CN101740598A - 固态成像装置和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本文公开了一种固态成像装置，包括：被配置为包括对应于不同波长的多个受光区域的像素部分；以及被配置将多个受光区域彼此分开、使得其中像素部分中的每个受光区域的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布的元件隔离器。
Description
技术领域
本发明涉及一种固态成像装置和电子设备。具体地讲，本发明涉及这样的固态成像装置和电子设备，其中像素部分是由多个受光区域组成并且每个受光区域的大小取决于由所述受光区域处理的波长。
背景技术
对于典型为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的半导体图像传感器，永远需要通过减小像素大小和增加相同图像面积中的像素数量来实现像素增加。然而，随着像素的增加，信号的量变得较小，并且变得难以确保相同的S/N比率(参照日本专利公开No.2006-173634)。此外，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素之间的灵敏度的差也变得较大，这导致了色平衡的破坏。
发明内容
图11A是用于描述CMOS图像传感器的结构的一个例子的示意截面图。如果在这样的CMOS图像传感器中减少像素大小，则图像形成能力中的逐个波长的差别成为问题。例如，即使当焦点与光电二极管相匹配时，如图11B所示，硅基片表面上的能量分布在蓝色、绿色和红色像素之间不同。该分布差导致了诸如灵敏度劣化和颜色遮蔽的问题。
本发明需要基于由光电二极管处理的波段(wavelength band)改变光电二极管的大小的需要，由此调整颜色之间的灵敏度平衡。
根据本发明的实施例，提供了一种固态成像装置，所述装置包括被配置为包括对应于不同波长的多个受光区域的像素部分，以及被配置为将多个受光区域彼此分开、使得其中像素部分中的每个受光区域的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布(energy profile)的元件隔离器。
根据本发明的另一个实施例，提供了一种电子设备，包括固态成像装置，所述固态成像装置被配置为具有其中放置了多个对应于不同波长的受光区域的像素部分，以及将多个受光区域彼此分开、使得其中像素部分中的每个受光区域的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布的元件隔离器；以及图像处理器，被配置作为图像处理由固态成像装置中的受光区域的光接收产生的信号。
在本发明的实施例中，多个受光区域的每一个的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布，并因此可调整多个受光区域的光接收灵敏度的平衡。
根据本发明的实施例，基于处理的波长的能量分布来设定像素中的受光区域的大小，从而可调整颜色之间的灵敏度平衡。
附图说明
图1是用于解释根据本发明的第一实施例的固态成像装置的示意性平面图。
图2是示出了对应于B、R、Gb和Gr的相应颜色(波长)的硅基片表面上的能量分布的图。
图3是沿受光区域R和Gr的行的示意性截面图。
图4是沿受光区域B和Gr的行的示意性截面图。
图5A和5B是用于解释颜色串扰和灵敏度的比较的结果的图。
图6是用于解释根据本发明的第二实施例的固态成像装置的结构的一个例子的示意性截面图。
图7A和7B是用于解释受光区域的布局的示意性平面图。
图8A和8B是用于解释颜色串扰和灵敏度的比较的结果的图。
图9A和9B是用于解释颜色遮蔽(color shading)的抑制的效果的图。
图10是示出了成像装置的配置例子作为根据本发明的实施例的电子设备的一个例子的框图。以及
图11A和11B是用于解释现有技术中的CMOS图像传感器的图。
具体实施方式
下面将描述用于实现本发明的最佳模式(在下文中为实施例)。将按照下述顺序来进行描述。
1、第一实施例(背面照射型固态成像装置的例子)
2、第二实施例(前面照射型的固态成像装置的例子)
3、电子设备(成像装置的例子)
1、第一实施例
[固态成像装置的结构]
图1是用于解释根据本发明的第一实施例的固态成像装置的示意性平面图。图1关注其中放置了对应于不同波长的多个受光区域的像素部分10。将像素部分10布置为沿垂直和水平方向的矩阵。在图1中，在中心示出了多个像素部分10之一，并且该中心像素部分10的两侧的像素部分10被示出为其局部部分被去除。
在一个像素部分10中，放置沿垂直和水平方向布置的2×2个受光区域。如此配置多个受光区域，使得通过在光入射侧形成的颜色滤波器(未示出)使对应的波长不同。
在图1所示的例子中，下述四个受光区域被设置为2×2个受光区域：对应于蓝色的受光区域B、对应于红色的受光区域R、对应于第一绿色(与蓝色放置在同一行的绿色)的受光区域Gb、以及对应于第二绿色(与红色放置在同一行的绿色)的受光区域Gr。第一绿色和第二绿色的处理波长相同。
在这些受光区域中，在对角线上放置对应于蓝色的受光区域B和对应于红色的受光区域R，而在另一条对角线上放置对应于第一绿色的受光区域Gb和对应于第二绿色的受光区域Gr。具体地讲，用于形成相应颜色的受光区域B、R、Gb和Gr的颜色滤波器的阵列为拜耳阵列(Bayer array).
