CN101734917B - 氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法 - Google Patents
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- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 204
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 203
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 172
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 168
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 146
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 claims description 72
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 72
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 71
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003864 HfC Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005056 compaction Methods 0.000 claims description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000126 latex Polymers 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910007946 ZrB Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 64
- 239000000047 product Substances 0.000 description 47
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 238000005049 combustion synthesis Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 2
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 101710158075 Bucky ball Proteins 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910001208 Crucible steel Inorganic materials 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019504 cigarettes Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002224 dissection Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有氮化硼基陶瓷材料制备中存在的成本高、生产周期长以及制作大尺寸的产品困难的问题。本发明氮化硼基陶瓷复合材料由碳化硼粉、硅粉和稀释剂粉制成。方法：一、原料干燥；二、球磨混合；三、制作毛坯；四、毛坯自蔓延燃烧，即得到氮化硼基陶瓷复合材料。本发明的方法生产周期短，成本低，能够实现大尺寸产品的制作。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
氮化硼(BN)制品具有耐高温、耐腐蚀、电绝缘性能，以及优良的抗热震性和可加工性能，因而在工业中得到大量的应用。利用BN对玻璃、金属熔体的不润湿和耐侵性，在特殊冶炼中作熔炼多种有色金属、贵金属和稀有金属的坩埚、器皿、通道、输送泵等部件；作熔制硼单晶的器皿；在制造薄膜电容和卷烟包装纸时，用BN作为熔融铝蒸发盛器可以收到高质高产的效果；BN制品还可用作铸钢和浇注玻璃的模具。可以用作等离子焊接工具的高温绝缘部件、多种加热器的衬套、火箭燃烧室的衬里、宇宙飞船的热屏蔽材料、高温热电偶的保护套管等。
BN制品可以容易地进行机械加工，而且加工精度很高，因此大大扩大了它的应用范围和提高了使用价值，例如，高频行波管收集极上的散热管，新型电焊机用的环状高温绝缘剖分式保护罩零件，不但形状复杂，而且尺寸精度要求高，一般氧化物陶瓷既难于成形制造且缺少理想的抗热震性能，而用BN陶瓷制品就可容易地使二者均得到满足。因此BN陶瓷材料具有良好的市场前景。
氮化硼基导电陶瓷是蒸发舟的优良备选材料。导电蒸发舟是真空镀膜工业的关键消耗材料。进口蒸发舟的使用寿命约12小时，蒸发舟作为一次性易耗品，年需求量为数百万万支，具有广阔的市场前景。在金属蒸镀行业中，第一代蒸发舟材料是石墨，但它易被液铝腐蚀，寿命非常短。后来在石墨表面涂覆象TiC、HfC、TaC等的保护涂层后，石墨舟的寿命也仅有几小时。目前工业上主要应用BN-TiB2第二代蒸发舟材料，结合BN对铝液的耐蚀性和TiB2的优良导电性能，具有良好的使用性能。
目前氮化硼基陶瓷材料传统的制备工艺主要有：常压烧结、热压烧结、热等静压烧结方法、以及微波烧结与等离子烧结常压烧结需要长时间的高温高热，耗能很大，成本高；热压烧结所得制品形状简单，一般需要几小时，生产周期长，成本较高；而热等静压烧结性能好，但是制作成本较高；微波烧结与等离子烧结设备较复杂，难于制造大尺寸产品。
发明内容
本发明为了解决现有氮化硼基陶瓷材料制备中存在的成本高、生产周期长以及制作大尺寸的产品困难的问题，而提供了氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法。
氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由20％～80％的碳化硼粉、5％～70％的硅粉和0％～70％的稀释剂粉末制成。
