CN101840015B - 相位补偿膜 - Google Patents

相位补偿膜 Download PDF

Info

Publication number
CN101840015B
CN101840015B CN201010162551XA CN201010162551A CN101840015B CN 101840015 B CN101840015 B CN 101840015B CN 201010162551X A CN201010162551X A CN 201010162551XA CN 201010162551 A CN201010162551 A CN 201010162551A CN 101840015 B CN101840015 B CN 101840015B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film
transmissivity
thickness
oxide layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201010162551XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101840015A (zh
Inventor
王贵海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHONGQING TIANDI PHOTOELECTRIC Co Ltd
Original Assignee
CHONGQING TIANDI PHOTOELECTRIC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHONGQING TIANDI PHOTOELECTRIC Co Ltd filed Critical CHONGQING TIANDI PHOTOELECTRIC Co Ltd
Priority to CN201010162551XA priority Critical patent/CN101840015B/zh
Publication of CN101840015A publication Critical patent/CN101840015A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101840015B publication Critical patent/CN101840015B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种相位补偿膜，经过清洗、真空蒸镀和烘干步骤镀制而成，膜层由光学基底依次向外包括第一层氧化锆层、第二层氧化硅层、第三层氧化锆层和第四层氧化硅层；本发明利用国产真空镀膜机进行镀制，采用精密计算设计的非规则膜系，有机控制膜层的组成、几何厚度和物理厚度，使镀制的增透膜层在420-700NM范围内光反射率小于0.5％；分光膜的光能透、反比小于3％；介质高反射膜反射率达99.9％，同时镀膜层数由使用进口设备的几十层减少到四层，镀膜材料减少到两种；而且镀膜后的光学元件表面有防生酶和生雾的作用；本发明改变光学元件薄膜的镀制定式，利于国产镀膜机的推广使用，提高元件附加值，同时对提高国产光学仪器质量和批量生产具有非常重要意义。

