CN101779264A - 等离子体显示面板 - Google Patents

Abstract

一种可以在放电时延方面得到改善的等离子体显示面板(PDP)。该PDP包括隔着封入放电气体的放电空间、彼此相对的一对基板结构体。所述一对基板结构体中的一个包括布置在基板上的显示电极，覆盖显示电极的电介质层(3)，以及覆盖电介质层(3)的保护层(4)。保护层(4)具有这样的结构：沿一个方向取向的多个MgO单晶(4b)附着于MgO膜(4a)上。

Description

等离子体显示面板

技术领域

本发明涉及等离子体显示面板(在下文中称为PDP)。

背景技术

目前，通常被商品化的AC驱动型PDP是表面放电型PDP。在表面放电型PDP中，用于彩色显示的荧光体层可以在显示面板的厚度方向上远离一对显示电极布置，使得由于放电过程中的离子碰撞而引起的荧光体的特性劣化可以得到减小。因此，与在前面基板和背面基板上分别形成一对显示电极X和Y的另一种类型的对向放电型PDP相比，表面放电型PDP更适合于延长其寿命。

在通常的AC驱动型表面放电型PDP的前面基板上，设置有保护层以用于防止电介质层被放电过程中的离子碰撞所劣化，其中电介质层覆盖显示电极X和Y。保护层不仅防止电介质层被放电过程中的离子碰撞所劣化，而且还通过对其施加的离子碰撞来发射二次电子，并提供使放电成长的功能。

通常，考虑到对离子碰撞的高度防护以及良好的二次电子发射能力，将氧化镁(MgO)薄膜用作保护层。

发明内容

本发明要解决的问题

由于上述MgO的保护膜具有较高的二次电子发射系数，所以其极有效地降低放电开始电压。然而，为了满足对高分辨率显示面板的需求，有必要进一步提高寻址速度，使得新发生了放电时延的问题。即，为了根据所谓的全高清TV标准，在预定帧时间内以灰度显示所必需的子场扫描执行1080行扫描，如何缩短放电时延是个大问题。

此处，放电时延通常被认为是形成时延和统计时延的总和。形成时延是在显示电极中产生初始电子与形成明确放电之间的时间间隔，并且被近似地认为是当产生许多次放电时的最小放电时间。统计时延是施加电压从而发生电离与开始放电之间的时间间隔，并且由于在重复许多次放电的情况下统计时延大致会引起偏差而得以命名。如果这些放电时延较长，则寻址(显示的写入)时间也必须较长以避免显示错误，从而造成显示时间实际上可能会被缩短的不良影响。因此，合乎需要的是使放电时延短。

作为使放电时延短的可能的解决方案，常规地，例如在日本特开第2006-147417号中已经提出了在MgO保护膜上分散分布MgO单晶的技术。然而，常规地，难以使各个面板的特性均一化。关于这方面的改善是所期望的。

本发明的一个目的是提供一种用于改善放电时延的改良的面板结构，并且更特别地，本发明的一个目的是提供一种用于以高产量大规模生产具有均一化特性的面板的新的保护膜结构。

解决问题的方案和本发明的效果

简要地说，本发明的主要构想是以这样的方式将MgO单晶分散分布在MgO保护膜上：使MgO单晶的晶面与(100)晶面一致。

更特别地，本发明的特征在于，在覆盖电极的电介质层上具有MgO保护膜的等离子体显示面板中，MgO保护膜的表面具有(111)晶面，并且具有(100)晶面的MgO单晶以这样的方式均匀地分散分布在MgO保护膜上以便部分地覆盖MgO保护膜的(111)晶面：MgO单晶的(100)晶面一致地与MgO保护膜的表面平行。

此处，重要的是，向气体放电空间露出的放电表面具有优良的初始电子发射功能和优良的二次电子发射功能以便改善放电时延，使得基底MgO保护膜以其(111)晶面露出的方式因此得到沉积以便主要具有二次电子发射功能，并且MgO单晶以其(100)晶面与MgO保护膜的表面方向一致的方式分散分布在MgO保护膜上以便主要具有初始电子发射功能。