氮化硼基陶瓷复合材料按照以下步骤制成：一、原料干燥：按照重量百分比分别称取20％～80％的碳化硼粉、5％～70％的硅粉和0％～70％的释剂粉末，然后再将称取的原料分别置于80～150℃的真空条件下，干燥8～12h；二、将干燥后原料放入球磨机中进行球磨混合，球磨转速为100～200r/min，球磨时间为12～24h，球料质量比为3∶1；三、将球磨后的混合物装入橡胶袋或乳胶袋中，冷等静压成型得到毛坯，压力为10～30MPa，毛坯的孔隙率35％～45％；四、将毛坯放入通有循环水的密闭压力容器中，然后充入氮气使密闭压力容器中的压强达到30～300MPa，点火，原料自蔓延燃烧，即制备得到氮化硼基陶瓷复合材料。
本发明氮化硼基陶瓷复合材料制备的反应原理为：本发明的制备方法采用燃烧合成法，燃烧合成，即自蔓延高温合成(英文简称SHS)，是一种新型的无机难熔材料的制备工艺。它利用原料合成反应时放出的大量反应热，使反应自维持下去直至反应结束，从而获得所需产物的一种方法。
燃烧合成氮化硼基陶瓷复合材料所利用的化学反应为：
B4C+Si+2N2＝4BN+SiC (1)
原料中硅粉适当过量，可生成氮化硅陶瓷成分，其与产物碳化硅结合在一起，可提高产物的性能。在反应条件合适的情况下，产物氮化硅可形成晶须，大幅提高材料的性能。
3Si+2N2＝Si3N4 (2)
原料中B4C适当过量，可生成BN-C成分，作为那耐高温材料具有重要的应用。
B4C+2N2＝4BN+C (3)
上述燃烧合成反应是在高压氮气下进行的。气氛压力的升高，有利于反应得充分进行，抑制氮化铝和氮化硼在高温下的分解。压强值可取：30～200MPa。更高的压力也可以，但效果提高不显著，且浪费氮气和能源，增加生产的危险性。
可在上述反应的原料中加入稀释剂。稀释剂为具有一定化学惰性的物质粉末，在燃烧合成反应中不发生化学反应，可实现降低反应温度、提高工艺的可控性、提高产物材料性能等功效。本发明所述的稀释剂可为陶瓷类稀释剂和/或金属类稀释剂；其中陶瓷类稀释剂由BN、AlN、SiC、SiC晶须、HfC、C、ZrC、TiC、B4C、Si3N4、MoSi2、Al2O3、ZrO2、CaO、MgO、SiO2、Y2O3、钛酸铝、莫莱石、TiO2中的一种或其中的几种组成，金属类稀释剂由Ni、W、Cr、Co、Fe、Cu、V、Pd、Ir、Rh、Re、Os、Ru、Hf、Ta中的一种或其中的几种组成。其中C可为无定形碳、石墨、金刚石、碳纤维、碳纳米管、巴基球等各种碳的形态。
本发明的氮化硼基陶瓷复合材料的优点如下：
1、本发明制备方法的反应过程只需几分钟即可完成，极大地提高了生产效率，缩短了生产周期，本发明的制备方法生产周期短；
2、本发明以价格低廉的碳化硼(B4C)为原料，以燃烧反应B4C+Si+2N2＝4BN+SiC为基础，燃烧合成氮化硼基复合陶瓷，且本发明需要很小的能量点火即可，可节约大量的能源，极大并降低产品的成本，本发明的制备方法与现有氮化硼基陶瓷材料制备方法相比较成本降低了30％～50％；
3、本发明的制备方法能够制作大尺寸的产品(直径为40～200mm、长度为50～1000mm)；本发明方法利用原料自身强化学反应放热，不需要复杂的高温加热装置，合成反应时间短，对冷却装置的要求较低，设备构造简单，大尺寸设备的制造、加工相对容易，且本发明方法采用的是燃烧合成法，结合无包封的热等静压方法，不需要复杂的包封技术，同时产品受力均匀，实现了大尺寸、复杂形状陶瓷的制备。
4、本发明的氮化硼基陶瓷复合材料性能优异。本发明方法的反应过程中温度很高，可达到2000～3000℃，同时实施高压的热等静压，无需添加低熔点的烧结助剂，本发明的氮化硼基陶瓷复合材料为纯陶瓷产品，无低熔点晶界相，高温性能突出，本发明的氮化硼基陶瓷复合材料的使用温度可达2500℃以上；本发明的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环数百次，产品无损坏；产品具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本发明的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温条件下的抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意组合。
具体实施方式一：本实施方式氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由20％～80％的碳化硼粉、5％～70％的硅粉和0％～70％的稀释剂粉末制成。
本实施方式中的碳化硼粉、硅粉均是在市场上购买得到的。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环数百次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式二：本实施方式氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由30％～70％的碳化硼粉、20％～60％的硅粉和0％～60％稀释剂粉末制成。其它与具体实施方式一相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式三：本实施方式氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由30％～60％的碳化硼粉、20％～50％的硅粉和20％～50％的稀释剂粉末制成。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式四：本实施方式氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由50％的碳化硼粉、25％的硅粉和25％的稀释剂粉制成。其它与具体实施方式一相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达71～145MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～90MPa。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四不同的是稀释剂粉为陶瓷类稀释剂粉和/或金属类稀释剂粉制成。其它与具体实施方式一至四相同。
