CN101728191A - 斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器及其制作工艺 Download PDF

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Abstract

本发明特别涉及一种斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和玻璃边框所构成的密封真空室;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的隔离支撑器和消气剂;设置在阳极玻璃面板上的阳极传导层、阳极连线层、阳极阻挡层以及制备在阳极传导层上面的荧光粉层;所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构包括阴极玻璃面板、分隔层、阴极传导层、阴极连线层、阴极基底层、阴极增高层、阴极过渡层、阴极牺牲层、绝缘一层、绝缘二层、栅极传导层、栅极连线层、绝缘三层、碳纳米管部分具有成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优点。

Description

斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器及其制作工艺
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作,特别涉及到一种斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
场致发射显示器是微电子技术与场致发射技术相结合的产物,具有功耗小、工作电压低、响应速度快以及适用温区广等特点,能够在恶劣环境下可靠正常工作,是一种非常有前途的平面显示技术。场致发射显示器在保留了CRT显示器的高图像质量的同时,还兼顾具有液晶显示器的超薄型以及等离子体显示器的大面积性,被公认为是理想的下一代平板显示器件。碳纳米管是一种新型的阴极制作材料,由于其发射电流大、工作电压低、易于制作等特性,已经被开发应用于场致发射显示器中。在三极结构的碳纳米管阴极场致发射显示器中,从理论上而言,由于栅极和阴极的距离比较近,从而导致栅极的工作电压能够有效降低,这样也就降低了整体器件的制作成本。但是在实际中,由于栅极结构的制作材料要求比较高,接近于苛刻状态,且栅极结构的制作工艺较为复杂,从而导致器件的总体成本居高不下;另外,目前所研发的三极结构场致发射显示器普遍都存在着栅极工作电压偏高、栅极工作电流偏大等不利之处,这不符合低压平板器件的原则。此外,对于整体平板显示器件的制作,制作工艺简单、制作过程稳定可靠也是不可忽视的一个重要方面。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作工艺简单的斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的:
一种斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板15、阴极玻璃面板1和玻璃边框20所构成的密封真空室;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的隔离支撑器21和消气剂22;设置在阳极玻璃面板上的阳极传导层16、阳极连线层18、阳极阻挡层19以及制备在阳极传导层上面的荧光粉层17;其特征在于:
所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的基底材料为阴极玻璃面板;在阴极玻璃面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成分隔层2;分隔层上面存在阴极传导层3;阴极传导层为条形形状;阴极传导层周围存在阴极连线层4,阴极连线层和阴极传导层是相互连通的;阴极传导层上面存在阴极基底层5,阴极基底层为圆盘型形状,上下表面均为平面,下表面和阴极传导层相接触;阴极基底层上面存在阴极增高层6;阴极增高层的横截面呈现圆环型形状,其底面外直径为圆盘型阴极基底层直径的五分之四,其底面内直径为圆盘型阴极基底层直径的五分之三;阴极增高层位于阴极基底层上表面,将暴露的阴极基底层上表面分割为外阴极基底环形表面和内阴极基底圆形表面两部分;阴极增高层的纵截面呈现直角三角型形状,即阴极增高层的下底面为一个直角边,和阴极基底层相接触,另一个直角边位于阴极增高层下底面与内阴极基底圆形表面的交接处,并垂直于阴极基底层的上表面;阴极增高层的斜面上和外阴极基底环形表面上存在阴极过渡层7;阴极过渡层上面存在阴极牺牲层8;阴极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘一层9;绝缘一层的上下表面均为平面,其下表面和阴极传导层相接触;绝缘一层中存在通道孔,通道孔为圆形形状,暴露出底部的部分阴极传导层、阴极基底层、阴极增高层、阴极过渡层以及阴极牺牲层,通道孔的内侧壁垂直于阴极传导层表面;绝缘一层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘二层10;绝缘二层的下表面为平面,和绝缘一层的上表面相接触,绝缘二层的上表面为斜坡面形状,靠近通道孔部分的绝缘二层高度低,远离通道孔部分的绝缘二层高度高,绝缘二层的斜坡型上表面前端终止于绝缘一层通道孔内侧壁与绝缘一层上表面的交接处;绝缘二层上面存在栅极传导层11。栅极传导层布满绝缘二层的上表面,其前端延伸到通道孔中,呈现悬空状态;栅极传导层周围存在栅极连线层12,栅极连线层和栅极传导层是相互连通的;栅极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘三层1 3,绝缘三层覆盖栅极传导层和栅极连线层;碳纳米管14制备在阴极牺牲层上面。
