CN101887017A - 一种表面等离子体共振传感器芯片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种表面等离子体共振传感器芯片及其制备方法，具体涉及一种基于光接枝分子印迹聚合物膜的表面等离子体共振传感器芯片及其制备方法，属于表面等离子体传感器芯片制备领域。包括玻璃基片、金膜层、单分子烷基链层和分子印迹聚合物膜；玻璃基片上依次镀金膜层、自组装一层单分子烷基链层、在单分子烷基链层上接枝分子印迹聚合物膜。本发明方便、快速地在金膜表面制备出纳米尺寸厚度的分子印迹薄膜，且其厚度可控；实时，动态、原位地监测分子印迹膜的生长变化情况；操作步骤简单，无需除氧，不需氮气保护；容易实现在金膜表面制备阵列式的分子印迹膜结构单元，每个单元可以是不同的模板分子，实现多通道，多目标分子的检测。

Description

一种表面等离子体共振传感器芯片及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种表面等离子体共振(Surface Plasmon Resonance，简称SPR)传感器芯片及其制备方法，具体涉及一种基于光接枝分子印迹聚合物膜的表面等离子体共振传感器芯片及其制备方法，属于表面等离子体传感器芯片制备领域。
背景技术
SPR传感器是利用入射光通过某种耦合方式在金属和电介质的界面上激发表面等离子体波(Surface Plasmon Wave，即SPW)来实现信息转换的。以棱镜耦合结构为例，当入射光从光密介质向光疏介质传播且入射角度在适当的范围时，在两种物质的界面处将发生全内反射。如果入射光的波矢量沿着平行交界面的分量与表面等离子的波矢量相等，可共振激发表面等离子体波，此时一部分入射光的能量被耦合进表面等离子体波内。电场强度随入射深度呈指数衰减，形成消逝波，在光疏介质中消逝波的有效穿透深度一般为100～200nm。SPW对界面介质折射率的微小变化极其敏感。当样品与界面接触时，由于存在吸附或化学反应，界面处介质折射率将会发生变化。基于此原理，可以通过探测SPW来研究界面的物理和化学吸附过程，从而实现待测分子的识别、分子浓度以及分子反应动力学参数的测定等。
SPR传感器的工作原理决定了这种传感器与传统生物检测手段相比具有明显的技术优势，如可实现实时、动态、无污染检测，样品无需标记和纯化，检测周期短，灵敏度高等。因此SPR传感器在疫苗研制、疾病诊断和治疗、药物靶标、药物开发、基因测序、案件侦破、环境检测、食品安全检验以及兴奋剂检测等众多领域具有非常广阔的应用前景。自从1983年SPR传感技术第一次被用于生物检测领域，作为检测生物分子相互作用的一种方法引起了越来越多国内外科研工作者的广泛关注，已经成为生物传感技术领域的研究热点。有人预测，在不久的将来，SPR传感技术必将成为生物检测领域最重要的技术之一。
传统SPR生物传感器芯片的制备方法是通过各种方法将探针分子固定在金属膜的表面，探针分子与目标分子具有单一的高选择性，当待分析溶液中含有目标分子时，SPR传感器就会产生高灵敏度的响应信号。探针分子一般为生物样品，对于环境要求苛刻。同时目标分子的分子量不能太小，因为小分子样品对于金属表面物质的介电常数影响很小，会大大影响SPR传感器的灵敏度。针对传统SPR生物传感器的不足，科研工作者们将分子印迹技术引入到了SPR传感器领域。分子印迹技术是指为获得在空间结构和结合位点上与某一分子(印迹分子)完全匹配的聚合物的实验制备技术。它是通过以下方法实现的：(1)印迹分子与具有适当功能基团的功能单体通过氢健作用、离子作用或疏水作用在一定条件下形成主客体复合物；(2)通过光引发或热引发在大量交联剂存在下进行自由基聚合反应，将主客体络合物固定在高度交联的高分子母体中，制得高聚物；(3)通过一定的方法洗去印迹分子，在高分子共聚物中留下一个与印迹分子在空间结构上完全匹配，并含有与印迹分子专一结合的功能基三维空穴，这个三维空穴可以选择性地重新与印迹分子结合，它对模板分子表现出特效的选择性和识别能力。采用分子印迹技术的SPR传感器除了具有传统的SPR传感器的优点外，而且进一步扩大了SPR传感器的使用范围，使其不仅仅局限于探测生物样品分子，不再受到生物活性探针分子的限制，同时还提高了传感器芯片的重复使用率。