本实施方式中稀释剂粉为混合物时，各种稀释剂粉间可按任意比混合。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式五不同的是陶瓷类稀释剂粉是由BN、AlN、SiC、HfC、C、ZrC、ZrB2、TiC、TiN、Si3N4、MoSi2、Al2O3、ZrO2、CaO、MgO、SiO2、Y2O3、钛酸铝、莫莱石和TiO2中的一种或其中的几种组成。其它与具体实施方式五相同。
本实施方式中陶瓷类稀释剂粉为混合物时，各种陶瓷类稀释剂粉间可按任意比混合。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式五不同的是金属类稀释剂粉是由Ni、W、Cr、Co、Fe、Cu、V、Pd、Ir、Rh、Re、Os、Ru、Hf和Ta中的一种或其中的几种组成。其它与具体实施方式五相同。
本实施方式中金属类稀释剂粉为混合物时，各种金属类稀释剂粉间可按任意比混合。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七不同的是氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由66％的碳化硼粉、34％的硅粉制成。其它与具体实施方式一至七相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环600次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～100MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～80MPa。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至七不同的是氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由63％的碳化硼粉、32％的硅粉和5％的氮化硼制成。其它与具体实施方式一至七相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达80～120MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至七不同的是氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由53％的碳化硼粉、17％的硅粉和20％的氮化硼制成。其它与具体实施方式一至七相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环330次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～115MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～70MPa。
具体实施方式十一：本实施方式与具体实施方式一至七不同的是氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由46％的碳化硼粉、24％的硅粉和30％的碳化硅制成。其它与具体实施方式一至七相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环430次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达80～160MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～90MPa。
具体实施方式十二：本实施方式与具体实施方式一至七不同的是氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的二硼化钛制成。其它与具体实施方式一至七相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环393次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达76～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达60～90MPa。产品具有良好的导电性，可电加工，可用作导电陶瓷材料。
具体实施方式十三：本实施方式与具体实施方式一至七不同的是氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由53％的碳化硼粉、17％的硅粉和20％的氧化硅制成。其它与具体实施方式一至七相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料产物主要成份为：BN、SiO2、SiC、C，可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环500次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～100MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～70MPa。
具体实施方式十四：本实施方式氮化硼基陶瓷复合材料按照以下步骤制成：一、原料干燥：按照重量百分比分别称取20％～80％的碳化硼粉、5％～70％的硅粉和0％～70％的释剂粉末，然后再将称取的原料分别置于80～150℃的真空条件下，干燥8～12h；二、将干燥后原料放入球磨机中进行球磨混合，球磨转速为100～200r/min，球磨时间为12～24h，球料质量比为3∶1；三、将球磨后的混合物装入橡胶袋或乳胶袋中，冷等静压成型得到毛坯，压力为10～30MPa，毛坯的孔隙率35％～45％；四、将毛坯放入通有循环水的密闭压力容器中，然后充入氮气使密闭压力容器中的压强达到30～300MPa，点火，原料自蔓延燃烧，即制备得到氮化硼基陶瓷复合材料。
本实施方式步骤一中的碳化硼粉、硅粉均是在市场上购买得到的。
本实施方式步骤一的真空干燥中真空度小于102Pa。
本实施方式步骤三中所得到的毛坯直径为40～200mm、长度为50～1000mm。
本实施方式步骤四中的点火可采用Ni-Cr电阻丝，点火剂有很多种，简单的可采用粒度小于300目纯Ti粉与碳黑的混合物，其中Ti粉与碳黑可按任意比混合。
