CN101806941B - 光电混载组件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光电混载组件以及其制造方法，缩短光学元件和芯端部之间的距离，能够提高两者之间的光耦合效率。光电混载组件具备光波导路部分、电路部分、安装在该电路部分上的发光元件(7)以及受光元件(8)，上述光波导路部分具备下敷层(1)、该下敷层(1)正面上的光路用的线状的芯(2)、以及覆盖该芯(2)的上敫层(3)，电路(4)形成在上述下敷层(1)的芯(2)形成部分以外的正面部分上。

Description

光电混载组件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种具备光波导路部分、电路部分、安装在该电路部分上的光学元件的光电混载组件以及其制造方法。 
背景技术
例如，如图8所示，光电混载组件具有以下结构：分别制作电路部分E1和光波导路部分W1，该电路部分E1在基板15的正面上形成了电路14，该光波导路部分W1按顺序形成下敷层11、芯12、上敷层13，在该光波导路部分W1的上敷层13的正面上利用粘接剂16粘贴上述电路部分E1的基板15的背面，在与上述光波导路部分W1的芯12的两端部对应的上述电路部分E1上安装发光元件7和受光元件8(例如，参照专利文献1)。在上述基板15上形成有光通过用的贯通孔15a、15b，该贯通孔15a、15b用于在芯12的端部与发光元件7、受光元件8之间传播光L。另外，在上述芯12的两端附近部，在光波导路部分W1上形成有倒V字形状的缺口部19，该倒V字形状缺口部19的芯12侧的一侧面形成为相对于上述芯12的轴方向倾斜45°的倾斜面。并且，位于该倾斜面的芯12的端部成为光反射面12a。此外，在图8中，附图标记7a是上述发光元件7的发光部，附图标记7b、7c是上述发光元件7的凸块。另外，附图标记8a是上述受光元件8的受光部，附图标记8b、8c是上述受光元件8的凸块。 
下面说明光L在上述光电混载组件中的传播，首先，光L从发光元件7的发光部7a向下方出射。该光L通过上述电路部分E1的光传播用贯通孔15a之后，穿过光波导路部分W1的一端部(在图8中左端部)的上敷层13，入射到芯12的一端部。接着，该光L在芯12的一端部的光反射面12a上进行反射，沿轴方向进入芯12内。然后，该光L被传播到芯12的另一端部(在图8中右端部)。接着，该光L在上述另一端部的光反射面12a上向上方反射，穿过上敷层13之后进行射出，由受光元件8的受光部8a接收。 
专利文献1：日本特开2004-302345号公报 
在上述光L的传播中，从上述发光元件7的发光部7a发出的光L如图8所示那样扩散。因此，如果发光元件7与芯12的一端部的光反射面12a之间的距离较长，则有时该光L会从光反射面12a偏离而不会被导入到芯12内。同样地，在芯12的另一端部的光反射面12a上进行反射的光L也会扩散，因此有时该光L会偏离受光元件8的受光部8a而不会被接收。因此，在光电混载组件中，需要将发光元件7、受光元件8等光学元件与光波导路部分W1的芯12端部的光反射面12a之间的距离设计为尽可能的短。 
然而，以往，光电混载组件构成为在光学元件7、8与光波导路部分W1之间配置有由基板15和电路14构成的电路部分E1，由此，光学元件7、8与芯12的端部之间的距离变长，两者之间的光耦合效率降低。 
发明内容
本发明是鉴于上述情形而完成的，其目的在于提供一种能够缩短光学元件与芯端部之间的距离、提高两者之间的光耦合效率的光电混载组件以及其制造方法。 