本发明首次注意到，将MgO单晶散布在基底MgO保护膜上使得MgO单晶的特定晶体取向一致。特别地，考虑到MgO单晶的粒径和MgO单晶在基底MgO保护膜的表面上的覆盖率，研究了关于放电表面的特性的改善，由此产生本发明。

如上所述采用新的放电表面不仅改善了放电时延，而且由于基底MgO保护膜上的MgO单晶的取向与(100)晶面一致，制造的面板的特性也可以得到均一化。此外，由于基底MgO保护膜的表面和MgO单晶的晶面之间的接触稳定，所以由剥离和/或飞散的MgO单晶导致的部分特性变化的问题将不会出现。

在下文中，将举例说明本发明的各个实施例。

标准化后的(200)晶面的信号强度可以等于或大于每1μm MgO膜的(111)晶面的信号强度，这些信号是来自保护层的X射线衍射。在MgO单晶的情况下，(200)晶面的衍射信号与(100)晶面的衍射信号等价。

多个MgO单晶可以具有0.6μm或更大的粒度分布的累积50％值。

多个MgO单晶可以具有粒度分布的累积10％值，其是累积50％值的0.5倍或更大。

MgO单晶可以以这样的方式附着于MgO膜上：在MgO单晶附着于MgO膜上之前和之后测量的在60度测量角度下的光泽度变化率为20-40％。

本文中示出的各个实施例可以彼此组合。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的PDP的配置的透视图。

图2是图1所示的基板结构体的前面侧的一部分的上下反转透视图。

图3是示出用于证实本发明的效果的实验中的X射线衍射图的图。

图4示出用于证实本发明的效果的实验中累积放电成功概率与放电时延之间的关系的图。

附图标记的说明

1：前面侧基板结构体

1a：前面基板

2X、2Y：显示电极

3：前面基板的电介质层

4：保护层

4a：MgO膜

4b：MgO单晶

5：阻隔壁

6R：红荧光体层

6G：绿荧光体层

6B：蓝荧光体层

7：背面基板的电介质层

8：寻址电极

9：背面侧基板结构体

9a：背面基板

10：透明电极

11：汇流电极

具体实施方式

在下文中，将通过利用附图说明本发明的实施例。附图中示出的内容和以下说明仅是例证，并且本发明的范围并不限于附图中示出的内容和以下说明。在下文中，将以用于彩色显示的AC驱动型三电极面放电型PDP为例说明本发明。

1.PDP

将参照图1和2说明根据本发明的实施例的PDP。图1是示出根据本发明的实施例的PDP的配置的透视图。图2是图1所示的基板结构体的前面侧的一部分的上下反转透视图。

本实施例的PDP包括隔着封入放电气体而形成的放电空间、彼此相对的前面侧基板结构体1和背面侧基板结构体9。

前面侧基板结构体1包括：布置在前面基板1a上的多个显示电极2X和2Y，覆盖多个显示电极2X和2Y的电介质层3，以及覆盖电介质层3的保护层4，其中保护层4被配置成使得多个MgO单晶以这样的方式附着于MgO膜4a上：多个MgO单晶4b的晶体取向沿一个方向取向。

背面侧基板结构体9包括：布置在背面基板9a上的多个数据电极8，覆盖多个寻址电极(address electrode)8(也称为“数据电极”)的电介质层7，以及布置在寻址电极8的两侧的电介质层7上的阻隔壁(barrier rib)5，以及在电介质层7的表面和阻隔壁5的两个侧面上形成的荧光体层6。

在下文中，将详细说明每个构成要素。

1-1.前面基板、显示电极、电介质层、保护层

(前面侧基板结构体)

