CN101760740B - 结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其步骤包括提供一被镀物基材;在该被镀物基材的一表面以一物理气相沉积形成有一碳化层;在该碳化层表面再以另一物理气相沉积形成有一导电层;在该导电层表面以一电着沉积形成有一外表层;为此,可在被镀物基材上形成一复合式均匀镀膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀着制作方法,尤其涉及一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法。
背景技术
以往可供选用的电子产品的外观,几乎都大同小异或仅是单纯几何形状的简单变化,并无法吸引消费者的购买欲望,但随着绘图软件的不断提升及模具的日益精进,在昔日认为不能制出的曲面造型或复杂形状,皆逐一的被克服且不断的有新产品被推出市场,且获得消费者普遍性的青睐与好评;然而,此等电子产品的外观形状固然重要,但是若能加上颜色的搭配,则其产品可说是立于不败的地位;因此,如何对此等电子产品进行表面的镀着处理,则是本发明所要解决的课题。
现有用于电子产品的表面处理方式有喷漆、印刷、涂装、镀着、蒸着等相当繁多,其中在物理气相沉积(PVD及电着沉积(ED Coating)亦经常被采用,此物理气相沉积所形成的镀膜虽然具有较佳的耐磨耗等特性,但对于非平面状的板体、壳体、不规则曲面或复杂形状时,其在侧板及各板面的相接处所形成的镀膜相当的稀疏,不仅造成抗磨耗效果不佳,更严重的影响到产品的美观性,且以物理气相沉积方式来进行镀膜时,因受到环境温度及涂料特性的限制,其对于颜色的变化较为鲜少,而不符合阶段性的产品镀膜需求。另,电着沉积虽然具有较多的颜色变化等特性,但是其在耐磨耗等方面却是不甚理想;着实有待加以改善。
发明内容
本发明的一目的,在于提供一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其是可在被镀物基材上形成一复合式均匀镀膜。
为了达到上述的目的,本发明提供一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其步骤包括:
a)提供一被镀物基材;
b)在该被镀物基材的一表面以一物理气相沉积形成有一碳化层;
c)在该碳化层表面再以另一物理气相沉积形成有一导电层;及
d)在该导电层表面以一电着沉积形成有一外表层。
为了达到上述的目的,本发明提供另一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其步骤包括:
a)提供一被镀物基材;
b)在该被镀物基材的一表面以一物理气相沉积形成有一导电层;及
c)在该导电层表面以一电着沉积形成有一外表层。
本发明对照现有技术具有以下功效,对于非平面状被镀物基材,由电着沉积方式所形成的外表层,不仅可有效地改善物理气相沉积所造成的镀膜不均现象,进而提升产品遮瑕效果;更可利用此电着沉积在被镀物基材外表面制作出各种不同颜色,而增加颜色的变化性及整体的美观性;由于在电着沉积时各板面的接合处聚集有较多的电子,可在前述的接合处的位置形成有较厚的镀膜,以有效解决物理气相沉积所存在镀膜稀疏问题。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的方法的制作流程图;
图2为本发明应用于手机前盖的立体外观图;
图3为图2的剖视放大图;
图4为本发明的另一实施方法制作流程图;
图5为本发明的另一实施方法应用于手机前盖的剖视放大图。
其中,附图标记
被镀物基材10
外表面11 内表面12
碳化层20
导电层30
外表层40
具体实施方式
有关本发明的详细说明及技术内容,配合图式说明如下,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
请参阅图1、图2及图3所示,分别为本发明的制作流程图、应用于手机前盖的立体外观图及图2的剖视放大图,本发明提供一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其步骤包括:
a)提供一被镀物基材10(如图2所示);在此步骤中,被镀物基材10可为导电体或非导电体的材料所制成,本实施例的被镀物基材10为一手机前盖,其具有一外表面11及一内表面12。
b)在该被镀物基材10的一表面11以一物理气相沉积(Physical VaporDeposition,PVD)形成有一碳化层20(如图3所示);在此步骤中,将被镀物基材10置入一物理气相蒸镀机中(图未示),其靶材可为钛靶、铬靶及锆靶的任一种,其工艺参数如下:此蒸镀机内部设定参数为工作真空度0.1~0.2Pa,转架速度为10~20Hz,内部轰击清洗气体为氩(Ar),轰击清洗气体流量为400~500SCCM,轰击清洗时间5~15分钟(min),轰击清洗偏压为-500~-700V,中频电流30~40A,中频电压500~700V,镀膜偏压-50~-200V,镀膜温度150~300℃,镀膜气体为氩(Ar)及乙炔(C2H2)混合气体,其中氩(Ar)镀膜气体流量为60~70SCCM,而乙炔(C2H2)镀膜气体流量为450~650SCCM,镀膜时间为40~45分钟(min)。如此,即可在被镀物基材10的外表面11形成有一碳化层20。
c)在该碳化层20表面再以另一物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)形成有一导电层30(如图3所示);在此步骤中,相关参数及氩(Ar)镀膜气体流量维持不变,而改变镀膜气体中的乙炔(C2H2)流量为250~350SCCM,且镀膜时间为1~2分钟(min)。如此,即可在被镀物基材10的外表面11形成有一导电层30。
