CN101785368B - 辐射源 - Google Patents
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Abstract
一种辐射源，包括腔和用于产生等离子体的物质的供给装置，所述源具有相互作用点，在该相互作用点处，被引入到所述腔中的所述用于产生等离子体的物质可以与激光束相互作用，并且因此产生辐射发射等离子体，其中所述源进一步包括被布置以将缓冲气体传递到所述腔中的导管，所述导管具有邻近所述相互作用点处的出口。
Description
技术领域
本发明涉及一种辐射源、一种产生辐射的方法以及一种包括该辐射源的光刻设备。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式将图案从图案形成装置转移到衬底上。
为了能够将不断减小的结构投影到衬底上，已经提出使用波长在10-20nm范围内的极紫外辐射，例如波长在13-14nm范围内。另外提出具有小于10nm的波长的辐射可以被使用，例如6.7nm或6.8nm。在光刻术的情形中，小于10nm的波长有时被称作“超EUV”。
可以使用等离子体来产生极紫外辐射和超EUV辐射。例如通过将激光引导到适合材料(例如锡)的颗粒上或通过将激光引导到适合的气体流(例如Sn蒸汽、SnH4或Sn蒸汽以及具有小的核电荷(例如从H2至Ar)的任何气体的混合物)来产生等离子体。所获得的等离子体发射极紫外辐射(或超EUV辐射)，其可以通过使用收集反射镜来收集和聚焦到焦点上。
除了极紫外辐射(或超EUV辐射)之外，等离子体产生成颗粒形式的碎片，例如热化原子、离子、纳米团簇和/或微米颗粒。碎片可能导致对收集反射镜(或其它部件)造成损坏。可以将缓冲气体设置在等离子体附近。由等离子体产生的颗粒与缓冲气体的分子碰撞，并且因此损失能量。这样，至少一些颗粒可以被足够地减慢，使得它们不到达收集反射镜。对收集反射镜造成的损害可能因此被减小。然而，即使在使用缓冲气体时，一些颗粒仍然可能到达收集反射镜，并且导致对其的损坏。
期望改善缓冲气体的效率。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种辐射源，其包括腔和用于产生等离子体的物质的供给装置，所述源具有相互作用点，在该相互作用点处，被引入到所述腔中的用于产生等离子体的所述物质可以与激光束相互作用，并且因此产生辐射发射等离子体，其中所述源进一步包括被布置以将缓冲气体传递到所述腔中的导管，所述导管具有邻近所述相互作用点处的出口。
根据本发明的第二方面，提供了一种产生辐射的方法，该方法包括将用于产生等离子体的物质引入到腔中，并将激光束引导至所述腔，以便产生辐射发射等离子体，其中所述方法还包括将缓冲气体引导到邻近所述激光束和用于产生等离子体的所述物质相互作用的点的位置处的所述腔中。
根据本发明的第三方面，提供了一种光刻设备，其包括：辐射源；用于调节所述辐射的照射系统；支撑结构，其用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置用于将图案在其横截面上赋予所述辐射束；用于保持衬底的衬底台；和投影系统，用于将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中，所述辐射源包括腔和用于产生等离子体的物质的供给装置，所述源具有相互作用点，在该相互作用点处，被引入到所述腔中的用于产生等离子体的所述物质可以与激光束相互作用，并且因此产生辐射发射等离子体，所述源进一步包括被布置以将缓冲气体传递到所述腔中的导管，且所述导管具有邻近所述相互作用点处的出口。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明的实施例的辐射源；和
图3示出根据本发明的可替代的实施例的辐射源。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：
照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，极紫外(EUV)辐射或超极紫外辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；
衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和