前面基板1a的种类并不受特别限制。例如，前面基板1a是诸如玻璃基板等的透明基板。

在前面基板1a的内侧，布置有水平延伸并且平行布置的多个显示电极2X和2Y。每条显示行是相邻的显示电极2X和显示电极2Y之间的空间。这种类型的PDP是所谓的ALIS结构，其中显示电极2X和2Y等间隔，并且相邻电极2X和2Y之间的所有区域成为显示行。然而，本发明可以应用于一对显示电极2X和2Y以非放电间隔(非放电间隙)间隔开的另一种类型的PDP。

显示电极2X和2Y可由ITO、SnO₂等材料制成的透明电极10，以及Ag、Au、Al、Cu、Cr及其层叠体(例如，Cr/Cu/Cr层叠结构)等材料制成的金属汇流电极(bus electrode)11组成。显示电极2X和2Y可通过对于Ag和Au使用丝网印刷方法等厚膜形成技术来形成，并且可以通过对其他金属使用汽相沉积方法或溅射方法等薄膜形成技术和蚀刻技术来形成，使得预定数目的显示电极可以以预定厚度、宽度和间隔沉积。透明电极10主要有助于放电活动，其具有光透过性，使用户可从前面基板1a侧看到荧光体层的发光。优选的是，汇流电极11具有低电阻，以便能够主要传导放电过程中的电流。透明电极10和汇流电极11的形状不受特别限制，并且可以采用直电极、T形电极或梯子形电极。透明电极10和汇流电极11的形状可以彼此相似或不同。例如，透明电极10可以是T形电极或梯子形电极，而汇流电极3b可以是直电极。

电介质层3被沉积在显示电极2X和2Y上用于覆盖显示电极2X和2Y。电介质层3可以通过用丝网印刷方法将低熔点玻璃粉浆料(glassfrit paste)涂布到前面基板1a上并且对该粉浆料进行烧制来形成。此外，电介质层3可以通过粘贴片状电介质层并且对其进行烧制来形成。此外，电介质层3可以通过用等离子体CVD方法沉积二氧化硅(SiO₂)来形成。

保护层4设置在电介质层3上用于保护电介质层3免受在显示过程中由于放电而产生的离子碰撞。稍后将说明保护层4的细节。

1-2.背面基板、寻址电极、电介质层、阻隔壁、荧光体层(背面侧基板结构体)

背面基板9a的种类不受特别限制。例如，背面基板9a是诸如玻璃基板等的透明基板。

在背面基板9a的内侧，在与显示电极2X和2Y交叉的方向上水平地形成多个寻址电极8，并且形成电介质层7用于覆盖数据电极8。寻址电极8被设置成用于形成寻址放电以选择位于寻址电极8和显示电极2Y之间的交叉点处的发光单元。寻址电极8可以由例如Cr/Cu/Cr层叠结构形成。

另外，寻址电极8可以由诸如Ag、Au、Al、Cu、Cr等的金属组成。与显示电极2X和2Y类似，寻址电极8可以通过对Ag和Au使用丝网印刷方法等厚膜形成技术来形成，并且可以通过对其他金属使用汽相沉积方法或溅射方法等薄膜形成技术和蚀刻技术来形成，使得预定数目的显示电极可以以预定厚度、宽度和间隔沉积。

背面基板的电介质层7可以用与前面基板1a上的电介质层3相同的材料和相同的方法来形成。

多个阻隔壁5形成在两个相邻寻址电极8之间的电介质层7上用于分割放电空间。本实施例中的阻隔壁5的形状是条状。阻隔壁5的形状可以是曲流形(meander shape)、格子形或梯子形。

阻隔壁5可以通过喷砂方法或光蚀刻方法形成。例如，在喷砂方法中，可以通过将由具有低熔点的玻璃粉、粘合剂树脂和溶剂组成的粉浆料涂布到电介质层7上，使粉浆料干燥，在具有阻隔壁图案的开口的切割掩模被放置在该粉浆料层上的状态下喷射切割颗粒，切割从切割掩模的开口露出的粉浆料层，并且进一步对其进行烧制，来形成阻隔壁5。在光蚀刻方法中，代替用切割颗粒进行切割，可以通过使用感光树脂作为粘合剂树脂，然后使用掩模进行曝光和显影，并且对其进行烧制来形成阻隔壁5。