为了达到上述目的，本发明的第1技术方案是一种光电混载组件，具备光波导路部分、电路部分、安装在该电路部分上的光学元件，上述光波导路部分具备：下敷层；该下敷层正面上的光路用的线状的芯；以及覆盖该芯的上敷层，上述电路部 分在无基板的状态下形成在上述下敷层的芯形成部分以外的正面部分上。 
另外，本发明的第2技术方案是一种光电混载组件的制造方法，该光电混载组件具备光波导路部分、电路部分、安装在该电路部分上的光学元件，上述光波导路部分的制作具备以下工序：形成下敷层的工序；在该下敷层正面上形成光路用的线状的芯的工序；以及以覆盖该芯的方式形成上敷层的工序，其中，上述电路部分的制作在无基板的状态下在上述下敷层的芯形成部分以外的正面部分上进行。 
本发明人为了缩短光电混载组件中的光学元件与芯端部之间的距离，反复对电路部分的配置进行了研究。其结果是，发现当在下敷层的芯形成面上在无基板的状态下形成电路部分时，与以往的技术(参照图8)相比能够使光学元件的安装位置接近芯端部，从而完成了本发明。 
关于本发明的光电混载组件，电路部分在无基板的状态下形成在下敷层的芯形成部分以外的正面部分上，因此能够缩短光学元件与芯端部之间的距离。因此，例如，在上述光学元件为发光元件的情况下，能够在从上述发光元件的发光部发出的光尚未过多扩散之前，使该光入射到上述芯的一端部。另外，在光从上述芯的另一端部出射的情况下(在上述光学元件为受光元件的情况下)，也同样地，能够在从芯的另一端部出射的光尚未过多扩散之前，通过受光元件的受光部来接收该光。这样，本发明的光电混载组件的光学元件与芯端部之间的光耦合效率提高。 
特别是，在上述下敷层的正面上，对光学元件的凸块进行定位的凸块定位引导件相对于上述芯的端部形成在规定的位置上，在利用上述凸块定位引导件对上述光学元件的凸块进行定 位的情况下，光学元件相对于芯的端部的安装精度变得更高，因此能够进一步提高光学元件与芯端部之间的光耦合效率。 
另外，本发明的光电混载组件的制造方法能够制造以下光电混载组件：电路部分的制作在无基板的状态下在下敷层的芯形成部分以外的正面部分上进行，因此能够缩短光学元件与芯端部之间的距离，提高两者之间的光耦合效率。 
特别是，具备在上述下敷层的正面上形成凸块定位引导件的工序，在上述光学元件的安装具备利用上述凸块定位引导件对该光学元件的凸块进行定位的工序的情况下，能够简单地对光学元件进行高精度的定位，因此能够提高光电混载组件的生产率。 
附图说明
图1的(a)是示意性地表示本发明的光电混载组件的一个实施方式的俯视图，(b)是(a)的A-A剖视图。 
图2的(a)是示意性地表示上述光电混载组件的制造方法中形成光波导路部分的下敷层的工序的说明图，(b)～(c)是示意性地表示形成芯以及凸块定位引导件的工序的说明图。 
图3是放大表示上述光电混载组件的制造方法的芯端部附近的立体图。 
图4的(a)是示意性地表示上述光电混载组件的制造方法中的电路的制作工序的说明图，(b)是放大表示芯端部附近的立体图。 
图5的(a)～(b)是示意性地表示上述光电混载组件的制造方法中形成光波导路部分的上敷层的工序的说明图。 
图6的(a)是示意性地表示上述光电混载组件的制造方法中的芯端部的光反射面的形成工序的说明图，(b)是示意性地表示 光学元件的安装工序的说明图。 
图7的(a)是示意性地表示本发明的光电混载组件的另一个实施方式的俯视图，(b)是(a)的B-B剖视图。 
图8是示意性地表示以往的光电混载组件的纵剖视图。 
具体实施方式
接着，根据附图详细说明本发明的实施方式。 
