CN101840116A - Tft-lcd阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内形成有第一挡光条，所述第一挡光条的上方形成有第二挡光条。本发明通过在与数据线同层、在第一档光条的上方再形成一第二档光条，并通过过孔与栅线层的第一档光条连接，可以在像素电极和数据线之间形成一道墙壁，从而降低寄生电容的效果；同时，加高了档光条，可以有效地遮挡原第一档光条和数据线之间的漏光现象。

Description

TFT-LCD阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。
背景技术
近年来，随着数字化电视的普及，传统的CRT显示由于数字化困难以及体积大、重量大、有辐射等缺点，逐渐被新一代显示技术替代。有代表性的新一代显示技术包括PDP、OLED、LCD等。其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有重量轻、体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等优点，逐渐成为主流产品。
TFT-LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有栅线、数据线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极，栅线上施加的控制信号使数据线上的信号电压传送到像素电极上，通过控制液晶的偏转实现显示所需画面。由于TFT-LCD生产制作工艺复杂，当制备的产品偏离设计要求时将严重影响TFT-LCD的显示质量。例如，在制作TFT-LCD的阵列基板时，与阵列基板的栅线同时形成档光条，档光条的作用是挡在像素电极的周边，起到防止漏光的功能；档光条上还通入公共电压，作为公共电极使用。在这种传统的像素结构中，由于在数据线和像素电极之间存在钝化层，会产生寄生电容，这样，当栅线开启时，数据线开始对像素电极进行充电，该数据线上连接的所有像素电极都会通过寄生电容再接收到充电电压，从而使得像素电极上的显示电压出现微小的变化，反映到显示画面上就会有沿着数据线方向的“残像”。另外，在这种传统的像素结构中，在像素电极上方的四周有黑矩阵，可以保护液晶面板中的器件不受外界光的影响，且由于有档光条的遮光作用，从液晶显示面板的正向方向看，像素电极的周围不会出现漏光的现象，但是从斜向方向看，会发现漏光的现象比正向时要大。
发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有TFT-LCD存在的画面显示的“残像”、漏光的现象等缺陷。
为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内形成有第一挡光条，所述第一挡光条的上方形成有第二挡光条。
所述第一挡光条与栅线同层，并在同一次构图工艺中形成；所述第二挡光条与数据线同层，并在同一次构图工艺中形成。如果阵列基板采用四次构图工艺形成，所述第二档光条和所述数据线的下方还形成有半导体薄膜和掺杂半导体薄膜。所述第一挡光条与第二挡光条通过连接条连接。
具体地，在同一像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第一连接条相连接，在上下相邻的两个像素区域内，两个第一挡光条通过第二连接条相连接，在左右相邻的两个像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第三连接条相连接。在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，所述第一挡光条邻近所述第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔，所述第一连接条通过所述第一过孔和第二过孔使所述第一挡光条和第二挡光条连接；在所述像素区域的一侧，所述第一挡光条的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔，所述第二连接条通过所述第二过孔和第三过孔使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条连接；在与位于所述像素区域的一侧的所述第一连接条相对的所述像素区域的另一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第四过孔，所述第三连接条通过所述第三过孔和第四过孔使左右相邻的两个像素区域的所述第一挡光条和第二挡光条连接。所述第一连接条、第二连接条和第三连接条与所述像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。
另外，所述公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构。所述第二挡光条的宽度为所述第一挡光条宽度的40％～60％。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：
步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极线和第一挡光条的图形，其中公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和第二挡光条的图形，所述第二挡光条位于所述第一挡光条的上方；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成数个过孔的图形；
步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和连接条的图形，所述像素电极通过所述数个过孔之一与所述漏电极连接，所述连接条通过所述过孔使所述第一档光条与第二档光条连接。