在由阻隔壁5分割出的放电空间的侧面和底面，分别形成红(R)、绿(G)和蓝(B)的荧光体层6R、6G和6B。荧光体层6R、6G和6B可以通过用丝网印刷方法或使用滴涂器(dispenser)的方法将包含荧光体粉末、粘合剂树脂和溶剂的荧光体浆料涂布到由阻隔壁5分割出的放电空间，对每种颜色(R、G、B)重复该涂布，并且对其进行烧制来形成。

可能的是，荧光体层6R、6G和6B可以通过使用包含荧光体粉末、感光材料和粘合剂树脂的片状荧光体层材料(所谓的绿带(greensheet))并且使用照相平版印刷技术来形成。在此情况下，对各个颜色反复进行将预定颜色的片材粘贴于基板的显示区域上，并对其进行曝光和显影的操作，使得可以在相应的阻隔壁5之间形成各个颜色的荧光体层6。

上述前面侧基板结构体1和背面侧基板结构体9相互面对，使得显示电极2X和2Y与寻址电极8交叉，并且周围被密封以通过在由阻隔壁5包围的放电空间内填充包含作为主要成分的Ne气以及Xe的放电气体而完成PDP。在这种类型的PDP中，显示电极(2X和2Y)与寻址电极8之间的交叉点处的放电空间是被限定为最小显示单元的单一单元(单位发光区域)。单个像素包括R、G和B三个单元。

1-3.保护层

接下来将详细说明作为本发明的主要特征的保护层4。保护层4被配置成使得多个MgO单晶4b以这样的方式附着于MgO膜4a上：多个MgO单晶4b的晶体取向沿一个方向取向。

MgO膜4a可以通过本领域已知的薄膜形成方法(诸如电子束沉积方法或溅射)来形成。

MgO单晶4b可以仅由MgO制成，或者可以包含不致影响晶体结构的少量别的成分(诸如助熔剂(flux)残渣)。MgO单晶4b是立方晶体，在该立方晶体中，所有晶面在物理和化学性质方面是等价的。因此，当多个MgO单晶4b附着于MgO膜4a上使得MgO单晶4b的任何晶体表面附着于MgO膜4a的表面上时，多个MgO单晶4b的晶体取向还沿一个方向取向。换言之，多个MgO单晶4b的晶体取向沿一个方向取向，只要不被夹在MgO单晶4b的晶体表面和MgO膜4a之间的细粒等障碍物所阻碍。短语“晶体取向沿一个方向取向”是指，立方晶体的晶面的法线方向沿一个方向取向。只要法线方向沿一个方向取向，立方晶体可能会围绕法线旋转也是无关紧要的。

此处，在显微镜下，通过电子束沉积方法沉积的基底MgO膜4a的表面具有凹凸不平的圆柱晶体结构，以及柱状晶体的顶点之间的微细间隙。因此，如果顶点之间的间隔比将被附着的MgO单晶的直径短，则基底MgO膜可以实质上平坦，使得MgO单晶的晶体取向便利地一致。换言之，如果存在有直径比基底MgO膜的柱状晶体的顶点之间的间隔的两倍短的许多MgO单晶，则MgO单晶将倾斜并滑入顶点之间的微细间隙，因此MgO单晶的晶体取向将不能一致。

考虑到上述内容，根据本发明，多个MgO单晶4b的粒度分布的累积50％值优选为0.6μm或更大，更优选地为0.9μm或更大。即，作为使晶体取向一致的技术要求，必要的是，占据超过单位体积的一半的各MgO单晶的直径为0.6μm或更大，并且优选地为0.9μm或更大，并且更优选地为1.3μm或更大。如上所述，如果直径过小，MgO单晶4b的边缘可能会滑入MgO膜4a的表面的微细间隙内，所以，优选地，将短于0.1μm的MgO单晶的直径排除。另外，优选地，MgO单晶4b的累积50％值是30μm或更小。如果直径过大，则具有二次电子发射功能的基底MgO膜的露出面积变窄，由此增加了放电电压。可以通过使用激光衍射型粒度分布分析仪来测量多个MgO单晶4b的粒度分布。

