CN101836358B - 集成电路低噪声放大器 - Google Patents
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000007474 system interaction Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
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Abstract
本发明提出通过将低噪声放大器(LNA)集成到芯片来改善低噪声放大器(LNA)的规格。为了使用单芯片来覆盖工作频率的范围，本发明所提出的集成电路放大器包括输入端口，其被配置为从所述射频线圈接收所述磁共振信号；一个或多个LNA，其被配置为放大所接收的MR信号；以及输出端口，其被配置为输出来自所述一个或多个LNA的所放大的MR信号。RF线圈的工作频率取决于场强，如果存在匹配电路，则所述匹配电路需要被调谐至工作在RF线圈的工作频率，并且依赖于回路里的组件值，例如回路的大小。相反地，所提出的集成电路放大器能够直接与具有不同回路大小的RF线圈连接，而不需要匹配电路。
Description
技术领域
本发明涉及用于射频(RF)应用的低噪声放大器(LNA)领域，并且尤其涉及用于磁共振(MR)系统中的RF线圈的LNA器件。
背景技术
欧洲专利申请EP0344293B1讨论了一种核磁共振信号获取设备，所述设备包括线圈、匹配模块和前置放大器。所述线圈具有源阻抗(在前述的欧洲专利申请中表示为Rs)，而所述前置放大器具有最佳源阻抗Ropt和输入阻抗Rin，其中Rin小于Ropt。所述匹配模块连接所述线圈和前置放大器，使得在所述匹配模块和前置放大器的连接点处，线圈的源阻抗Rs被匹配模块转换为与最佳源阻抗Ropt大致相等。同时，所述前置放大器的低输入阻抗在匹配模块和线圈的连接点处被匹配模块转换为比最佳源阻抗Ropt高的值。
发明内容
如上所述的匹配模块的尺寸会相当大，这会增加集成电路放大器器件的大小，也会给线圈自身所接收的信号增加不需要的噪声。另外，在线圈具有多个传输或接收回路，例如相控阵线圈的情况下，一个回路中的匹配模块可以与其它回路的B1传输域耦合，并且可能导致寄生回路数目的增加。
因此，这里提出通过将LNA集成到一个芯片上来改善LNA的规格。为了使用单个芯片就覆盖工作频率的范围，这里提出的集成电路放大器包括输入端口，其被配置为接收来自RF线圈的MR信号；一个或多个LNA，其被配置为放大所接收的MR信号；以及输出端口，其被配置为输出来自所述一个或多个LNA的所放大的MR信号。RF线圈的工作频率取决于主磁场的场强。如同在现有技术中提到的那样，匹配电路需要被调节到工作在RF线圈的工作频率。匹配电路中的部件值依赖于回路大小。相反地，所提出的集成电路放大器能够直接连接具有不同回路大小的RF线圈，而不需要匹配电路。
附图说明
在下文中，基于以下实施例，将通过参考附图的示例来详细描述这些和其它方面，在附图中：
图1示出了本发明所公开的集成电路放大器的实施例，其中，多个LNA被设置在单个芯片上，每个LNA具有各自的输入端和输出端；
图2示出了具有多个LNA的集成电路放大器的第二实施例，所述多个LNA基于控制信号进行选择；
图3示出了具有多个输入端口和单个输出端口的第三实施例；
图4示出了第四实施例，其中，所述LNA由场效应晶体管器件形成，并且其中施加了附加的偏置电压；
图5示出了第五实施例，其中，反馈回路被增加到LNA；
图6示出了第六实施例，其中，通过开关来选择特定的简并电感器(degenerating inductor)；以及
图7示出了利用本发明所公开的集成电路放大器的磁共振系统。
在不同的附图中使用的相应的附图标记表示附图中相应的元件。
具体实施方式
相控阵线圈，有时也被称为“协同”线圈，采用多个接收回路来同时接收来自检查对象的MR信号。由于线圈的回路彼此接近，一个回路中的噪声电流会耦合到其它回路。如果每一个回路都连接至高阻抗，则潜在的问题噪声电流的流动能够被阻塞。
由于回路所接收的MR信号非常微弱，所以所述信号需要被放大以获得可接受的图像质量。LNA通常被用来放大MR信号。然而，当前公知的LNA拓扑只有在输入阻抗处于特定的小范围时(最佳阻抗Zopt)才会产生低噪声；换句话说，在这个输入阻抗范围之外，LNA所产生的噪声水平很高。
通常，在从回路出发的阻抗需求和LNA的输入端的最佳阻抗之间将存在不匹配。该问题通常是通过在相控阵或协同线圈中的接收回路和LNA之间增加变压器网络(也被称为匹配网络)来解决的。增加匹配网络的缺点是它可能会增加附加的噪声，并且还可能会占用大量的空间，这会阻止整个前置放大器组件的小型化。另外，匹配电路自身也会由于自身构造中所需要的高质量的、无芯电感器而互相耦合。
图1示出了其中集成电路放大器102形成在具有多个板上LNA的单个芯片上的实施例。所示出的1061、1062、1063和1064四个LNA被集成在单个集成电路放大器芯片102上，每个LNA 1061、1062、1063和1064分别具有各自的输入端口1041、1042、1043、1044以及各自的输出端口1081、1082、1083和1084。
由于每个LNA具有其单独的输入端和输出端，所以可以通过将接收线圈连接到集成电路放大器102的适当输入端口1041、1042、1043或1044来选择适当的LNA。在图1所示的示范性实施例中，四个不同的LNA 1061、1062、1063和1064分别具有四个不同的最佳输入阻抗，例如20欧姆、54欧姆、9欧姆和22欧姆。前两个LNA 1061和1062的工作频率是128MHz，而后两个LNA 1063和1064的工作频率是64MHz。可以在同一芯片上设置多个LNA，且它们工作在上述或者其它工作频率。也可以使这些LNA具有其它最佳输入阻抗。
