CN101894897A - 发光二极管的高性能玻璃封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种利用玻璃透镜微腔进行高出光率、光束准直发光二极管封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在玻璃圆片上制备密封发光二极管芯片的玻璃透镜；第二步，荧光粉涂覆工艺：在发光二极管芯片四周均匀地涂覆上荧光粉层或在玻璃内壁涂覆荧光粉；第三步，在发光二极管芯片与玻璃球腔间隙内填充硅胶，通过玻璃封装体与载有发光二极管芯片的硅圆片进行粘接，使得发光二极管芯片处于所述玻璃封装体背面的腔中。该发明可以实现光强均匀的白光发光二极管，光线的出射率高，封装玻璃透镜实现了光束的准直，同时封装的可靠性很好，发光二极管器件的有效工作时间大幅增长。

Description

发光二极管的高性能玻璃封装方法

技术领域

本发明涉及一种MEMS(微电子机械系统)封装技术，尤其涉及一种发光二极管的高性能玻璃封装方法。

背景技术

白光发光二极管(LED)技术的发展将我们带入了第四代照明时代。白光发光二极管(LED)照明以其低能、环保等优越性，必将取代当今的照明技术。作为照明用途，大功率的白光发光二极管(LED)被科研和企业广泛关注，由于发光二极管(LED)为了产生足够的光强，工作电流要尽量大，而工作电流大给发光二极管(LED)封装的散热问题带来了严峻的挑战。所以，通过设计白光发光二极管(LED)的光学封装结构，提高其出光率，可以在一定电流下得到足够大的光强，同时透镜可以用于提高光束的准直性，所以发光二极管(LED)封装结构中必须要有用于提高出光率的透镜。同时封装透镜结构要有好的气密性，因为芯片受潮气影响会大大影响发光性能。

制备用于封装发光二极管(LED)的透镜对于提高白光发光二极管(LED)发光效率，对出射光线进行汇聚和光束准直有着至关重要的作用。当今，环氧树脂等透明有机胶备广泛应用于发光二极管(LED)透镜的制备，但是用有机胶制作的透镜透光性不好，而且性质不稳定，在受热情况下，工作一定时间会变色，透光性能变得恶劣，同时有机物防潮性较差。

发明内容

本发明的目的是提供一种工艺方法简单、成本低廉、可靠性好发光二极管的高性能玻璃封装方法。

第一步，采用在玻璃圆片上制备背面为微腔、正面为微透镜的玻璃封装体(4)；

第二步，荧光粉涂覆工艺：将荧光粉与硅胶混合，并均匀涂覆在发光二极管芯片表面或者涂覆在玻璃封装体(4)的微腔的内表面，形成荧光粉层，并固化；第三步，通过玻璃封装体背面的腔将发光二极管芯片密封，同时在发光二极管芯片与玻璃球腔间隙内填充硅胶，完成封装后续过程。

上述技术方案中，制备所述玻璃封装体采用负压热成型方法：在硅圆片上刻蚀形成特定尺寸的微腔阵列，将上述刻有微槽的硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片在100Pa-30kPa的气氛下进行键合，使Pyrex7740玻璃圆片与上述特定图案形成密封腔体，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至740℃～890℃，保温3～8min，腔内外压力差使软化后的玻璃向密封腔体凸起形成球面，但不与硅圆片微槽的底部接触，冷却，再在常压下退火消除应力，去除模具硅，形成与上述微腔图案结构相对应的背面为微腔、正面为微透镜的玻璃封装体，玻璃为Pyrex7740玻璃，所述键合为阳极键合，工艺条件为：温度400℃，电压：600V。在第四步中，用适量的硅胶填满封装发光二极管芯片与玻璃封装体之间的间隙。将发光二极管芯片组装于硅圆片基板的步骤为：首先在硅圆片上制作引线，再将发光二极管芯片通过导热胶贴装在硅圆片基板上，并将发光二极管芯片的正、负极分别与引线相连接。玻璃封装体与载有发光二极管芯片的硅圆片粘接采用低温玻璃焊料键合或者金属键合或者粘结剂键合。第三步中荧光粉的涂覆采用粉浆法平面涂层技术。所述硅圆片上图案结构的为湿法腐蚀工艺、反应离子刻蚀或者深反应离子刻蚀中的一种。