图1的(a)是示意性地表示本发明的光电混载组件的一个实施方式的俯视图，(b)是其A-A剖视图。关于该光电混载组件，在下敷层1的正面上形成有光路用的线状的芯2，在该芯2形成部分以外的下敷层1正面部分上不隔着基板而是直接形成有电路(无基板的电路部分)4。此外，在本发明中，为了与以往的隔着基板来形成的电路区别开，将不隔着基板而直接在下敷层的正面形成电路的该状态称为“无基板的电路部分”。 
上述电路4的一部分成为用于连接光学元件(发光元件7和受光元件8)的凸块7b、7c、8b、8c的安装用焊盘4a，在上述芯2的两端部周围，在相对于该芯2的各端部在规定的位置上进行定位的状态下四个四个地形成这些安装用焊盘4a。并且，以围绕上述各安装用焊盘4a的方式，对光学元件7、8的凸块7b、7c、8b、8c进行定位的凸块定位引导件5、6被突出设置在下敷层1的正面上。四个凸块定位引导件5、6中的两个形成为俯视观察时呈日文假名“コ”字状(附图标记5)，其余的两个形成为俯视观察时呈四边框状(附图标记6)。此外，在图1的(a)中省略了凸块7b、7c、8b、8c。 
并且，在上述下敷层1的正面上以覆盖上述芯2整体、电路4上除了安装用焊盘4a以外的部分、以及凸块定位引导件5、6上除了空心部5a、6a以外的部分的方式形成有上敷层3。即，该 上敷层3上与安装用焊盘4a上对应的部分被形成为通孔(贯通孔)3a。并且，光学元件7、8被配置在上敷层3上，经上述上敷层3的通孔3a，将该凸块7b、7c、8b、8c插入到俯视观察时呈日文假名“コ”字状、四边框状的上述凸块定位引导件5、6的空心部5a、6a中，在该状态下，将导电糊剂、焊锡等作为接合材料(未图示)，进行倒装安装。 
另外，由上述下敷层1、芯2以及上敷层3构成光波导路部分W0，在与上述芯2的两端部对应的部分上形成有倒V字形状的缺口部9。该倒V字形状缺口部9的靠芯2侧的一侧面形成为相对于上述芯2的轴方向倾斜45°的倾斜面，位于该倾斜面上的芯2的端部成为光反射面2a。该光反射面2a形成在发光元件7的发光部7a的下方以及受光元件8的受光部8a的下方。 
在上述光电混载组件中，光L按以下方式传播。即，如图1的(b)所示，从上述发光元件7的发光部7a向下方发出的光L穿过上敷层3之后，入射到芯2的一端部。接着，该光L在上述芯2的一端部的光反射面2a上进行反射，沿轴方向进入芯2内。然后，该光L被传播到芯2的另一端部的光反射面2a。接着，该光L在上述另一端部的光反射面2a上向上方反射，穿过上敷层3之后射出，之后被受光元件8的受光部8a接收。 
这样，在上述光电混载组件中，不像以往那样要隔着基板，而是直接在下敷层1的芯2形成面上形成电路4，由此缩短了光学元件7、8与芯2端部之间的距离。因此，在上述光传播中，能够在从发光元件7的发光部7a发出的光L尚未过多扩散之前，使该光L入射到上述芯2的一端部。另外，同样地，能够在从芯2的另一端部出射的光L尚未过多扩散之前，通过受光元件8的受光部8a来接收该光L。即，与以往相比，上述光电混载组件大幅提高了光学元件7、8与芯2端部之间的光耦合效率。 
例如，能够以下那样制造上述光电混载组件。此外，表示其制造方法的图2的(a)～图6的(b)中的剖视图是相当于图1的(a)的A-A剖视图的部分的剖视图。 
首先，准备形成下敷层1时使用的平板状的底座10[参照图2的(a)]。作为该底座10的形成材料，例如可举出玻璃、石英、硅、树脂、金属等。另外，将底座10的厚度例如设定在20μm～5mm的范围内。 