所述的阴极传导层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极连线层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极基底层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极增高层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极过渡层为金属铁、钴、镍之一;阴极牺牲层为金属铁、钴、镍之一;栅极传导层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;栅极连线层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;栅极传导层的走向和阴极传导层的走向是相互垂直的。
一种斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于,其制作步骤如下:
1)阴极玻璃面板1的制作:对整体平板玻璃进行切割,制作出阴极玻璃面板;
2)分隔层2的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成分隔层;
3)阴极传导层3的制作:在分隔层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极传导层;
4)阴极连线层4的制作:在阴极玻璃面板上印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极连线层;
5)阴极基底层5的制作:在阴极传导层上面印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极基底层;
6)  阴极增高层6的制作:在阴极基底层上面印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极增高层;
7)阴极过渡层7的制作:在阴极增高层的斜坡面以及外阴极基底环形表面上制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极过渡层;
8)阴极牺牲层8的制作:在阴极过渡层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极牺牲层;
9)绝缘一层9的制作:在阴极传导层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘一层;
10)绝缘二层10的制作:在绝缘一层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘二层;
11)栅极传导层11的制作:在绝缘二层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成栅极传导层;
12)栅极连线层12的制作:在栅极传导层周围印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成栅极连线层;
13)绝缘三层13的制作:在栅极传导层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘三层;
14)斜坡型高环栅控多面阴极结构的表面清洁处理:对斜坡型高环栅控多面阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
15)碳纳米管14的制备:将碳纳米管制备在阴极牺牲层上面;
16)阳极玻璃面板15的制作:对整体平板玻璃进行切割,制作出阳极玻璃面板;
17)阳极传导层16的制作:在阳极玻璃面板上制备出锡铟氧化物膜层,经常规刻蚀工艺后形成阳极传导层;
18)阳极连线层18的制作:在阳极传导层的周围印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阳极连线层;
19)阳极阻挡层19的制作:在阳极玻璃面板上印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成阳极阻挡层;
20)荧光粉层17的制作:在阳极传导层上面印刷荧光粉,经常规烘烤工艺后形成荧光粉层;
21)器件装配:将阳极玻璃面板、阴极玻璃面板、隔离支撑器21、玻璃边框20装配在一起,并将消气剂22安装到空室当中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺,形成成品件。
所述步骤19具体为在阳极玻璃面板的非显示区域以及阳极传导层中间的空余位置印刷绝缘浆料;经过烘烤,烘烤温度:220℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580C,保持时间:10分钟。
所述步骤20具体为在阳极玻璃面板显示区域中阳极传导层上面印刷荧光粉,在烘箱当中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟。
所述步骤22具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下的积极效果:本发明中的主要特点在于制作了具有斜坡型高环栅控多面阴极结构的、碳纳米管阴极的平板场致发射平板显示器件。
其一,采用了多面阴极结构,充分利用了碳纳米管阴极边缘部分电场高度集中的原理,增加了碳纳米管发射的表面积,能够极大地提升碳纳米管的发射效率;
其二,采用了斜坡型高环栅控结构,进一步缩减了栅极-阴极之间的有效距离,从而达到降低器件工作电压的目的;
