CN101813958B - 低压降稳压器以及于稳压器中提供过流保护的电路及其方法 - Google Patents

低压降稳压器以及于稳压器中提供过流保护的电路及其方法 Download PDF

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Abstract

一种低压降稳压器以及于稳压器中提供过流保护的电路及其方法，低压降稳压器包括：传输型晶体管，接收未调整的电压供应电压，根据控制信号产生已调整的输出电压；固定过流限制电路，限制流经所述传输型晶体管的输出电流低于预设电流；以及折返过流限制电路，当所述已调整的输出电压低于预设电压时，所述折返过流限制电路使能所述固定过流限制电路，以进一步减小所述输出电流。利用本发明能够当输出电压低于预设电压时，降低预设电流以进一步降低输出电流，使得由短路或重负载条件导致的损坏得以避免。

Description

低压降稳压器以及于稳压器中提供过流保护的电路及其方法
技术领域
本发明有关于电源调整，更具体地，有关于低压降(Low Dropout，LDO)稳压器(Regulator)以及于稳压器中提供过流保护的电路及其方法。
背景技术
稳压器将不稳定的电源供应电压转换为稳定的电源供应电压。LDO稳压器在输入端和输出端间具有较低的输入-输出电压差，其中由输入端输入不稳定电源供应电压，输出端输出稳定的电源供应电压。“压降电压(dropout voltage)”即指输入-输出电压差，且低于此电压差调整器即无法再进行对输出电压的调整。理想情况下，电压降应尽可能低，以在维持调整期间使输入电压相对较低。因此，保证输入-输出电压差小、使电源消耗最小化和使效率最大化尤为重要。
通常，已知的LDO稳压器包括保护电路(例如过流保护电路)，在异常操作条件时可保护电路。举例来说，过流保护电路可限制LDO稳压器的输出电流(output current，IOUT)小于预设电流值，并当由于重负载(即发生短路)导致LDO稳压器的输出电压(output voltage，VOUT)比预设值低时，控制LDO稳压器以避免输出电流过大。
然而，已知的LDO稳压器的折返(foldback)电压不精确，折返电压受周围温度的影响且其调整范围有限。并且，输出电压折返后，输出电流与周围温度、其它电路参数和处理参数相关联，因此，对输出电流的控制变得困难。
发明内容
为了改善LDO稳压器中对输出电流控制困难的问题，本发明提供一种低压降稳压器以及于稳压器中提供过流保护的电路及其方法。
本发明提供一种低压降稳压器，包括：传输型晶体管，接收未调整的电压供应电压，根据控制信号产生已调整的输出电压；固定过流限制电路，限制流经所述传输型晶体管的输出电流至低于预设电流；以及折返过流限制电路，当所述已调整的输出电压低于预设电压时，所述折返过流限制电路使能所述固定过流限制电路，以进一步减小所述输出电流。
本发明另提供一种过流保护电路，包括：固定过流限制电路，将流经传输型晶体管的输出电流限制至低于预设电流；以及折返过流限制电路，当已调整的输出电压低于预设电压时，所述折返过流限制电路使能所述固定过流限制电路，以进一步减小所述输出电流。
本发明另提供一种于稳压器中提供过流保护的方法，包括：通过固定过流限制电路，在所述稳压器中将流经传输型晶体管的输出电流限制至低于预设电流；以及当所述传输型晶体管的已调整的输出电压低于预设电压时，降低所述预设电流，使能所述固定过流限制电路以根据已降低的预设电流，进一步降低所述输出电流。
利用本发明能够当输出电压低于预设电压时，降低预设电流以进一步降低输出电流，使得由短路或重负载条件导致的损坏得以避免。
以下为根据多个图式对本发明较佳实施例进行详细描述，本领域技术人员阅读后应可明确了解本发明目的。
附图说明
图1为LDO稳压器实施例的示意图。
图2为LDO稳压器的一个实施例的示意图。
图3为LDO稳压器的另一个实施例的示意图。
图4为LDO稳压器的另一个实施例的示意图。
图5为LDO稳压器的另一个实施例的示意图。
具体实施方式
为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例做详细说明。实施例是为说明本发明之用，并非用以限制本发明。本发明的保护范围以所附申请专利权利要求为准。