多个MgO单晶4b的粒度分布的累积50％值可以具体地例如是0.6、0.7、0.8、0.9、1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8、2.9、3、4、5、10、15、20、25或30μm。多个MgO单晶4b的累积50％值可以在上面举例说明的任何两个数字之间的范围内。

多个MgO单晶4b的粒度分布的累积10％值不受特别限制，而是优选地为累积50％值的0.5倍或更大。在此情况下，多个MgO单晶4b中微细MgO单晶的百分比较低。微细MgO单晶被夹在较大MgO单晶4b的晶体表面和MgO膜4a之间，由此妨碍MgO单晶4b的晶体表面和MgO膜4a之间的接触，从而阻止MgO单晶4b的晶体取向一致。如果多个MgO单晶4b的累积10％值是累积50％值的0.5倍或更大，则MgO单晶中的微细MgO单晶4b的百分比过低，使得容易使MgO单晶4b的晶体取向一致。

多个MgO单晶4b的粒度分布的累积10％值可以具体地例如是累积50％值的0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9或0.95倍。多个MgO单晶4b的累积10％值可以在上面举例说明的任何两个数字之间的范围内，或者大于上面举例说明的任何一个数字。由于多个MgO单晶4b的累积10％值更接近多个MgO单晶4b的累积50％值，所以更容易使MgO单晶4b的晶体取向一致。

可以通过使用X射线衍射(XRD)，基于(200)晶面的信号强度与(111)晶面的信号强度之间的比率来确定多个MgO单晶4b的晶体取向是否一致。MgO单晶的(200)晶面与(100)晶面等价。当多个MgO单晶4b的晶体取向一致时，(200)晶面的信号强度较强，并且当多个MgO单晶4b的晶体取向不一致时，(200)晶面的信号强度非常弱。另一方面，(111)晶面的信号主要是来自MgO膜4a的信号，并且很少取决于多个MgO单晶4b的晶体取向是否一致。因此，{(200)晶面的信号强度/(111)晶面的信号强度}的比率值指示多个MgO单晶4b的晶体取向是否一致。举例来说，如果标准化后的(200)晶面的信号强度是每1μm MgO膜的(111)晶面的信号强度的一倍以上，则可以确定多个MgO单晶4b的晶体取向一致。考虑到当(200)晶面与(111)晶面之间的存在比率是1/1时，(200)晶面与(111)晶面之间的所测信号强度的比率是11.6/100，所以这里的“标准化”是指，以(111)晶面的信号强度为基准，将(200)晶面的信号强度的测量值乘以0.116。

MgO单晶4b的生产方法不受特别限制，举例来说，混合通过气相方法制造的MgO晶种和少量助熔剂(催化剂)并对其进行烧制，然后对烧制的产物进行粉碎。由于通过气相方法制造的MgO晶种在尺寸上较小并且在尺寸变化上较大，所以即使通过气相方法制造的MgO晶种如所述地那样散布在MgO膜4a上，也不能使MgO晶种的晶体取向一致。另一方面，上述制造的MgO单晶4b在尺寸上较大并且在尺寸变化上较小。那么，如果上述制造的MgO单晶4b散布在MgO膜4a上，则可以使多个MgO单晶4b的晶体取向一致。可以采用镁的卤化物(氟化镁等)作为助熔剂。