根据SPR传感器的工作原理，由于在金属膜内产生的消逝波传播深度非常有限，利用分子印迹技术制备的传感器金属表面的分子印迹膜必须是超薄的纳米膜，这样才能提高传感器的灵敏度。目前，作为信息传感材料的纳米尺寸厚度聚合物薄膜的成膜技术有如下几种：
(1)旋涂或浇铸法
将聚合物溶解在易挥发的有机溶剂中，取一定量该溶液滴加到基底表面上，通过旋转离心，溶剂迅速挥发，聚合物溶液可均匀地覆盖在基底上。用这种方法得到的薄膜粗糙度很小，而且可以得到较大面积的薄膜。薄膜的厚度是通过调整旋转速度和聚合物的浓度来加以控制。如果聚合物的表面能比基底的表面能大，就会产生反润湿现象，从而导致不能形成均匀的薄膜，这就限制了该方法的使用范围。
(2)电化学聚合沉淀法
电沉积是一种电化学过程，也是一种氧化还原过程。近年来，应用电沉积的方法成功制备了纳米尺寸厚度聚合物薄膜，即通过电化学聚合法合成导电或半导体聚合物并同时沉积到导电基体表面上，这种方法可通过改变工作电极电位精确控制沉积速度，虽然工艺简单，但影响因素却相当复杂，薄膜性能不仅决定于电流、电压、温度、溶剂、溶液的PH值及其浓度，还受到电极的表面状态等因素影响，尤其是用电沉积法制备理想的、复杂组成的聚合物薄膜材料较为困难。
(3)溶胶-凝胶法
溶胶-凝胶法制备薄膜，通常是利用金属醇盐或其他盐类溶解在醇、醚等有机溶剂中形成均匀的溶液，溶液通过水解和缩聚反应形成溶胶，进一步的聚合反应经溶胶-凝胶转变成凝胶。再经热处理，除去凝胶中的剩余有机物和水分，最后形成所需要的薄膜。溶胶-凝胶技术制备薄膜从纳米单元开始，在纳米尺寸厚度上进行反应，最终制备出具有纳米结构特征的材料，因此又是制备纳米结构薄膜材料的特殊工艺。通过有机途径的溶胶-凝胶法制备薄膜的工艺过程中，因涉及水和有机物，所以通过这种途径制备的薄膜在干燥过程中容易龟裂，客观上限制了制备薄膜的厚度。
(4)LB膜技术
LB膜技术是由两亲性分子在气/液界面铺展形成单层膜，然后借助特定的装置将其转移到固体基片上形成单层或多层膜的技术。这样形成的LB膜，层内有序度较高，结构较规整.但是这种技术需要较昂贵的仪器，并且形成的LB膜由于层间是分子间相互作用，膜的稳定性较差。
(5)其他技术
如分子自组装技术、微机械加工技术、γ射线、电泳沉积、超临界流体快速膨胀(RESS)和基质辅助激光脉冲蒸发等。
上述这些成膜技术大都存在一些固有的缺陷，诸如操作麻烦、结构复杂、成本高昂、精度较低、重复性较差等。
针对将分子印迹聚合物应用到SPR传感器芯片上制备成超薄的分子印迹膜的方法上的不足，本发明提出利用光化学“从表面开始接枝(grafting from，GF)”法制备超薄的分子印迹聚合物刷。具体来讲就是首先在金属表面自组装单分子层的烷基链，尾部为甲基官能团，然后加入光引发剂从金属表面开始生长分子印迹聚合物刷。“聚合物刷”指的是将聚合物的一端固定在分界面上，另外一端向外伸展形成的聚合物膜。聚合物刷为在纳米尺度合成一定结构和功能性的聚合物薄膜提供了一种独特的方法。聚合物刷有机薄膜对于很对领域诸如：微流控，微组装，化学传感，分子识别以及有机合成都产生了很大的影响。在聚合物刷的设计和合成过程中，“从表面开始接枝(grafting from，GF)”方法或者表面引发聚合方法要比“接枝到表面(grafting to，GT)”方法的效果更好。如果聚合物薄膜仅仅通物理吸附的方式固定在介质表面，在不同的环境下，尤其是在有机溶剂中，薄膜很容易脱落。因此“接枝到表面(GT)”法制备的薄膜在表面固定的更加牢固，同时当接枝的密度较高时聚合物向外伸展。但是GT法制备的薄膜是典型的低密度聚合物膜，这是因为聚合物一旦接枝在表面，聚合物的分子链就会阻止其他的活性聚合物扩散到表面的活性基团附近进行接枝。相比较而言，“从表面开始接枝(GF)”法制备的聚合物是从基底表面开始生长的，并且与基地表面一直保持着链接，因此聚合物的密度较大，稳定性好。
