CN101734613B - 基于soi晶圆的mems结构制作及划片方法 - Google Patents
基于soi晶圆的mems结构制作及划片方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101734613B CN101734613B CN2009102192857A CN200910219285A CN101734613B CN 101734613 B CN101734613 B CN 101734613B CN 2009102192857 A CN2009102192857 A CN 2009102192857A CN 200910219285 A CN200910219285 A CN 200910219285A CN 101734613 B CN101734613 B CN 101734613B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mems
- mask
- layer
- silicon dioxide
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，属于微机电系统微细加工和晶圆划片领域。该方法的关键在于利用ICP刻蚀的高深宽比效应，采用一张MEMS结构掩膜版与一张与其对应的掩膜版，对SOI晶圆的正反两面进行常规的MEMS加工工艺，包括涂胶、光刻、刻蚀、释放等，实现MEMS结构制作与晶圆划片同步完成。本发明的优点：(1)无机械振动，无应力损伤，无发热，无切屑产生，无污染，成品率高；(2)不需要昂贵的划片设备，在现有MEMS工艺设备基础上即可完成，成本低；(3)MEMS结构的制作过程与划片过程同步完成，效率高。(4)无需添加临时性或永久性保护层，不影响器件与外界信息的交互，释放是与划片同时完成的，中间工艺不致对MEMS可动结构造成破坏。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片同步完成的方法，属于微机电系统微细加工和晶圆划片领域。
背景技术
IC工业的发展，极大的推动了划片技术的进步。现在普遍采用的划片方法是基于金刚石刀片的砂轮磨削，该方法以其高效率、工艺简单可控等优点而成为晶圆切割的主流。随着微机电系统这一新兴学科的发展及产业化进程的逐步加快，旋转砂轮式划片技术逐渐凸显出严重缺陷：砂轮磨削会产生机械振动，砂轮与硅片间的压力和扭力会造成晶圆内应力，高压的清洗液和冷却水往往将MEMS结构冲坏，磨削产生的碎屑对结构表面和内部造成极大地污染，这些对MEMS器件都是致命的危害。
近年来，随着MEMS研究的不断深入，国内外研究人员及很多公司报道了多种划片方法。日本YoshioAwatani等人在2002年提出了一种glass capping方法(Damage Free Dicing Method for MEMS Devices，International Conference on OpticalMEMS，Conferen Digestpp.137-138，2002)，把带有腔体的玻璃片与MEMS晶圆键合，这样玻璃帽就将结构罩住，对芯片形成永久保护，然后进行砂轮划片，这样可实现圆片级封装；2004年，台湾S.H.Tseng等人提到了使用厚光刻胶对MEMS结构进行保护的划片方法(Solution for ReleasedCMOS-MEMSMulti-Project Wafer，DTIP，pp.55-59，1vol，2004)waterlily10，当完成划片之后，用化学试剂将光刻胶去除，然后干燥，得到良好的MEMS器件。上述报道均是在工艺过程中添加保护层然后采用传统砂轮划片的方法，永久保护层不利于MEMS器件与外界信号的交互，特别是对于要求敏感的光学器件，并且添加或去除保护层都需要额外的制造步骤和工艺，易导致成品率低，增加了成本。MEMS晶圆划片的特殊性对传统的划片工艺提出了挑战，研究人员逐渐考虑用激光技术划片。常规激光划片是利用高能激光束照射在晶圆表面，使被照射区域烧熔，再辅以手动方式达到裂片目的。缺点是热影响区域大，污染严重，热变形严重。法国Synova S.A.公司的B.Richerzhagen博士发明了一种微水导激光划片方法(Dicing of wafers bypatented water-jet-guided laser：the total damage-free cut，Proceedings of the Laser Materials ProcessingConference，pp.197-200，2005)，将激光束聚焦到一个喷嘴上，喷嘴处有微细的水柱(25～150μm)流到晶圆的划线区域，水柱相当于一个光纤，激光在水柱中发生全反射，这样水柱一方面将激光束限制在水流中间，另一方面激光对晶圆产生的热量能够得到水流的及时冷却，热熔的残渣同时被水流带走。