CN101728224B - 利用于半导体的制造设备以及制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种利用以制造半导体的制造设备以及制造方法，利用于一湿式工艺化学槽中，利用三个螺旋状错位排列的磁性物体，先对管道本体中管道路径所流通的化学液加以磁化，所述的化学液包含蚀刻液、剥离液、或清洗液等，如此，可提高此半导体湿式工艺的效率。

Description

利用于半导体的制造设备以及制造方法
技术领域
本发明涉及一种用以制造半导体的制造设备以及制造方法，尤其涉及利用于半导体湿式工艺中的制造设备以及制造方法。
背景技术
磁化技术可将物体分子团微小化。例如将水磁化后，不仅不易生水垢，也利于饮用者吸收；于养殖业方面，磁化过的水利于溶氧量增加；或者，将油磁化后，可以大幅增加燃烧率，除了减少空气污染外，也增加可利用能量，这种技术非常有利于产业上的利用。
磁化技术利用于半导体制造产业，已有利用于干式工艺中的技术，如中国台湾专利I239560、00586335、00419749、00403960等，又如美国专利第4,483,737号专利等，上述技术都是针对半导体干式工艺设计。然而，于半导体制造中针对湿式工艺，并未利用磁化来改善效果的相关技术。
于半导体湿式工艺中，是于一湿式工艺化学槽(Wet Station)中进行，除了以蚀刻液对基板(Substrate)进行蚀刻反应之外，会再以剥离液(Photoresist Strippers)对基板进行处理，还会以如DI水(DI water)的清洗液对基板清洗。
以往现有技术于半导体制造中，对湿式工艺加速蚀刻的方式是以加热为主，通过加热使蚀刻液粘滞性变小，因而加快蚀刻速度，并使化学粘滞性变小，减小了液体与所接触设备间的摩擦力，例如阀件、管件、过滤器、马达、筒槽等设备，因而降低压损以利流体系统的控制；例如磷酸类的蚀刻液须加温至摄氏150度。但是，除了流体与设备都得耐高温，以及能量的增加会成为成本的负担之外，也会使得蚀刻效果较难以控制。
发明内容
本发明的目的在提供一种利用于半导体中的制造设备以及制造方法，能以稳定的方式增加湿式工艺的效率。
本发明关于一种利用于半导体的制造设备及制造方法，利用于一湿式工艺化学槽中。为实现上述目的，本发明提供一种利用于半导体的制造方法，利用于一湿式工艺化学槽中，该制造方法包含下列步骤：导入一化学液进入一管道路径；于该管道路径中磁化该化学液；以及将该管道路径中已被磁化的化学液导入一处理标的。
而且，为实现上述目的，本发明提供一种利用于半导体的制造设备，利用于一湿式工艺化学槽中，其特征在于，该制造设备包含：一管道本体，于其中形成一管道路径，用以使一化学液流通；以及多数个磁性物体，设置于该管道本体的周围并以同极性朝向该管道本体内部，磁化该管道路径中的化学液；其中，后续将该管道路径中已被磁化的化学液，导入一处理标的，以对该处理标的进行半导体湿式工艺。
于该管道本体中形成一管道路径，用以使一化学液流通。所述的化学液包括有蚀刻液、剥离液、或是清洗液，分别为半导体湿式工艺不同阶段所需的化学液。
该些磁性物体设置于该管道本体的周围，并以同极性朝向该管道本体内部，磁化该管道路径中的化学液。其中，该些磁性物体依螺旋状路径错位排列。借此，使该些磁性物体沿该管道路径纵向错位，并且该些磁性物体沿该管道路径横向错位，如此可得螺旋状均匀的磁力线。
后续将该管道路径中已被磁化的化学液，导入一处理标的，例如基板，以对该处理标的进行半导体湿式工艺。
因此，通过本发明用于半导体中的制造设备以及制造方法，利用磁化相关所需的化学液，包含蚀刻液、剥离液、或清洗液等化学液，能以稳定且节能的方式增加湿式工艺的效率。
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附附图得到进一步的了解。
附图说明
图1为本发明制造设备的示意图；
图2为本发明磁性物体设置的示意图；以及
图3为本发明制造方法的流程图。
其中，附图标记：
10：湿式工艺化学槽      30：制造设备
32：管道本体            34：磁性物体
36：设备槽              40：处理标的
具体实施方式
请参阅图1，图1为本发明制造设备30的示意图。本发明涉及一种利用于半导体的制造设备30，利用于一湿式工艺化学槽(Wet Station)10中。制造设备30包含一管道本体32、多数个磁性物体34、以及一设备槽36。
于管道本体32中形成一管道路径，用以使一化学液流通。所述的化学液包括有蚀刻液(Etch Acids)、剥离液(Photoresist Strippers)、或是清洗液(Cleans Chemical)，分别为半导体湿式工艺不同阶段所需的化学液。