本实施方式步骤四中的自蔓延燃烧记载于1999年郑仕远《山东陶瓷》上发表的一篇名为《自蔓延燃烧法材料合成技术》的文章中。
本实施方式能够制作大尺寸(直径为40～200mm、长度为50～1000mm)的氮化硼基陶瓷复合材料。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环数百次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式十五：本实施方式与具体实施方式十四不同的是步骤一中按照重量百分比称取30％～70％的碳化硼粉、20％～60％的硅粉和0％～60％的稀释剂粉末。其它步骤及参数与具体实施方式十四相同。
具体实施方式十六：本实施方式与具体实施方式十四不同的是步骤一中按照重量百分比称取30％～60％的碳化硼粉、20％～50％的硅粉和20％～50％的稀释剂粉末。其它步骤及参数与具体实施方式十四相同。
具体实施方式十七：本实施方式与具体实施方式十四不同的是步骤一中按照重量百分比称取54％的碳化硼粉、26％的硅粉和20％的氮化硼粉。其它步骤及参数与具体实施方式十四相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环600次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达50～100MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～80MPa。
具体实施方式十八：本实施方式与具体实施方式十四至十七不同的是步骤一中的稀释剂粉为陶瓷类稀释剂粉和/或金属类稀释剂粉。其它步骤及参数与具体实施方式十四至十七相同。
本实施方式中稀释剂粉为混合物时，各种稀释剂粉间可按任意比混合。
具体实施方式十九：本实施方式与具体实施方式十八不同的是陶瓷类稀释剂粉是BN、AlN、SiC、HfC、C、ZrC、ZrB2、TiC、TiN、Si3N4、MoSi2、Al2O3、ZrO2、CaO、MgO、SiO2、Y2O3、钛酸铝、莫莱石和TiO2中的一种或其中的几种组成。其它与步骤及参数具体实施方式十八相同。
本实施方式中陶瓷类稀释剂粉为混合物时，各种陶瓷类稀释剂粉间可按任意比混合。
具体实施方式二十：本实施方式与具体实施方式十八不同的是金属类稀释剂粉是由Ni、W、Cr、Co、Fe、Cu、V、Pd、Ir、Rh、Re、Os、Ru、Hf和Ta中的一种或其中的几种组成。其它与步骤及参数具体实施方式十八相同。
本实施方式中金属类稀释剂粉为混合物时，各种金属类稀释剂粉间可按任意比混合。
具体实施方式二十一：本实施方式与具体实施方式十四不同的是氮化硼基陶瓷复合材料按照以下步骤制成：一、原料干燥：按照重量百分比分别称取20％～80％的碳化硼粉、5％～70％的硅粉和0％～70％的释剂粉末，然后再将称取的原料分别置于100℃的真空条件下，干燥10h；二、将干燥后原料放入球磨机中进行球磨混合，球磨转速为150r/min，球磨时间为20h，球料质量比为3∶1；三、将球磨后的混合物装入橡胶袋或乳胶袋中，冷等静压成型得到毛坯，压力为25MPa，毛坯的孔隙率40％；四、将毛坯放入通有循环水的密闭压力容器中，然后充入氮气使密闭压力容器中的压强达到100MPa，点火，原料自蔓延燃烧，即制备得到氮化硼基陶瓷复合材料。
本实施方式步骤一中的碳化硼粉、硅粉均是在市场上购买得到的。
本实施方式步骤一的真空干燥中真空度小于102Pa。
本实施方式步骤四中的点火可采用Ni-Cr电阻丝，点火剂有很多种，简单的可采用粒度小于300目纯Ti粉与碳黑的混合物，其中Ti粉与碳黑可按任意比混合。
本实施方式步骤四中的自蔓延燃烧记载于1999年郑仕远《山东陶瓷》上发表的一篇名为《自蔓延燃烧法材料合成技术》的文章中。
本实施方式能够制作大尺寸(直径为40～200mm、长度为50～1000mm)的氮化硼基陶瓷复合材料。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环数百次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式二十二：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取66％的碳化硼粉、34％的硅粉。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达70～100MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～80MPa。
具体实施方式二十三：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取63％的碳化硼粉、32％的硅粉和5％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达80～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达60～90MPa。
具体实施方式二十四：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取59％的碳化硼粉、31％的硅粉和10％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环600次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达70～130MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达60～80MPa。
具体实施方式二十五：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取53％的碳化硼粉、17％的硅粉和20％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环500次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达70～120MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达60～80MPa。