投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑图案形成装置，即承受图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置的示例包括掩模和可编程反射镜阵列。掩模在光刻术中是公知的，且典型地在EUV或超EUV光刻设备中将是反射性的。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中的每个小反射镜可以独立地倾斜，以便在不同的方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜将图案赋予到被反射镜矩阵反射的辐射束中。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统。通常在EUV或超EUV光刻设备中光学元件可以是反射性的。然而，可以使用任何类型的光学元件。光学元件可以处于真空中。这里任何使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被掩模MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以借助形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2示意性显示出根据本发明的实施例的源SO。图2a显示出从一侧所看到的源SO的横截面，和图2b显示出从上方观看的源的横截面。
源SO包括腔1。腔1由壁2和收集反射镜3来限定。收集反射镜3具有对于极紫外辐射波长呈反射性的反射表面。
供给装置4被布置以将材料(例如锡)的液滴供给到腔1中。收集器5位于在腔1的底部的供给装置4的下方，且被布置以收集穿过腔1的材料。
收集反射镜3被布置以将辐射聚焦到焦点FP上，辐射从该焦点FP可以通入光刻设备的照射器IL中(参见图1)。激光器6用于产生经由孔8被引导到腔1中的辐射束7。孔8可以例如包括对于激光束7的波长呈透射性的窗口。束流收集器(beam dump)9位于腔1中，并且被定位使得不与由材料供给装置4提供的材料相互作用的激光束7的任何一部分入射到束流收集器上(且被其吸收)。气体冷却器10从腔的侧壁延伸到腔1中。
缓冲气体供给装置包括从腔的侧壁延伸到腔1中的导管11并具有出口12，该出口12将缓冲气体传递至邻近相互作用点13处，在相互作用点13处，激光束7入射到从材料供给装置4供给的材料上。
在使用中，腔1填充有适合的缓冲气体(例如氢气)。激光器6产生穿过收集反射镜3的孔8且进入到腔1中的激光束7。材料供给装置4产生材料的液滴，该液滴朝向收集器5下落穿过腔1。在材料的液滴穿过相互作用点13时，激光束7与材料的液滴的相互作用导致至少一些材料被转换成等离子体。等离子体发射被收集反射镜3收集和聚焦到焦点FP上的极紫外辐射。极紫外辐射穿过焦点FP，进入到光刻设备的照射器IL中(参见图1)。
材料的液滴不与激光束7相互作用的一部分继续通过腔1下落，且被收集器5收集。
由激光束7与材料的液滴的相互作用产生的等离子体可能包括将会对收集反射镜3产生损坏的颗粒。出现在腔1中的缓冲气体用于放慢颗粒，使得它们不到达收集反射镜3。然而，激光束7和在锡颗粒在相互作用点13处的相互作用的猛烈度使得当激光束与材料的液滴相互作用时缓冲气体被加热且被推动远离相互作用点。这将导致处于相互作用点周围的区域中的缓冲气体具有较高的温度和较低的密度。
在传统的极紫外辐射源(其中缓冲气体从腔的侧壁引入)中，在被加热的缓冲气体移动远离相互作用点13周围的区域(该被加热的缓冲气体例如可以朝气体冷却器10移动)之前，将经历一些时间。该被加热的缓冲气体移动远离相互作用点13周围的区域所花费的时间例如可以是数十毫秒的量级。连续的材料的液滴到相互作用点13的传递之间的时间可能显著地比上述时间短，例如为10-20微秒。这意味着该被加热的缓冲气体可以在产生EUV辐射的连续脉冲的过程中保持出现在相互作用点13周围的区域中。
由该被加热的缓冲气体所占据的相互作用点13周围的区域可以包括相互作用点13和收集反射镜3之间的体积的很大比例的部分。在这一区域中的被加热的缓冲气体具有比没有被加热的气体更低的密度，且结果使等离子体颗粒和缓冲气体之间的相互作用更小。因此，颗粒可以更易于到达收集反射镜3。在这出现时，可能造成对收集反射镜3的损坏。
存在可能对上文所描述的问题有帮助的额外的作用。在相互作用点13处产生的许多快速的离子正在沿收集反射镜3的方向移动。在这些快速的离子被缓冲气体阻止时，它们将它们的动量转移给缓冲气体，从而导致缓冲气体在收集反射镜3的方向上流动。这进一步降低了在相互作用点13周围的区域中的缓冲气体的密度。
上述的问题通过图2中显示的导管11被解决或在幅度上被缓解。导管11具有位于邻近相互作用点13处的出口12，从而将未被加热的缓冲气体传递至邻近相互作用点13处。因此，并非仅在被加热的缓冲气体移动远离开所述区域之后未被加热的缓冲气体才流入到相互作用点13周围的区域中，而是导管11的出口12立即和直接将未被加热的缓冲气体传递到相互作用点13周围的区域中。因此，在材料的下一液滴到达相互作用点13的时刻，新传递的缓冲气体将出现在相互作用点13周围的区域中。
