CN101872327A - 快闪存储器数据擦除系统及方法 - Google Patents

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Abstract

一种快闪存储器数据擦除系统,该系统运行于安装有快闪存储器的通讯装置中,该系统包括:初始化模块,用于设置该快闪存储器中区块的当前擦除次数和最大擦除次数,并初始化当前擦除次数值为0;擦除模块,用于对该快闪存储器中需进行数据擦除的一个区块进行一次数据擦除,并将擦除次数加1;设置模块,用于将该进行擦除后的区块的第一个位元设置为0;判断模块,用于当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时,判断是否继续擦除该快闪存储器的其他区块。本发明还提供一种快闪存储器数据擦除方法。

Description

快闪存储器数据擦除系统及方法
技术领域
本发明涉及一种数据擦除系统及方法,尤其涉及一种快闪存储器数据擦除系统及方法。
背景技术
快闪存储器(Flash memory)是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型非易失性半导体存储器,它结合了以往EPROM结构简单、密度高和EPROM在系统的电可擦除性的一些优点,实现了高密度、低成本和高可靠性。
目前,大多数通讯装置采用了快闪存储器做为存储介质。所述快闪存储器包括多个固定大小的区块,所述区块大小通常为128bytes、64bytes、32bytes、16bytes或者8bytes,在对快闪存储器进行擦除时是以所述区块为单位进行擦除。正确擦除后的快闪存储器处于正常状态:可写入新的数据,并且写入的数据格式正确,可以被正确读取。但是,当在擦除过程中出现异常,例如:通讯装置突然断电,则会造成擦除后的区块处于错误状态:不能写入新的数据;或者,可以写入新的数据,但是写入后的数据格式错误,不能被正确读取。
发明数据
鉴于以上数据,有必要提供一种快闪存储器数据擦除系统,可以对快闪存储器进行多次擦除,使擦除后的快闪存储器处于正常状态。
此外,还有必要提供一种快闪存储器数据擦除方法,可以对快闪存储器进行多次擦除,使擦除后的快闪存储器处于正常状态。
一种快闪存储器数据擦除系统,该系统运行于安装有快闪存储器的通讯装置中,该系统包括:初始化模块,用于当需要对该快闪存储器进行数据擦除时,设置该快闪存储器中区块的当前擦除次数和最大擦除次数,并初始化当前擦除次数值为0;擦除模块,用于对该快闪存储器中需进行数据擦除的一个区块进行一次数据擦除,并将当前擦除次数加1;设置模块,用于将该进行擦除后的区块的第一个位元设置为0;判断模块,用于当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时,判断是否继续擦除该快闪存储器的其他区块;及提示模块,用于当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数值等于最大擦除次数值时,提示用户该快闪存储器出现异常。
一种快闪存储器数据擦除方法,应用于安装有快闪存储器的通讯装置中,该方法包括如下步骤:(a)当需要对快闪存储器进行数据擦除时,设置该快闪存储器中区块的当前擦除次数和最大擦除次数值;(b)初始化当前擦除次数值为0;(c)对快闪存储器中需进行数据擦除的一个区块进行一次数据擦除,并将擦除次数值加1;(d)将该进行擦除后的区块的第一个位元设置为0;(e)判断该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元是否都为1;(f)当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时,若需要继续擦除该快闪存储器的其他区块,则返回至步骤(b);或者,(g)当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1时,判断该区块的当前擦除次数值是否小于最大擦除次数值;(h)当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数等于最大擦除次数值时,提示用户快闪存储器出现异常;或者,当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数值小于最大擦除次数值时,返回至步骤(c)。
相较于现有技术,所述的快闪存储器数据擦除系统及方法,可以设置快闪存储器的最大擦除次数,当擦除后快闪存储器未处于正常状态并且当前擦除次数小于最大擦除次数时,再次对该快闪存储器进行擦除,使擦除后的快闪存储器处于正常状态。
附图说明
图1是本发明快闪存储器数据擦除系统的应用环境图。
图2是本发明快闪存储器数据擦除系统的功能模块图。
图3是本发明快闪存储器数据擦除方法的较佳实施方式的流程图。
具体实施方式
如图1所示,是本发明快闪存储器数据擦除系统的应用环境图。所述的快闪存储器数据擦除系统10应用于安装有快闪存储器12的通讯装置1上。所述的通讯装置1可以是手机、个人数字助理(personal digital assistant,简称PDA)、掌上电脑或其它任意适用的移动终端。所述的快闪存储器12用于存储通讯装置1中的文件。所述快闪存储器数据擦除系统10用于对快闪存储器12中的数据进行擦除,使擦除后快闪存储器12处于正常状态。
如图2所示,是本发明快闪存储器数据擦除系统的功能模块图。该快闪存储器数据擦除系统10包括:初始化模块100、擦除模块102、设置模块104、判断模块106及提示模块108。