这种方法不烧伤器件、无应力，但仍然有水流和碎屑的存在，并且使用该技术须使用不会被激光切穿、透水的“激光胶带”用于贴片，这种胶带成本高昂，加之设备的昂贵，大大制约了其使用。日本HAMAMATSU公司FumitsuguFukuyo等人提出一种新的干式激光划片方法(Laser Processing Method and Laser Processing LaserApparatus，PatentNo：US6992026，2006)，称为Stealth Dicing(SD)，利用聚焦装置将激光束能量点聚到晶圆内部，当聚焦在材料内部的激光强度迅速增强，材料就由结构紧凑、结合紧密的整体改变为结合松散、易于分裂的组织，然后通过扩张贴膜片，利用膜的张力分开芯片，完成划片过程。SD方法无发热、无应力损伤、无切屑，实现了完全干式切割，但划片设备昂贵，还未能规模化应用。
MEMS器件加工材料和加工工艺的多样化发展，为MEMS晶圆的划片方法提供了进一步发展的空间，使得MEMS晶圆划片在现有MEMS工艺条件的基础上能够更好的实现。当前SOI晶圆已经在MEMS工艺中广泛使用，SOI晶圆结合深刻蚀工艺是高效率制作MEMS器件的极为重要的方法。参阅图1，SOI晶圆分为三层：顶层，中间二氧化硅层，基底层。一般SOI晶圆的整体厚度在400μm左右，使用STS公司的ICP刻蚀设备，已经能够完成宽度12～18μm，深度500μm左右的深槽刻蚀(Anisotropic Silicon Trenches 300-500μmDeep Employing Time Multiplexed Deep Etching，Sensors and Actuators A，val.91，pp.381-385，2001)，利用这种ICP刻蚀的高深宽比效应，可以实现MEMS晶圆的划片。
发明内容
为了克服现有MEMS晶圆划片中存在的工艺风险大、设备昂贵、成品率低等不足，本发明提出一种基于SOI工艺的结构制作与划片同步完成的方法，能够不依赖于专门划片设备，在现有MEMS结构制作设备和工艺条件的基础上实现晶圆的的划片。
本发明解决其技术问题，所采用的技术方案如下：
本发明提出的基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，具体操作步骤为：
步骤一：参阅图1(a)，对SOI晶圆100进行清洗和预烘处理；
步骤二：参阅图1(b)，在基底层3表面淀积一定厚度的深刻蚀掩蔽层4，深刻蚀掩蔽层4是金属层或者二氧化硅层；
步骤三：在顶层1表面淀积一定厚度的第一光刻胶层9，在深刻蚀掩蔽层4表面淀积一定厚度的第二光刻胶层5，并热烘，参阅图1(c)；
步骤四：使用下掩膜版150和上掩膜版152，对经过步骤三处理的晶圆进行双面光刻，下掩膜版150和上掩膜版152的芯片单元尺寸相同、芯片排布相同且阴阳相同，参阅图2；下掩膜版150上有下芯片单元14和下对准标记7，上掩膜版152上有上芯片单元16和上对准标记8，下芯片单元14是矩形块，上芯片单元16是要制作的结构图案；曝光的时候，第二光刻胶层5使用下掩膜版150，第一光刻胶层9使用上掩膜版152，并且下对准标记7与上对准标记8对准；经过光刻，第一光刻胶层9形成MEMS结构的图案120，以及上划片区112，参阅图1(d)；
步骤五：以第二光刻胶层5为掩膜，对深刻蚀掩蔽层4进行刻蚀形成下划片区110，参阅图1(e)；
步骤六：去除第二光刻胶层5，并以深刻蚀掩蔽层4为掩膜，用感应耦合离子刻蚀方法刻蚀基底层3，直至刻蚀到中间二氧化硅层2停止，由于感应耦合离子对硅与二氧化硅有很高的选择刻蚀比，因此当刻蚀到中间二氧化硅层2时，刻蚀自发停止；该步骤通过刻蚀形成下划片槽130，参阅图1(f)；
步骤七：去除深刻蚀掩蔽层4，参阅图1(g)；
步骤八：在基底层3粘帖蓝膜6，参阅图1(h)；
步骤九：以第一光刻胶层9形成的图案120为掩膜，对顶层1进行感应耦合离子刻蚀，到达中间二氧化硅层2刻蚀停止，形成上划片槽132、结构槽134以及未释放的MEMS结构122，参阅图1(i)；
步骤十：去除第一光刻胶层9，得到只靠中间二氧化硅层2连接的晶圆10，参阅图1(j)；
步骤十一：用氢氟酸溶液浸泡以上步骤得到的晶圆10，或者采用气态HF释放方法，进行中间二氧化硅层2的腐蚀；由于HF与SiO2反应具有各向同性，暴露面积大的地方腐蚀速度快，利用这一效应，去除连接各芯片单元的二氧化硅，连通上划片槽132与下划片槽130，实现划片；同时去除MEMS结构122下的部分二氧化硅，形成可动结构140和锚点142，得到结构完好的MEMS器件12，参阅图1(k)。
本发明的优点在于：(1)采用SOI深刻蚀及释放工艺进行划片，无机械振动，无应力损伤，无发热，无切屑产生，无污染，成品率高；(2)不需要昂贵的划片设备，在现有MEMS工艺设备基础上即可完成，成本低；(3)MEMS结构的制作过程与划片过程同步进行，最后释放时，器件结构与划片同时完成，效率高。(4)无需添加临时性或永久性保护层，不影响器件与外界信息的交互，由于释放是与划片同时完成的，中间工艺不致对MEMS可动结构造成破坏。