该新传递的缓冲气体是未被加热的并且因此比被加热的缓冲气体更加稠密。因此，缓冲气体因此更加有效。因此本发明的实施例提供了对收集反射镜3的改善的保护，使其免受在等离子体形成期间产生的颗粒的影响。因此，它允许收集反射镜3在清洗和/或更换之前具有比其它的情形更长的寿命。
可以以高的速度(例如100-2000m/s)传递缓冲气体。这提供这样的优点，即它快速地推动被加热的缓冲气体远离相互作用点13周围的区域。缓冲气体可以在朝向或邻近相互作用点13处的超声波气体喷嘴中传递。超声波气体喷嘴具有这样的优点，即在喷嘴内的缓冲气体的密度可以大致大于腔中的缓冲气体的平均密度，从而使快速离子与邻近相互作用点13处的缓冲气体的相互作用增加。
因为导管11将缓冲气体引入到腔1中，一个或更多个通风口(未显示)可以用于从腔1运送缓冲气体，并且因此调节腔中的缓冲气体的压力。气体冷却器10调节缓冲气体的温度。
导管11设置在被选择的位置处，使得如果没有导管11则被导管11遮蔽的极紫外辐射将被设备的其它元件遮蔽。因此，导管11位于气体冷却器10的前面，该气体冷却器10将遮蔽EUV辐射，而不管是否有导管11存在。导管11相对于激光束7垂直地平移，使得激光束不通入导管11，但相反靠近其行进，且入射到束流收集器9上。
如之前提及的，导管11的出口靠近相互作用点13。导管11的出口可以设置在这样的区域的外边界内，如果缓冲气体未通过导管11进行供给，被加热的缓冲气体在EUV源的操作期间将连续出现在该区域内。
导管11的出口12和相互作用点13之间的距离可以通过考虑以下因素来进行选择：出口12越靠近相互作用点13，未被加热的缓冲气体到相互作用点13周围的区域的传递越有效。然而，出口12越靠近相互作用点13，导管11越有可能遭受离子对导管的溅射。在一个例子中，出口12可以距离相互作用点15cm或更小，和可以距离相互作用点10cm或更小。出口可以距离相互作用点3cm或更大。相互作用点13和收集反射镜3之间的距离可以是20cm。
被穿过出口12提供的缓冲气体的流量可以足以基本上从相互作用点13周围的区域移除被加热的缓冲气体。在下一激光和材料液滴相互作用之前，所述流量可以是足以实现这一目的。为了实现这一目的，缓冲气体应当被穿过出口12提供的流量可以基于由激光和材料液滴相互作用而被加热的缓冲气体的体积以及激光和材料液滴相互作用发生的频率(即，EUV源的频率)来计算。
在图3中示意性显示出本发明的一个可替代实施例。图3显示出从一侧观看的源SO。在图3中显示出的源SO的大多数元件对应于在图2中显示的元件，且不在此处再次进行描述。然而，图2的导管11未出现在图3中。替代地，导管21穿过收集反射镜3中的孔8，且平行于激光束7行进。导管21设置有邻近相互作用点13的出口22。导管21被用于以与关于图2在上文描述的等同的方式将缓冲气体引入到邻近相互作用点13处。导管21被定位使得，虽然它可以遮蔽由腔1中的等离子体产生的一些EUV辐射，但是被遮蔽的EUV辐射的量相对小(例如，仅有导管的横截面遮蔽EUV辐射，而不是其长度)。可以通过使用关于图2在上文进一步地描述的准则，来选择出口22和相互作用点13之间的距离。
图3中显示的实施例的优点是由导管提供的缓冲气体流远离收集反射镜3，而不是朝向它(从而帮助推动被加热的缓冲气体远离收集反射镜3)。
在图3显示的实施例的修改形式中，导管可以由两个管子构成，其中的一个在另一个的内部。可以布置激光束，以沿两个管子的内部穿过，且缓冲气体可以被布置以沿在两个管子之间形成的通道穿过。在这样的情形下，在两个管子的内部可以不设置图3所显示的拐角，以便允许激光束不受阻碍地从激光器行进到相互作用点。
虽然具有不同的位置和配置的导管11、21已经在图2和3中显示出，但是可以使用其它的导管位置和配置。优选导管位置和配置使得它不遮蔽任何EUV辐射，所述EUV辐射另外将不被源SO的一些其它的部件所遮蔽。在一些例子中，这可能是不能实现的或它可能优选地将导管设置在一些位置上，在这些位置上，导管确实遮蔽一些EUV辐射。在这种情形下，期望最小化在可能的情况下的被导管遮蔽的EUV辐射的量。用于导管的适合的位置和配置将依赖于导管设置所在的源的特定的布置。可以提供多于一个导管(例如图2和3中显示的导管可以都设置在单个EUV源中)。
虽然上文的描述已经提到将氢气用作缓冲气体，但是可以使用其它的适合的气体。
虽然上文的描述已经提到材料的液滴是锡，但是可以使用其它的适合的材料。
本发明不限于使用材料的液滴的辐射源。本发明的实施例可以例如由气体产生等离子体，而不是由材料的液滴产生等离子体。适合的气体包括Sn蒸汽、SnH4或Sn蒸汽与具有小的核电荷的任何气体(例如从H2至Ar)的混合物。材料的液滴或气体可以被考虑成用于产生等离子体的物质的例子。
在上文的描述中提及的EUV辐射的波长可以例如在10-20nm范围内，例如在13-14nm范围内。