集成电路放大器的上述设计允许终端用户，例如，医疗设施的成像技术人员，通过简单地将线圈与适当的输入端1041、1042、1043或1044连接，而将各种回路大小(因此，工作在不同的调谐频率)的RF线圈连接到同一电路放大器，从而在所述集成电路放大器芯片102内选择合适的LNA。尽管这对于临床研究站来说会是一个有用的选项，但是当前的产品中这些选项被预装到一个线圈中。真正的客户价值是提高的图像质量(因为没有由匹配电路增加的噪声)、更紧凑的线圈设计和更小的病人负担。例如，具有分路电感器的级联放大器，其使用PHILIPS的CMOS 250纳米技术制造，其可以直接地将RF接收回路耦合到LNA而不需要匹配网络。
图2示出了本发明公开的集成电路放大器的实施例，其中，集成电路放大器202被配置为具有多个板上LNA 2061、2062、2063和2064的单个芯片，其具有单个输入端204和单个输出端208。特定的LNA 2061、2062、2063或2064的输入级可以通过低耗多路选择器或开关器件210，例如微机电开关(MEMS)进行选择。如果不同的输出级是有益的，则可使用相似的开关器件212来将LNA 2061、2062、2063或2064的输出级连接到集成电路放大器202的输出端口208。MEMS或其它开关或选择器件210、212基于控制信号CTRL操作。还可以想到使用不同的控制信号来分别触发输入端口和输出端口204、208处的开关器件210、212的操作。
如上面实施例所述，四个不同的LNA 2061、2062、2063和2064分别具有四个不同的最佳输入阻抗，例如20欧姆、54欧姆、9欧姆和22欧姆。前两个LNA 2061和2062的工作频率是128MHz，而后两个LNA 2063和2064的工作频率是64MHz。如前述实施例所述，同一芯片上可以具有少于或多于四个的LNA，且它们工作在上述的或者其它工作频率。也可以有具有其它最佳输入阻抗的LNA。
图3示出了具有单个输出端口308和多个输入端口3041、3042、3043和3044的单个芯片集成电路放大器302。每个输入端口连接到不同的第一级放大器3061、3062、3063、3064，使得每个输入端(或输入端的组合)具有不同的最佳阻抗，这些不同的第一级放大器3061、3062、3063和3064连接到第二级放大器310。尽管本实施例仅示出了一个第二级放大器310，但是也可以具有多个第二级放大器。
在本实施例中所示出的第一和第二级放大器两个都利用场效应晶体管(FET)，但是其它实施方式也是可以的，例如其中一个是利用双极结型晶体管(BJT)。使用具有不同最佳阻抗的多个输入级的好处是：通过将线圈连接到适当的外部引脚，具有不同回路大小的RF线圈可以直接连接到同一个集成电路放大器302。未被使用的FET的输入端外部接地，并且不再在电路中发挥作用。使用FET的实施方式具有的附加好处是：比起其它实施例，它需要更小的空间和具有较少的外部引脚。应注意到，未被使用的FET可以不加偏置地保留以便改善电路中的功率损耗。
附图4示出了单个集成电路放大器芯片402，其具有单个输入端口404和单个输出端口408。第一级FET放大器406的源极经由简并电感器414内部接地，而它的漏极连接到第二级放大器410的源极。这种“栅极接地”的配置导致第二级放大器的输入阻抗低。另一实现低输入阻抗的方法是使用基极接地的双极晶体管放大器。第二级放大器410将输入电流转换为输出端口408处被放大的输出电压。提供至第一级FET放大器406的栅极的控制信号CTRL确定集成电路放大器402的输入阻抗。所述输入阻抗可以经由调节偏置(外部控制)或利用有源的并且外部控制的反馈来进行控制。在该实施例中，提供至第一级FET放大器406的栅极的偏置电压经由外部控制信号CTRL进行调节，这使得其能够将LNA电路的输入阻抗控制在有限的范围内。这反过来也使得可以将不同回路大小(在有限的范围内)的RF线圈连接到LNA。通过将多个这样的LNA集成到单独的芯片，可以增大可被连接到集成电路放大器的RF线圈的范围(即回路大小)。
图5示出了具有单个输入端口504和单个输出端口508的集成电路放大器502。第一级FET放大器506的源极经由简并电感器514内部接地，而其漏极连接到第二级FET放大器510的源极。通过经由反馈放大器512将第一级FET放大器506的源极连接到第二级FET放大器508的漏极，可将反馈信号施加到第一级FET放大器506。可以经由控制信号CTRL对反馈响应曲线进行外部控制，且反馈响应曲线也可以被用于控制最佳频率。
图6示出了具有单个输入端604和单个输出端608的集成电路放大器602。第一级FET放大器606的漏极连接至第二级FET放大器610的源极，同时，第一级FET放大器606的源极经由开关结构608连接到多个简并电感器L1、L2、L3和L4中的一个。该实施例与图4中所示的实施例的区别在于连接到第一级FET的源极的电感器是可选择的。开关结构可以是如MEMS的低噪声开关。该开关结构由控制信号CTRL进行控制，所述控制信号CTRL可由外部提供。
将LNA集成到芯片上的一些优点包括：低功率消耗，这对无线线圈来说是非常重要的；以及更小的底板(board-space)空间需求，这对于在大规模并行成像方案中使用的RF线圈来说尤其重要。如本申请所公开的，一些芯片技术可以被用于集成LNA，如使用N沟道或P沟道FET的金属氧化物半导体(MOS)、使用N沟道或P沟道FET的互补金属氧化物半导体(CMOS)、使用双极器件的双极结型晶体管(BJT)等。
尽管已经在图3、4、5和6的实施例中描述为使用FET，但是可以利用BJT代替FET来获得具有相同功能的替换配置。在这种情况下，利用BJT的配置可以通过将FET的配置中用于FET的词语“漏极、栅极和源极”替换为BJT的“集电极、基极和发射极”直接获得。