本发明获得如下效果：

1.本发明中发光二极管(LED)芯片的封装结构外层材料不是环氧树脂或硅胶等有机物，而是采用了Pyrex玻璃制作的透镜微腔进行封装。由于Pyrex玻璃相比有机材料，有着好的同光性、高温稳定性以及密封性。这样使用玻璃透镜微腔封装的发光二极管(LED)芯片的光线出射率更高，工作电流较大，抗高温能力强，不易老化，防潮气，实现了更可靠稳定的发光二极管(LED)封装。

2.本发明中使用制作出的玻璃透镜封装发光二极管(LED)芯片，玻璃透镜的底部是在玻璃熔融态下受重力和内外压力差而成型的，未与刻蚀的硅微槽底部接触，表面光滑，同时Pyrex玻璃对于可见光的通过率很高(＞90％)，所以玻璃透镜具有很高的光线出射率，而且透镜具有聚焦可见光的作用，出射的光束视角较小，可以实现光束的准直。此外，相对于硅胶等采用回流工艺制作的透镜，负压热成型方法可以精确的控制透镜的形状(通过控制硅模具的形状)，从而更有利于增加光的透射率。

3.本发明中制作玻璃透镜微腔采用湿法腐蚀在硅表面加工微槽，工艺过程简单可靠，成本低廉，可实现玻璃透镜微腔的圆片级制造。

4.本发明制作玻璃透镜微腔采用干法特别深反应离子刻蚀，可制备高深宽比的(可达到20∶1)硅腔，使得所制备的玻璃透镜微腔也具有较大的深宽比，使得透镜的结构具有更大的选择性，在封装方面具有广阔的应用。

5.本发明中采用粉浆法平面涂层技术，这样在发光二极管(LED)芯片表面得到了一层均匀性好、厚度和形状可控的平面荧光粉法，得到质量良好的白光。在玻璃内壁涂覆荧光粉，玻璃内壁具有球形结构，因此出射光的色差很小；另一方面由于芯片与荧光粉之间的空间距离增加，使得发光二极管表面的温度降低，增加了可靠性。

6.本发明通过控制刻有微槽的硅片和Pyrex玻璃阳极键合时的压力，使得玻璃与带有微槽的硅键合后形成的密封腔内具有一定的气压(非真空，但是在加热后其内部的气压仍然小于一个大气压)，使玻璃热成型时，在负压的作用下(在成型温度下，外部大气压大于内部压力)，玻璃向内部凸起形成球面(表面张力的作用使熔融态的玻璃呈球面)，但是不贴合硅片底面。其原理在于，根据理想气体状态方程：PV＝nRT可知，一定温度下，在非真空的密闭腔内，气体的压力与密闭体积成反比。由于密闭腔的体积随着玻璃向腔内凸起而减小，其内部的压力也逐步增大，内外部压力逐渐平衡，而玻璃球面不会贴合于粗糙的硅表面。由于仅仅通过控制压力就实现了光洁的外表面，因此方法更简单，成本更低。此外，玻璃透镜微腔的成型是基于微腔内外的压力平衡，因此球面的形状以及体积尺寸均可以根据PV＝nRT进行计算，而不需要严格的控制玻璃黏度和成型时间，仅需要将玻璃加热到熔融态即可。相对于通过控制玻璃的粘稠度和成型时间来控制玻璃透镜微腔的形状而言，本发明方法更简单，成本更低。

7.本发明中刻有微槽的硅片与玻璃的阳极键合具有很高的强度，密闭性好的特点，在加热过程中不易发生泄漏而导致成型失败。在温度400℃，电压直流600V的键合条件下，阳极键合能够达到更好的密封效果。

8.在第四步中，采用适量的硅胶填满发光二极管(LED)芯片与玻璃封装体之间的间隙，将使得芯片的出光效率更高。

9.本发明中采用的退火工艺可以有效的消除Pyrex7740玻璃承受高温负压成型过程中形成的应力，从而使其强度韧性更高。退火温度为550℃～570℃范围内，保温时间为30min，然后缓慢冷却到室温。在该条件下退火，既能有效退去应力，还能够使得微腔的形状基本无改变，而退火温度过高易导致微腔形状发生变化不利于后道的封装，而过低的退火温度则无法有效去除玻璃内部应力。