附图说明
图1是基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片同步实现的工艺流程图
图1(a)是SOI晶圆结构示意图，包括顶层1，中间二氧化硅层2和基底层3。
图1(b)是淀积深刻蚀掩蔽层4之后的结构示意图。
图1(c)是双面涂胶后的结构示意图，晶圆两面分别为涂覆第二光刻胶层5和第一光刻胶层9。
图1(d)是双面光刻后的结构示意图，第一光刻胶层9形成MEMS结构的图案120和上划片区112。
图1(e)是刻蚀掩蔽层4后的结构示意图，形成下划片区110。
图1(f)是刻蚀基底层3后的结构示意图，形成下划片槽130。
图1(g)是去除深刻蚀掩蔽层4后的结构示意图。
图1(h)是粘帖蓝膜6后的结构示意图。
图1(i)是刻蚀顶层1后的结构示意图，形成上划片槽132、结构槽134及未释放的MEMS结构122。
图1(j)是去除第一光刻胶层9后的结构示意图，形成只有中间二氧化硅层2相连接的晶圆10。
图1(k)是HF腐蚀后的结构示意图，MEMS结构的释放与划片同步进行，形成可动结构140，锚点142，以及线框图中的完好的MEMS器件12.。
图2是实现双面光刻的掩膜版示意图。
图2(a)是下掩膜版150，包含下芯片单元14和下对准标记7，该掩膜版用于基底层3的光刻，下芯片单元14用于形成非划片区。
图2(b)是上掩膜版152，包含上芯片单元16和上对准标记8，该掩膜版用于顶层1的光刻，上芯片单元16是要复制的结构图案，用于形成MEMS结构。
图3是实施例一中基于SOI晶圆的MEMS光栅器件结构示意图
图4是实施例二中基于SOI晶圆的MEMS陀螺器件结构示意图
图5是本发明中基于SOI晶圆的MEMS结构制作与划片同步制作完成后的结构示意图
其中：1-顶层；2-中间二氧化硅层；3-基底层；4-深刻蚀掩蔽层；5-第二光刻胶层；6-蓝膜；7-下对准标记；8-上对准标记；9-第一光刻胶层；10-只有中间的二氧化硅层2相连接的晶圆；12-MEMS器件；14-下芯片单元；16-上芯片单元；100-SOI晶圆；110-下划片区；112-上划片区；120-MEMS器件的图案；122-未释放的MEMS结构；130-下划片槽；132-上划片槽；134-结构槽；140-可动结构；142-锚点；150-下掩膜版；152-上掩膜版；160-光栅锚点；162-光栅可动结构；164-光栅二氧化硅层；166-光栅基底层；170-陀螺锚点；172-陀螺可动结构；174-陀螺二氧化硅层；176-陀螺基底层
具体实施方式
实施例一：
本实施例为基于SOI晶圆的MEMS光栅器件结构制作及划片方法，参考图1(a)～(k)，所述的光栅器件结构参阅图3，具体操作步骤为：
步骤一：参阅图1(a)，对SOI晶圆100进行清洗和预烘处理。
步骤二：在基底层3表面淀积厚500nm的深刻蚀掩蔽层4，深刻蚀掩蔽层4采用金属铝材料，参阅图1(b)。
步骤三：在顶层1表面淀积1μm厚的第一光刻胶层9，在深刻蚀掩蔽层4表面淀积1μm厚的第二光刻胶层5，并在110度温度下热烘1分钟，参阅图1(c)。
步骤四：使用下掩膜版150和上掩膜版152，对经过步骤三处理的晶圆进行双面光刻，下掩膜版150和上掩膜版152的芯片单元尺寸相同、芯片排布相同且阴阳相同，参阅图2。下掩膜版150上有下芯片单元14和下对准标记7，上掩膜版152上有上芯片单元16和上对准标记8，下芯片单元14是矩形块，上芯片单元16是要制作的光栅结构图案。曝光的时候，第二光刻胶层5使用下掩膜版150，第一光刻胶层9使用上掩膜版152，并且下对准标记7与上对准标记8对准。经过光刻，第一光刻胶层9形成MEMS器件的图案120，MEMS器件的图案120为光栅图案，以及上划片区112，参阅图1(d)。
步骤五：以第二光刻胶层5为掩膜，对深刻蚀掩蔽层4进行刻蚀形成下划片区110，参阅图1(e)。
步骤六：采用氧离子清洗方法去除第二光刻胶层5，并以深刻蚀掩蔽层4为掩膜，用感应耦合离子刻蚀方法刻蚀基底层3，直至刻蚀到中间二氧化硅层2停止，由于感应耦合离子对硅与二氧化硅有很高的选择刻蚀比，因此当刻蚀到中间二氧化硅层2时，刻蚀自发停止。该步骤通过刻蚀形成下划片槽130，参阅图1(f)。
步骤七：去除深刻蚀掩蔽层4，参阅图1(g)。
步骤八：在基底层3粘帖蓝膜6，参阅图1(h)。
步骤九：以第一光刻胶层9形成的MEMS器件的图案120为掩膜，对顶层1进行感应耦合离子刻蚀，到达中间二氧化硅层2刻蚀停止，形成上划片槽132、结构槽134以及未释放的MEMS结构122，未释放的MEMS结构122为未释放的光栅结构，参阅图1(i)。
步骤十：去除第一光刻胶层9，得到只靠中间二氧化硅层2连接的晶圆10，参阅图1(j)。