元件隔离器20被设置为将像素部分10中的多个受光区域B、R、Gb和Gr彼此分开。在诸如硅基片的半导体基片中形成的P型阱区域中设置受光区域B、R、Gb和Gr，并且受光区域B、R、Gb和Gr是通过N型和P型杂质离子的注入而形成的光电二极管。为了将这些受光区域B、R、Gb和Gr彼此电隔离，将P型杂质离子注入元件隔离器20。由此在受光区域之间形成PN结，从而实现电隔离。
在本实施例中，如此配置由这样的元件隔离器20形成的受光区域B、R、Gb和Gr，使得每个受光区域的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布。
图2是示出了硅基片表面上的能量分布的图，对应于B、R、Gb和Gr的相应颜色(波长)。该图示出了相应颜色(波长)的B、R、GB和Gr的硅基片表面上的照射能量的强度和扩散。根据该图，蓝色光(B)具有最高照射能量和最窄的扩散。另一方面，红色光(R)具有最低照射能量和最宽扩散。
在本实施例中，受光区域的大小是基于上述能量分布设定的，并在颜色与颜色之间不同。具体地讲，大小被设定为使得对应于具有较长波长的光的受光区域具有较大的大小。
具体地讲，在上述颜色滤波器设置中，元件隔离器20被设置为使得对应于红色的受光区域R大于受光区域Gb，所述受光区域Gb与受光区域R相邻并对应于第一绿色。
此外，在上述颜色滤波器布置中，设置元件隔离器20，使得对应于红色的受光区域R大于受光区域Gr，所述受光区域Gr与受光区域R相邻并对应于第二绿色。
也就是说，在现有技术的固态成像装置中，对应于各个颜色的所有受光区域B、R、Gb和Gr具有相同的大小，这是通过将像素部分10均等地分割为沿垂直和水平方向布置的2×2个区域而获得的。另一方面，在本实施例中，对应于红色的受光区域R被设置为具有最大大小，从而向对应于第一绿色的受光区域Gb和对应于第二绿色的受光区域Gr扩散。对应于红色的受光区域R可以被设置为根据需要仅向对应于第一绿色的受光区域Gb和对应于第二绿色的受光区域中的一个扩散。
这样的大小设定的原因如图2所示，红色光(R)具有最低的照射能量和最宽的扩散，因而受光区域R被设计为具有对应于该扩散的大小。
此外，在本实施例中，元件隔离器20被设置为使得对应于蓝色的受光区域B小于与受光区域B相邻并对应于第一绿色的受光区域Gb。
这样的大小设定的原因是蓝色光(B)具有如图2所示的最高的照射能量和最窄扩散，因而受光区域B被设计为具有对应于该扩散的大小。
优选地，对应于红色的受光区域R和对应于蓝色的受光区域B的开口形状(aperture shape)分别是适合于照射能量分布的正方形。
另一方面，对应于第一绿色的受光区域Gb和对应于第二绿色的受光区域Gr的开口形状为矩形。其目的是为了有效地使用当如上所述像素部分10为正方形，并且正方形被用作对应于红色的受光区域R和对应于蓝色的受光区域B的开口形状时获得的剩余的矩形区域。
此外，对应于第一绿色的受光区域Gb和对应于第二绿色的受光区域Gr具有这样的开口形状，使得其长边方向彼此正交。这允许有效地捕获具有彼此正交的偏振方向的光束，如绿色光束。
如上所述，由元件隔离器20形成的相应颜色的受光区域B、R、Gb和Gr的每一个的大小适合于用由所述受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布。这可以调整由受光区域B、R、Gb和Gr接收的光束的量的平衡，并可以抑制颜色之间的灵敏度平衡的偏移。
[横截面结构]
图3是沿图1所示的受光区域R和Gr的行的示意性截面图。图4是沿图1所示的受光区域B和Gr的行的示意性截面图。
在本实施例的固态成像装置1中，在其中设置了像素部分中的受光区域R和Gr的硅基片2的一个表面上设置颜色滤波器60，并在硅基片2的另一个表面上设置通过由受光区域R和Gr的光电变换而获得的信号的互连层40。固态成像装置1具有所谓的背面照射CMOS传感器配置。