例如，在1000至1700℃下执行烧制1-5小时。通常，MgO单晶4b的尺寸在烧制温度更高、烧制时间更长并且助熔剂的添加量更多时变得更大。由于MgO单晶4b的尺寸更小并且在烧制过程中晶体生长的速度更快，所以在烧制温度更高、烧制时间更长并且助熔剂的添加量更多时MgO单晶4b的尺寸变化变得更小。因此，为了得到MgO单晶4b的期望的粒度分布，适当地控制烧制温度、烧制时间和助熔剂的添加量。烧制温度可以是例如1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600或1700℃。烧制温度可以在上面举例说明的任何两个数字之间的范围内。烧制时间可以是例如1、2、3、4或5小时。烧制时间可以在上面举例说明的任何两个数字之间的范围内。助熔剂的添加量可以是例如0.01-0.1wt％并且具体地例如是0.001、0.002、0.005、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09或0.1wt％。助熔剂的添加量可以在上面举例说明的任何两个数字之间的范围内。烧制的产物的粉碎方法不受特别限制，举例来说，将烧制的产物放置在研钵内以便用研棒将其粉碎成粉末。

通过气相方法生产MgO晶种可以具体地例如通过日本特开第2004-182521号中描述的方法和/或在“Material”Vol.36，No.410，pp.1157-1161，11月(1987)中的“Synthesis of Magnesia Powder by GasPhase Method and Its Properties”中描述的方法来进行。此外，通过气相方法制造的MgO晶种可以从Ube Material Industries，Ltd.购买。

将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上的方法不受特别限制。举例来说，MgO单晶4b可以以分散在分散介质中的状态或者照原样涂布或散布到MgO膜4a上，使得MgO单晶4b可以附着于MgO膜4a上。该涂布或散布可以具体地例如通过静电喷涂沉积(electrospraydeposition)方法、喷射(spray)方法、丝网印刷方法、胶版印刷方法、滴涂器(dispenser)方法、辊涂方法、模具涂布(die coating)方法、刮刀方法或喷墨方法来执行。另外，在将包含MgO单晶4b的浆料涂布在支撑膜上之后，可以使其干燥以制作MgO单晶膜。MgO单晶膜可以层压在MgO膜4a上。因此，不管怎样，MgO单晶4b可以附着于MgO膜4a的整个区域或一部分上。

MgO单晶4b在MgO膜4a上的附着量不受特别限制，举例来说，优选的是，MgO单晶以这样的方式附着于MgO膜上：在60度测量角度下，MgO单晶附着于MgO膜上之前和之后的光泽度变化率为20-40％。光泽度变化率由以下公式定义。

光泽度变化率(％)＝{1-(MgO单晶4b附着之后的光泽度)/(MgO单晶4b附着之前的光泽度)}×100

可以通过光泽计(例如，由HORIBA，LTD.制造的便携式光泽计IG-331)测量光泽度。MgO单晶4b附着之前的光泽度可以认为是与短暂附着的MgO单晶4b被移除之后在MgO膜的表面处的光泽度等价。

当MgO单晶4b的附着量更大时，光泽度变化率也更大。因此，光泽度变化率是用于反映MgO单晶4b附着量的值。如果MgO单晶4b的附着量过小，问题可能会是，改善放电时延的效果可能会也小，如果附着量过大，问题可能会是，放电电压可能会增加。因此，为了适当地调节MgO单晶4b的附着量，优选的是，MgO单晶以这样的方式附着于MgO膜上：在60度测量角度下，MgO单晶附着于MgO膜之前和之后的光泽度变化率为20-40％。具体地，光泽度变化率可以是例如20、25、30、35和40％。光泽度变化率可以在上面举例说明的任何两个数字之间的范围内。

在光泽度变化率的变动在短距离内较大的情况下，PDP显示区域内的光泽度变化率的变动会影响显示性能。因此，优选地，使光泽度变化率的变动小于10％/mm。

2.证实本发明效果的实验

在用于证实本发明效果的以下实验中，通过比较晶体取向一致的MgO单晶4b附着于MgO膜4a上的一种情况与MgO单晶4b没有附着于MgO膜4a的另一种情况的放电时延来研究放电时延的改善效果。

2-1.用于生产MgO单晶的方法

MgO单晶4b通过以下方法制备。

首先，(由Furuuchi Chemical Corporation生产，纯度：99.99％的)MgF₂作为助熔剂以48ppm添加到(由Ube Material Industries，Ltd.生产，商品名：HIGH PURITY&ULTRAFINE SINGLE CRYSTALMAGNESIA POWDER(2000A)的)MgO晶种中。采用研铂和研棒混合并碾磨该粉末。