步骤十一：采用气态HF释放方法，进行中间二氧化硅层2的腐蚀。由于HF与SiO2反应具有各向同性，暴露面积大的地方腐蚀速度快，利用这一效应，去除连接各芯片单元的二氧化硅，连通上划片槽132与下划片槽130，实现划片；同时去除未释放的MEMS结构122下的部分二氧化硅，形成可动结构140和锚点142，得到结构完好的MEMS器件12，MEMS器件12为光栅器件，参阅图1(k)。光栅器件结构图参阅图3。
实施例2：
本实施例为基于SOI晶圆的MEMS陀螺器件结构制作及划片方法，参考图1(a)～(k)，所述的陀螺器件结构参阅图4，具体操作步骤为：
步骤一：对如图1(a)所示的SOI晶圆100进行清洗和预烘处理。
步骤二：在基底层3表面淀积厚2μm的深刻蚀掩蔽层4，深刻蚀掩蔽层4采用二氧化硅材料，参阅图1(b)。
步骤三：在顶层1表面淀积0.9μm厚的第一光刻胶层9，在深刻蚀掩蔽层4表面淀积0.9μm厚的第二光刻胶层5，并在90度温度下热烘1分钟，参阅图1(c)。
步骤四：使用下掩膜版150和上掩膜版152，对经过步骤三处理的晶圆进行双面光刻，下掩膜版150和上掩膜版152的芯片单元尺寸相同、芯片排布相同且阴阳相同，参阅图2。下掩膜版150上有下芯片单元14和下对准标记7，上掩膜版152上有上芯片单元16和上对准标记8，下芯片单元14是矩形块，上芯片单元16是要制作的陀螺结构图案。曝光的时候，第二光刻胶层5使用下掩膜版150，第一光刻胶层9使用上掩膜版152，并且下对准标记7与上对准标记8对准。经过光刻，第一光刻胶层9形成陀螺结构的图案120，以及上划片区112，参阅图1(d)。
步骤五：以第二光刻胶层5为掩膜，对深刻蚀掩蔽层4进行刻蚀形成下划片区110，参阅图1(e)。
步骤六：采用丙酮去除第二光刻胶层5，并以深刻蚀掩蔽层4为掩膜，用感应耦合离子刻蚀方法刻蚀基底层3，直至刻蚀到中间二氧化硅层2停止，由于感应耦合离子对硅与二氧化硅有很高的选择刻蚀比，因此当刻蚀到中间二氧化硅层2时，刻蚀自发停止。该步骤通过刻蚀形成下划片槽130，参阅图1(f)。
步骤七：去除深刻蚀掩蔽层4，参阅图1(g)。
步骤八：在基底层3粘帖蓝膜6，参阅图1(h)。
步骤九：以第一光刻胶层9形成的陀螺结构的图案120为掩膜，对顶层1进行感应耦合离子刻蚀，到达中间二氧化硅层2刻蚀停止，形成上划片槽132、结构槽134以及未释放的MEMS结构122，未释放的MEMS结构122为未释放的陀螺结构，参阅图1(i)。
步骤十：去除第一光刻胶层9，得到只靠中间二氧化硅层2连接的晶圆10，参阅图1(j)。
步骤十一：采用氢氟酸溶液释放方法，进行中间二氧化硅层2的腐蚀。由于HF与SiO2反应具有各向同性，暴露面积大的地方腐蚀速度快，利用这一效应，去除连接各芯片单元的二氧化硅，连通上划片槽132与下划片槽130，实现划片；同时去除未释放的MEMS结构122下的部分二氧化硅，得到可动结构140和锚点142，得到结构完好的MEMS器件12，MEMS器件12为陀螺器件，参阅图1(k)。陀螺器件结构图参阅图4。
Claims (5)
1.一种基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：对SOI晶圆(100)进行清洗和预烘处理；
步骤二：在基底层(3)表面淀积一定厚度的深刻蚀掩蔽层(4)；
步骤三：在顶层(1)表面淀积一定厚度的第一光刻胶层(9)，在深刻蚀掩蔽层(4)表面淀积一定厚度的第二光刻胶层(5)，并热烘；
步骤四：使用下掩膜版(150)和上掩膜版(152)，对经过步骤三处理的晶圆进行双面光刻，下掩膜版(150)和上掩膜版(152)的芯片单元尺寸相同、芯片排布相同且阴阳相同；下掩膜版(150)上有下芯片单元(14)和下对准标记(7)，上掩膜版(152)上有上芯片单元(16)和上对准标记(8)，下芯片单元(14)是矩形块，上芯片单元(16)是要制作的结构图案；曝光的时候，第二光刻胶层(5)使用下掩膜版(150)，第一光刻胶层(9)使用上掩膜版(152)，并且下对准标记(7)与上对准标记(8)对准；经过光刻，第一光刻胶层(9)形成MEMS结构的图案(120)，以及上划片区(112)；
步骤五：以第二光刻胶层(5)为掩膜，对深刻蚀掩蔽层(4)进行刻蚀形成下划片区(110)；
步骤六：去除第二光刻胶层(5)，并以深刻蚀掩蔽层(4)为掩膜，用感应耦合离子刻蚀方法刻蚀基底层(3)，直至刻蚀到中间二氧化硅层(2)自发停止，形成下划片槽(130)；
步骤七：去除深刻蚀掩蔽层(4)；
步骤八：在基底层(3)粘帖蓝膜(6)；
步骤九：以第一光刻胶层(9)形成的图案(120)为掩膜，对顶层(1)进行感应耦合离子刻蚀，到达中间二氧化硅层(2)刻蚀停止，形成上划片槽(132)、结构槽(134)以及未释放的MEMS结构(122)；
步骤十：去除第一光刻胶层(9)，得到只靠中间二氧化硅层(2)连接的晶圆(10)；