图1为LDO稳压器100实施例的示意图。LDO稳压器100包括传输型晶体管(pass transistor)PT、驱动电路10、反馈电路11、过流保护电路12。反馈电路11包括电阻R1和R2。提供未调整的电源供应电压VIN至电力线(power line)。传输型晶体管PT接收未调整的电源供应电压VIN，并产生输出至负载13的输出电压VOUT，其中输出电压VOUT依据控制信号VG而改变。反馈电路11检测传输型晶体管PT的输出电压VOUT，并产生反馈信号VFB。其中，电阻R1和R2分割输出电压VOUT，分割后的电压成为反馈信号VFB。
驱动电路10将反馈信号VFB与来自参考电压产生器(图未示)的参考电压VREF1进行比较，产生控制信号VG。其中控制信号VG依据参考电压VREF1与反馈信号VFB间的电压差而改变。举例来说，驱动电路10包括误差放大器，但并不仅限于此，为本领域已知的技术，在这里不再赘述。在较佳实施例中，参考电压产生器提供独立于制造过程变化和/或温度变化的参考电压VREF1。
过流保护电路12可防止LDO稳压器100由于过流导致的损坏。过流保护电路12包括固定过流限制电路(Constant Overcurrent Limiting Circuit，COLC)20和折返过流限制电路(Foldback Overcurrent Limiting Circuit，FOLC)30。COLC 20检测流经传输型晶体管PT的输出电流IOUT，并限制输出电流IOUT低于预设电流。例如，COLC 20检测输出电流IOUT并且当输出电流IOUT超过预设电流时，拉高传输型晶体管PT栅极的电压值(即增加控制信号VG的电压值)，藉以抑制增加的输出电流IOUT。
由于输出电流IOUT受限于COLC 20，当发生短路(即重负载条件)时，输出电压VOUT降低，以使传输型晶体管PT上的跨电压极度增加。在这个例子中，过高跨电压可能烧坏传输型晶体管PT或LDO稳压器100的其它元件，致使LDO稳压器100无法正常运作。然而，当由于短路(或重负载条件)而输出电压VOUT比预设电压低时，FOLC 30使能COLC 20以进一步降低输出电流IOUT，以防止传输型晶体管PT上过量电压导致损坏。举例来说，当输出电压VOUT比预设电压低时，FOLC 30降低预设电流以限制输出电流IOUT，以使COLC 20根据已降低的预设电流进一步降低输出电流IOUT。在一些例子中，FOLC 30将输出电压VOUT与一个参考电压比较，以决定输出电压VOUT是否高于预设电压。或者，FOLC 30将输出电压VOUT的分割电压与一个参考电压比较，以决定输出电压VOUT是否高于预设电压。过流保护电路12的详细操作将在后面描述。
图2为LDO稳压器100A的一个实施例的示意图。如图所示，LDO稳压器100A与图1所示的LDO稳压器100类似，区别仅在于COLC 20A由恒定电流源CS1、PMOS晶体管MP1和MP2、NMOS晶体管MN1和MN2实现，以及FOLC 30A将输出电压VOUT与参考电压VREF2比较，决定是否有短路(重负载)发生。与LDO稳压器100类似的元件的操作在这里不再赘述。
恒定电流源CS1耦接于未调整的电源供应电压VIN和节点ND1间，提供恒定电流I1。NMOS晶体管MN1包括耦接节点ND1的漏极(drain terminal)、耦接接地电压的源极(source terminal)、耦接NMOS晶体管MN2的栅极，NMOS晶体管MN2包括耦接其栅极的漏极以及耦接接地电压的源极，其中NMOS晶体管MN1的大小与NMOS晶体管MN2的大小成比例。NMOS晶体管MN1和MN2组成电流镜，流经NMOS晶体管MN1的电流I2A与流经NMOS晶体管MN2的电流I2B成比例。电流I2A可作为电流I2B的镜像电流。PMOS晶体管MP1包括耦接至未调整的电源供应电压VIN的源极、耦接PMOS晶体管MP2栅极的漏极、耦接节点ND1的栅极。PMOS晶体管MP2包括耦接至未调整的电源供应电压VIN的源极、耦接NMOS晶体管MN2漏极的漏极、耦接传输型晶体管PT栅极的栅极。