所述初始化模块100用于当需要对快闪存储器12进行数据擦除时,设置该快闪存储器中区块的数据擦除参数。所述快闪存储器12包括多个固定大小的区块,所述区块大小通常为128bytes、64bytes、32bytes、16bytes或者8bytes,在对快闪存储器12进行擦除时是以所述区块为单位进行擦除。所述数据擦除参数包括快闪存储器12的当前擦除次数和最大擦除次数。
所述初始化模块100还用于初始化设置的数据擦除参数。在本实施例中,所述初始化模块100初始化当前擦除次数值为0,初始化最大擦除次数值为3。
所述擦除模块102用于对快闪存储器12中需进行数据擦除的一个区块进行一次数据擦除,并将当前擦除次数值加1。
所述设置模块104用于将该进行擦除后的区块的第一个Bit(位元)设置为0。快闪存储器12中每个区块的第一个Bit用于标示该区块的状态,若区块的第一Bit为0,则表示该区块处于可被写入数据的状态,若区块的第一Bit为1,则表示该区块处于不可被写入数据的状态。
所述判断模块106用于判断该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元是否都为1。若该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1,则表示该区块处于正确格式的状态;若该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元不全为1,则表示该区块的数据处于错误格式的状态,例如:乱码。
所述判断模块106还用于当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时,判断是否继续擦除该快闪存储器12的其他区块。若需删除的数据占用多个区块,当还有区块的数据未擦除时,判断继续擦除该快闪存储器12的其他未擦除区块;当所有区块的数据都擦除完成时,判断不继续擦除该快闪存储器12的其他区块。
所述判断模块106还用于当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元不全为1时,判断该区块的当前擦除次数值是否小于3。
所述提示模块108用于当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数值等于3时,则提示用户快闪存储器12出现异常,以便用户及时进行相应的处理。
如图3所示,是本发明快闪存储器数据擦除方法的较佳实施方式的流程图。步骤S10,当需要对快闪存储器12进行数据擦除时,初始化模块100设置该快闪存储器中区块的数据擦除参数。所述数据擦除参数包括快闪存储器12的当前擦除次数和最大擦除次数。
步骤S12,初始化模块100初始化当前擦除次数值为0,初始化最大擦除次数值为3。
步骤S14,擦除模块102对快闪存储器12中需进行数据擦除的一个区块进行一次数据擦除,并将当前擦除次数值加1。
步骤S16,设置模块104将该进行擦除后的区块的第一个Bit(位元)设置为0。快闪存储器12中每个区块的第一个Bit用于标示该区块的状态,若区块的第一Bit为0,则表示该区块处于可被写入数据的状态,若区块的第一Bit为1,则表示该区块处于不可被写入数据的状态。
步骤S18,判断模块106判断该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元是否都为1。若该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1,则表示该区块处于正确格式的状态;若该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,则表示该区块的数据处于错误格式的状态,例如:乱码。
步骤S20,当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时,判断模块106判断是否继续擦除该快闪存储器12的其他区块。若需删除的数据占用的多个区块,当还有区块的数据未擦除时,判断继续擦除该快闪存储器12的其他未擦除区块;当所有区块的数据都擦除完成时,判断不继续擦除该快闪存储器12的其他区块。当判断模块106判断继续擦除该快闪存储器12的其他区块时,返回至步骤S12;或者,当判断模块106判断不继续擦除该快闪存储器12的其他区块时,结束流程。
步骤S22,当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1时,判断模块106判断该区块的当前擦除次数值是否小于3。
步骤S24,当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数值等于3时,提示模块108提示用户快闪存储器12出现异常,以便用户及时进行相应的处理。或者,当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数值等于3时,返回至步骤S14。
以上实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照以上较佳实施方式对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种快闪存储器数据擦除系统,该系统运行于安装有快闪存储器的通讯装置中,其特征在于,该系统包括:
初始化模块,用于当需要对该快闪存储器进行数据擦除时,设置该快闪存储器中区块的当前擦除次数和最大擦除次数,并初始化当前擦除次数值为0;
擦除模块,用于对该快闪存储器中需进行数据擦除的一个区块进行一次擦除,并将当前擦除次数值加1;
设置模块,用于将该进行擦除后的区块的第一个位元设置为0;