所述步骤2中形成的所述第二挡光条的宽度为所述第一挡光条宽度的40％～60％。
所述步骤3具体包括：在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，所述第一挡光条邻近所述第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔；所述步骤4具体包括：通过构图工艺形成包括像素电极和第一连接条的图形，所述第一连接条通过所述第一过孔和第二过孔使所述第一挡光条和第二挡光条连接。
所述步骤3还包括：在所述像素区域的一侧，所述第一挡光条的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔；所述步骤4还包括：：通过构图工艺形成包括第二连接条的图形，所述第二连接条通过所述第二过孔和第三过孔使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条连接。
所述步骤3还包括：在所述像素区域的另一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第四过孔；所述步骤4还包括：通过构图工艺形成包括第三连接条的图形，所述第三连接条通过所述第三过孔和第四过孔使左右相邻的两个像素区域的所述第一挡光条和第二挡光条连接。
所述步骤3还包括：在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第五过孔；所述步骤4还包括：所述第二连接条还同时通过所述第五过孔。
所述步骤3还包括：在所述漏电极上开设有第六过孔；所述步骤4还包括：所述像素电极通过第六过孔与漏电极连接。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，通过在与数据线同层、在第一档光条的上方再形成一第二档光条，并通过过孔与栅线层的第一档光条连接，可以在像素电极和数据线之间形成一道墙壁，从而降低寄生电容的效果；同时，加高了档光条，可以有效地遮挡原第一档光条和数据线之间的漏光现象。
附图说明
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图；
图2为图1中C-C向的剖面图；
图3为图1中D-D向的剖面图；
图4为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图；
图5为图4中A1-A1向的剖面图；
图6为图4中B1-B1向的剖面图；
图7为图4中D1-D1向的剖面图；
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图；
图9为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平面图；
图10为图9中A2-A2向的剖面图；
图11为图9中B2-B2向的剖面图；
图12为图9中D2-D2向的剖面图；
图13为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平面图；
图14为图13中A3-A3向的剖面图；
图15为图13中B3-B3向的剖面图；
图16为图13中D3-D3向的剖面图；
图17为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例的平面图；
图18为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图。
附图标记说明：
1-基板；           2-栅电极；       3-栅绝缘层；
31-半导体层；      32-掺杂半导体层；33-半导体薄膜；
34-掺杂半导体薄膜；4-源电极；       5-漏电极；
6-钝化层；         61-过孔；        7-栅线；
8-数据线；         9-像素电极；
11-第一档光条；    12-公共电极；    13-第二档光条；
14-第一连接条；    15-第二连接条；  16-第三连接条；
21-第一过孔；      22-第二过孔；    23-第三过孔；
24-第四过孔；      25-第五过孔      26-第六过孔。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图，图2为图1中C-C向的剖面图，图3为图1中D-D向的剖面图。如图1、图2和图3所示，本实施例TFT-LCD阵列基板的主体结构包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，栅线用于向薄膜晶体管提供开启信号，数据线用于向像素电极提供数据信号，薄膜晶体管和像素电极以矩阵方式排列，形成数个像素行和数个像素列。像素区域内形成有第一挡光条，第一挡光条围绕像素电极的边缘设置，第一挡光条的上方形成有第二挡光条。由于第二挡光条位于第一挡光条的上方，可以在像素电极和数据线之间形成一道墙壁，从而降低寄生电容的效果；同时，加高了档光条，可以有效地遮挡原第一档光条和数据线之间的漏光现象。
具体地，本实施例的每个像素区域内形成有栅线7、数据线8、像素电极9和薄膜晶体管。薄膜晶体管依次包括栅电极2、栅绝缘层3、半导体层31、掺杂半导体层32、源电极4、漏电极5和钝化层6。在形成栅线7和栅电极2时，在像素电极9的左侧和右侧的边缘形成第一挡光条11，并将左右相邻的像素电极中的左边像素电极9的右侧的第一档光条11和右边像素电极9的左侧的第一档光条11相连接，公共电极12和第一挡光条11连接并为一体结构，该公共电极12平行于栅线7；在栅绝缘层3上形成位于栅电极2上方的有源层，有源层包括半导体层31和掺杂半导体层32；源电极4的一端位于栅电极2的上方，另一端与数据线8连接，漏电极5的一端位于栅电极2的上方，另一端通过钝化层6上开设的过孔61与像素电极9连接，源电极4和漏电极5之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，暴露出半导体层31；在半导体薄膜33和掺杂半导体薄膜34上还形成有位于第一挡光条11上方的第二挡光条13；在上述形成的膜层上再形成钝化层6和像素电极9。其中第一挡光条11可以与栅电极2、栅线7和公共电极同层，并在同一次构图工艺中形成；第二挡光条13可以与源电极4、漏电极5和数据线8同层，并在同一次构图工艺中形成，如图中所示的采用4次构图工艺形成的，其在第一档光条11的上方和在第二档光条13的下方，在栅绝缘层3上方形成有半导体薄膜33和掺杂半导体薄膜34，其与栅电极2上方的有源层同层形成。