步骤十一：进行中间二氧化硅层(2)的腐蚀，去除连接各芯片单元的二氧化硅，连通上划片槽(132)与下划片槽(130)，实现划片；同时去除MEMS结构(122)下的部分二氧化硅，形成可动结构(140)和锚点(142)，得到结构完好的MEMS器件(12)。
2.一种如权利要求1所述的基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，其特征在于，所述步骤二中的深刻蚀掩蔽层(4)是金属层或者二氧化硅层。
3.一种如权利要求1所述的基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，其特征在于，所述步骤十一中进行中间二氧化硅层(2)的腐蚀，采用的方法是用氢氟酸溶液浸泡。
4.一种如权利要求1所述的基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，其特征在于，所述步骤十一中进行中间二氧化硅层(2)的腐蚀，采用的方法是用气态HF释放。
5.一种如权利要求1所述的基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法，其特征在于，所述步骤六中去除第二光刻胶层的方法为采用氧离子清洗方法或采用有机溶剂浸泡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009102192857A CN101734613B (zh) | 2009-12-03 | 2009-12-03 | 基于soi晶圆的mems结构制作及划片方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009102192857A CN101734613B (zh) | 2009-12-03 | 2009-12-03 | 基于soi晶圆的mems结构制作及划片方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101734613A CN101734613A (zh) | 2010-06-16 |
| CN101734613B true CN101734613B (zh) | 2011-08-24 |
Family
ID=42458734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009102192857A Active CN101734613B (zh) | 2009-12-03 | 2009-12-03 | 基于soi晶圆的mems结构制作及划片方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101734613B (zh) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102367165B (zh) * | 2011-08-31 | 2015-01-21 | 华东光电集成器件研究所 | 一种基于soi的mems器件电极互连方法 |
| US8906782B2 (en) * | 2011-11-07 | 2014-12-09 | Infineon Technologies Ag | Method of separating semiconductor die using material modification |
| CN102616729B (zh) * | 2012-04-04 | 2014-12-10 | 西北工业大学 | 一种基于soi硅片的窄沟道隔离槽刻蚀至氧化层的检测结构及检测方法 |
| CN103193197B (zh) * | 2013-04-02 | 2016-04-06 | 厦门大学 | 一种基于硅/玻璃阳极键合的微器件可动结构制备方法 |
| CN104445043B (zh) * | 2013-09-13 | 2017-07-07 | 浙江盾安人工环境股份有限公司 | 一种mems微阀及其制作工艺 |
| CN104003349B (zh) * | 2014-05-08 | 2016-04-06 | 北京大学 | 利用soi片制备mems器件的表面牺牲层工艺方法 |
| US9446948B1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-20 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method of forming a MEMS device with etch channels |
| CN104649220B (zh) * | 2015-03-11 | 2016-04-13 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 低成本超薄mems结构和制作工艺 |