具体地讲，在该固态成像装置1中，在硅基片2中形成的相应颜色的受光区域R和Gr被元件隔离器20彼此隔离，并在受光区域R和Gr上形成颜色滤波器60，其中间为抗反射膜21和层间绝缘膜30。颜色滤波器60具有与对应于相应颜色的受光区域的布置相匹配的拜耳阵列。在相应颜色的颜色滤波器60上设置微透镜70。
为了制造所谓的背面照射CMOS传感器，通过将P型离子注入硅基片2的表面(在图3中为较低的一侧)来形成用于将对应于相应颜色的受光区域B、R、Gb和Gr彼此隔离的元件隔离器20。此外，通过注入N型和P型杂质，对应于相应颜色的受光区域B、R、Gb和Gr被形成为被元件隔离器20包围。在受光区域B、R、Gb和Gr上，形成用于像素驱动的晶体管Tr等和互连层40。
晶体管Tr的种类包括用于读出由受光区域B、R、Gb和Gr捕获的电荷的读出晶体管、用于放大光电二极管的输出的放大晶体管、用于选择光电二极管的选择晶体管和用于释放电荷的复位晶体管。
在该状态下，支持基片被附在硅基片2的互连层一侧，并且通过化学机械抛光(CMP)来抛光硅基片2的背面(图3中的上侧)，使得硅基片2被支持基片支持。执行该抛光直到受光区域被暴露。
随后，在受光区域被暴露的硅基片2的背面上形成抗反射膜21(例如由HfO组成并具有64nm的厚度)和层间绝缘膜30(例如由SiO2构成并具有500nm的厚度)。
此外，在层间绝缘膜30上，形成对应于受光区域的颜色滤波器60(例如，具有500nm的厚度)，并且对应于该颜色滤波器60形成微透镜70(例如，在透镜中心部分处具有350nm的厚度)。
这完成了固态成像装置1，其中光从硅基片2的背面(图3中的上侧)入射并被微透镜70聚光，并且相应颜色的光束经由颜色滤波器60被受光区域接收。在该结构中，互连层40不存在于受光区域的光入射侧上，因此允许相应受光区域具有增强的开口效率。
在本实施例中，在制造固态成像装置1时，可通过仅改变元件隔离器20的形成位置来设定受光区域的开口面积。具体地讲，关于图3所示的受光区域R和受光区域Gr之间的关系，元件隔离器20的位置(P型杂质离子的注入位置)被设定为使受光区域R更宽。可通过仅改变P型杂质离子注入中使用的掩模来执行该位置设定。
相似地，在沿图4所示的受光区域B和Gr的行的截面中，关于受光区域B和受光区域Gr之间的关系，元件隔离器20的位置(P型杂质离子的注入位置)被设定为使受光区域B更窄。可通过仅改变P型杂质离子注入中使用的掩模来执行该位置设定。
也就是说，通过重复相同的间距来形成晶体管Tr、互连层40、颜色滤波器60和微透镜70中的每一个，而仅改变限定了受光区域B、R、Gb和Gr的大小的元件隔离器20的P型杂质离子注入位置就足够了。
[颜色串扰和灵敏度比较]
图5A和5B是用于解释颜色串扰和灵敏度的比较的结果的图：图5A涉及颜色串扰而图5B涉及灵敏度。在图中，R、G和B分别指示关于红色、绿色和蓝色的颜色串扰和灵敏度。每个图示出了现有技术的布局和当前实施例的布局之间的比较。在现有技术的布局中，沿垂直和水平方向布置的相应颜色的2×2个受光区域是由均等分割(具有均等的开口面积)引起的。每个图使用其中现有技术的布局中RGB相应颜色的值被定义为1的相对表示。
关于图5A所示的颜色串扰，在本实施例的布局中，关于红色(R)的颜色串扰几乎相同，而关于绿色(G)和蓝色(B)的颜色串扰被显著地抑制。在本实施例中，设定适合于照射光的能量分布的受光区域的大小。因此，与现有技术的布局相比，红色受光区域较宽，而绿色和蓝色受光区域较窄。
因此，对于绿色，尤其是蓝色，对应于变窄的受光区域，容易地从外周透镜捕获其它颜色，并可抑制颜色串扰。
关于图5B所示的灵敏度，对于绿色(G)和蓝色(B)的灵敏度几乎相同，而对于红色(R)的灵敏度在本实施例的布局中显著提高。这是因为下述原因。具体地讲，关于绿色和蓝色，受光区域的每一个都具有适合于能量分布的大小，尽管它们比现有技术的布局中的要窄。因此，灵敏度没有差别。另一方面，关于红色，受光区域比在现有技术的布局中的要宽。因此，在现有技术的布局中光不能被捕获的区域中的光也可被捕获，这增强了灵敏度。