光化学引发的自由基聚合反应由于其对于反应条件要求不是很苛刻，同时可以在不同温度和不同的反应液浓度中进行得到了广大研究者的青睐。利用光化学的方法通过“从表面开始接枝(grafting from，GF)”法合成聚合物刷在文献中进行了详细报道(Dyer，D.J.；Feng，J.；Fivelson，C.；Paul，R.；Schmidt，P.；Zhao，T.In PolymerBushes；Advincula，R，C.，Brittain，W.，Caster，K.，
Figure BSA00000142385300041
J.，Eds.；Wiley-VCH：New York，2004；Chp.7，p.129)。
目前，利用光接枝聚合技术修饰金表面已见报道，例如，Hu Yang等(Anal.Chem.2007，79，3220-3225)在自组装有烷基链的金表面利用光接枝的方法修饰了一层聚N，N-亚甲基双丙烯酰胺层，Tanya Otto S.Wolfbeis等(Analytica Chimica Acta 435(2001)157-162，Anal.Chem.2007，79，3220-3225)利用光接枝的方法在自组装有烷基链金电极表面修饰了分子印迹聚合物层。以上接枝的具体方法均为首先在自组装有烷基链的金表面吸附一层引发剂二苯甲酮，然后加入聚合溶液进行光照聚合。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中利用分子印迹技术制备表面等离子体共振芯片灵敏度低、操作繁琐的问题，提出一种表面等离子体共振传感器芯片及其制备方法，有效的解决了利用分子印迹技术制备表面等离子体共振芯片时分子印迹膜厚度难以控制，选择性差及灵敏度低等问题，同时该制备方法步骤少，生产成本低，更适合工业化生产。
本发明的目的是通过如下技术方案实现的。
本发明的一种表面等离子体共振传感器芯片，包括玻璃基片、金膜层、单分子烷基链层和分子印迹聚合物膜；该芯片由下往上依次为玻璃基片、金膜层、单分子烷基链层和分子印迹聚合物膜；
所述的单分子烷基链层的结构式为Au-(CH2)nCH3，其中n＝5-17；
所述分子印迹聚合物膜由模板分子、功能单体、交联剂、制孔剂以及光引发剂经光照聚合反应得到，所述模板分子即为所要印迹的目标分子，所述功能单体为丙烯酸、甲基丙烯酸、亚甲基丁二酸、甲基丙烯酸羟乙酯中的一种或两种；所述交联剂为乙二醇二甲基丙烯酸酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、N，N-亚甲基二丙烯酰胺、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯中的一种；所述制孔剂为二氯甲烷、氯仿、乙腈、甲醇、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种；光引发剂为二苯甲酮、安息香双甲醚、安息香叔丁醚中的一种或几种。
本发明的一种表面等离子体共振传感器芯片的制备方法，其具体步骤为：
1)采用真空蒸镀或溅射的方法在玻璃基片上镀金膜层；
2)将步骤1)中得到的玻璃基片浸入烷基硫醇溶液中，室温放置5～24h，浸泡完成后在金膜层2上自组装一层单分子烷基链层；
3)将步骤2)中得到的玻璃基片装入表面等离子体共振传感器中，表面等离子体共振传感器中的流通池用透紫外光玻璃片盖住，在透紫外光玻璃片背后安装紫外灯；向表面等离子体共振传感器中的流通池中注入聚合溶液，然后用紫外灯照射聚合溶液，光照时间根据所需分子印迹聚合物膜的厚度决定；
4)在步骤3)得到的玻璃基片用制孔剂与乙酸配制的高极性洗脱剂洗脱模板分子，在分子印迹聚合物膜上留下具有选择性的空穴和结合位点，得到基于光接枝分子印迹聚合物膜的表面等离子体共振传感器芯片；
上述步骤3)用以下方法代替：将步骤2)中得到的玻璃基片装入含有聚合溶液的反应池中，并用透紫外光玻璃片将反应池封闭，然后在透紫外光玻璃片的上方安装紫外灯，并打开紫外灯，光照时间根据所需分子印迹聚合物膜的厚度决定；