接着，如图2的(a)所示，在上述底座10的正面的规定区域内涂敷清漆之后，根据需要，对该清漆进行加热处理(50～120℃×10～30分钟左右)之后进行干燥，由此形成下敷层1形成用的感光性树脂层1A，其中，上述清漆是将感光性环氧树脂等下敷层1形成用的感光性树脂溶解到溶剂中而得到的。并且，利用紫外线等照射线来对该感光性树脂层1A进行曝光，形成为下敷层1。通常将下敷层1的厚度设定在1～50μm的范围内。 
接着，如图2的(b)所示，通过与上述下敷层1形成用的感光性树脂层1A的形成方法同样的方法，在上述下敷层1的正面上形成感光性树脂层2A。然后，在隔着形成有与芯2和凸块定位引导件5、6的图案对应的开口图案的光掩模的状态下，通过照射线对上述感光性树脂层2A进行曝光。接着，在进行加热处理之后，使用显影液进行显影，由此，如图2的(c)、图3[放大表示图2的(c)的芯2左端部附近的立体图]所示，对上述感光性树脂层2A的未曝光部分进行溶解之后进行去除，将残留的感光性树脂层2A形成为芯2以及凸块定位引导件5、6的图案。这样，通过一次光刻法，同时形成规定图案的芯2和凸块定位引导件5、6，由此相对于芯2的端部在规定的位置上形成凸块定位引导件5、6。 
该凸块定位引导件5、6的配置与所安装的光学元件7、8的 凸块7b、7c、8b、8c的配置[参照图1的(a)、(b)]对应地形成。另外，凸块定位引导件5、6成为围成俯视观察时呈日文假名“コ”字状、四边框状的形状，沿着该形状添加导电糊剂，由此能够准确地对由该导电糊剂构成的安装用焊盘4a[参照图4的(a)、(b)]进行定位。 
在上述芯2和凸块定位引导件5、6的形成中，通常将芯2和凸块定位引导件5、6的厚度(高度)设定在5～60μm的范围内。通常将芯2的宽度设定在5～60μm的范围内。另外，上述凸块定位引导件5、6中的俯视观察时呈日文假名“コ”字状的凸块定位引导件5形成为与上述安装用焊盘4a的尺寸相对应，通常将外形尺寸设定在纵80～200μm×横80～200μm的范围内，将日文假名“コ”字状的线的宽度设定在5～50μm的范围内。通常将俯视观察时呈四边框状的凸块定位引导件6的外形尺寸设定在纵50～120μm×横50～120μm的范围内，将四边框状的线的宽度设定在5～20μm的范围内。 
此外，作为上述芯2和凸块定位引导件5、6的形成材料，例如可举出与上述下敷层1相同的感光性树脂，使用折射率大于上述下敷层1和下述上敷层3的形成材料的材料。该折射率的调整例如能够通过对上述下敷层1、芯2(包括凸块定位引导件5、6)、上敷层3的各形成材料的种类的选择、组成比率进行调整来进行。 
接着，如图4的(a)、(b)所示，在上述下敷层1的正面的规定部分上以线状形成由铜、银等构成的导电糊剂之后，根据需要，对该导电糊剂进行固化(cure)处理(150～200℃×10～30分钟～1小时左右)，从而形成电路4。该电路4中的与俯视观察时呈日文假名“コ”字状以及俯视观察时呈四边框状的上述凸块定位引导件5、6的空心部5a、6a对应的部分是光学元件(发光元件7和受 光元件8)的凸块7b、7c、8b、8c[参照图1的(a)、(b)]所连接的安装用焊盘4a。此外，例如通过丝网印刷、分配器(dispenser)、喷墨(ink jet)等中的任一方法将上述导电糊剂形成为线状。另外，通常将上述电路4的厚度设定在5～100μm的范围内。 
此外，上述凸块定位引导件5、6不仅作为配置导电糊剂时的定位引导件而起作用，还作为对配置在该位置的导电糊剂进行阻挡的坝状结构而发挥作用。 