具体实施方式二十六：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取46％的碳化硼粉、24％的硅粉和30％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达70～110MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～80MPa。
具体实施方式二十七：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～100MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～70MPa。
具体实施方式二十八：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取33％的碳化硼粉、17％的硅粉和50％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环500次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～90MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～70MPa。
具体实施方式二十九：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取26％的碳化硼粉、14％的硅粉和60％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环500次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～90MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～70MPa。
具体实施方式三十：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取75％的碳化硼粉、25％的硅粉和30％的氮化硼。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环600次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达70～110MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达50～80MPa。
具体实施方式三十一：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取75％的碳化硼粉、25％的硅粉。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式三十二：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取50％的碳化硼粉、50％的硅粉。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环500次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达80～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达60～90MPa。
具体实施方式三十三：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取20～80％的碳化硼粉、5～70％的硅粉和5％～60％的稀释剂粉。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环300次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～90MPa。
具体实施方式三十四：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的氮化铝。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～140MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～80MPa。
具体实施方式三十五：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取46％的碳化硼粉、24％的硅粉和40％的碳化硅。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～130MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～80MPa。
具体实施方式三十六：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取53％的碳化硼粉、17％的硅粉和20％的氧化硅。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～120MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达70～90MPa。
具体实施方式三十七：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的二硼化钛。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达60～150MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达60～90MPa。
具体实施方式三十八：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取33％的碳化硼粉、17％的硅粉和50％的二硼化钛。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达80～130MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达40～80MPa。