图7示出了能够利用本发明所公开的集成电路放大器的MR系统的可能实施例。该MR系统包括一组主线圈701、连接到梯度驱动器单元706的多个梯度线圈702，以及连接到RF线圈驱动器单元707的RF线圈703。RF线圈703可以被以体线圈的形式、或可以是独立的表面线圈的形式集成到磁体中，RF线圈703的功能进一步地通过传输/接收(T/R)开关713控制。多个梯度线圈702和RF线圈由电源单元712供电。诸如患者台的传输系统704被用来对MR成像系统中的对象705，例如患者进行定位。控制单元708控制RF线圈703和梯度线圈702。虽然将控制单元708示出为单个单元，但是也可以将其实现为多个单元。控制单元708进一步控制重构单元709的操作。控制单元708还控制例如监控屏幕或投影仪的显示单元710、数据存储单元715以及例如键盘、鼠标和跟踪球等的用户输入接口单元711。
主线圈701产生稳定的、均匀的静态磁场，例如场强为1T、1.5T或3T；本发明公开的实施例也可以用于其它场强。主线圈701以通常围绕隧道形状的检测空间的方式进行设置，可以将对象705引入所述空间。另一常见配置包括与空气间隙面对的相对电极，可以通过使用传输系统704将对象705引入其中。为了使得能够MR成像，响应于由梯度驱动器单元706提供的电流，多个梯度线圈702产生叠加到静态磁场的临时变化的磁场梯度。装配有电子梯度放大器电路的电源单元712向多个梯度线圈702提供电流，进而产生梯度脉冲(也被称为梯度脉冲波形)。控制单元708控制流经梯度线圈以产生适当的梯度波形的电流的特征，尤其是它们的强度、持续时间和方向。RF线圈703在对象705中产生RF激励脉冲，并接收由对象705响应于所述RF激励脉冲所产生的MR信号。所述RF线圈驱动器单元707向RF线圈703提供电流以便传输RF激励脉冲，并且放大由所述RF线圈703接收的MR信号。RF线圈703或RF线圈组的传输和接收功能由控制单元708经由T/R开关713进行控制。T/R开关713设置有使RF线圈703在传输模式和接收模式间进行切换的电子电路，并且保护RF线圈703和其它相关的电子电路不被击穿或其它过载等。所传输的RF激励脉冲的特征，尤其是它们的强度和持续时间，由控制单元708控制。
应注意的是，尽管在本实施例中将传输和接收线圈示出为一个单元，但是也可以具有分别用于传输和接收的独立线圈。进一步地还可以具有用于传输或接收或既传输又接收的多个RF线圈703。可以体线圈、或者以单独的表面线圈的形式将RF线圈703集成到磁体中。它们可以具有不同的几何形状，例如鸟笼形状配置或者简单的环形配置等等。控制单元708优选地是包括处理器(例如微处理器)的计算机。控制单元708经由T/R开关713控制RF脉冲激励的施加、包括回波，自由感应衰减等的MR信号的接收。诸如键盘、鼠标、接触感应屏、追踪球等的用户接口设备711使得操作者可以与MR系统交互。
利用RF线圈703接收的MR信号包含有关于正被成像的对象705的感兴趣区域中的局部自旋密度的实际信息。所接收的信号被重构单元709进行重构，并且以MR图像或MR频谱的形式显示在显示单元710上。替代地，可以将来自重构单元709的信号存储到存储单元715中，以待进一步处理。重构单元709被有利地构造成数字图像处理单元，所述数字图像处理单元被编程为获得从RF线圈703接收的MR信号。
在这里公开的集成电路放大器的各种实施例适于相控阵RF线圈，该相控阵RF线圈采用多个接收回路或元件。它们也适于包括一元或二元线圈的其它类型的线圈，尽管在这种情况下，对于回路彼此隔离的要求不那么严格。
应注意的是，上面提到的实施例说明并不是限制本发明，并且在不脱离所附权利要求的范围的情况下，本领域技术人员能够设计出多个替代实施例。在权利要求中，置于括号内的任何参考标记不应被解释为对权利要求的限制。词语“包括”并不排除在权利要求中没有列举的元件或步骤。在元件之前的词语“一”或“一个”不排除存在多个所述元件。所公开的实施例可以通过包括多个不同元件的硬件来实现，或者通过硬件和软件的结合来实现。在列举多个模块的权利要求中，这些模块中的一些可以被具体化为同一个计算机可读软件或硬件项。在彼此不同的从属权利要求中记载的某些方法这一事实并不意味着这些方法的组合是无益的。
Claims (8)
1.一种用于放大从射频线圈接收的磁共振信号的集成电路放大器，所述集成电路放大器包括：
输入端口，其被配置为从所述射频线圈接收所述磁共振信号；
一个或多个低噪声放大器，其被配置为放大从所述输入端口接收的所述磁共振信号；
控制端口和能够选择性地连接到所述一个或多个低噪声放大器的开关，其中，能够通过响应于经由所述控制端口提供的控制信号激活所述开关来选择特定的低噪声放大器；以及
输出端口，其被配置为输出来自所述一个或多个低噪声放大器的所放大的磁共振信号。
2.如权利要求1所述的集成电路放大器，其中，所述低噪声放大器是场效应晶体管器件，所述器件包括：
漏极，其连接到所述输出端口；以及
栅极，其连接到所述输入端口；
其中，附加的可调节偏置电压被施加至所述栅极，以便将所述低噪声放大器的增益控制在有限的范围内。
3.如权利要求1所述的集成电路放大器，其中，所述低噪声放大器是场效应晶体管器件，所述器件包括：
漏极，其连接到所述输出端口；
栅极，其连接到所述输入端口；以及
源极；
并且其中，所述低噪声放大器包括从所述漏极连接到所述源极的反馈电路。
4.如权利要求1所述的集成电路放大器，包括控制端口和两个或多个能够由开关选择的简并电感器，其中，所述低噪声放大器是场效应晶体管器件，所述器件包括：
漏极，其连接到所述输出端口；
栅极，其连接到所述输入端口；以及
源极；
并且其中，所述开关被配置为基于施加至所述控制端口的控制信号而将所述源极连接到特定的简并电感器。
5.如权利要求1所述的集成电路放大器，其中，所述低噪声放大器是双极结型晶体管器件，所述器件包括：
集电极，其连接到所述输出端口；以及
基极，其连接到所述输入端口；
其中，附加的可调节偏置电压被施加到所述基极，以便将所述低噪声放大器的增益控制在有限的范围内。
6.如权利要求1所述的集成电路放大器，其中，所述低噪声放大器是双极结型晶体管器件，所述器件包括：
集电极，其连接到所述输出端口；