| CN104860260A (zh) * | 2015-04-16 | 2015-08-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Mems圆片级封装的划片方法 |
| CN106601672B (zh) * | 2016-11-28 | 2018-10-09 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种消除薄膜电路划切毛刺的方法 |
| CN110095441B (zh) * | 2019-04-19 | 2021-12-10 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用 |
| CN112447590B (zh) * | 2019-08-30 | 2023-08-22 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 一种基于水导激光加工技术的晶圆划片方法 |
| CN112530865A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-19 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 一种基于水导激光加工技术的后减薄晶圆划片方法 |
| CN111268641B (zh) * | 2020-02-17 | 2023-07-14 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 晶圆键合方法以及微执行器的制作方法 |
| CN112071824B (zh) * | 2020-09-18 | 2023-04-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 光栅器件掩膜版及制造方法 |
| CN112758885A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-07 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Mems异形芯片的切割方法 |
| CN114030094B (zh) * | 2021-11-18 | 2022-12-09 | 江苏纳沛斯半导体有限公司 | 一种可防止产生崩边的半导体晶圆制备的硅片划片系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1666332A (zh) * | 2001-11-28 | 2005-09-07 | 英特尔公司 | 在划片格线中形成缺陷预防沟槽 |
| CN1740087A (zh) * | 2004-08-25 | 2006-03-01 | 冲电气工业株式会社 | 半导体装置的单片化方法 |
| CN1881560A (zh) * | 2005-06-15 | 2006-12-20 | 探微科技股份有限公司 | 晶片切割方法 |
| CN101026125A (zh) * | 2006-02-21 | 2007-08-29 | 探微科技股份有限公司 | 切割晶片的方法 |
-
2009
- 2009-12-03 CN CN2009102192857A patent/CN101734613B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1666332A (zh) * | 2001-11-28 | 2005-09-07 | 英特尔公司 | 在划片格线中形成缺陷预防沟槽 |
| CN1740087A (zh) * | 2004-08-25 | 2006-03-01 | 冲电气工业株式会社 | 半导体装置的单片化方法 |
| CN1881560A (zh) * | 2005-06-15 | 2006-12-20 | 探微科技股份有限公司 | 晶片切割方法 |
| CN101026125A (zh) * | 2006-02-21 | 2007-08-29 | 探微科技股份有限公司 | 切割晶片的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开2001-352078A 2001.12.21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101734613A (zh) | 2010-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101734613B (zh) | 基于soi晶圆的mems结构制作及划片方法 | |
| CN102792419B (zh) | 高温选择性融合接合的工艺与构造 | |