当输出电压VOUT高于参考电压VREF2时，FOLC 30A停止工作。举例来说，电流I3可为零，但并不限于此。由于晶体管MP2的源极和传输型晶体管PT的源极均耦接于未调整的电源供应电压VIN，其栅极均耦接于来自驱动电路10的控制信号VG，流经PMOS晶体管MP2的电流I2B与输出电流成比例，因此，PMOS晶体管MP2可用于检测流经传输型晶体管PT的输出电流IOUT。由于电流I2A也与电流I2B成比例，则电流I2A与电流IOUT成比例。在本实施例中，电流I2A和I2B随着输出电流IOUT的增加而增加，但并不限于此。在这个例子中，节点ND1可视为电流比较器，比较电流(I1-I3)和电流I2A。在I3＝0的情况下，当电流I2A小于电流I1时，节点ND1的电压值升高(接近于未调整的电源供应电压VIN)。相反地，当电流I2A高于电流I1，节点ND1的电压值降低(接近接地电压)，使得晶体管MP1导通以拉高传输型晶体管PT的栅极，由此导致过流。在稳定条件下，电流I2A约等于电流I1，输出电流IOUT限制在低于预设电流。也就是，预设电流与由恒定电流源CS1提供的电流I1成正比，并且，可通过增加/降低电流I1来调整预设电流。
在本实施例中，FOCL 30A从电流I1泄流出电流I3，以使能COCL 20A进一步减少预设电流，当由于短路(或重负载条件)输出电压VOUT比预设电压低时，FOCL 30A使能COCL 20A以进一步减小输出电流IOUT。举例来说，由FOLC 30A泄流出的电流I3可随着输出电压VOUT的降低而增加，但并不限于此。在本实施例中，电流I1可称为第一电流，电流I3可称为第二电流。此时，当电流I1小于电流(I2A+I3)时，节点ND1的电压降低，当电流I1超过电流(I2A+I3)时，节点ND1的电压升高。因此，COCL 20A进一步减小输出电流IOUT直到电流I2A(电流I2A与输出电流IOUT成比例)与电流I3之和约等于由恒定电流源CS1提供的电流I1。换句话说，可视为COCL 20A将输出电流IOUT限制在低于已降低的预设电流。因此，当发生短路(或重负载条件)时，输出电流IOUT随着输出电压VOUT的减小而减小。因此，由短路或重负载条件导致的损坏得以避免。
图3为LDO稳压器的另一个实施例的示意图。如图所示，LDO稳压器100B与图2所示的LDO稳压器100A类似，区别仅在于恒定电流源CS1由可控电流源CS2代替，当输出电压VOUT比预设电压低时，FOLC 30A使能电流源CS2以降低预设电流，使得输出电流IOUT随着输出电压VOUT的降低而进一步降低。
如图2中所述，预设电流与由恒定电流源CS1提供的电流I1成正比，在本实施例中，电流源CS2降低电流IS以减小预设电流。此时，当降低的电流I2A超过已降低的电流IS时，节点ND1的电压值降低，当电流I2A小于已降低的电流IS时，节点ND1的电压值升高。也就是说，COLC 20A进一步减小输出电流IOUT直到电流I2A(与输出电流IOUT成比例)约等于电流IS，其中电流IS
由电流源CS2降低。可视为COLC 20A将输出电流IOU引限制在低于已降低的预设电流。据此，当发生短路(或重负载条件)时，输出电流IOUT随着输出电压VOUT的降低而降低。因此，由短路或重负载条件导致的损坏得以避免。
图4为LDO稳压器的另一个实施例的示意图。如图所示，LDO稳压器100C与图2所示的LDO稳压器100A类似，区别仅在于COLC 20B由恒定电流源CS3、NMOS晶体管MN3～MN6、PMOS晶体管MP3～MP7、电阻R3～R4实现，以及FOLC 30B由恒定电流源CS4、NMOS晶体管MN7～MN9、PMOS晶体管MP8～MP9实现。驱动电路10、传输型晶体管PT、电阻R1和R2的操作与图1中类似，这里不再赘述。
PMOS晶体管MP3包括耦接至节点ND3的源极、耦接至节点NOUT的漏极、耦接传输型晶体管PT栅极的栅极。电阻R3耦接于未调整的电源供应电压VIN和节点ND3之间，PMOS晶体管MP4包括耦接至节点ND3的源极、耦接至节点ND4的漏极、耦接节点ND4和PMOS晶体管MP5栅极的栅极。电阻R4耦接于未调整的电源供应电压VIN和PMOS晶体管MP5源极之间，PMOS晶体管MP5包括耦接至电阻R4的源极、耦接至节点ND5的漏极、耦接PMOS晶体管MP4的栅极。恒定电流源CS3耦接于未调整的电源供应电压VIN和节点ND6之间，NMOS晶体管MN3包括耦接节点ND6的漏极、耦接接地电压的源极、耦接节点ND6和NMOS晶体管MN4的栅极。