基极，其连接到所述输入端口；以及
发射极；
并且其中，所述低噪声放大器包括从所述集电极连接到所述发射极的反馈电路。
7.如权利要求1所述的集成电路放大器，包括控制端口和两个或多个能够由开关选择的简并电感器，其中，所述低噪声放大器是双极结型晶体管器件，所述器件包括：
集电极，其连接到所述输出端口；
基极，其连接到所述输入端口；以及
发射极；
并且其中，所述开关被配置为基于施加到所述控制端口的控制信号而将所述发射极连接到特定的简并电感器。
8.一种磁共振系统，包括：
射频线圈；以及
如权利要求1-7中任一项所述的集成电路放大器。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP071092571 | 2007-05-31 | ||
| EP07109257.1 | 2007-05-31 | ||
| EP07109257 | 2007-05-31 | ||
| PCT/IB2008/052113 WO2008146256A2 (en) | 2007-05-31 | 2008-05-30 | Integrated-circuit low-noise amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101836358A CN101836358A (zh) | 2010-09-15 |
| CN101836358B true CN101836358B (zh) | 2013-10-16 |
Family
ID=39743824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008800179419A Expired - Fee Related CN101836358B (zh) | 2007-05-31 | 2008-05-30 | 集成电路低噪声放大器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8324900B2 (zh) |
| EP (1) | EP2165414A2 (zh) |
| CN (1) | CN101836358B (zh) |
| WO (1) | WO2008146256A2 (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2165414A2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-03-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated-circuit low-noise amplifier |
| EP2414856B1 (en) * | 2009-04-01 | 2015-01-21 | Koninklijke Philips N.V. | Noise matching in coupled-antenna arrays |
| EP2443741B1 (en) * | 2009-06-19 | 2015-02-25 | Koninklijke Philips N.V. | Improving input impedance of low noise preamplifiers used for mri |
| EP2456068B1 (en) | 2010-11-22 | 2013-06-19 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Low-noise amplifier with impedance boosting circuit |
| DE102011006872A1 (de) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Sendeeinrichtung zur Ansteuerung einer Hochfrequenzantenne einer Magnetresonanzeinrichtung, Leistungsverstärkereinheit und Verfahren zur Erzeugung eines amplitudenmodulierten Zielsignals |
| DE102011086314B4 (de) * | 2011-11-14 | 2015-12-10 | Siemens Aktiengesellschaft | MRT-Anlage mit wenigstens einer Magnetspule und Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsanordnung zum Schalten eines Spulenstroms |
| US8988076B2 (en) * | 2011-12-20 | 2015-03-24 | Schlumberger Technology Corporation | Integrated NMR transceiver array |
| WO2013118208A1 (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-15 | パナソニック株式会社 | 発光回路、発光モジュールおよび照明装置 |
| CN103308874B (zh) * | 2012-03-06 | 2016-06-08 | 西门子(深圳)磁共振有限公司 | 射频线圈装置和磁共振成像系统 |
| CN102983818A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种低噪声放大器 |