接着，如图5的(a)所示，以覆盖上述芯2、凸块定位引导件5、6以及电路4的方式，通过与上述下敷层1形成用的感光性树脂层1A[参照图2的(a)]的形成方法同样的方法，在上述下敷层1的正面上形成上敷层3形成用的感光性树脂层3A。然后，隔着光掩模利用照射线对上述感光性树脂层3A进行曝光，该光掩模是按照覆盖上述安装用焊盘4a的感光性树脂层3A的部分不会被照射线曝光来设计的。接着，在进行加热处理之后，使用显影液进行显影，由此，如图5的(b)所示，将上述感光性树脂层3A的未曝光部分溶解之后去除，形成上敷层3，在该上敷层3上，由该去除部分构成通孔(贯通孔)3a。由此，上述安装用焊盘4a从上敷层3的通孔3a露出。通常将上述上敷层3的厚度设定在10～2000μm的范围内。此外，作为上述上敷层3的形成材料，例如可举出与上述下敷层1相同的感光性树脂。 
接着，从下敷层1的背面剥离底座10之后，使用刀尖角度90°的V字型刀尖的切割刀等，从下敷层1的背面侧切削芯2的两端部，如图6的(a)所示，在与芯2的两端部对应的部分上形成倒V字形状的缺口部9。由此，该倒V字形状的芯2的部分形成为倾斜45°的光反射面2a。该光反射面2a形成在以下工序中安装的发光元件7的发光部7a的下方以及受光元件8的受光部8a的下方。 
并且，如图6的(b)所示，使用倒装接合器等安装机，将发 光元件7和受光元件8的凸块7b、7c、8b、8c从上述上敷层3的通孔3a插入到俯视观察时呈日文假名“コ”字状、四边框状的上述凸块定位引导件5、6的空心部5a、6a之后，连接到安装用焊盘4a，将导电糊剂、焊锡等作为接合材料(未图示)，对发光元件7和受光元件8进行倒装安装。这样，得到作为目的的光电混载组件[参照图1的(a)、(b)]。 
此外，作为上述发光元件7，可举出VCSEL(Vertical CavitySurface Emitting Laser：垂直空腔表面发射激光器)等，作为受光元件8，可举出PD(Photo Diode：光电二极管)等。另外，光学元件7、8的凸块7b、7c、8b、8c中的插入到俯视观察时呈日文假名“コ”字状的凸块定位引导件5的凸块7b、8b是进行电连接的柱形(stud)凸块，插入到俯视观察时呈四边框状的凸块定位引导件6的凸块7c、8c是代用(dummy)凸块。并且，考虑到避免因热量对光波导路部分W0带来影响这种观点，作为倒装安装优选使用通过超声波进行的倒装安装。 
如上所述，在上述发光元件7和受光元件8的安装中，凸块定位引导件5、6通过一次光刻法来形成，因此在相对于芯2的端部被定位在规定的位置上的状态下形成。因此，通过将发光元件7和受光元件8的凸块7b、7c、8b、8c插入到俯视观察时呈日文假名“コ”字状、四边框状的凸块定位引导件5、6的空心部5a、6a中，能够简单地对发光元件7和受光元件8进行高精度的定位。其结果是，上述光电混载组件的生产率提高。 
图7的(a)是示意性地表示本发明的光电混载组件的另一个实施方式的俯视图，(b)是其B-B剖视图。该光电混载组件在上敷层3仅覆盖芯2的状态下形成，电路4和凸块定位引导件5、6露出。并且，光学元件7、8被配置在下敷层1上(光学元件7、8的一部分被配置在上敷层3上)，将光学元件7、8的凸块7b、7c、 8b、8c，不隔着上述上敷层3地插入到俯视观察时呈日文假名“コ”字状、四边框状的凸块定位引导件5、6的空心部5a、6a，在该状态下进行倒装安装。除此以外的部分与图1示出的上述实施方式相同，对相同的部分附加相同的附图标记。 
在本实施方式中，也与图1示出的上述实施方式同样地，光学元件7、8与芯2端部之间的距离较短，光学元件7、8与芯2端部之间的光耦合效率提高。并且，通过凸块定位引导件5、6，能够简单地对光学元件7、8进行高精度的定位，由此光电混载组件的生产率良好。 