10.本发明中采用浓度为25％的TMAH溶液去除玻璃透镜微腔上的硅模具，这样可以有效地去除硅片而不腐蚀玻璃，选择硅片、玻璃比为1000∶1。

11.本发明采用铝引线将实现芯片上的信号引出，能够耐受阳极键合的高温(400摄氏度)。在密封时，铝属于面心立方晶系，质地较软，容易产生变形，因此能够存在于玻璃与硅的键合界面之内而不容易发生断裂，从而起到导电作用。

12.本发明制备与Si的热膨胀系数相当的Pyrex7740玻璃作为玻璃透镜微腔结构，由于硅与玻璃之间的热匹配很好，因此封装对于发光二极管(LED)的应力的影响很小。

13.本发明中使用与玻璃透镜热膨胀系数相当的硅片作为载装发光二极管(LED)芯片的基板，这样使用阳极键合工艺将玻璃透镜圆片与发光二极管(LED)硅基板密封后，不会因为热膨胀系数的差异，在热冲击下而产生漏气，保证的封装的气密可靠性。在MEMS制造技术领域，使用MEMS微加工技术以在硅片上紧密加工出圆形微槽，然后使用Pyrex7740玻璃(一种含有碱性离子的玻璃，Pyrex是Corning公司的产品品牌)在一定气氛下与刻有微槽的硅片进行键合实现密封，加热熔融制备玻璃透镜，由于微腔内存在一定气体，所以玻璃透镜顶面不会接触硅槽的底部，这样就可以制备透光率很好的玻璃透镜。使用玻璃透镜可以有效地避免以上问题，玻璃作为无机材料，对可见光有很高的通过率，热稳定性很好，不会老化失效，防潮性能优异。

附图说明

图1为刻蚀有图案的硅圆片截面示意图

图2为刻蚀有图案的硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片键合后的圆片截面示意图

图3为硅圆片与玻璃圆片键合片加热成型后的截面示意图

图4为玻璃透镜微腔封装发光二极管(LED)芯片的截面示意图

具体实施方式

实施例1一种发光二极管的高性能玻璃封装方法，包括以下步骤：第一步，采用在玻璃圆片上制备背面为微腔、正面为微透镜的玻璃封装体；该玻璃封装体采用负压热成型方法制备，具体制备方法可见实施例3-4，其尺寸比所需封装的发光二极管(LED)芯片略大，LED引线可按照常规工艺制作，第二步，荧光粉涂覆工艺：将荧光粉(YAG:ce3+)与硅胶(南京喜力特胶粘剂有限公司生产的久七牌WH-7型有机硅密封胶)混合，荧光粉的用量根据实际面积以及发学需求确定，硅胶的用量根据涂覆面积以及厚度确定，即面积与厚度的乘积即需要涂覆的体积并均匀涂覆在发光二极管(LED)芯片表面形成荧光粉层，厚度根据LED芯片的需要，例如0.1-0.4mm，可选取为0.2毫米；然后固化，也可以通过旋涂方法将荧光粉涂覆在玻璃内壁，并固化，以消除出射光的色差，第三步，在发光二极管(LED)芯片与玻璃球腔间隙内填充硅胶，通过玻璃封装体与载有发光二极管芯片的硅圆片进行粘接，使得发光二极管芯片处于所述玻璃封装体背面的腔中，可以先在玻璃微腔内填充硅胶然后再将发光二极管芯片盖到玻璃微腔中去，也可以在封装过程中将硅胶注射进去。最后进行后续固化、引线以及散热封装过程。