另外，可以将第二挡光条13与公共电极12连接或加以公共电极12的电压，这样，在数据线8和像素电极9之间会形成一道墙壁，降低数据线8和像素电极9之间通过钝化层6形成的寄生电容的效果，从而减少“残像”；通过增加了第二挡光条13后，使得挡光条的高度增加，可以更加有效地遮挡漏光，提高了画面品质。
图4为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图，图5为图4中A1-A1向的剖面图，图6为图4中B1-B1向的剖面图，图7为图4中D1-D1向的剖面图。如图4～图7所示，本实施例的每个像素区域内形成有栅线7、数据线8、像素电极9和薄膜晶体管。薄膜晶体管依次包括栅电极2、栅绝缘层3、半导体层31、掺杂半导体层32、源电极4、漏电极5和钝化层6。在形成栅线7和栅电极2时，在像素电极9的左侧和右侧的边缘形成第一挡光条11，并将左右相邻的像素电极中的左边像素电极9的右侧的第一档光条11和右边像素电极9的左侧的第一档光条11相连接，公共电极12和第一挡光条11连接并为一体结构，该公共电极12平行于栅线7；在栅绝缘层3上形成位于栅电极2上方的有源层，有源层包括半导体层31和掺杂半导体层32；在栅绝缘层3上形成位于第一档光条11上方的半导体薄膜33和掺杂半导体薄膜34，其与栅电极2上方的有源层同层形成；源电极4的一端位于栅电极2的上方，另一端与数据线8连接，漏电极5的一端位于栅电极2的上方，另一端通过钝化层6上开设的过孔61与像素电极9连接，源电极4和漏电极5之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，暴露出半导体层31；在半导体薄膜33和掺杂半导体薄膜34上还形成有位于第一挡光条11上方的第二挡光条13；在上述形成的膜层上再形成钝化层6和像素电极9。其中第一挡光条11可以与栅电极2、栅线7和公共电极同层，并在同一次构图工艺中形成；第二挡光条13可以与源电极4、漏电极5和数据线8同层，并在同一次构图工艺中形成。
第一挡光条11与第二挡光条13可以通过连接条相连接，以使第二挡光条13也连接公共电极12。在同一像素区域内，第一挡光条11和第二挡光条13通过第一连接条14相连接，在上下相邻的两个像素区域内，两个第一挡光条11通过第二连接条15相连接，在左右相邻的两个像素区域内，第一挡光条11和第二挡光条13通过第三连接条16相连接。具体地，在像素区域的一侧，第二挡光条13的第一端上的钝化层6上开设有第一过孔21，第一挡光条11邻近第一过孔21的第一端上的栅绝缘层3和钝化层6上开设有第二过孔22，第一连接条14通过第一过孔21和第二过孔22使第一挡光条11和第二挡光条13连接，如图5所示。在像素区域的一侧，第一挡光条11的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔23，第二连接条15通过第二过孔22和第三过孔23使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条11连接，如图4所示，第三过孔23和上面的一个像素区域的第二过孔22相连接。在像素区域的另一侧，第二挡光条13的第二端上的钝化层6上开设有第四过孔24，第三连接条16通过第三过孔23和第四过孔24使左右相邻的两个像素区域的第一挡光条11和第二挡光条13连接，如图6所示。其中第一连接条14、第二连接条15和第三连接条16与像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。第二挡光条13的宽度可以为第一挡光条11宽度的40％～60％。本实施例中所描述的第一档光条11的第一端和第二档光条13的第一端为图示中的位于一个像素区域的右下方位置的第一档光条11和第二档光条13的端部，本实施例中所描述的第一档光条11的第二端为图示中的位于一个像素区域的右上方位置的第一档光条11的端部，本实施例中所描述的第二档光条13的第二端为图示中的位于一个像素区域的左上方位置的第二档光条13的端部。
本发明实施例的TFT-LCD阵列基板，通过增加第二档光条13，在数据线8和像素电极9之间会形成一道墙壁，降低数据线8和像素电极9之间通过钝化层6形成的寄生电容的效果，从而减少“残像”；通过增加的第二挡光条13使得挡光条的高度增加，可以更加有效地遮挡漏光，提高了画面品质。
图8～图18为本发明TFT-LCD阵列基板制造过程的示意图，可以进一步说明本发明的技术方案，在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例。
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图。首先采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜，栅金属薄膜可以采用铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一或任意组合构成的单层或复合层结构。采用普通掩模板(也称单调掩模板)对栅金属薄膜进行构图，在基板1上形成包括栅电极2、栅线7、第一档光条11和公共电极12的图形，如图8所示。