| US9713664B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-07-25 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Nuclear magnetic resonance module for a dialysis machine |
| US9566377B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-02-14 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Medical fluid sensing and concentration determination in a fluid cartridge with multiple passageways, using a radio frequency device situated within a magnetic field |
| US9597439B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-21 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Medical fluid sensing and concentration determination using radio frequency energy and a magnetic field |
| US9433718B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-06 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Medical fluid system including radio frequency (RF) device within a magnetic assembly, and fluid cartridge body with one of multiple passageways disposed within the RF device, and specially configured cartridge gap accepting a portion of said RF device |
| US9772386B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-09-26 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Dialysis system with sample concentration determination device using magnet and radio frequency coil assemblies |
| US9154087B2 (en) | 2013-08-01 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with configurable mutually-coupled source degeneration inductors |
| US9374042B2 (en) | 2014-03-27 | 2016-06-21 | Infineon Technologies Ag | System and method for a low noise amplifier |
| US10286135B2 (en) | 2014-03-28 | 2019-05-14 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Measuring conductivity of a medical fluid |
| TWI584578B (zh) * | 2015-12-14 | 2017-05-21 | 絡達科技股份有限公司 | 低雜訊放大器、折疊低雜訊放大器及放大器電路模組 |
| US9973149B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-05-15 | Psemi Corporation | Source switched split LNA |
| CN106953604B (zh) * | 2017-02-23 | 2021-01-08 | 维沃移动通信有限公司 | 一种低噪声放大器和移动终端 |
| WO2018160836A1 (en) | 2017-03-01 | 2018-09-07 | Scanmed, Llc | Dual tuned mri resonator, coil package, and method |
| US10686409B2 (en) * | 2018-05-29 | 2020-06-16 | Psemi Corporation | Drain switched split amplifier with capacitor switching for noise figure and isolation improvement in split mode |
| US10700650B1 (en) | 2019-01-08 | 2020-06-30 | Psemi Corporation | Configurable wideband split LNA |
| CN113366759A (zh) | 2019-01-08 | 2021-09-07 | 派赛公司 | 可配置的宽带分裂lna |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1687803A (zh) * | 2005-04-30 | 2005-10-26 | 华东师范大学 | 一种具有选择性激发的正负相位组合脉冲及其实现方法 |