d)在该导电层30表面以一电着沉积(Electrodeposition Coating,ED Coating)形成有一外表层40(如图3所示),在此步骤中,将披覆有导电层30的半成品置入一电着涂装机中(图未示),而对此半成品施以电着沉积,此电着沉积所使用涂料必须是选自一阳离子型电着涂料或一阴离子型电着涂料;以在此手机前盖的侧壁、侧壁及面板的接合处形成有一复合式均匀镀膜。
请参阅图4及图5所示,分别为本发明另一实施例制作流程图及应用于手机前盖的剖视放大图,其步骤包括:
a)提供一被镀物基材10(如第五图所示);在此步骤中,被镀物基材10可为导电体或非导电体的材料所制成,本实施例的被镀物基材10为一手机前盖。
b)在该被镀物基材10的一表面以一物理气相沉积形成有一导电层30;在此步骤中,将被镀物基材10置入一物理气相蒸镀机中(图未示),其靶材可为钛靶、铬靶及锆靶的任一种,其工艺参数如下:此蒸镀机内部设定参数为工作真空度0.1~0.2Pa,转架速度为10~20Hz,内部轰击清洗气体为氩(Ar),轰击清洗气体流量为400~500SCCM,轰击清洗时间5~15分钟(min),轰击清洗偏压为-500~-700V,中频电流30~40A,中频电压500~700V,镀膜偏压-50~-200V,镀膜温度150~300℃,镀膜气体为氩(Ar)及乙炔(C2H2)混合气体,其中氩(Ar)镀膜气体流量为60~70SCCM,而乙炔(C2H2)镀膜气体流量为300~500SCCM,镀膜时间为30~35分钟(min);如此,即可在被镀物基材10的表面形成有一导电层30。
c)在该导电层30表面以一电着沉积形成有一外表层40(如图5所示),在此步骤中,在此步骤中,将披覆有导电层30的半成品置入一电着涂装机中(图未示),而对此半成品施以电着沉积,此电着沉积所使用涂料必须是选自一阳离子型电着涂料或一阴离子型电着涂料。以在此手机前盖的侧壁、侧壁及面板的接合处形成有一复合式均匀镀膜。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (19)
1.一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤包括:
a)提供一被镀物基材;
b)在该被镀物基材的一表面以一物理气相沉积形成有一碳化层;
c)在该碳化层表面再以另一物理气相沉积形成有一导电层,其中镀膜气体为氩及乙炔混合气体;及
d)在该导电层表面以一电着沉积形成有一外表层。
2.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤a)中的被镀物基材为导电体。
3.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤a)中的被镀物基材为非导电体。
4.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的靶材为钛靶、铬靶或锆靶。
5.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的镀膜气体为氩及乙炔混合气体。
6.根据权利要求5所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的镀膜气体氩的流量为60~70SCCM。
7.根据权利要求5所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的镀膜气体乙炔的流量为450~650SCCM。
8.根据权利要求5、6或7所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的镀膜时间为40~45分钟。
9.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤c)中镀膜气体乙炔的流量为250~350SCCM。
10.根据权利要求1或9所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤c)中镀膜时间为1~2分钟。
11.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤d)中所使用涂料必须是选自一阳离子型电着涂料或一阴离子型电着涂料。
12.一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤包括:
a)提供一被镀物基材;
b)在该被镀物基材的一表面以一物理气相沉积形成有一导电层,其中的镀膜气体为氩及乙炔混合气体;及
c)在该导电层表面以一电着沉积形成有一外表层。
13.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤a)中的被镀物基材为导电体。
14.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤a)中的被镀物基材为非导电体。
15.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的靶材为钛靶、铬靶或锆靶。
16.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的镀膜气体氩的流量为60~70SCCM。
17.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的镀膜气体乙炔的流量为300~500SCCM。
18.根据权利要求12、16或17所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤b)中的镀膜时间为30~35分钟。
19.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法,其特征在于,步骤c)中所使用涂料必须是选自一阳离子型电着涂料或一阴离子型电着涂料。
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