| US8735199B2 (en) | Methods for fabricating MEMS structures by etching sacrificial features embedded in glass | |
| Xu et al. | Formation of ultra-smooth 45 micromirror on (1 0 0) silicon with low concentration TMAH and surfactant: techniques for enlarging the truly 45 portion | |
| CN102351406B (zh) | 利用飞秒激光在玻璃内部直写微机械零件的方法 | |
| CN108766876B (zh) | 一种片上高品质薄膜微光学结构的制备方法 | |
| CN103420327B (zh) | 一种应用于图形化soi材料刻蚀工艺的界面保护方法 | |
| CN103885099B (zh) | 一种基于多次迭代刻蚀的透射光学元件损伤阈值提升方法 | |
| CN105016632A (zh) | 一种低温表面活化直接键合制备石英玻璃毛细管的方法 | |
| CN102557410A (zh) | 制造并密封真空玻璃中排气口的方法及系统 | |
| CN101475298B (zh) | 用微模具成型圆片级玻璃器件的方法 | |
| CN100419470C (zh) | 粘接剂的剥离方法、光学元件的制造方法、棱镜的制造方法以及用该制造方法制造的棱镜 | |
| CN102285624B (zh) | 带有热应力释放结构的键合晶圆及激光划片工艺 | |
| CN104045049A (zh) | 一种基于硅层转移技术（solt）的高精度加速度计的加工方法 | |
| CN101698467B (zh) | Mems圆片级封装的划片方法 | |
| JP2008030189A (ja) | Ｍｅｍｓデバイスに関するシリコン−オン−金属 | |
| CN104701407A (zh) | 太阳能电池和长城型太阳能电池基板的表面制绒处理方法 | |
| CN100399005C (zh) | 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | |
| CN103213939B (zh) | 一种四质量块硅微机电陀螺结构的加工方法 | |
| CN110071212A (zh) | 耐高温硬脆性材料的加工方法及设备 | |
| CN101891143A (zh) | 制造多层三维器件或结构方法 | |
| Khanna | MEMS fabrication perspectives from the MIT Microengine Project | |
| CN109689584A (zh) | 具有通孔的低表面粗糙度基材及其制造方法 | |
| CN103303858A (zh) | 采用koh溶液的硅基mems器件湿法释放方法 | |
| CN110104607B (zh) | 一种用于保护mems器件敏感结构的划片方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY Effective date: 20140813 Owner name: NANTONG FANHUA GLASS METAL PRODUCTS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY Effective date: 20140813 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 710072 XI AN, SHAANXI PROVINCE TO: 226600 NANTONG, JIANGSU PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140813 Address after: Nanping bridge east town of Haian County in Jiangsu province 226600 Nantong City Road No. 6 Patentee after: Nantong Fanhua Glass Metal Products Co., Ltd. Patentee after: Northwestern Polytechnical University Address before: 710072 Xi'an friendship West Road, Shaanxi, No. 127 Patentee before: Northwestern Polytechnical University |