CN109065095A - 一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法 - Google Patents

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李庭育
庄健民
齐元辅
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    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
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Abstract

本发明公开了一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，包括控制芯片、软件程序模块和闪存芯片，控制芯片分别信号连接软件程序模块和闪存芯片，先将测试资料写入所有块的第一页，接着将所有块擦除，再将测试资料写到所有块的所有页，最后对所有块的所有页内的资料进行比对，依照结果得到坏块表；本发明原理简单，工作效率高，可以将写的页数没有超过6个页就进行擦除而会导致块写入的资料容易出错的坏块找出来。

Description

一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法
技术领域
本发明涉及闪存技术领域，具体为一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法。
背景技术
闪存是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等；它能在称为块（block）的存储单位中进行删除和改编。闪存是电可擦写可编程只读存储器（EEPROM）的变体，EEPROM与闪存不同的是，它在字节层面上进行删除和重写，这样EEPROM就比闪存的更新速度慢。通常用闪存来保存控制代码，比如在个人电脑中的基本输入输出系统（BIOS）。当需要改变（重写）输入输出系统时，闪存可以以块（而不是字节）的大小输写，这样闪存就更容易更新。但另一方面，闪存不像随机存取存储器（RAM）一样有用，因为随即存取存储器可以在字节（而不是块）层面上设定地址；闪存这个名字是因为微芯片被组织来使存储单元的一部分能在一瞬间（或闪电般的）被删除得出的。这种删除是通过隧道效应进行的，在隧道效应中电子刺破薄薄的一层绝缘材料来从每个存储单元的浮栅中移动电荷。Intel提供了一种形式的闪存，它在每个存储单元保存2比特（而不是1比特），这样能够使存储量翻倍而无需增加相应的价格；闪存被用于数码手机、数码照相机、局域网交换机、笔记本电脑的PC卡、嵌入式控制器等设备中。
闪存为非消失性的存储器装置，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成。而这些闪存颗粒有些伴随着电性上的问题，其中一种情况是某一些比较弱的块，如果写的页数没有超过6个页就进行擦除的话，会导致块写入的资料容易出错，但是写的页数超过6个页再进行擦除的话，又会使块的状态恢复正常。这是由于闪存基础电压在写的页数没有超过6个页就进行擦除的时候偏离了，在写的页数超过6个页再进行擦除的动作让基础电压又恢复正常。一般闪存侦测坏块方式只有将块写满，比对资料是否正确，这样无法侦测此案例，产品的不良率也提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，包括控制芯片、软件程序模块和闪存芯片，所述控制芯片分别信号连接软件程序模块和闪存芯片。
优选的，所述闪存芯片有1024个块，每个块有256个页，每个页有32个扇形组合而成。
优选的，一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，包括以下步骤：
A、将测试资料写到所有块的第一页；
B、将所有块进行擦除；
C、将测试资料写到所有块的所有页；
D、对所有块的所有页内的资料进行比对；
E、比对错误，无法修复的判断为坏块或坏页。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明中，先将测试资料写入所有块的第一页，接着将所有块擦除，再将测试资料写到所有块的所有页，最后对所有块的所有页内的资料进行比对，依照结果得到坏块表；本发明原理简单，工作效率高，可以将写的页数没有超过6个页就进行擦除而会导致块写入的资料容易出错的坏块找出来。
附图说明
图1为本发明系统原理框图；
图2为本发明流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-2，本发明提供一种技术方案：一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，包括控制芯片1、软件程序模块2和闪存芯片3，所述控制芯片1分别信号连接软件程序模块2和闪存芯片3；闪存芯片3有1024个块，每个块有256个页，每个页有32个扇形组合而成。
本发明中，一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，包括以下步骤：
A、将测试资料写到所有块的第一页；
B、将所有块进行擦除；
C、将测试资料写到所有块的所有页；
D、对所有块的所有页内的资料进行比对；
E、比对错误，无法修复的判断为坏块或坏页。
本发明中，先将测试资料写入所有块的第一页，接着将所有块擦除，再将测试资料写到所有块的所有页，最后对所有块的所有页内的资料进行比对，依照结果得到坏块表；本发明原理简单，工作效率高，可以将写的页数没有超过6个页就进行擦除而会导致块写入的资料容易出错的坏块找出来。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (3)

1.一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，其特征在于：包括控制芯片（1）、软件程序模块（2）和闪存芯片（3），所述控制芯片（1）分别信号连接软件程序模块（2）和闪存芯片（3）。
2.根据权利要求1所述的一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，其特征在于：所述闪存芯片（3）有1024个块，每个块有256个页，每个页有32个扇形组合而成。
3.根据权利要求1所述的一种侦测闪存内电性不稳定的块的方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、将测试资料写到所有块的第一页；
B、将所有块进行擦除；
C、将测试资料写到所有块的所有页；
D、对所有块的所有页内的资料进行比对；
E、比对错误，无法修复的判断为坏块或坏页。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117393032A (zh) * 2023-12-13 2024-01-12 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储装置及其数据处理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101540204A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质扫描方法
CN108073364A (zh) * 2018-01-12 2018-05-25 江苏华存电子科技有限公司 一种数据数组保护和修复闪存内数据方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101562051B (zh) * 2008-04-18 2013-05-01 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质扫描方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101540204A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质扫描方法
CN108073364A (zh) * 2018-01-12 2018-05-25 江苏华存电子科技有限公司 一种数据数组保护和修复闪存内数据方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117393032A (zh) * 2023-12-13 2024-01-12 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储装置及其数据处理方法
CN117393032B (zh) * 2023-12-13 2024-03-22 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储装置及其数据处理方法

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