此外，在上述各实施方式中，用于对光学元件7、8的凸块7b、7c、8b、8c进行定位的凸块定位引导件5、6的形成数量与光学元件7、8的凸块7b、7c、8b、8c的数量相同(在上述各实施方式中四个)，但是凸块定位引导件5、6的数量可以少于光学元件7、8的凸块7b、7c、8b、8c的数量，也可以不形成凸块定位引导件5、6。但是，当凸块定位引导件5、6的数量少于光学元件7、8的凸块7b、7c、8b、8c的数量时，对光学元件7、8进行高精度的定位时花费时间，因此光电混载组件的生产率较差。 
接着，与以往例一起说明实施例。但是，本发明并不限于实施例。 
[实施例] 
[下敷层和上敷层的形成材料] 
通过对二苯氧基乙醇芴缩水甘油醚(bisphenoxy ethanolfluorine glycidye ether)(成分A)35重量份、酯环式环氧树脂3’，4’-环氧环己基甲基-3，4-环氧环己基甲酸酯(DAICEL化学工业社制，CELLOXIDE 2021P)(成分B)40重量份、(3’，4’-环氧环己烷)甲基-3’，4’-环氧环己基甲酸酯(DAICEL化学工业社制，CELLOXIDE 2081)(成分C)25重量份、4，4’-双[二(β-羟基乙氧 基)苯基亚磺酰基]苯基硫醚-双-六氟锑酸盐的50重量％propioncarbonate(日文名：プロピオンカ一ボネ一ト)溶液(成分D)2重量份进行混合，制作了下敷层和上敷层的形成材料。 
[芯和凸块定位引导件的形成材料] 
通过将上述成分A：70重量份、1，3，3-三{4-[2-(3-氧杂环丁基)]丁氧苯基}丁烷：30重量份、上述成分D：1重量份溶解到乳酸乙酯中，制作了芯和凸块定位引导件的形成材料。 
[光电混载组件的制造] 
首先，在利用涂敷器在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(厚度188μm)的正面上涂敷上述下敷层的形成材料之后，照射2000mJ/cm2的紫外线(波长365nm)来进行曝光，形成下敷层(厚度25μm)[参照图2的(a)]。 
接着，利用涂敷器在上述下敷层的正面上涂敷上述芯和凸块定位引导件的形成材料之后，进行干燥处理100℃×15分钟，形成具有芯形成区域和凸块定位引导件形成区域的感光性树脂层[参照图2的(b)]。接着，在该感光性树脂层的上方配置合成石英系的铬掩模(光掩模)，该合成石英系的铬掩模形成有与芯和凸块定位引导件的图案相同形状的开口图案。然后，从该合成石英系列的铬掩模的上方起，通过接近式曝光法来照射4000mJ/cm2的紫外线(波长365nm)来进行曝光之后，进行加热处理80℃×15分钟。接着，通过使用γ-丁内酯水溶液来进行显影，溶解去除未曝光部分之后，通过进行加热处理120℃×30分钟，形成芯(厚度50μm、宽度50μm)和凸块定位引导件(厚度50μm、日文假名“コ”字状、四边框状的线宽度15μm)[参照图2的(c)]。 
接着，在上述下敷层的正面的规定部分上通过丝网印刷来线状地形成银导电糊剂之后，通过对该导电糊剂进行固化处理(150℃×1小时)，形成电路[参照图4的(a)、(b)]。作为安装用焊 盘而使用该电路中的与俯视观察时呈日文假名“コ”字状以及俯视观察时呈四边框状的上述凸块定位引导件的空心部对应的部分。 