步骤2)中所述烷基硫醇溶液的溶剂为乙醇、甲醇或三氯甲烷中的一种，所述烷基硫醇溶液浓度为1～100mmol/L，所述烷基硫醇的化学式为HS(CH2)nCH3，其中n＝5-17；
步骤3)中所述聚合溶液由浓度为0.01-0.05mol/L的模板分子、功能单体、交联剂、制孔剂、光引发剂及溶剂组成，其中模板分子与功能单体的浓度比为1∶2～4，模板分子与交联剂的浓度比为1∶4～10，所述光引发剂的浓度为0.1％～1％g/ml；
所述模板分子即为所要印迹的目标分子，所述功能单体为丙烯酸、甲基丙烯酸、亚甲基丁二酸、甲基丙烯酸羟乙酯中的一种或两种，所述交联剂为乙二醇二甲基丙烯酸酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、N，N-亚甲基二丙烯酰胺、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯中的一种，所述制孔剂为二氯甲烷、三氯甲烷、乙腈、甲醇、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种，所述光引发剂为二苯甲酮、安息香双甲醚、安息香叔丁醚中的一种或几种。
本发明的工作原理为：首先在金膜表面自组装单分子烷基链层，然后加入含有光引发剂的预聚合溶液，引发剂为芳香酮或其衍生物。当光引发剂被紫外光辐射时，迅速从单线态通过系间穿越转变为三线态，在三线态下它能从金表面的烷基链上夺取氢，从而产生表面自由基和引发剂自由基，表面自由基能攻击不饱和单体和交联剂，引发接枝聚合，而引发剂自由基的体积大，活性低，可相互偶合而终止。该体系的优点是：光还原反应可以定量进行，一个引发剂分子可以夺取一个H产生一个表面自由基，容易控制，同时表面自由基的活性高，因此接枝率高。
有益效果
本发明方便、快速地在金膜表面制备出纳米尺寸厚度的分子印迹薄膜，且其厚度可控；实时，动态、原位地监测分子印迹膜的生长变化情况；操作步骤简单，无需除氧，不需氮气保护；容易实现在金膜表面制备阵列式的分子印迹膜结构单元，每个单元可以是不同的模板分子，实现多通道，多目标分子的检测。
附图说明
图1为表面等离子体共振仪芯片结构示意图；
图2为实施例1中的标准曲线示意图；
图3为实施例2中的标准曲线示意图；
1-玻璃片基片，2-金膜层，3-单分子烷基链层，4-分子印迹聚合物膜层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
一种表面等离子体共振传感器芯片，如图1所示，包括玻璃基片1、金膜层2、单分子烷基链层3和分子印迹聚合物膜4；该芯片由下往上依次为玻璃基片1、金膜层2、单分子烷基链层3和分子印迹聚合物膜4；
所述的单分子烷基链层3的结构式为Au-(CH2)11CH3；
所述分子印迹聚合物膜4由模板分子、功能单体、交联剂、制孔剂以及光引发剂经光照聚合反应得到，模板分子为所要印迹的目标分子睾酮，功能单体为甲基丙烯酸；交联剂为乙二醇二甲基丙烯酸酯；制孔剂为乙腈；
一种表面等离子体共振传感器芯片的制备方法，其具体步骤为：
1)采用真空蒸镀的方法在玻璃基片1上镀金膜层2；具体蒸镀的方法为：将2.5×30cm的LASFN9玻璃片放入立式染色缸里，采用2％的去污剂水超声清洗15分钟，然后在二次蒸馏水中超声浸泡15分钟，最后用乙醇清洗2次，将载玻片用氮气吹干；之后在新制的Piranha溶液即H2SO4与30％H2O2的体积比为3∶1的溶液中于60℃加热一个小时；再依次用蒸馏水、乙醇冲洗，用氮气吹干；将清洗好的玻璃片进行真空蒸镀99.99％的金，真空度为1×10-5以上，蒸镀速率为
Figure BSA00000142385300071
厚度为47nm；
2)将步骤1)中得到的玻璃基片1浸入十二烷基硫醇乙醇溶液中，室温放置24h，浸泡完成后在金膜层2上自组装一层单分子烷基链层3；