上述技术方案中，制备所述玻璃封装体采用负压热成型方法：在硅圆片上刻蚀形成特定尺寸的微腔阵列，将上述刻有微槽的硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片在100Pa-30kPa的气氛下进行键合，例如，50kPa，80kPa，使Pyrex7740玻璃圆片与上述特定图案形成密封腔体，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至740℃～890℃，例如选取为780℃，820℃，850℃，保温3～8min，例如可以选取微：4min，5min，6min，腔内外压力差使软化后的玻璃向密封腔体凸起形成球面，但不与硅圆片微槽的底部接触，冷却，再在常压下退火消除应力，去除模具硅，形成与上述微腔图案结构相对应的背面为微腔、正面为微透镜的玻璃封装体，玻璃为Pyrex7740玻璃，所述键合为阳极键合，工艺条件为：温度400℃，电压：600V。在第三步中，用适量的硅胶(南京喜力特胶粘剂有限公司生产的久七牌WH-7型有机硅密封胶)填满封装发光二极管(LED)芯片与玻璃封装体之间的间隙。将发光二极管(LED)芯片组装于硅圆片基板的步骤为：首先在硅圆片上制作引线，再将发光二极管(LED)芯片通过导热胶(ablestik公司的84-1LMISR4S，掺银的导电胶)贴装在硅圆片基板上，并将发光二极管(LED)芯片的正、负极分别与引线相连接。玻璃封装体与载有发光二极管(LED)芯片的硅圆片粘接采用低温玻璃焊料键合或者金属键合或者粘结剂键合。第三步中荧光粉的涂覆采用粉浆法平面涂层技术。所述硅圆片玻璃成型模具的加工方法为湿法腐蚀工艺、反应离子刻蚀或者深反应离子刻蚀中的一种，其中采用深反应离子刻蚀可以获得高的深宽比，从而为玻璃透镜形状设计提供更宽的范围。

实施例2一种发光二极管的高性能玻璃封装方法，包括以下步骤：

第一步，在Pyrex7740玻璃上制备密封发光二极管(LED)芯片用的玻璃透镜阵列；由于玻璃熔融时向硅微槽凹陷而形成中间厚四周薄的凸透镜，在透镜下方同时形成了微腔，能够将发光二极管(LED)芯片放置并密封于玻璃透镜下的微腔内。玻璃透镜微腔的制备方法见本发明后面的实施例。本发明后面的实施例描述了利用负压成型制备玻璃透镜的方法。在本实施例后面的实施例所描述的方法制备出的玻璃微腔，采用不同的微槽深宽比，同时玻璃成型的时间和温度也采用的不同的值，这样制作出的玻璃透镜形状可控，具有不同的焦距，可以通过控制微槽深宽比、玻璃成型温度和成成型时间来控制玻璃透镜焦距。同时后面玻璃透镜实施例中通过在玻璃与微槽内密封一定压力的气体，使熔融态玻璃成型透镜过程中不会接触微槽底部，这样制备的玻璃透镜表面光滑，透光性能很好。之后再使用浓度为25％的TMAH溶液将硅片去除，刻蚀温度为90～95℃，该腐蚀液不腐蚀Pyrex玻璃。

第二步，荧光粉涂覆工艺：粉浆法中用到的水溶性感光胶是由有机胶体(聚乙烯醇，PVA)、感光剂、去离子水、助剂(分散剂等)和荧光粉(YAG:ce3+)组成，将含有荧光粉感光胶的悬浮液(即粉浆)涂覆在发光二极管(LED)芯片上(已经制备引线至芯片背面)，在暗室中干燥后，接通电源，利用蓝光发光二极管(LED)芯片发光，有机胶体和感光剂发生光化学反应，使胶体和感光剂交联，生成不溶水的聚合物，然后在显影液中显影，具有水溶性的有机胶体和感光剂溶解于显影液中，留下我们所需的荧光粉层图案。该方法制备的荧光粉厚度均匀而且厚度可控。也可以通过旋涂的方法，将混合好后的荧光粉与硅胶旋涂在玻璃内壁上，形成一层厚度为0.1-0.4毫米的荧光粉层，再进行固化。

第三步，在制备好的玻璃透镜微腔内注入硅胶，并将倒装焊有发光二极管(LED)芯片的硅基板与玻璃微腔对准、进行低温玻璃焊料键合，实现对发光二极管(LED)芯片的气密性封装。或者采用环氧树脂进行粘结，也可以采用金属键合进行密封。若采用金属键合，需要在LED载片和玻璃片上制备底层金属，然后用常规的低熔点焊料进行粘结(例如锡合金)。