在本发明中,是在阳极结构和栅极控制结构全部制作完毕的情况下,最后才进行碳纳米管阴极的制作,也就是说,碳纳米管阴极的制作不受其它制作器件工艺的影响,极大减少了碳纳米管阴极的损伤,提高了显示器件制作的成功率。此外,在本发明中的器件制作过程中,并没有采用特殊的器件制作材料以及特殊的器件制作工艺,降低了器件制作成本,具有成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优越之处。
附图说明
图1给出了斜坡型高环栅控多面阴极结构的纵向结构示意图。
图2给出了斜坡型高环栅控多面阴极结构的横向结构示意图。
图3给出了斜坡型高环栅控多面阴极结构的、碳纳米管阴极场致发射平板显示器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明,但本发明并不局限于实施例。
如图1、2、3所示,一种斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板15、阴极玻璃面板1和玻璃边框20所构成的密封真空室;位于阳极玻璃面板15和阴极玻璃面板1之间的隔离支撑器21和消气剂22;设置在阴极玻璃面板1上的斜坡型高环栅控多面阴极结构;设置在阳极玻璃面板15上的阳极传导层16、阳极连线层18、阳极阻挡层19以及制备在阳极传导层上面的荧光粉层17;其特征在于:
所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的基底材料为阴极玻璃面板;阴极玻璃面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成分隔层;分隔层上面存在阴极传导层;阴极传导层为条形形状;阴极传导层周围存在阴极连线层,阴极连线层和阴极传导层是相互连通的;阴极传导层上面存在阴极基底层,阴极基底层为圆盘型形状,上下表面均为平面,下表面和阴极传导层相接触;阴极基底层上面存在阴极增高层;阴极增高层的横截面呈现圆环型形状,其底面外直径为圆盘型阴极基底层直径的五分之四,其底面内直径为圆盘型阴极基底层直径的五分之三;阴极增高层位于阴极基底层上表面,将暴露的阴极基底层上表面分割为外阴极基底环形表面和内阴极基底圆形表面两部分;阴极增高层的纵截面呈现直角三角型形状,即阴极增高层的下底面为一个直角边,和阴极基底层相接触,另一个直角边位于阴极增高层下底面与内阴极基底圆形表面的交接处,并垂直于阴极基底层的上表面;阴极增高层的斜面上和外阴极基底环形表面上存在阴极过渡层;阴极过渡层上面存在阴极牺牲层;阴极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘一层;绝缘一层的上下表面均为平面,其下表面和阴极传导层相接触;绝缘一层中存在通道孔,通道孔为圆形形状,暴露出底部的部分阴极传导层、阴极基底层、阴极增高层、阴极过渡层以及阴极牺牲层,通道孔的内侧壁垂直于阴极传导层表面;绝缘一层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘二层;绝缘二层的下表面为平面,和绝缘一层的上表面相接触,绝缘二层的上表面为斜坡面形状,靠近通道孔部分的绝缘二层高度低,远离通道孔部分的绝缘二层高度高,绝缘二层的斜坡型上表面前端终止于绝缘一层通道孔内侧壁与绝缘一层上表面的交接处;绝缘二层上面存在栅极传导层。栅极传导层布满绝缘二层的上表面,其前端延伸到通道孔中,呈现悬空状态;栅极传导层周围存在栅极连线层,栅极连线层和栅极传导层是相互连通的;栅极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘三层,绝缘三层覆盖栅极传导层和栅极连线层;碳纳米管制备在阴极牺牲层上面。
所述的阴极传导层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极连线层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极基底层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极增高层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极过渡层为金属铁、钴、镍之一;阴极牺牲层为金属铁、钴、镍之一;栅极传导层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;栅极连线层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;栅极传导层的走向和阴极传导层的走向是相互垂直的。
一种斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于,其制作步骤如下:
1)阴极玻璃面板1的制作:对整体平板玻璃进行切割,制作出阴极玻璃面板;
2)分隔层2的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成分隔层;
3)阴极传导层3的制作:在分隔层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极传导层;
4)阴极连线层4的制作:在阴极玻璃面板上印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极连线层;
5)阴极基底层5的制作:在阴极传导层上面印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极基底层;
6)  阴极增高层6的制作:在阴极基底层上面印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极增高层;
7)阴极过渡层7的制作:在阴极增高层的斜坡面以及外阴极基底环形表面上制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极过渡层;