图9为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平面图，图10为图9中A2-A2向的剖面图，图11为图9中B2-B2向的剖面图，图12为图9中D2-D2向的剖面图。在完成上述结构图形的基板上，首先采用等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法，依次沉积栅绝缘层3、半导体薄膜33和掺杂半导体薄膜34，然后采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层源漏金属薄膜。在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成完全曝光区域、未曝光区域和半曝光区域，其中未曝光区域对应于数据线8、源电极4、漏电极5和第二挡光条13图形所在区域，半曝光区域对应于源电极4和漏电极5之间TFT沟道区域图形所在区域，完全曝光区域对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域的光刻胶厚度没有变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除区域，半曝光区域的光刻胶厚度变薄，形成光刻胶半保留区域。通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，形成数据线8、源电极4、漏电极5和第二档光条13的图形。通过灰化工艺，去除半曝光区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜。通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉半曝光区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体层，并刻蚀掉部分厚度的半导体层，暴露出半导体层31，形成TFT沟道区域图形。最后剥离剩余的光刻胶，完成本发明TFT-LCD阵列基板构图工艺。本次构图工艺后，源电极4的一端位于栅电极2上方，另一端与数据线8连接，漏电极5的一端位于栅电极2上方，与源电极4相对设置，源电极4和漏电极5之间TFT沟道区域的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，暴露出半导体层31。此外，数据线8和第二档光条13的下方保留有半导体薄膜33和掺杂半导体薄膜34。
图13为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平面图，图14为图13中A3-A3向的剖面图，图15为图13中B3-B3向的剖面图，图16为图13中D3-D3向的剖面图。在完成上述结构图形的基板上，采用PECVD方法沉积一层钝化层6。采用普通掩模板对钝化层进行构图，在每个像素区域内形成包括第一过孔21、第二过孔22、第三过孔23、第四过孔24和第六过孔26的图形，如图13～图16所示。其中，在像素区域的一侧(如右侧)，第二挡光条13的一端上的钝化层6上开设有第一过孔21，第一挡光条11邻近第一过孔21的一端上的栅绝缘层3和钝化层6上开设有第二过孔22；在像素区域的一侧(如右侧)，第一挡光条11的另一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔23；在像素区域的另一侧(如左侧)，第二挡光条13的另一端上的钝化层6上开设有第四过孔24。
最后，在完成上述结构图形的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，依次沉积透明导电薄膜。采用普通掩模板对透明导电薄膜进行构图，在每个像素区域内形成包括像素电极9、第一连接条14、第二连接条15和第三连接条16的图形，如图4～图7所示。其中，每个像素区域内的像素电极9通过第六过孔26与漏电极5连接，第一连接条14通过第一过孔21和第二过孔22使第一挡光条11和第二挡光条13连接，第二连接条15通过第二过孔22和第三过孔23使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条11连接，第三连接条16通过第三过孔23和第四过孔24使左右相邻的两个像素区域的第一挡光条11和第二挡光条13连接。
本实施例所说明的四次构图工艺仅仅是制备本发明TFT-LCD阵列基板的一种实现方法，实际使用中还可以通过增加或减少构图工艺次数、选择不同的材料或材料组合来实现本发明。例如，本发明第二次构图工艺可以由二个采用普通掩模板的构图工艺完成，即通过一次采用普通掩模板的构图工艺形成有源层图形，通过另一次采用普通掩模板的构图工艺形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形。这样，在图5和图6中所示的在第二档光条13和数据线8下方的半导体薄膜33和掺杂半导体薄膜34则不会在构图工艺中形成。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，通过增加第二档光条13，在数据线8和像素电极9之间会形成一道墙壁，降低数据线8和像素电极9之间通过钝化层6形成的寄生电容的效果，从而减少“残像”；通过增加的第二挡光条13使得挡光条的高度增加，可以更加有效地遮挡漏光，提高了画面品质。
图17为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例的平面图。本实施例是前述第二实施例技术方案的一种结构变形，在前述第二实施例技术方案基础上，增加了第五过孔25，第二连接条15通过第二过孔22、第三过孔23以及第五过孔25使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条11、以及第一挡光条11和第二挡光条13连接，从而使得第二档光条13的两端都与其下方的第一档光条11相连接，使得第二档光条13上所加电压分布更加均匀。