上述技术方案中，发光二极管(LED)芯片发射的光线打到荧光粉上就会转换成白光，由于玻璃透镜为凸透镜，能够起到光学汇聚作用，这样光线的出射率得到提高，而且光束汇聚后发射角变小，实现了光束的准直。

实施例3圆片级玻璃透镜微腔的制造方法

一种圆片级玻璃透镜微腔的制造方法，包括以下步骤：

第一步，利用Si微加工工艺在Si圆片(譬如4英寸圆片)上刻蚀形成特定图案，所述Si圆片上图案结构的微加工工艺为湿法腐蚀工艺、或者干法感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、反应离子刻蚀或者深反应离子刻蚀中的一种，该图案可以是方形或圆形槽阵列，也可以是多个不同的图形，(实际上三维上看，刻特定图案是在硅片上刻槽，二维上是图案)，微槽的深宽比可以小于1∶1，也可以大于1∶1，例如：2∶1，3∶1，4∶1，7∶1，10∶1，15∶1，20∶1，25∶1，深宽比较高的玻璃微腔将会给玻璃提供更多的流变空间，从而为封装腔的尺寸提供更多的选择，

第二步，将上述Si圆片与Pyrex7740玻璃圆片(一种硼硅玻璃的品牌，美国康宁-corning公司生产，市场可购得，通常已经经过抛光，其尺寸与Si圆片相同)在100Pa-30kPa的气氛下进行键合，譬如压力为150Pa，200Pa，1.5kPa，5kPa，20kPa，25kPa，，使Pyrex7740玻璃上的上述特定图案形成密封腔体，键合表面在键合前应该保持高度清洁和极小的表面粗糙度，以满足常规键合的要求，按照阳极键合或其他键合的工艺要求进行常规清洗和抛光，

第三步，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至740℃～890℃，在该温度下保温3～8min，例如温度可以选取为750℃，770℃，780℃，790℃，820℃，830℃，840℃，845℃，850℃，855℃，860℃，870℃，880℃，890℃，保温3～8min，时间可以选取为：3.2min，3.5min，3.8min，4min，4.2min，4.4min，4.8min，6min，7min，7.5min，腔内外压力差使软化后的玻璃向密封腔体凸起形成球面，但不与硅圆片微槽的底部接触，从而形成与上述微腔图案结构相应的微腔结构，冷却到较低的温度，如20-25℃，譬如为22℃，将上述圆片在常压下退火消除应力，该常压是指一个大气压，

上述技术方案中，所述的Si圆片与Pyrex7740玻璃表面键合工艺为阳极键合，典型工艺条件为：温度400℃，电压：600V。第三步中所述热退火的工艺条件为：退火温度范围在550℃～570℃中，退火温度可以选取为550℃，555℃，560℃，565℃，退火保温时间为30min，然后缓慢风冷至常温(譬如25℃)。

本发明的优选方案如下：上述技术方案中，所述硅圆片上图案结构的微加工工艺可以为湿法腐蚀工艺。所述Si圆片的硅圆片上刻槽的方法可以是用反应离子刻蚀或者深反应离子刻蚀中的一种。所述的硅圆片与Pyrex7740玻璃表面键合工艺为阳极键合，工艺条件为：温度400℃，电压：600V。第三步中所述热退火的工艺条件为：退火温度范围在550℃～570℃中，退火保温时间为30min，然后缓慢风冷至常温。第二步中硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片按照阳极键合的工艺要求进行必要的清洗和抛光。第一步中刻蚀的图案为大于1∶1的深宽比的图案。第一步中刻蚀的图案深宽比为20∶1。

实施例4圆片级玻璃透镜微腔的制造方法

一种圆片级玻璃透镜微腔的制造方法，包括以下步骤：

第一步，利用深反应离子刻蚀方法在4英寸Si圆片上刻蚀形成特定图案(实际上三维上看，是在硅片上刻槽，二维上是图案)，该图案是方形槽阵列，该图案的深宽比为20∶1，硅片经过抛光，