判断模块,用于当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时,判断是否继续擦除该快闪存储器的其他区块;及
提示模块,用于当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数值等于最大擦除次数值时,提示用户该快闪存储器出现异常。
2.如权利要求1所述的快闪存储器数据擦除系统,其特征在于,所述区块的第一个位元为0,则表示该区块处于可被写入数据的状态。
3.如权利要求1所述的快闪存储器数据擦除系统,其特征在于,所述区块中第一个位元以外的其他位元都为1,则表示该区块处于正确格式的状态。
4.如权利要求1所述的快闪存储器数据擦除系统,其特征在于,所述最大擦除次数值为3。
5.一种快闪存储器数据擦除方法,应用于安装有快闪存储器的通讯装置中,其特征在于,该方法包括如下步骤:
(a)当需要对快闪存储器进行数据擦除时,设置该快闪存储器中区块的当前擦除次数和最大擦除次数;
(b)初始化当前擦除次数值为0;
(c)对快闪存储器中需进行数据擦除的一个区块进行一次擦除,并将当前擦除次数值加1;
(d)将该进行擦除后的区块的第一个位元设置为0;
(e)判断该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元是否都为1;
(f)当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时,若需要继续擦除该快闪存储器的其他区块,则返回至步骤(b);或者,(g)当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元不全为1时,判断该区块的当前擦除次数是否小于最大擦除次数;
(h)当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数值等于最大擦除次数值时,提示用户快闪存储器出现异常;或者,当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元不全为1,并且该区块的当前擦除次数小于最大擦除次数时,返回至步骤(c)。
6.如权利要求5所述的快闪存储器数据擦除方法,其特征在于,所述区块的第一个位元为0,则表示该区块处于可被写入数据的状态。
7.如权利要求5所述的快闪存储器数据擦除方法,其特征在于,所述区块中第一个位元以外的其他位元都为1,则表示该区块处于正确格式的状态。
8.如权利要求5所述的快闪存储器数据擦除方法,其特征在于,所述最大擦除次数值为3。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103794251A (zh) * 2012-11-01 2014-05-14 北京兆易创新科技股份有限公司 一种快闪存储器的擦除方法和装置
CN109214217A (zh) * 2018-09-07 2019-01-15 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 一种微控制器芯片防破解的方法
CN109388582A (zh) * 2013-12-09 2019-02-26 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及其数据抹除方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130159610A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device related method of operation

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6230233B1 (en) * 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US5621687A (en) * 1995-05-31 1997-04-15 Intel Corporation Programmable erasure and programming time for a flash memory
US5715193A (en) * 1996-05-23 1998-02-03 Micron Quantum Devices, Inc. Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103794251A (zh) * 2012-11-01 2014-05-14 北京兆易创新科技股份有限公司 一种快闪存储器的擦除方法和装置
CN103794251B (zh) * 2012-11-01 2016-09-14 北京兆易创新科技股份有限公司 一种快闪存储器的擦除方法和装置
CN109388582A (zh) * 2013-12-09 2019-02-26 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及其数据抹除方法
CN109388582B (zh) * 2013-12-09 2022-11-11 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及其数据抹除方法
CN109214217A (zh) * 2018-09-07 2019-01-15 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 一种微控制器芯片防破解的方法

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