虽然本发明的实施例的上文的描述涉及产生EUV辐射的辐射源，但是本发明还可以体现在产生“超EUV”辐射的辐射源中，“超EUV”辐射是具有小于10nm的波长的辐射。超EUV辐射可以例如具有6.7nm或6.8nm的波长。产生超EUV辐射的辐射源可以以与上文描述的辐射源相同的方式操作。
在上文的描述中，术语“未被加热的缓冲气体”是指平均的缓冲气体，其在激光束和用于产生等离子体的物质之间的相互作用之后(和在激光束和用于产生等离子体的物质之间的下一相互作用之前)被从出口12、22传递。
以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不偏离所附权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行修改。
Claims (15)
1.一种辐射源，所述辐射源包括腔和用于产生等离子体的物质的供给装置，所述源具有相互作用点，在所述相互作用点处，被引入到所述腔中的用于产生等离子体的所述物质可以与激光束相互作用，并且因此产生辐射发射等离子体，其中所述源进一步包括：
配置成收集由等离子体发射的辐射的收集装置；和被布置以将缓冲气体传递到所述腔中的导管，其中，所述导管具有邻近所述相互作用点处的出口，所述导管的出口与用于产生等离子体的物质的供给装置相比更靠近所述相互作用点且定位在收集装置的周边内。
2.根据权利要求1所述的源，其中所述出口设置在一区域的外边界中，如果新传递的缓冲气体未被通过所述导管进行供给，则存在于所述腔中的被加热的缓冲气体在所述源的操作期间将在所述区域中持续存在。
3.根据权利要求1或2所述的源，其中所述导管的所述出口距离所述相互作用点15cm或更近。
4.根据权利要求3所述的源，其中所述导管的所述出口距离所述相互作用点10cm或更近。
5.根据权利要求1或2所述的源，其中所述导管的所述出口距离所述相互作用点3cm或更远。
6.根据权利要求1或2所述的源，其中所述导管被设置成使得它不遮蔽将不另外地被所述源的一些其它部件所遮蔽的辐射。
7.根据权利要求1或2所述的源，其中所述导管的至少一部分在所述源的气体冷却器的旁边行进。
8.根据权利要求1或2所述的源，其中所述导管的至少一部分穿过在所述源的收集反射镜中的孔。
9.根据权利要求8所述的源，其中所述导管的至少一部分包括两个管子和在所述两个管子之间的通道，其中的一个管子设置在另外一个管子的内部，所述内部的管子被布置使得所述激光束可以沿着其穿过，且所述通道被布置以允许所述缓冲气体沿着它穿过。
10.一种产生辐射的方法，所述方法包括步骤：将用于产生等离子体的物质引入到腔中；将激光束引导到所述腔，以便产生辐射发射等离子体；和使用收集装置收集由等离子体发射的辐射，其中所述方法还包括步骤：将缓冲气体引导到邻近所述激光束和用于产生等离子体的所述物质进行相互作用的点的位置处的腔中，所述位置在收集装置的周边内且与用于产生等离子体的物质的供给装置相比更靠近相互作用点。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述缓冲气体被引入至的位置在一区域的外边界内，如果新传递的缓冲气体未通过所述导管进行供给，则在所述源的操作期间存在于所述腔中的被加热的缓冲气体将在所述区域内持续存在。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述缓冲气体被以100m/s或更大的速度引入。
13.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述缓冲气体被以2000m/s或更小的速度引入。
14.根据权利要求10或11所述的方法，其中缓冲气体被引入的流量足以在所述激光束和用于产生等离子体的所述物质之间的随后的相互作用之前基本上从所述相互作用点周围的区域移除被加热的缓冲气体。
15.一种光刻设备，其包括：
辐射源；
用于调节所述辐射的照射系统；
支撑结构，其用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置用于将图案在辐射束的横截面上赋予所述辐射束；
用于保持衬底的衬底台，和
投影系统，用于将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；
其中，所述辐射源包括腔和用于产生等离子体的物质的供给装置，所述源具有相互作用点，在所述相互作用点处，被引入到所述腔中的用于产生等离子体的所述物质可以与激光束相互作用，并且因此产生辐射发射等离子体，所述源进一步包括：配置成收集由等离子体发射的辐射的收集装置，和被布置以将缓冲气体传递到所述腔中的导管，其中，所述导管具有邻近所述相互作用点处的出口，所述导管的出口与用于产生等离子体的物质的供给装置相比更靠近所述相互作用点且定位在收集装置的周边内。
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