接下来，在混合和碾磨之后，将所得的混合物在空气中在1450℃下烧制1小时。

接下来，采用研钵和研棒将烧制物粉碎成粉末以获得MgO单晶4b。

此处，通过使用(由SYSMPATEC INC生产的型号为HELOS&RODOS的)激光衍射型粒度分布分析仪测量所获得的MgO单晶4b的粒度分布。结果，累积10％值、累积50％值和累积90％值分别是0.8μm、1.2μm和2.1μm。累积10％值是累积50％值的0.67倍，所以明显的的是，所获得的MgO单晶4b包含少量细粒。

2-2.用于生产PDP的方法

接下来，根据以下方法制备PDP，在该PDP中多个MgO单晶4b附着于MgO膜4a上使得该多个MgO单晶4b的晶体取向沿一个方向取向。也通过相同的方法并且在相同条件下制备多个MgO单晶4b不附着于MgO膜4a上的另一PDP，以便在稍后说明的放电时延试验中利用其进行比较实验。

2-2-1.概要

如图1所示，通过在由玻璃制成的前面基板1a上形成显示电极2X和2Y、电介质层3以及保护层4(多个MgO单晶4b附着于MgO膜4a上使得多个MgO单晶4b的晶体取向沿一个方向取向)来制备前面侧基板结构体1。此外，通过在由玻璃制成的背面基板9a上形成寻址电极8、电介质层7、阻隔壁5以及荧光体层6G、6B和6R来制备背面侧基板结构体9。接下来，通过将前面侧基板结构体1叠盖在背面侧基板结构体9上并采用密封材料在这些结构体的周缘部分处密封这些结构体来制备具有内部气密放电空间的面板。接下来，在对放电空间内进行排气之后，将放电气体引入放电空间中以完成PDP。

2-2.将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上的方法

根据以下方法将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上。

首先，将MgO单晶4b以2克比1L(1升)的比率与(由KANTOCHEMICAL Co.，Inc生产的用于电子工业的)IPA相混合，并采用超声波分散机使所得的混合物分散，由此使凝聚的晶体分散以制备浆料。

接下来，采用喷涂枪(coating spray gun)将上述浆料喷涂到MgO膜4a上，然后通过吹干燥空气来使该涂层干燥。重复该步骤若干次以将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上。将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上，使得MgO单晶4b的密度为每1m²膜为2g。

在将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上之前和之后，通过使用X射线衍射(XRD)来测量信号强度的比率。图3示出了测量结果的图。

参照图3，在将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上之前，观测(111)晶面和(222)晶面的信号，并且在将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上之后，观测(111)晶面、(222)晶面的信号，并且还观测(200)晶面的信号。在将MgO单晶4b附着于MgO膜4a上之前和之后，(111)晶面和(222)晶面的信号强度未改变。标准化后的(200)晶面的信号强度是每1μm MgO膜的(111)晶面的信号强度的1.9倍。这些结果指示多个MgO单晶4b的晶体取向沿一个方向取向。对通过相同的方法将MgO晶种附着于MgO膜4a上的另一PDP执行使用X射线衍射(XRD)进行的另一测量。结果，(200)晶面的信号强度非常小，并且标准化后的(200)晶面的信号强度小于每1μm MgO膜的(111)晶面的信号强度的0.5倍。

在将MgO单晶4b附着于MgO膜4a之前和之后，测量光泽度以计算光泽度变化率。通过使用光泽计(由HORIBA LTD.制造的便携式光泽计IG-331)在60度测量角度下测量光泽度。结果，光泽度变化率为30％。在换算成MgO单晶4b在MgO膜4a的表面上的覆盖率时，该值被认为是大约6％。