第二步，将上述Si圆片与相同尺寸的(4英寸)Pyrex7740玻璃圆片(一种硼硅玻璃的品牌，美国康宁-coming公司生产，市场可购得，已经经过抛光)在1000Pa的气氛下进行键合，键合在EVG-501阳极键合机上进行，使Pyrex7740玻璃上的上述特定图案形成密封腔体，键合表面在键合前按照阳极键合要求进行常规清洗和抛光，保持高度清洁和极小的表面粗糙度，以满足常规阳极键合的要求，第三步，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至850℃，在该温度下保温4min，腔内外压力差使软化后的玻璃向密封腔体凸起形成球面，但不与硅圆片微槽的底部接触，从而形成与上述微腔图案结构相应的微腔结构，冷却到常温25℃，将上述圆片在一个大气压下退火消除应力，上述技术方案中，所述的Si原片与Pyrex7740玻璃表面键合工艺为阳极键合，工艺条件为：温度400℃，电压：600V。第三步中所述热退火的工艺条件为：退火温度范围在550℃～570℃中，退火温度可以选取为560℃，退火保温时间为30min，然后缓慢风冷至常温25℃。从而制备的玻璃微腔的图案也具有高达20∶1的深宽比。

本发明通过MEMS加工制造技术：Si片与Pyrex7740玻璃的阳极键合工艺，再利用真空负压热处理工艺，制造出具有原始玻璃表面粗糙度的圆片级

Pyrex7740玻璃透镜微腔，工艺成熟，技术可靠。熔融态玻璃具有很低的粗糙度，通常可达到几十个纳米甚至几个纳米以下。

本发明可以在同时在上述圆片上预留划片槽，在加工形成后，可以沿划片槽将各图形划片，获得多个不同的玻璃透镜微腔，从而实现微腔的圆片级制作，降低该工艺的成本。获得的玻璃透镜微腔可通过键合等方式对MEMS器件进行封装。

Claims (8)

1.一种发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，采用在玻璃圆片上制备背面为微腔、正面为微透镜的玻璃封装体(4)；

第二步，荧光粉涂覆工艺：将荧光粉与硅胶混合，并均匀涂覆在发光二极管芯片(6)表面或者涂覆在玻璃封装体(4)的微腔的内表面，形成荧光粉层(7)，并固化；

第三步，通过玻璃封装体(4)背面的腔将发光二极管芯片(6)密封，同时在发光二极管芯片与玻璃球腔间隙内填充硅胶(10)，完成封装后续过程。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，制备所述玻璃封装体(4)采用负压热成型方法：在硅圆片(1)上刻蚀形成特定尺寸的微腔阵列(2)，将上述刻有微槽的硅圆片(1)与Pyrex7740玻璃圆片(3)在100Pa-30kPa的气氛下进行键合，使Pyrex7740玻璃圆片与上述特定图案形成密封腔体(5)，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至740℃～890℃，保温3～8min，腔内外压力差使软化后的玻璃向密封腔体(5)凸起形成球面，但不与硅圆片(1)微槽的底部接触，冷却，再在常压下退火消除应力，去除模具硅，形成与上述微腔图案结构相对应的背面为微腔、正面为微透镜的玻璃封装体(4)。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，玻璃为Pyrex7740玻璃，所述键合为阳极键合，工艺条件为：温度400℃，电压：600V。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，在第四步中，用适量的硅胶(10)填满封装发光二极管芯片与玻璃封装体(4)之间的间隙。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，将发光二极管芯片(6)组装于硅圆片基板(8)的步骤为：首先在硅圆片上制作引线，再将发光二极管芯片通过导热胶贴装在硅圆片基板上，并将发光二极管芯片的正、负极分别与引线相连接。

6.根据权利要求1所述的发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，玻璃封装体(4)与载有发光二极管芯片(6)的硅圆片(8)粘接采用低温玻璃焊料键合或者金属键合或者粘结剂键合。

7.根据权利要求1所述的发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，第二步中在芯片表面涂覆荧光粉采用采用粉浆法平面涂层技术。

8.根据权利要求1所述的发光二极管的高性能玻璃封装方法，其特征在于，第二步中在玻璃封装体微腔内表面涂覆荧光粉采用旋涂方法。

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