蚀刻液例如是硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)…等，剥离液用以剥离基板上于工艺中的过度物质，清洗液例如是DI水(DI water)，则用以清洗基板上所剩余的残留物质。
对蚀刻工艺的部份进一步加以说明，蚀刻工艺中进行蚀刻的过程，所使用的酸液…等蚀刻液为循环进行；更换酸液时，需利用一供酸系统来供应蚀刻液，所流通的酸液单向的进行，即排入以及排出。无论如何，蚀刻液都需流通于管道本体32中，都可利用所述多数个磁性物体34来磁化管道本体32中的蚀刻液。
配合图1进一步参阅图2，图2为本发明磁性物体34设置的示意图。较佳实施例为以三个磁性物体34来设置，该三磁性物体34设置于管道本体32的周围并以同极性朝向管道本体32内部，用以磁化该管道路径中的化学液。其中，该三磁性物体34依螺旋状路径错位排列，使该三磁性物体34沿该管道路径纵向错位，并且该三磁性物体34沿该管道路径横向错位。如此，可得到螺旋状均匀的磁力线穿过化学液，以提升磁化化学液的效果。
再回到图1，后续将该管道路径中已被磁化的化学液导入设备槽36中。当化学液为蚀刻液时，所述设备槽36为蚀刻槽，当化学液为剥离液时，所述设备槽36为剥膜槽，当化学液为清洗液时，所述设备槽36为清洗槽。
被磁化的化学液进入设备槽36中来处理一处理标的40，所述的处理标的40一般为半导体所需的基板(Substrate)，基板例如有集成电路产业的硅基板、三五族基板等，或是印刷电路板产业的树脂基板等。借此，以对处理标的40进行半导体湿式工艺。
请参阅图3，图3为本发明制造方法的流程图。本发明也为一种利用于半导体的制造方法，同样也利用于一湿式工艺化学槽10中，该制造方法包含下列步骤：
步骤S02：导入蚀刻液的化学液进入第一个管道路径。
步骤S04：于该第一个管道路径中磁化该蚀刻液。
步骤S06：将该第一个管道路径中已被磁化的蚀刻液导入蚀刻槽中如基板的处理标的40，以进行湿式蚀刻程序。
步骤S12：导入剥离液的化学液进入第二个管道路径。
步骤S14：于该第二个管道路径中磁化该剥离液。
步骤S16：将该第二个管道路径中已被磁化的剥离液导入剥膜槽中的基板，以进行湿式工艺的剥离程序。
步骤S22：导入清洗液的化学液进入第三个管道路径。
步骤S24：于该第三个管道路径中磁化该清洗液。
步骤S26：将该第三个管道路径中已被磁化的清洗液导入清洗槽中的基板，以进行湿式工艺的清洗程序。
因此，通过本发明用于半导体中的制造设备30以及制造方法，利用磁化相关所需的化学液，包含蚀刻液、剥离液、或清洗液等化学液，能以稳定且节能的方式增加湿式工艺的效率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种利用于半导体的制造方法，利用于一湿式工艺化学槽中，其特征在于，该制造方法包含下列步骤：
导入一化学液进入一管道路径；
于该管道路径中磁化该化学液；以及
将该管道路径中已被磁化的化学液导入一处理标的；
其中，该管道路径包含一管道本体、以及三磁性物体，该三磁性物体依螺旋状路径错位排列，使该三磁性物体沿该管道路径纵向错位，并且该三磁性物体沿该管道路径横向错位，该些磁性组件设置于该管道本体周围并以同极性朝向该管道本体内部。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该化学液选自于由蚀刻液、剥离液、清洗液所组成族群中的化学液。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该处理标的为半导体所需的基板。
4.一种利用于半导体的制造设备，利用于一湿式工艺化学槽中，其特征在于，该制造设备包含：
一管道本体，于其中形成一管道路径，用以使一化学液流通；以及
多数个磁性物体，设置于该管道本体的周围并以同极性朝向该管道本体内部，磁化该管道路径中的化学液；
其中，后续将该管道路径中已被磁化的化学液，导入一处理标的，以对该处理标的进行半导体湿式工艺。
5.根据权利要求4所述的制造设备，其特征在于，该多数个磁性物体依螺旋状路径错位排列，使该多数个磁性物体沿该管道路径纵向错位，并且该多数个磁性物体沿该管道路径横向错位。
6.根据权利要求4所述的制造设备，其特征在于，该化学液选自于由蚀刻液、剥离液、清洗液所组成族群中的化学液。
7.根据权利要求4所述的制造设备，其特征在于，该处理标的为半导体所需的基板。
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