如上所述，与其中红色的灵敏度低并且出现绿色和蓝色的颜色串扰的现有技术的布局相比，本实施例可实现这样的灵敏度平衡，使得对于红色的灵敏度高并且抑制了绿色和蓝色的颜色串扰。
2、第二实施例
[固态成像装置的结构]
图6是用于描述根据本发明的第二实施例的固态成像装置的结构的一个例子的示意性截面图。作为光电二极管的受光区域形成在硅基片2中，并且对应于受光区域形成晶体管Tr。
晶体管Tr的种类包括用于读出由受光区域捕获的电荷的读出晶体管、用于放大光电二极管的输出的放大晶体管、用于选择光电二极管的选择晶体管和用于释放电荷的复位晶体管。
在晶体管Tr上形成抗反射膜21，并且形成多个互连层40，其中间有层间绝缘膜。可根据需要在互连层40中埋入由有机膜形成的光波导。
在互连层40上，以预定的阵列顺序对于每个预定区域形成RGB颜色滤波器60。此外，对应于相应颜色的颜色滤波器60形成微透镜70。在本实施例中，一个受光区域的开口的大小为2.5μm2。
该固态成像装置1具有在硅基片2的一个表面上包括互连层40和颜色滤波器60的结构，其中设置了像素部分中的多个受光区域。具体地讲，该固态成像装置1具有所谓的前面照射CMOS传感器结构，其中在受光区域的光入射侧上设置了微透镜70、颜色滤波器60和互连层40。
在固态成像装置1中，通过微透镜70来聚光环境光，并经由RGB相应颜色的颜色滤波器60将其分割为具有对应于预定颜色的波长的光束。RGB相应颜色的光束穿过互连层40，并到达在硅基片2中设置的受光区域。在受光区域中使光束进行光电转换，从而可通过驱动晶体管Tr来实现取决于RGB相应颜色的光束的量的电信号。
关于微透镜70，对100％的图像高度应用0.5μm的校正，以改进与成像装置的透镜的匹配，本实施例中的固态成像装置1被应用于所述成像装置。校正量与图像高度成比例，并且校正方向被定向为朝向场角(field angle)的中心。
[受光区域的布局]
图7A和7B是用于解释受光区域的布局的示意性平面图：图7A示出了现有技术的布局，而图7B示出了本实施例的布局。尽管图7A和7B中示出了仅一个像素部分10，但多个像素部分10被布置为沿垂直和水平方向的矩阵。
如图7A所示，在受光区域的现有技术布局中，在一个像素部分10中设置沿垂直和水平方向布置的2×2个受光区域。具体地讲，作为受光区域，放置了对应于蓝色的受光区域B、对应于红色的受光区域R、对应于第一绿色的受光区域Gb、以及对应于第二绿色的受光区域Gr。通过元件隔离器20将相应受光区域B、R、Gb和Gr彼此分开，使其具有相同大小。
在相应受光区域B、R、Gb和Gr之间设置多个晶体管Tr。晶体管Tr的种类包括读出晶体管(RO)、复位晶体管(RST)和放大晶体管(AMP)。
另一方面，在图7B所示的本实施例中的受光区域的布局中，尽管相应受光区域B、R、Gb和Gr和晶体管Tr的布置与现有技术的布局中的相同，但对应于红色的受光区域R具有大的大小。也就是说，对应于红色的受光区域R被设置为具有大于与受光区域R相邻并对应于第二绿色的受光区域Gr的大小。
此外，在本实施例中，对应于蓝色的受光区域B被设置为具有比现有技术中的大小要小的大小。具体地讲，对应于蓝色的受光区域B被设置为具有小于与受光区域B相邻并对应于第一绿色的受光区域Gb的大小。
具体地讲，在本实施例的受光区域的布局中，受光区域B、R、Gb和Gr被配置为使每个都具有适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布的大小(见图2)。具体地讲，大小被设定为使得对应于具有较长波长的光的受光区域具有较大的大小。
可基于元件隔离器20的形成位置，来执行与本实施例的固态成像装置1一样的，将受光区域B、R、Gb和Gr的每一个的大小设定为适合于用所处理的波长进行的光照射的能量分布。