具体实施方式三十九：本实施方式与具体实施方式二十一不同的是步骤一中按照重量百分比称取26％的碳化硼粉、14％的硅粉和60％的二硼化钛。其它与步骤及参数具体实施方式二十一相同。
本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环400次，产品无损坏；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式制作得到的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达90～130MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达60～80MPa。
具体实施方式四十：本实施方式氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比由63％的碳化硼粉、32％的硅粉和5％的SiC晶须制成。其它与具体实施方式一相同。
本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料可耐2500℃以上的高温；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有极其优良的抗热震性，室温-1000℃冷热循环500次，产品无损坏；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料具有优良可加工性能，采用不同机床均可以进行加工；本实施方式的氮化硼基陶瓷复合材料的抗弯强度可达100～160MPa，2000℃高温的条件下抗弯强度可达70～90MPa。
Claims (8)
1.氮化硼基陶瓷复合材料，其特征在于氮化硼基陶瓷复合材料按照重量百分比是由50％的碳化硼粉、25％的硅粉和25％的稀释剂粉制成，或者按照重量百分比是由46％的碳化硼粉、24％的硅粉和30％的碳化硅制成，或者按照重量百分比是由40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的二硼化钛制成，或者按照重量百分比是由54％的碳化硼粉、26％的硅粉和20％的氮化硼粉制成，或者按照重量百分比是由66％的碳化硼粉、34％的硅粉制成，或者按照重量百分比是由59％的碳化硼粉、31％的硅粉和10％的氮化硼制成，或者按照重量百分比是由46％的碳化硼粉、24％的硅粉和30％的氮化硼制成，或者按照重量百分比是由40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的氮化硼制成，或者按照重量百分比是由33％的碳化硼粉、17％的硅粉和50％的氮化硼制成，或者按照重量百分比是由26％的碳化硼粉、14％的硅粉和60％的氮化硼制成，或者按照重量百分比是由75％的碳化硼粉、25％的硅粉，或者按照重量百分比是由50％的碳化硼粉、50％的硅粉制成，或者按照重量百分比是由40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的氮化铝制成，或者按照重量百分比是由40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的二硼化钛制成，或者按照重量百分比是由33％的碳化硼粉、17％的硅粉和50％的二硼化钛制成，或者按照重量百分比是由26％的碳化硼粉、14％的硅粉和60％的二硼化钛制成。
2.根据权利要求1所述的氮化硼基陶瓷复合材料，其特征在于稀释剂粉为陶瓷类稀释剂粉和/或金属类稀释剂粉。
3.根据权利要求2所述的氮化硼基陶瓷复合材料，其特征在于陶瓷类稀释剂粉是由BN、AlN、SiC、HfC、ZrC、ZrB2、TiC、TiN、Si3N4、MoSi2、Al2O3、ZrO2、CaO、MgO、SiO2、Y2O3、钛酸铝、莫莱石和TiO2中的一种或其中的几种组成。
4.根据权利要求2所述的氮化硼基陶瓷复合材料，其特征在于金属类稀释剂粉是由Ni、W、Cr、Co、Fe、Cu、V、Pd、Ir、Rh、Re、Os、Ru、Hf和Ta中的一种或其中的几种组成。
5.氮化硼基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于氮化硼基陶瓷复合材料按照以下步骤制成：一、原料干燥：按照重量百分比分别称取50％的碳化硼粉、25％的硅粉和25％的稀释剂粉，或者按照重量百分比分别称取46％的碳化硼粉、24％的硅粉和30％的碳化硅，或者按照重量百分比分别称取40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的二硼化钛，或者按照重量百分比分别称取54％的碳化硼粉、26％的硅粉和20％的氮化硼粉，或者按照重量百分比分别称取66％的碳化硼粉、34％的硅粉，或者按照重量百分比分别称取59％的碳化硼粉、31％的硅粉和10％的氮化硼，或者按照重量百分比分别称取46％的碳化硼粉、24％的硅粉和30％的氮化硼，或者按照重量百分比分别称取40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的氮化硼，或者按照重量百分比分别称取33％的碳化硼粉、17％的硅粉和50％的氮化硼，或者 按照重量百分比分别称取26％的碳化硼粉、14％的硅粉和60％的氮化硼，或者按照重量百分比分别称取75％的碳化硼粉、25％的硅粉，或者按照重量百分比分别称取50％的碳化硼粉、50％的硅粉，或者按照重量百分比分别称取40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的氮化铝，或者按照重量百分比分别称取40％的碳化硼粉、20％的硅粉和40％的二硼化钛，或者按照重量百分比分别称取33％的碳化硼粉、17％的硅粉和50％的二硼化钛，或者按照重量百分比分别称取26％的碳化硼粉、14％的硅粉和60％的二硼化钛，然后再将称取的原料分别置于80～150℃的真空条件下，干燥8～12h；二、将干燥后原料放入球磨机中进行球磨混合，球磨转速为100～200r/min，球磨时间为12～24h，球料质量比为3∶1；三、将球磨后的混合物装入橡胶袋或乳胶袋中，冷等静压成型得到毛坯，压力为10～30MPa，毛坯的孔隙率35％～45％；四、将毛坯放入通有循环水的密闭压力容器中，然后充入氮气使密闭压力容器中的压强达到30～300MPa，点火，原料自蔓延燃烧，即制备得到氮化硼基陶瓷复合材料。