Description

相位补偿膜
技术领域
本发明涉及一种光学增透膜，特别涉及一种相位补偿膜。
背景技术
高档光学仪器根据应用的要求，需要提高光能透过率或按使用要求将光束按比例分开或要折反光路又不能损失光能，尤其是背投成像系统中，这种要求相对更高：宽带增透的波长在420-700NM范围内要求高透过，光反射率要小于0.5％；介质高反射膜之反射率要不小于99.9％等等，因此光学部件要达到此要求，必须使用日本或韩国或其它国家的高档镀膜机对光学元件镀制薄膜。这类镀膜机重复性能好，可以同时用几种镀膜材料(最多有十四个坩埚可以镀十四种膜料)，使用晶控仪控制，采用规则膜系控制膜层的几何厚度，重复镀制几十层膜来达到上述技术要求。但这种方式设备投入资金大，工作人员工作时间长，劳动强度高。由于国产低成本的镀膜机重复性、稳定性差，无法完成数十层镀膜的需要，致使我国的光学成像产品一直处于低档水平，如要使用高档光学仪器必须从国外进口整机、部件或进口镀膜机。随着光学技术的快速发展，背投成像技术也随之蓬勃发展，其核心部件——光学引擎(尤其是合色棱镜)使用光学元件多，相应的薄膜种类较多，必须从国外进口整机、部件或进口镀膜机，大大提高了成本，同时制约了国内光学技术的发展。
因此，需要开发一种利用国产镀膜机进行镀制的相位补偿膜，有机控制膜层的组成、几何厚度和物理厚度，使镀制的增透膜层在420-700NM范围内光反射率小于0.5％；分光膜的光能透、反比小于3％；介质高反射膜反射率达99.9％，同时镀膜层数由使用进口设备的几十层减少到几层，镀膜材料减少到2-3种。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种相位补偿膜，有机控制膜层的组成、几何厚度和物理厚度，使镀制的增透膜层在420-700NM范围内光反射率小于0.5％；分光膜的光能透、反比小于3％；介质高反射膜反射率达99.9％，同时镀膜层数由使用进口设备的几十层减少到几层，镀膜材料减少到2-3种。
本发明的相位补偿膜，经过清洗、真空蒸镀和烘干步骤镀制而成，膜层由光学基底依次向外包括第一层氧化锆层、第二层氧化硅层、第三层氧化锆层和第四层氧化硅层；第一层氧化锆层的厚度为(透射率极大值-透射率极小值)×0.806+透射率极小值所对应的最小膜厚；第二层氧化硅层的厚度为透射率极小值所对应的最小膜厚+4.3nm；第三层氧化锆层的厚度为透射率极大值×0.8225所对应的最小膜厚+3.5nm；第四层氧化硅层的厚度为(透射率极大值-透射率极小值)×0.535+透射率极小值所对应的最小膜厚；计算透射率极大值和极小值的透射光中心波长为480nm；
所述真空蒸镀步骤中，真空度为3-6.7帕，烘干温度为280℃。
本发明的有益效果：本发明的相位补偿膜，利用国产真空镀膜机进行镀制，采用精密计算设计的非规则膜系，有机控制膜层的组成、几何厚度和物理厚度，使镀制的增透膜层在420-700NM范围内光反射率小于0.5％；分光膜的光能透、反比小于3％；介质高反射膜反射率达99.9％，同时镀膜层数由使用进口设备的几十层减少到四层，镀膜材料减少到两种；而且镀膜后的光学元件表面有防生酶和生雾的作用；本发明利用不同折射率的介质在真空、高温状态下溶解、按设计规定的膜系蒸发而后吸附到光学基底上，经过表面镀膜的光学元件，其光学性能可以达到光学仪器的各种使用需求；本发明改变光学元件薄膜的镀制定式，利于国产镀膜机的推广使用，提高元件附加值，同时对提高国产光学仪器质量和批量生产具有非常重要意义。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
附图为本发明膜层的结构示意图。
具体实施方式
附图为本发明膜层的结构示意图，如图所示：本实施例的相位补偿膜，经过清洗、真空蒸镀和烘干步骤镀制而成，膜层由光学基底1依次向外包括第一层氧化锆层2、第二层氧化硅层3、第三层氧化锆层4和第四层氧化硅层5；第一层氧化锆层2的厚度为(透射率极大值-透射率极小值)×0.806+透射率极小值所对应的最小膜厚；第二层氧化硅层3的厚度为透射率极小值所对应的最小膜厚+4.3nm；第三层氧化锆层4的厚度为透射率极大值×0.8225所对应的最小膜厚+3.5nm；第四层氧化硅层5的厚度为(透射率极大值-透射率极小值)×0.535+透射率极小值所对应的最小膜厚；计算透射率极大值和极小值的透射光中心波长为480nm；
所述真空蒸镀步骤中，真空度为3-6.7帕，烘干温度为280℃。
本发明中，根据膜层透射率公式：
Figure GSA00000109814300031
n1、n2、t和r均与基底、入射媒质和膜有关，对于同一种物质为常量；
nd＝K(λ/4)，nd为自变量；
当K＝0、2、4……时，则函数T中的
Figure GSA00000109814300032
项有正的极大值，即
Figure GSA00000109814300033
代入膜层透射率公式，则
Figure GSA00000109814300034
出现极大值；
当K＝1、3、5……时，则函数T中的
Figure GSA00000109814300035
项有负的的极大值，即
Figure GSA00000109814300036
代入膜层透射率公式，则
Figure GSA00000109814300037
出现极小值；
氧化锆和氧化硅的透射率极大值和极小值由以上公式得出，代入后即得出对应的最小膜厚。
氧化锆和氧化硅的透射率极大值和极小值由以上公式得出，代入本实用新型技术方案的镀膜厚度公式中后即得出对应的最小膜厚。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (1)

1.一种相位补偿膜，其特征在于：经过清洗、真空蒸镀和烘干步骤镀制而成，膜层由光学基底依次向外包括第一层氧化锆层、第二层氧化硅层、第三层氧化锆层和第四层氧化硅层；第一层氧化锆层的厚度为透射率取(透射率极大值-透射率极小值)×0.806+透射率极小值时所对应的最小膜厚；第二层氧化硅层的厚度为透射率极小值所对应的最小膜厚+4.3nm；第三层氧化锆层的厚度为透射率取极大值×0.8225时所对应的最小膜厚+3.5nm；第四层氧化硅层的厚度为透射率取(透射率极大值-透射率极小值)×0.535+透射率极小值时所对应的最小膜厚；计算透射率极大值和极小值的透射光中心波长为480nm；
所述真空蒸镀步骤中，真空度为3-6.7帕，烘干温度为280℃。
CN201010162551XA 2010-04-30 2010-04-30 相位补偿膜 Expired - Fee Related CN101840015B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010162551XA CN101840015B (zh) 2010-04-30 2010-04-30 相位补偿膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010162551XA CN101840015B (zh) 2010-04-30 2010-04-30 相位补偿膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101840015A CN101840015A (zh) 2010-09-22
CN101840015B true CN101840015B (zh) 2011-09-07