图18为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图，包括：
步骤101、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极线和第一挡光条的图形，其中公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构；
步骤102、在完成步骤101的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和第二挡光条的图形，该第二挡光条位于第一挡光条的上方；
步骤103、在完成步骤102的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成数个过孔的图形；
步骤104、在完成步骤103的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和连接条的图形，像素电极通过数个过孔之一与漏电极连接，连接条通过过孔使第一档光条与第二档光条连接。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，通过增加第二档光条，在数据线和像素电极之间会形成一道墙壁，降低数据线和像素电极之间通过钝化层形成的寄生电容的效果，从而减少“残像”；通过增加的第二挡光条使得挡光条的高度增加，可以更加有效地遮挡漏光，提高了画面品质。
下面通过具体实施例进一步说明本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的技术方案。本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第二实施例具体包括：
步骤201、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极线和第一挡光条的图形，其中公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构；
步骤202、在完成步骤201的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和第二挡光条的图形；
在栅电极的上方形成的有源层包括半导体层和掺杂半导体层；在四次构图工艺中，在数据线和第二档光条的下方还形成有半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；另外第二挡光条位于第一挡光条的上方；
步骤203、在完成步骤202的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成数个过孔的图形；
步骤204、在完成步骤203的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和连接条的图形，像素电极通过数个过孔之一与漏电极连接，连接条通过过孔使第一档光条与第二档光条连接。
其中步骤203具体包括：在像素区域的一侧，第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，第一挡光条邻近第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔；在像素区域的一侧，第一挡光条的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔；在像素区域的另一侧，第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第四过孔；在像素区域的一侧，第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第五过孔；在漏电极上开设有第六过孔；
其中步骤204具体包括：通过构图工艺形成包括像素电极和第一连接条的图形，该第一连接条通过第一过孔和第二过孔使第一挡光条和第二挡光条连接；通过构图工艺形成包括第二连接条的图形，该第二连接条通过第二过孔和第三过孔使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条连接，该第二连接条还可以同时通过第五过孔；通过构图工艺形成包括第三连接条的图形，该第三连接条通过第三过孔和第四过孔使左右相邻的两个像素区域的第一挡光条和第二挡光条连接；像素电极通过第六过孔与漏电极连接。
本实施例是一种采用第一连接条、第二连接条和第三连接条连接第一挡光条和第二挡光条的技术方案，其中第一连接条、第二连接条和第三连接条与像素电极同层设置，作为本发明过孔连接条，其制备过程已在前述图4～图16所示技术方案中详细介绍，这里不再赘述。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (18)

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内形成有第一挡光条，其特征在于，所述第一挡光条的上方形成有第二挡光条。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一挡光条与栅线同层，并在同一次构图工艺中形成；所述第二挡光条与数据线同层，并在同一次构图工艺中形成。
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二档光条和所述数据线的下方还形成有半导体薄膜和掺杂半导体薄膜。
4.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一挡光条与第二挡光条通过连接条连接。
5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在同一像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第一连接条相连接，在上下相邻的两个像素区域内，两个第一挡光条通过第二连接条相连接，在左右相邻的两个像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第三连接条相连接。