3)将步骤2)中得到的玻璃基片1装入表面等离子体共振传感器中，表面等离子体共振传感器中的流通池用透紫外光的BK7玻璃片盖住，在BK7玻璃片背后安装波长λ为365nm的UV-LED点光源；向表面等离子体共振传感器中的流通池中注入聚合溶液，然后用波长λ为365nm的UV-LED点光源照射聚合溶液，光照60分钟后停止光照；溶液的组成为：25mM睾酮模板分子，100mM甲基丙烯酸，150mM二甲基丙烯酸乙二醇酯交联剂以及0.5％克/毫升二苯甲酮光引发剂的乙腈溶液；
4)在步骤3)得到的玻璃基片1用体积比为7∶3的乙腈与乙酸混合溶液洗脱模板分子，得到基于光接枝分子印迹聚合物膜的表面等离子体共振传感器芯片；在乙腈溶液中扫描表面等离子体共振曲线，共振角为67.06°；
5)将4)中得到的表面等离子体共振传感器芯片进行标准曲线测试：分别将浓度为10-15mol/L、10-14mol/L、10-13mol/L、10-12mol/L、10-11mol/L、10-10mol/L和10-9mol/L的睾酮的乙腈溶液依次注入，同时监测吸附动力学曲线；每次大约吸附10分钟后动力学曲线不再变化，然后利用纯乙腈溶剂冲洗，直至动力学不再变化为止，扫描SPR曲线，记录共振角的变化见表1；做浓度与共振角移动值的标准曲线，如图2所示，曲线的相关系数R2为98.16％；
表1现场实验不同浓度溶液的共振角变化值
 浓度(-logM)   共振角   共振角移动值
  15   67.3   0.24
  14   67.44   0.38
  13   67.56   0.5
  12   67.72   0.66
  11   67.8   0.74
  10   67.92   0.86
  9   67.96   0.9
6)将4)中得到的表面等离子体共振传感器芯片进行选择性测试，为了证明芯片的选择性，选与睾酮结构相近的孕酮进行测试，睾酮的结构式如式(1)所示，孕酮的结构式如式(2)所示，分别配制了浓度为10-15mol/L、10-13mol/L、10-11mol/L、10-9mol/L、10-7mol/L、10-5mol/L和10-4mol/L的孕酮乙腈溶液，测试步骤同5)，实验结果表明芯片经过吸附以上浓度的孕酮乙腈溶液后共振角没有变化，说明该芯片对于以上浓度孕酮乙腈溶液没有明显的吸附，因此具有很高的选择性。
Figure BSA00000142385300081
实施例2
一种表面等离子体共振传感器芯片，如图1所示，包括玻璃基片1、金膜层2、单分子烷基链层3和分子印迹聚合物膜4；该芯片由下往上依次为玻璃基片1、金膜层2、单分子烷基链层3和分子印迹聚合物膜4；
所述的单分子烷基链层3的结构式为Au-(CH2)11CH3；
所述分子印迹聚合物膜4由模板分子、功能单体、交联剂、制孔剂以及光引发剂经光照聚合反应得到，模板分子为所要印迹的目标分子睾酮，功能单体为甲基丙烯酸；交联剂为乙二醇二甲基丙烯酸酯；制孔剂为乙腈；
一种表面等离子体共振传感器芯片的制备方法，其具体步骤为：
1)同实施例1中的1)；
2)同实施例1中的2)；
3)同实施例1中的3)，所不同的是光照时间为70分钟；
4)同实施例1中的4)，最后得到的共振角为68.44°；
5)将4)中得到的表面等离子体共振传感器芯片进行标准曲线测试；同实施例1种的5)，共振角的变化值见表2，浓度与共振角移动值的标准曲线如图3所示，曲线的相关系数R2为98.16％；
表2非现场实验不同浓度溶液的共振角变化值
  浓度(-logM)   共振角   共振角移动值
  15   68.50   0.06
  14   68.58   0.14
  13   68.64   0.2
  12   68.68   0.24
  11   68.74   0.3
  10   68.78   0.34
  9   68.88   0.44
6)将4)中得到的表面等离子体共振传感器芯片进行选择性测试，同实施例1中的6)，选浓度为10-15mol/L、10-13mol/L、10-11mol/L、10-9mol/L、10-7mol/L、10-5mol/L和10-4mol/L的孕酮乙腈溶液进行测试，实验结果表明芯片经过吸附以上浓度的孕酮乙腈溶液后共振角没有变化，说明该芯片对于以上浓度孕酮乙腈溶液没有明显的吸附，因此具有很高的选择性。