NMOS晶体管MN4包括耦接节点ND4的漏极、耦接NMOS晶体管MN3的栅极、耦接接地电压的源极。NMOS晶体管MN5包括耦接节点ND5的漏极、耦接NMOS晶体管MN3和MN4的栅极、耦接接地电压的源极。NMOS晶体管MN6包括耦接节点ND7的漏极、耦接节点ND5的栅极、耦接接地电压的源极。PMOS晶体管MP6包括耦接于未调整的电源供应电压VIN的源极、耦接节点ND7的漏极、耦接节点ND7和PMOS晶体管MP7的栅极。PMOS晶体管MP7包括耦接于未调整的电源供应电压VIN的源极、耦接PMOS晶体管MP6的栅极、耦接传输型晶体管PT和PMOS晶体管MP3栅极的漏极。
恒定电流源CS3和NMOS晶体管MN3～MN5形成一个镜像电流源。在本实施例中，流经NMOS晶体管MN3的电流I5A与流经NMOS晶体管MN4和PMOS晶体管MP4的电流I5B、流经NMOS晶体管MN5和PMOS晶体管MP5的电流I5C相同。由于由恒定电流源CS3提供的电流I4等于电流I5A(或I5B或I5C)和电流IX之和，所以电流IX增加时电流I5A减小。
由于传输型晶体管PT栅极和PMOS晶体管MP3栅极连接在一起，其漏极均耦接于节点NOUT，输出电流IOUT增加时，流经PMOS晶体管MP3的电流I7增加。由于流经PMOS晶体管MP4和MP5的电流I5B和I5C受限于NMOS晶体管MN4和MN5，电流I7增加时，流经电阻R3的电流I6增加，以使节点ND3的电压值相应降低。
一旦输出电流IOUT超过预设电流，节点ND4的电压值降低，节点ND5的电压值增加以导通NMOS晶体管MN6。NMOS晶体管MN6导通时，节点ND7的电压值拉低，使得PMOS晶体管MP6和MP7导通。据此，传输型晶体管PT栅极和PMOS晶体管MP3栅极的电压值增加以降低输出电流IOUT，以便输出电流IOUT可限制在低于预设电流。在本实施例中，当电流I5A减小时，可视为节点ND5的电压值对节点ND3的电压值更灵敏。也就是说，电流I5A(与电流I5B和电流I5C相同)与预设电流成正比。因此，在本实施例中，通过降低电流I5A，COLC 20B可将输出电流IOUT限制在低于较小的预设电流。
NMOS晶体管MN7包括耦接节点ND6的漏极、耦接NMOS晶体管MN8的栅极、耦接接地电压的源极。恒定电流源CS4耦接于未调整的电源供应电压VIN和节点ND8间。PMOS晶体管MP8包括耦接节点ND8的源极、耦接至输出电压VOUT的分割电压(即A.VOUT)的栅极、耦接至NMOS晶体管MN8的漏极，其中系数A小于1。NMOS晶体管MN8包括耦接至PMOS晶体管MP8的漏极、耦接接地电压的源极、耦接至其自身漏极和NMOS晶体管MN7栅极的栅极。PMOS晶体管MP9包括耦接节点ND8的源极、耦接参考电压VREF2的栅极、耦接至NMOS晶体管MN9的漏极。NMOS晶体管MN9包括耦接至PMOS晶体管MP9的漏极、耦接接地电压的源极、耦接至其自身漏极的栅极。
当由于短路(或重负载条件)输出电压VOUT低于预设电压时，FOLC 30B使能COLC 20B以进一步降低输出电流IOUT。举例来说，当分割电压A.VOUT高于参考电压VREF2时，FOLC 30B决定输出电压VOUT不低于预设电压并且不增加流经NMOS晶体管MN7的电流IX。也就是说，FOLC 30B不从电流I4中泄流出电流IX来降低电流I5A/I5B/I5C以进一步降低预设电流。在本实施例中，电流I4可称为第一电流，电流IX可称为第二电流。
相反地，一旦分割电压A.VOUT低于参考电压VREF2，FOLC 30B决定输出电压VOUT低于预设电压，并且随着输出电压VOUT降低，相应增加流经NMOS晶体管MN7的电流IX。电流I4等于电流I5A与电流IX之和，所以电流IX增加时电流I5A减小。也就是说，当输出电压VOUT低于预设电压时，FOLC 30B降低电流I5A，使得用于限制输出电流IOUT的预设电流随着输出电压降低而减小。在本实施例中COLC 20B根据已减小的预设电流进一步降低输出电流IOUT，即COLC 20B将输出电流IOUT限制在低于已减小的预设电流。据此，发生短路(或重负载条件)时，随着输出电压VOUT降低输出电流IOUT减小。因此，由短路或重负载条件导致的损坏得以避免。