6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，所述第一挡光条邻近所述第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔，所述第一连接条通过所述第一过孔和第二过孔使所述第一挡光条和第二挡光条连接。
7.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述像素区域的一侧，所述第一挡光条的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔，所述第二连接条通过所述第二过孔和第三过孔使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条连接。
8.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在与位于所述像素区域的一侧的所述第一连接条相对的所述像素区域的另一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第四过孔，所述第三连接条通过所述第三过孔和第四过孔使左右相邻的两个像素区域的所述第一挡光条和第二挡光条连接。
9.根据权利要求5-8任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一连接条、第二连接条和第三连接条与所述像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。
10.根据权利要求1-8任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，公共电极线与所述第一挡光条为相互连接的一体结构。
11.根据权利要求1-8任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二挡光条的宽度为所述第一挡光条宽度的40％～60％。
12.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：
步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极线和第一挡光条的图形，其中公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和第二挡光条的图形，所述第二挡光条位于所述第一挡光条的上方；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成数个过孔的图形；
步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和连接条的图形，所述像素电极通过所述数个过孔之一与所述漏电极连接，所述连接条通过所述过孔使所述第一档光条与第二档光条连接。
13.根据权利要求12所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2中形成的所述第二挡光条的宽度为所述第一挡光条宽度的40％～60％。
14.根据权利要求12所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，
所述步骤3具体包括：在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，所述第一挡光条邻近所述第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔；
所述步骤4具体包括：通过构图工艺形成包括像素电极和第一连接条的图形，所述第一连接条通过所述第一过孔和第二过孔使所述第一挡光条和第二挡光条连接。
15.根据权利要求14所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，
所述步骤3还包括：在所述像素区域的一侧，所述第一挡光条的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔；
所述步骤4还包括：通过构图工艺形成包括第二连接条的图形，所述第二连接条通过所述第二过孔和第三过孔使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条连接。
16.根据权利要求15所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，
所述步骤3还包括：在所述像素区域的另一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第四过孔；
所述步骤4还包括：通过构图工艺形成包括第三连接条的图形，所述第三连接条通过所述第三过孔和第四过孔使左右相邻的两个像素区域的所述第一挡光条和第二挡光条连接。
17.根据权利要求15所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，
所述步骤3还包括：在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第五过孔；
所述步骤4还包括：所述第二连接条还同时通过所述第五过孔。
18.根据权利要求14-17任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，
所述步骤3还包括：在所述漏电极上开设有第六过孔；
所述步骤4还包括：所述像素电极通过第六过孔与漏电极连接。
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