6.根据权利要求5所述的氮化硼基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于稀释剂粉为陶瓷类稀释剂粉和/或金属类稀释剂粉。
7.根据权利要求6所述的氮化硼基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于陶瓷类稀释剂粉是由BN、AlN、SiC、HfC、ZrC、ZrB2、TiC、TiN、Si3N4、MoSi2、Al2O3、ZrO2、CaO、MgO、SiO2、Y2O3、钛酸铝、莫莱石和TiO2中的一种或其中的几种组成。
8.根据权利要求6所述的氮化硼基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于金属类稀释剂粉是由Ni、W、Cr、Co、Fe、Cu、V、Pd、Ir、Rh、Re、Os、Ru、Hf和Ta中的一种或其中的几种组成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910073415 CN101734917B (zh) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910073415 CN101734917B (zh) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101734917A CN101734917A (zh) | 2010-06-16 |
| CN101734917B true CN101734917B (zh) | 2013-04-03 |
Family
ID=42459016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200910073415 Expired - Fee Related CN101734917B (zh) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101734917B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102050633B (zh) * | 2010-11-14 | 2013-02-13 | 河南工业大学 | 一种表面镀镍Si3N4晶须增韧聚晶立方氮化硼复合片及其制备方法 |
| CN101974718B (zh) * | 2010-11-26 | 2011-12-28 | 吉林大学 | 一种表面具有多尺度耦合结构的复合材料及其制备方法 |
| CN102992769B (zh) * | 2012-12-13 | 2014-05-28 | 山东理工大学 | 一种h-BN/TaC可加工陶瓷的制备方法 |
| CN103757629A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-04-30 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 一种碳化硼防弹涂层的制造方法 |
| CN103803985B (zh) * | 2013-12-20 | 2017-08-22 | 河南工业大学 | 纳米结构立方氮化硼—金刚石聚晶的制备方法 |
| CN104211062B (zh) * | 2014-09-05 | 2016-05-04 | 哈尔滨工业大学 | 一种非氧化物共晶陶瓷非晶粉末反应喷涂制备方法 |
| CN110372386B (zh) * | 2019-08-14 | 2022-05-06 | 山东理工大学 | 一种低温液相热压烧结制备致密碳化钽陶瓷的方法 |
| CN115448729A (zh) * | 2022-10-12 | 2022-12-09 | 郑州大学 | 一种BN-ZrO2-SiC复相陶瓷的微波烧结方法 |
| CN116854493B (zh) * | 2023-09-04 | 2023-11-03 | 天津华翔精航新材料技术有限公司 | 一种rh真空炉内衬耐火材料及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1124713A (zh) * | 1994-06-30 | 1996-06-19 | 日本钢管株式会社 | 含有一氮化硼的材料及其制造方法 |
| CN101050115A (zh) * | 2007-03-09 | 2007-10-10 | 西南科技大学 | 含立方氮化硅粉体的陶瓷及其制备方法 |
| CN101595075A (zh) * | 2007-01-30 | 2009-12-02 | 住友电工硬质合金株式会社 | 复合烧结体 |
-
2009
- 2009-12-14 CN CN 200910073415 patent/CN101734917B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1124713A (zh) * | 1994-06-30 | 1996-06-19 | 日本钢管株式会社 | 含有一氮化硼的材料及其制造方法 |
| CN101595075A (zh) * | 2007-01-30 | 2009-12-02 | 住友电工硬质合金株式会社 | 复合烧结体 |
| CN101050115A (zh) * | 2007-03-09 | 2007-10-10 | 西南科技大学 | 含立方氮化硅粉体的陶瓷及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开平9-12371A 1997.01.14 |
| Li Hong－bo et al..Combustion Synthesis of h-BN—SiC Ceramic Composites.《CHINESE JOURNAL OF AERONAUTICS》.2006,第19卷 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101734917A (zh) | 2010-06-16 |
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|
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