图5为LDO稳压器的另一个实施例的示意图。如图所示，LDO稳压器100D与图4所示的LDO稳压器100C类似，区别仅在于当输出电压VOUT小于预设电压时，FOLC 30C增加了电流I8与输出电流IOUT的比率，以进一步降低预设电流，而非改变电流I5A。此处电流I8可称为第一电流。COLC 20C的操作与图4中类似，这里不再赘述。
FOLC 30C包括比较器31、两个切换元件SW1～SW2和PMOS晶体管MP10。PMOS晶体管MP10包括耦接至节点ND3的源极、耦接至节点NOUT的漏极、耦接至切换元件SW1和SW2的栅极，其中PMOS晶体管MP10的大小为PMOS晶体管MP3的N倍。切换元件SW1包括耦接至PMOS晶体管MP10栅极的第一端、耦接至传输型晶体管PT栅极和PMOS晶体管MP3栅极的第二端，切换元件SW2耦接于未调整的电源供应电压VIN和PMOS晶体管MP10栅极间。比较器31包括耦接参考电压VREF2的第一输入端、耦接输出电压VOUT的分割电压A·VOUT的第二输入端以及耦接切换元件SW1和SW2的输出端。
举例来说，当分割电压A.VOUT高于参考电压VREF2时，FOLC 30C决定输出电压VOUT不低于预设电压。据此，比较器31输出控制信号VC以分别关闭切换元件SW1和导通切换元件SW2，因此PMOS晶体管MP10关闭。如图4中，FOLC 30C通过PMOS晶体管MP3检测输出电流IOUT是否超过预设电流，以限制输出电流IOUT低于预设电流。此时，电流I8与流经PMOS晶体管MP3的电流I7相等。
相反地，当分割电压A·VOUT由于短路或重负载条件低于参考电压VREF2时，FOLC 30C决定输出电压VOUT低于预设电压。据此，比较器31输出控制信号VC以分别导通切换元件SW1和关闭切换元件SW2，因此PMOS晶体管MP10导通以增加电流I8。在本实施例中，电流I7和I9均与输出电流IOUT成正比。电流I8与流经PMOS晶体管MP3的电流I7和流经PMOS晶体管MP10的电流I9之和相等。电流I8与输出电流IOUT的比率由I7∶IOUT增加为(I7+I9)∶IOUT。
因此，流经电阻R3的电流I6大幅增加，节点ND3的电压值因此降低，节点ND5的电压值增加。NMOS晶体管MN6导通以把节点ND7电压值拉低，藉此PMOS晶体管MP6和MP7导通。因此，传输型晶体管PT栅极和PMOS晶体管MP3栅极的电压值增加，以进一步降低输出电流IOUT。COLC 20C可将输出电流IOUT限制在低于已降低的预设电流。
由于，当发生短路或重负载条件时，实施例LDO稳压器100和100A～100D可随着输出电压降低进一步降低输出电流，所以由短路或重负载条件导致的损坏得以避免。
在说明书及申请专利权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及申请专利权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。
本发明虽以较佳实施例描述，然而并不限于此。各种变形、修改和所述实施例各种特征的组合均属于本发明所主张范围，本发明的权利范围应以申请专利权利要求为准。

Claims (18)

1.一种低压降稳压器，包括：
传输型晶体管，用以接收未调整的电源供应电压，并根据控制信号产生已调整的输出电压；
固定过流限制电路，用以限制流经所述传输型晶体管的输出电流至低于预设电流；以及
折返过流限制电路，当所述已调整的输出电压低于预设电压时，所述折返过流限制电路降低所述预设电流，以使所述固定过流限制电路根据已降低的所述预设电流进一步减小所述输出电流。
2.根据权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，进一步包括：
反馈电路，用以检测所述已调整的输出电压以产生反馈信号；以及
驱动电路，用以根据所述反馈信号与参考信号间的差产生所述控制信号。
3.根据权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，所述固定过流限制电路根据与所述输出电流成正比例的第一电流决定所述输出电流是否超过所述预设电流，并且，若所述已调整的输出电压低于所述预设电压，所述折返过流限制电路增大所述第一电流与所述输出电流的比率以降低所述预设电流。