| WO2007043009A2 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mr rf antenna with integrated electronics |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2996658A (en) * | 1955-12-12 | 1961-08-15 | Schlumberger Well Surv Corp | Magnetic resonance apparatus |
| US2999976A (en) * | 1958-03-03 | 1961-09-12 | Industrial Nucleonics Corp | Nuclear magnetic resonance measuring and control device |
| NL244106A (zh) * | 1958-10-07 | |||
| US3099793A (en) * | 1960-10-03 | 1963-07-30 | Industrial Nucleonics Corp | Resonance seeking circuit |
| US3174099A (en) * | 1962-02-28 | 1965-03-16 | Honeywell Inc | Automatically controlled nuclear magnetic resonance frequency sweep oscillating detector device |
| US3418564A (en) * | 1966-04-11 | 1968-12-24 | Varian Associates | Field modulated gyromagnetic resonance spectrometer detecting only the fm carrier resonance component |
| US3588678A (en) * | 1969-10-22 | 1971-06-28 | Vauan Associates | Spectrometers using an r.f. noise generator employing a carrier modulated by a binary random sequence |
| US3860818A (en) * | 1972-04-27 | 1975-01-14 | Texas Instruments Inc | Atmospheric pollution monitor |
| US4629987A (en) * | 1983-09-08 | 1986-12-16 | Southwest Research Institute | Method and apparatus for nuclear magnetic resonant measurement of flow velocity |
| US4631495A (en) * | 1985-05-06 | 1986-12-23 | General Electric Company | Low-noise RF preamplifier (especially for nuclear magnetic resonance system) |
| US4731585A (en) * | 1987-02-24 | 1988-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Antenna coupling circuit for magnetic resonance imaging |
| WO1989005115A1 (en) | 1987-12-07 | 1989-06-15 | General Electric Company | Nuclear magnetic resonance (nmr) imaging with multiple surface coils |
| IL92510A (en) | 1989-11-30 | 1995-11-27 | Elscint Ltd | Surface coil array receiver |
| US5296813A (en) * | 1992-03-05 | 1994-03-22 | Picker International, Inc. | Magnetic resonance scanner with improved packaging for circuitry within the magnetic field |
| JPH08191813A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 磁気共鳴装置のｒｆコイル用入力回路 |
| JPH0924036A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Hitachi Medical Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
| US6838936B2 (en) * | 1999-09-28 | 2005-01-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Low-noise amplifier device having negative feedback via a controlled current source, and method of using the amplifier device |