2-3.其他

其他条件如下。

前面侧基板结构体1：

透明电极10的宽度：270μm

汇流电极11的宽度：95μm

放电间隙的宽度：100μm

电介质层3：通过涂布具有低熔点的玻璃浆料并对该浆料进行烧制来形成，厚度：30μm

MgO膜4a：通过电子束蒸发形成MgO层，厚度：1.1μm

背面侧基板结构体9：

寻址电极8的宽度：70μm

电介质层7：通过涂布具有低熔点的玻璃浆料并对该浆料进行烧制来形成，厚度：10μm

荧光体层6G、6B和6R位于寻址电极8正上方的部分的厚度：20μm

阻隔壁5的高度：140μm阻隔壁5的顶部宽度：50μm

阻隔壁5的间距(pitch)：360μm

放电气体：Ne 96％-Xe 4％，500托

3.放电时延试验

接下来，在生产的每个PDP上执行放电时延试验。在放电时延试验中，当向寻址电极8施加电压时，测量电压施加时刻和放电实际开始时刻之间的间隔。测量该时间间隔1000次。图4示出放电时延与累积放电成功概率之间的关系。

图4示出晶体取向一致的多个MgO单晶4b附着于MgO膜4a上的一种情况和多个MgO单晶4b未附着于MgO膜4a上的另一情况的结果。参照图4，明显的是，前一种情况改善了放电时延。该结果指示出，包括这样的保护层4的PDP改善了诸如放电时延的放电特性并且提供了良好的放电特性：在该保护层4中，多个MgO单晶4b附着于MgO膜4a上使得多个MgO单晶4b的晶体取向沿一个方向取向。

在上述实施例中，通过以在前面基板上包括一对显示电极并且在背面电极上包括寻址电极的AC驱动型三电极面放电型PDP为例来说明本发明，但本发明并不局限于这种类型，并且也可以应用于在前面基板上包括一对显示电极以及寻址电极的另一种类型的三电极面放电型PDP，其中显示电极被布置在形成在寻址电极上的绝缘层上，并且在显示电极上设置有电介质层和保护层。另外，本发明可以应用于包括分别形成在相对基板上的一对显示电极X和Y的另一种类型的AC驱动型二电极对向放电型PDP。

本发明可以减少由于放电时延而引起的放电不良，并且可以使PDP能够以高产量大规模生产。因此，根据本发明的PDP有利地以低成本提供了良好的显示。

Claims (7)

1.一种等离子体显示面板，其特征在于包括隔着封入放电气体而形成的放电空间、彼此相对的一对基板结构体，

其中所述一对基板结构体中的一个包括：布置在基板上的显示电极；用于覆盖所述显示电极的电介质层；以及用于覆盖所述电介质层的保护层，并且

所述保护层被配置成使得多个MgO单晶以这样的方式附着于MgO膜上：所述多个MgO单晶的晶体取向沿一个方向取向。

2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中标准化后的(200)晶面的信号强度等于或大于每1μm MgO膜的(111)晶面的信号强度，所述信号是来自所述保护层的X射线衍射。

3.如权利要求1或2所述的等离子体显示面板，其中所述多个MgO单晶的粒度分布的累积50％值为0.6μm或更大。

4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体显示面板，其中所述多个MgO单晶的粒度分布的累积10％值为累积50％值的0.5倍或更大。

5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体显示面板，其中所述多个MgO单晶以这样的方式附着于MgO膜上：在所述多个MgO单晶附着于MgO膜上之前和之后测量的在60度测量角度下的光泽度变化率为20-40％。

6.一种在覆盖电极的电介质层上具有MgO保护膜的等离子体显示面板，其特征在于，所述MgO保护膜的表面具有(111)晶面；并且具有(100)晶面的MgO单晶以这样的方式均匀地分散分布在所述MgO保护膜上以便部分地覆盖所述MgO保护膜的(111)晶面：所述MgO单晶的(100)晶面一致地与所述MgO保护膜的表面平行。

7.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述MgO单晶以这样的方式均匀地分散分布：所述MgO单晶的(100)晶面的相反侧的晶面与所述MgO保护膜的表面相接触。

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