具体地讲，如图6所示，在形成用于分割硅基片2中的受光区域的元件隔离器20时，设定对应于元件隔离器20的位置的P型杂质离子的注入位置，以与受光区域B、R、Gb和Gr的大小相匹配。该位置设定可通过仅改变在P型杂质离子的注入中使用的掩模来执行。
[颜色串扰和灵敏度的比较]
图8A和8B是用于解释颜色串扰和灵敏度的比较的结果的：图8A涉及颜色串扰而图8B涉及灵敏度。在图中，R、G和B分别指示关于红色、绿色和蓝色的颜色串扰和灵敏度。每个图示出了现有技术的布局和当前实施例的布局之间的比较。在现有技术的布局中，沿垂直和水平方向布置的相应颜色的2×2个受光区域是通过均等分割而产生的(具有均等的开口面积)。每个图使用其中现有技术的布局中RGB相应颜色的值被定义为1的相对表示。
关于图8A所示的颜色串扰，在本实施例的布局中，关于红色(R)的颜色串扰几乎相同，而关于绿色(G)和蓝色(B)的颜色串扰被显著地抑制。在本实施例中，设定适合于照射光的能量分布的受光区域的大小。因此，与现有技术的布局相比，红色受光区域较宽，而绿色和蓝色受光区域较窄。
因此，对于绿色，尤其是蓝色，对应于变窄的受光区域，容易地从外周透镜捕获其它颜色，并可抑制颜色串扰。
关于图8B所示的灵敏度，对于绿色(G)和蓝色(B)的灵敏度几乎相同，而对于红色(R)的灵敏度在本实施例的布局中显著提高。这是因为下述原因。具体地讲，关于绿色和蓝色，受光区域的每一个都具有适合于能量分布的大小，尽管它们比现有技术的布局中的要窄。因此，灵敏度没有差别。另一方面，关于红色，受光区域比在现有技术的布局中的要宽。因此，在现有技术的布局中光不能被捕获的区域中的光也可被捕获，这增强了灵敏度。
如上所述，与其中红色的灵敏度低并且出现绿色和蓝色的颜色串扰的现有技术的布局相比，本实施例可实现这样的灵敏度平衡，使得对于红色的灵敏度高并且抑制了绿色和蓝色的颜色串扰。
图9A和9B是用于解释颜色遮蔽的抑制的效果的图：图9A示出了现有技术的布局的情况，而图9B示出了本实施例的布局的情况。在每个图中，关于RGB相应颜色示出了作为微透镜的图像高度(横坐标)的函数的灵敏度(纵坐标)。
在图9A所示的现有技术的布局中，尽管RGB相应颜色的灵敏度关于微透镜的中心(图像高度0％)彼此相同，但灵敏度的变化存在于图像高度±20％或更多的范围中。具体地讲，红色的灵敏度的降低程度在靠近外周边缘的部分较高。
另一方面，在本实施例的布局中，RGB相应颜色的灵敏度在从微透镜的中心(图像高度为0％)到约±50％的范围内彼此相同。具体地讲，抑制红色的灵敏度的降低的效果与现有技术相比更大，因为对应于红色的受光区域具有大的大小。由于该特征，可在微透镜的宽的范围中抑制颜色遮蔽，并可创建正确的图像。
尽管在上述各个实施例中沿垂直和水平方向在像素部分中布置2×2个受光区域，但本发明不限于此，而可应用包括沿垂直和水平方向布置的例如2×4个受光区域的另一个布置配置。
此外，尽管在所有的实施例中，受光区域的开口形状是四边形，但仅通过改变元件隔离器的形成中所使用的掩模，也允许使用适合于能量分布的其它多边形形状、圆形或椭圆形。
3、电子设备
图10是示出了成像装置的配置例子作为根据本发明的实施例的电子设备的一个例子。如图10所示，该成像装置90具有光学系统，所述光学系统包括透镜组91、固态成像装置92、作为相机信号处理电路的DSP电路93、帧存储器94、显示装置95、记录装置96、操作系统97、电源系统98等。在这些单元中，经由总线99将DSP电路93、帧存储器94、显示装置95、记录装置96、操作系统97和电源系统98彼此相连接。
透镜组91捕获来自对象的入射光(图像光)并在固态成像装置92的成像平面上形成图像。固态成像装置92逐像素地将通过透镜组91在成像平面上形成图像的入射光的量变换为电信号，并输出电信号作为像素信号。作为该固态成像装置92，使用上述实施例的固态成像装置。
显示装置95由诸如液晶显示装置或有机电致发光(EL)显示装置形成，并显示通过由固态成像装置92成像而获得的运动图像或静止图像。记录装置96在诸如非易失性存储器、视频磁带或数字多功能盘(DVD)的记录介质中记录通过由固态成像装置92成像而获得的运动图像或静止图像。