4.根据权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，所述折返过流限制电路随着所述输出电压的降低调整所述预设电流。
5.根据权利要求4所述的低压降稳压器，其特征在于，所述固定过流限制电路根据已降低的所述预设电流增加所述控制信号的电压电平，以进一步降低所述输出电流。
6.根据权利要求4所述的低压降稳压器，其特征在于，所述固定过流限制电路包括电流镜，所述电流镜提供与所述预设电流成正比例的至少一个镜像电流，并且，当所述已调整的输出电压低于所述预设电压时，所述折返过流限制电路随着所述输出电压的减小降低所述镜像电流，以减小所述预设电流。
7.根据权利要求4所述的低压降稳压器，其特征在于，所述固定过流限制电路包括电流源，所述电流源提供与所述预设电流成正比例的第一电流，所述折返过流限制电路从所述第一电流泄流出第二电流或者使能所述电流源以随着所述已调整的输出电压降低而减小所述第一电流，以当所述已调整的输出电压低于所述预设电压时，减小所述预设电流。
8.一种过流保护电路，其特征在于，包括：
固定过流限制电路，用以将流经传输型晶体管的输出电流限制至低于预设电流；以及
折返过流限制电路，当已调整的输出电压低于预设电压时，所述折返过流限制电路降低所述预设电流，以使所述固定过流限制电路根据已降低的所述预设电流进一步降低所述输出电流。
9.根据权利要求8所述的过流保护电路，其特征在于，所述固定过流限制电路根据与所述输出电流成正比例的第一电流决定所述输出电流是否超过所述预设电流，并且，若所述已调整的输出电压低于所述预设电压，所述折返过流限制电路增大所述第一电流与所述输出电流的比率以降低所述预设电流。
10.根据权利要求8所述的过流保护电路，其特征在于，所述折返过流限制电路随着所述输出电压的降低调整所述预设电流。
11.根据权利要求10所述的过流保护电路，其特征在于，所述固定过流限制电路根据已降低的所述预设电流增加所述控制信号的电压值，以进一步降低所述输出电流。
12.根据权利要求10所述的过流保护电路，其特征在于，所述固定过流限制电路包括电流镜，所述电流镜提供至少一种与所述预设电流成正比例的镜像电流，并且，当所述已调整的输出电压低于所述预设电压时，所述折返过流限制电路随着所述输出电压的减小降低所述镜像电流，以减小所述预设电流。
13.根据权利要求10所述的过流保护电路，其特征在于，所述固定过流限制电路包括电流源，所述电流源提供与所述预设电流成正比例的第一电流，所述折返过流限制电路从所述第一电流泄流出第二电流或者使能所述电流源以随着所述输出电压的降低而减小所述第一电流，以当所述已调整的输出电压低于所述预设电压时，减小所述预设电流。
14.一种于稳压器中提供过流保护的方法，其特征在于，包括：
通过固定过流限制电路，在所述稳压器中将流经传输型晶体管的输出电流限制至低于预设电流；以及
当所述传输型晶体管的已调整的输出电压低于预设电压时，降低所述预设电流，使能所述固定过流限制电路以根据已降低的所述预设电流，进一步降低所述输出电流。
15.根据权利要求14所述的于稳压器中提供过流保护的方法，其特征在于，进一步包括：
根据与所述输出电流成正比例的第一电流，决定所述输出电流是否超过所述预设电流，其中当所述已调整的输出电压低于所述预设电压时，通过增大所述第一电流与所述输出电流的比率以降低所述预设电流。
16.根据权利要求14所述的于稳压器中提供过流保护的方法，其特征在于，当所述已调整的输出电压低于所述预设电压时，随着所述已调整的输出电压的减小降低所述预设电流，并且根据已降低的所述预设电流通过增加控制信号的电压值进一步降低所述输出电流。
17.根据权利要求14所述的于稳压器中提供过流保护的方法，其特征在于，随着所述已调整的输出电压的减小，通过降低所述固定过流限制电路中的电流镜的镜像电流，减小所述预设电流，其中，所述镜像电流与所述预设电流成正比例。
18.根据权利要求14所述的于稳压器中提供过流保护的方法，其特征在于，随着所述已调整的输出电压降低，通过泄流所述固定过流限制电路中电流源提供的第一电流的一部分，减小所述预设电流，或者随着所述已调整的输出电压降低，使能所述电流源以减小所述第一电流，其中，所述第一电流与所述预设电流成正比例。
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