| TWI326967B (en) * | 2002-03-11 | 2010-07-01 | California Inst Of Techn | Differential amplifier |
| AUPS295002A0 (en) * | 2002-06-13 | 2002-07-04 | Thorlock International Limited | A receive system for high q antennas in nqr |
| DE10325634B4 (de) | 2003-06-06 | 2018-03-29 | Bruker Biospin Mri Gmbh | Rauscharmer Vorverstärker, insbesondere für die Kernspinresonanz(=NMR) |
| US20050073309A1 (en) | 2003-10-01 | 2005-04-07 | Williams Neil R. | Magnetic resonance coil modules |
| CN101052890B (zh) | 2004-11-04 | 2012-01-11 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 磁共振设备和磁共振成像方法 |
| US7489134B2 (en) * | 2005-03-10 | 2009-02-10 | Arcady Reiderman | Magnetic sensing assembly for measuring time varying magnetic fields of geological formations |
| US7378851B1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-05-27 | General Electric Company | Integrated low noise amplifier and balun for MRI receivers |
| US7652476B2 (en) * | 2006-12-11 | 2010-01-26 | General Electric Company | Integrated capacitor shield for balun in MRI receivers |
| EP2165414A2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-03-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated-circuit low-noise amplifier |
| US7710197B2 (en) * | 2007-07-11 | 2010-05-04 | Axiom Microdevices, Inc. | Low offset envelope detector and method of use |
| US20110091987A1 (en) * | 2007-10-04 | 2011-04-21 | Ralph Weissleder | Miniaturized Magnetic Resonance Systems and Methods |
| RU2417745C1 (ru) * | 2010-02-01 | 2011-05-10 | Общество с ограниченной ответственностью "С.П.ГЕЛПИК" | Магнитно-резонансный сканер для ортопедического магнитного томографа |
-
2008
- 2008-05-30 EP EP08763150A patent/EP2165414A2/en not_active Withdrawn
- 2008-05-30 WO PCT/IB2008/052113 patent/WO2008146256A2/en active Application Filing
- 2008-05-30 US US12/601,532 patent/US8324900B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-30 CN CN2008800179419A patent/CN101836358B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1687803A (zh) * | 2005-04-30 | 2005-10-26 | 华东师范大学 | 一种具有选择性激发的正负相位组合脉冲及其实现方法 |
| WO2007043009A2 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mr rf antenna with integrated electronics |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8324900B2 (en) | 2012-12-04 |
| WO2008146256A3 (en) | 2009-01-29 |
| CN101836358A (zh) | 2010-09-15 |
| WO2008146256A2 (en) | 2008-12-04 |
| EP2165414A2 (en) | 2010-03-24 |
| US20100164498A1 (en) | 2010-07-01 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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