接着，以覆盖上述芯、凸块定位引导件以及电路的方式，利用涂敷器将上敷层形成材料涂敷到上述下敷层的正面之后形成感光性树脂层[参照图5的(a)]。然后，隔着光掩模照射2000mJ/cm2的紫外线(波长365nm)来进行曝光之后，进行120℃×15分钟的加热处理，该光掩模是按照覆盖上述安装用焊盘的感光性树脂层不会被曝光来设计的。接着，通过使用γ-丁内酯水溶液来进行显影，溶解去除未曝光部分之后，进行120℃×30分钟的加热处理。由此，形成上述去除部分形成为通孔(贯通孔)的上敷层，从该通孔露出上述安装用焊盘[参照图5的(b)]。此时，下敷层、芯、上敷层的总厚度为100μm。 
接着，从下敷层的背面剥离上述PET薄膜之后，使用刀尖角度为90°的V字型刀尖的切割刀，从下敷层的背面侧切削芯的两端部，形成使芯的两端部倾斜45°的光反射面。该光反射面形成在以下工序中安装的发光元件的发光部的下方以及受光元件的受光部的下方[参照图6的(a)]。 
然后，使用倒装接合器，将发光元件和受光元件的凸块从上述上敷层的通孔插入到俯视观察时呈日文假名“コ”字状、四边框状的上述凸块定位引导件的空心部之后，连接到安装用焊盘，将银导电糊剂作为接合材料，对发光元件和受光元件进行倒装安装[参照图6的(b)]。使用VCSEL(ULM-Photonics公司制)作为上述发光元件，使用PD(滨松photonics公司制)作为上述受光元件。这样，制造光电混载组件。 
[以往例] 
分别制作电路部分和光波导路部分(与实施例同样地，芯的 两端部形成为倾斜45°的光反射面)，该电路部分在基板的正面上形成了电路，该光波导路部分按顺序形成下敷层、芯、上敷层，在上述上敷层的正面上利用粘接剂粘贴电路部分的基板的背面，在与上述芯的两端部对应的上述电路部分上分别安装发光元件(VCSEL)和受光元件(PD)，制作光电混载组件(参照图8)。 
[光传播测试] 
分别各制造十个上述实施例以及以往例的光电混载组件，使5mA的驱动电流流动到各个发光元件，光从发光元件出射，经芯由受光元件接收该光。此时，利用测试器对受光元件所产生的电动势进行了测量。其结果是，在实施例的光电混载组件中，所测量的上述电动势在1.0～1.3V的范围内。与此相对，在以往例的光电混载组件中，所测量的上述电动势在0.5～0.7V的范围内。 
根据该结果，可知实施例的光电混载组件的光学元件与芯端部之间的光耦合效率比以往例的光电混载组件大幅提高。 
产业上的可利用性
能够将本发明的光电混载组件使用于对声音、图像等数字信号进行高速传送并且进行处理的信息通信设备、信号处理装置等中。 

Claims (3)

1.一种光电混载组件的制造方法，该光电混载组件具备光波导路部分、电路部分、安装在该电路部分上的光学元件，其特征在于，上述光波导路部分的制作具备以下工序：形成下敷层的工序；在该下敷层正面上形成一层感光树脂层之后，通过对该感光性树脂层进行一次光刻法，同时形成光路用的线状的芯和对上述光学元件的凸块进行定位的凸块定位引导件的工序；以及以覆盖该芯的方式形成上敷层的工序，上述电路部分的制作在无基板的状态下在上述下敷层的芯形成部分以外的正面部分上进行，上述光学元件的安装在利用上述凸块定位引导件对上述光学元件的凸块进行了定位的状态下进行。
2.根据权利要求1所述的光电混载组件的制造方法，其特征在于，
上述光学元件的安装包括如下工序：将光学元件定位在上敷层上，经形成在上敷层上的通孔、通过光学元件的凸块与上述电路部分电连接。
3.根据权利要求1所述的光电混载组件的制造方法，其特征在于，
上述光学元件的安装包括如下工序：将光学元件定位在下敷层上，通过光学元件的凸块与上述电路部分电连接。
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