操作系统97在用户的操作下发出与该成像装置的各种功能相关的操作命令。电源系统98适时地将用作DSP电路93、帧存储器94、显示装置95、记录装置96、操作系统97的操作电力的各种电力供应至这些供应目标。
该成像装置90被应用于视频可携式摄像机、数字静态相机和诸如便携电话的移动设备的相机模块。使用根据上述实施例的固态成像装置作为该固态成像装置92可提供在颜色平衡方面优秀的成像装置。
本申请包含与于2008年11月25日提交到日本专利局的日本在先专利申请JP 2008-298952中公开的主题相关的主题，该日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本领域技术人员应该明白，可以根据设计要求和其它因素想到各种变型、组合、子组合和替换，只要它们在本发明的范围内即可。
Claims (10)
1.一种固态成像装置，包括：
像素部分，被配置为包括对应于不同波长的多个受光区域；以及
元件隔离器，被配置将多个受光区域彼此分离，使得其中像素部分中的每个受光区域的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
元件隔离器将多个受光区域彼此分开，使得在多个受光区域中，对应于较长波长的受光区域大于对应于较短波长的受光区域。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
作为像素部分中的多个受光区域，在沿垂直和水平方向布置的2×2个受光区域中，对应于红色的受光区域和对应于蓝色的受光区域被放置在一条对角线上，而对应于第一绿色的受光区域和对应于第二绿色的受光区域被放置在另一条对角线上，并且
元件隔离器被设置为使得对应于红色的受光区域大于对应于第一绿色的受光区域。
4.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中
元件隔离器被设置为使得对应于蓝色的受光区域小于对应于第一绿色的受光区域。
5.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中
元件隔离器被设置为使得对应于红色的受光区域和对应于蓝色的受光区域的每一个是正方形。
6.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中
元件隔离器被设置为使得对应于第一绿色的受光区域和对应于第二绿色的受光区域的每一个是矩形。
7.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
在基片的靠近像素部分的一个表面上设置对应于不同波长的颜色滤波器，并且在另一个表面上设置用于通过由受光区域进行的光电转换而获得的信号的互连。
8.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
在基片的靠近像素部分的一个表面上设置用于通过由受光区域进行的光电转换而获得的信号的互连和对应于不同波长的颜色滤波器。
9.一种电子设备，包括：
固态成像装置，被配置为具有放置了对应于不同波长的多个受光区域的像素部分，以及将多个受光区域彼此分开、使得其中像素部分中的每个受光区域的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布的元件隔离器；以及
图像处理器，被配置作为图像处理通过固态成像装置中的受光区域的光接收产生的信号。
10.一种固态成像装置，包括：
像素部件，包括对应于不同波长的多个受光区域；以及
元件隔离部件，用于将多个受光区域彼此分开，使得其中像素部件中的每个受光区域的大小适合于用由受光区域处理的波长进行的光照射的能量分布。
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