Claims (3)

1.一种表面等离子体共振传感器芯片，其特征在于：包括玻璃基片(1)、金膜层(2)、单分子烷基链层(3)和分子印迹聚合物膜(4)；该芯片由下往上依次为玻璃基片(1)、金膜层(2)、单分子烷基链层(3)和分子印迹聚合物膜(4)；
所述的单分子烷基链层(3)的结构式为Au-(CH2)nCH3，其中n＝5-17；
所述分子印迹聚合物膜(4)由模板分子、功能单体、交联剂、制孔剂以及光引发剂经光照聚合反应得到，所述模板分子即为所要印迹的目标分子，所述功能单体为丙烯酸、甲基丙烯酸、亚甲基丁二酸、甲基丙烯酸羟乙酯中的一种或两种；所述交联剂为乙二醇二甲基丙烯酸酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、N，N-亚甲基二丙烯酰胺、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯中的一种；所述制孔剂为二氯甲烷、氯仿、乙腈、甲醇、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种；光引发剂为二苯甲酮、安息香双甲醚、安息香叔丁醚中的一种或几种。
2.一种表面等离子体共振传感器芯片的制备方法，其特征在于具体步骤为：
1)采用真空蒸镀或溅射的方法在玻璃基片(1)上镀金膜层(2)；
2)将步骤1)中得到的玻璃基片(1)浸入烷基硫醇溶液中，室温放置5～24h，浸泡完成后在金膜层(2)上自组装一层单分子烷基链层(3)；
3)将步骤2)中得到的玻璃基片(1)装入表面等离子体共振传感器中，表面等离子体共振传感器中的流通池用透紫外光玻璃片盖住，在透紫外光玻璃片背后安装紫外灯；向表面等离子体共振传感器中的流通池中注入聚合溶液，然后用紫外灯照射聚合溶液，光照时间根据所需分子印迹聚合物膜(4)的厚度决定；
4)在步骤3)得到的玻璃基片(1)用制孔剂与乙酸配制的高极性洗脱剂洗脱模板分子，在分子印迹聚合物膜(4)上留下具有选择性的空穴和结合位点，得到基于光接枝分子印迹聚合物膜的表面等离子体共振传感器芯片；
步骤2)中所述烷基硫醇溶液的溶剂为乙醇、甲醇或三氯甲烷中的一种，所述烷基硫醇溶液浓度为1～100mmol/L，所述烷基硫醇的化学式为HS(CH2)nCH3，其中n＝5-17；
步骤3)中所述聚合溶液由浓度为0.01-0.05mol/L的模板分子、功能单体、交联剂、制孔剂、光引发剂及溶剂组成，其中模板分子与功能单体的浓度比为1∶2～4，模板分子与交联剂的浓度比为1∶4～10，所述光引发剂的浓度为0.1％～1％g/ml；
所述模板分子即为所要印迹的目标分子，所述功能单体为丙烯酸、甲基丙烯酸、亚甲基丁二酸、甲基丙烯酸羟乙酯中的一种或两种，所述交联剂为乙二醇二甲基丙烯酸酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、N，N-亚甲基二丙烯酰胺、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯中的一种，所述制孔剂为二氯甲烷、三氯甲烷、乙腈、甲醇、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种，所述光引发剂为二苯甲酮、安息香双甲醚、安息香叔丁醚中的一种或几种。
3.根据权利要求2所述的一种表面等离子体共振传感器芯片的制备方法，其特征在于：步骤3)用以下方法代替：将步骤2)中得到的玻璃基片(1)装入含有聚合溶液的反应池中，并用透紫外光玻璃片将反应池封闭，然后在透紫外光玻璃片的上方安装紫外灯，并打开紫外灯，光照时间根据所需分子印迹聚合物膜(4)的厚度决定。
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