Family

ID=42743511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010162551XA Expired - Fee Related CN101840015B (zh) 2010-04-30 2010-04-30 相位补偿膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101840015B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560363A (zh) * 2012-03-08 2012-07-11 天津美泰真空技术有限公司 一种在可见光区域反射无色光的减反射膜制作方法
CN109963000A (zh) * 2017-12-25 2019-07-02 蓝思科技（长沙）有限公司 粉色装饰膜用镀膜层、粉色装饰膜、粉色盖板、制作方法及手机

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0372438A2 (en) * 1988-12-05 1990-06-13 Honeywell Inc. UV and plasma stable high-reflectance multilayer dielectric mirror
CN1253297A (zh) * 1998-11-04 2000-05-17 中国科学院山西煤炭化学研究所 氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法
CN1469138A (zh) * 2002-07-16 2004-01-21 上海百利恒电器有限公司 紫外线反射膜及其制备工艺

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0372438A2 (en) * 1988-12-05 1990-06-13 Honeywell Inc. UV and plasma stable high-reflectance multilayer dielectric mirror
CN1253297A (zh) * 1998-11-04 2000-05-17 中国科学院山西煤炭化学研究所 氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法
CN1469138A (zh) * 2002-07-16 2004-01-21 上海百利恒电器有限公司 紫外线反射膜及其制备工艺

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
赵松楠 等.多层膜界面结构探测技术.《强激光与粒子束》.2010,第22卷(第2期),327-330. *
邵淑英 等.ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响.《物理学报》.2005,第54卷(第7期),3312-3316. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101840015A (zh) 2010-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101805135B (zh) 镀有双层减反射膜的光伏玻璃及其制备方法
Wang et al. Sol–gel derived durable antireflective coating for solar glass
US20090101209A1 (en) Method of making an antireflective silica coating, resulting product, and photovoltaic device comprising same
US8659822B2 (en) Multilayered infrared light reflective structure
CN105677071B (zh) 触摸屏及其制备方法
CN104007491B (zh) 一种基于笼型倍半硅氧烷构建的抗反射涂层及其制备方法与应用
CN102943253A (zh) 一种掺铝氧化锌透明导电薄膜及其制备方法
CN202744455U (zh) 增透减反射镀膜玻璃
CN111381299B (zh) 一种低反射色中性低应力树脂镜片及其制备方法
CN101840015B (zh) 相位补偿膜
CN104007490B (zh) 一种采用两种镀膜材料的光学增透膜
KR101456220B1 (ko) 반사방지 코팅층을 가지는 투명기판 및 그 제조방법
CN101493534B (zh) 一种显示器减反射屏及其制备方法
CN103570254A (zh) 导电玻璃、其制备方法和应用
CN201820002U (zh) 相位补偿膜
CN103018796B (zh) 一种光学显示用双膜系pc镜片及其制备方法
CN103739206B (zh) 一种宽波段多层防反射薄膜及其制备方法
CN109052985A (zh) 晶体硅太阳能电池用高硬宽频增透光伏玻璃
CN203965647U (zh) 一种采用两种镀膜材料的光学增透膜
CN107601919A (zh) 一种增透射和减反射玻璃的制备方法
CN201859226U (zh) 宽带增透膜
CN101515084B (zh) 光学浆料组合物及其制备方法与彩色滤光基板的制作方法
CN203596372U (zh) 阶梯增透结构式有机电致发光器件
CN106876590A (zh) 一种新型透明有机光伏电池
CN201323200Y (zh) 晶体硅太阳电池

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110907

Termination date: 20200430

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee