体动能的增加，使该待镀膜基板上形成的薄膜的膜强度较高且膜层致密性较强，从而提高该待镀膜基板的镀膜良率。
附图说明
图1为本发明第一实施方式提供的热蒸镀装置的结构剖示图。
图2为本发明第二实施方式提供的热蒸镀装置的结构剖示图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施方式作进一步的详细说明。
请参阅图1，本发明第一实施方式提供的热蒸镀装置10用于对一待镀膜基板11进行镀膜。该热蒸镀装置10包括一基板基座12、一坩埚14、一钨丝线16及一电场产生组件18。该基板基座12用于承载该待镀膜基板11。该坩埚14相对该基板基座12设置，用于承载蒸镀材料141。该钨丝线16位于该待镀膜基板11与该坩埚14之间。该电场产生组件18用于产生施加在该基板基座12与该坩埚14之间的电场。
在本实施方式中，该待镀膜基板11由非金属材料，该基板基座12由金属材料制成。当然，该待镀膜基板11也可以由金属材料制成。
承载在坩埚14内的蒸镀材料141在该坩埚14加热时受热气化，形成蒸镀材料分子气体143。该坩埚14的加热方式有很多，如在坩埚14的外围设置加热器(图未示)。
该钨丝线16与一第一外部电源161电性连接。该第一外部电源161用于对该钨丝线16进行加热。当该钨丝线16加热到白热时，该钨丝线16内部围绕核子运转的电子逃逸出来，从而使该钨丝线16表面产生电子。该第一外部电源161与该钨丝线16之间电性串接一第一开关元件163，用于控制该钨丝线16与该第一外部电源161的通断。
该蒸镀材料分子气体143从该坩埚14内扩散出来，且该蒸镀材料分子气体143经过该钨丝线16而携带该电子。进一步说明，白热的钨丝线16的表面温度高于该蒸镀材料分子气体143的温度。因此，在该钨丝线16附近的蒸镀材料分子气体143始终成气态，不会在该钨丝线16的表面上凝固形成薄膜。
该电场产生组件18包括一金属框架183。该金属框架183与一第二外部电源181的负极电性连接，该基板基座12与该第二外部电源181的正极电性连接。从而该金属框架183的电势比该基板基座12的电势低，该金属框架183与该基板基座12之间形成一电场。该第二外部电源181与该基板基座12之间电性串接一第二开关元件185，用于控制该电场的电源的通断。
镀膜时，携带电子的蒸镀材料分子气体143透过该钨丝线16进入该电场，经由该电场进行加速到达该待镀膜基板11。可以理解，由于该金属框架183电势较低，因此该蒸镀材料分子气体143经过该金属框架183时，将受到库伦斥力，无法附着于该金属框架183靠近该基板基座12的表面上。优选地，该金属框架183为网状结构且贴近该钨丝线16。由于该钨丝线16的温度极高，因此，在该钨丝线16附近的蒸镀材料分子气体143不容易在该金属框架183的表面上凝固，从而提高蒸镀材料141的利用率。
该热蒸镀装置10，通过使蒸镀材料分子气体143携带由钨丝线16产生的电子，经由电场产生组件18产生的电场加速达到待镀膜基板11上，由于该蒸镀材料分子气体143动能的增加，该待镀膜基板11上形成的薄膜其膜强度较高且膜层致密性较强，从而提高该待镀膜基板11的镀膜良率。
请参阅图2，为本发明第二实施方式提供的热蒸镀装置20，该热蒸镀装置20与第一实施方式的热蒸镀装置10的区别在于：该基板基座22及该待镀膜基板21均由非金属材料制成，该电场产生组件28还包括一个安装在该基板基座22与该待镀膜基板21之间的金属件23，该第二外部电源281的正极电性连接该金属件23，使该金属框架283与该金属件23之间形成一电场。镀膜时，携带电子的蒸镀材料分子气体243透过该钨丝线26进入该电场，经由该电场进行加速到达该待镀膜基板21。
当然该第二外部电源281的正极还可以电性连接该待镀膜基板21，使该金属框架283与该待镀膜基板21之间形成该电场。
虽然本发明已以较佳实施方式披露如上，但是，其并非用以限定本发明，另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化等。当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (7)
1.一种热蒸镀装置，其包括一用于承载一待镀膜基板的基板基座、一与该基板基座相对设置且用于承载蒸镀材料的坩埚，其特征在于，该热蒸镀装置还包括一位于该待镀膜基板与该坩埚之间的钨丝线及一电场产生组件，该钨丝线电性连接一第一外部电源使该钨丝线表面产生电子，该电场产生组件用于产生施加在该基板基座与该坩埚之间的电场，该电场产生组件包括一金属框架，该金属框架与一第二外部电源的负极电性连接，该坩埚加热产生的蒸镀材料分子气体经由该钨丝线携带该电子，携带该电子的蒸镀材料分子气体在该电场中加速并到达该待镀膜基板。
2.如权利要求1所述的热蒸镀装置，其特征在于，该热蒸镀装置还包括一电性串接在该第一外部电源与该钨丝线之间的开关元件。
3.如权利要求1所述的热蒸镀装置，其特征在于，该基板基座由金属材料制成，该基板基座与该第二外部电源的正极电性连接，该电场形成于该金属框架与该基板基座之间。
4.如权利要求1所述的热蒸镀装置，其特征在于，该基板基座由非金属材料制成，该待镀膜基板由金属材料制成，该待镀膜基板与该第二外部电源的正极电性连接，该电场形成于该金属框架与该待镀膜基板之间。
5.如权利要求1所述的热蒸镀装置，其特征在于，该基板基座由非金属材料制成，该待镀膜基板由非金属材料制成，该电场产生组件还包括一安装在该基板基座相对该待镀膜基板的一个侧面上的金属件，该金属件与该第二外部电源的正极电性连接，该电场形成于该金属框架与该金属件之间。
6.如权利要求3-5任意一项所述的热蒸镀装置，其特征在于，该金属框架为网状结构。
7.如权利要求3-5任意一项所述的热蒸镀装置，其特征在于，该热蒸镀装置还包括一电性串接在该第二外部电源上的开关元件。
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