8)阴极牺牲层8的制作:在阴极过渡层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极牺牲层;
9)绝缘一层9的制作:在阴极传导层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘一层;
10)绝缘二层10的制作:在绝缘一层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘二层;
11)栅极传导层11的制作:在绝缘二层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成栅极传导层;
12)栅极连线层12的制作:在栅极传导层周围印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成栅极连线层;
13)绝缘三层13的制作:在栅极传导层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘三层;
14)斜坡型高环栅控多面阴极结构的表面清洁处理:对斜坡型高环栅控多面阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
15)碳纳米管14的制备:将碳纳米管制备在阴极牺牲层上面;
16)阳极玻璃面板15的制作:对整体平板玻璃进行切割,制作出阳极玻璃面板;
17)阳极传导层16的制作:在阳极玻璃面板上制备出锡铟氧化物膜层,经常规刻蚀工艺后形成阳极传导层;
18)阳极连线层18的制作:在阳极传导层的周围印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阳极连线层;
19)阳极阻挡层19的制作:在阳极玻璃面板上印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成阳极阻挡层;
20)荧光粉层17的制作:在阳极传导层上面印刷荧光粉,经常规烘烤工艺后形成荧光粉层;
21)器件装配:将阳极玻璃面板、阴极玻璃面板、隔离支撑器21、玻璃边框20装配在一起,并将消气剂22安装到空室当中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺,形成成品件。
所述步骤19具体为在阳极玻璃面板的非显示区域以及阳极传导层中间的空余位置印刷绝缘浆料;经过烘烤,烘烤温度:220℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟。
所述步骤20具体为在阳极玻璃面板显示区域中阳极传导层上面印刷荧光粉,在烘箱当中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟。
所述步骤22具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
所述的带有斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板15、阴极玻璃面板1和玻璃边框20所构成的密封真空室;位于阳极玻璃面板15和阴极玻璃面板1之间的隔离支撑器21和消气剂22;设置在阳极玻璃面板15上的阳极传导层16、阳极连线层18、阳极阻挡层19以及制备在阳极传导层上面的荧光粉层17。所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构包括阴极玻璃面板1、分隔层2、阴极传导层3、阴极连线层4、阴极基底层5、阴极增高层6、阴极过渡层7、阴极牺牲层8、绝缘一层9、绝缘二层10、栅极传导层11、栅极连线层12、绝缘三层13、碳纳米管14部分。所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的基底材料为钠钙玻璃、硼硅玻璃之一。

Claims (6)

1.一种斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板(15)、阴极玻璃面板(1)和玻璃边框(20)所构成的密封真空室;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的隔离支撑器(21)和消气剂(22);设置在阳极玻璃面板上的阳极传导层(16)、阳极连线层(18)、阳极阻挡层(19)以及制备在阳极传导层上面的荧光粉层(17);其特征在于:
所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的基底材料为阴极玻璃面板;在阴极玻璃面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成分隔层(2);分隔层上面存在阴极传导层(3);阴极传导层为条形形状;阴极传导层周围存在阴极连线层(4),阴极连线层和阴极传导层是相互连通的;阴极传导层上面存在阴极基底层(5),阴极基底层为圆盘型形状,上下表面均为平面,下表面和阴极传导层相接触;阴极基底层上面存在阴极增高层(6);阴极增高层的横截面呈现圆环型形状,其底面外直径为圆盘型阴极基底层直径的五分之四,其底面内直径为圆盘型阴极基底层直径的五分之三;阴极增高层位于阴极基底层上表面,将暴露的阴极基底层上表面分割为外阴极基底环形表面和内阴极基底圆形表面两部分;阴极增高层的纵截面呈现直角三角型形状,即阴极增高层的下底面为一个直角边,和阴极基底层相接触,另一个直角边位于阴极增高层下底面与内阴极基底圆形表面的交接处,并垂直于阴极基底层的上表面;阴极增高层的斜面上和外阴极基底环形表面上存在阴极过渡层(7);阴极过渡层上面存在阴极牺牲层(8);阴极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘一层(9);绝缘一层的上下表面均为平面,其下表面和阴极传导层相接触;绝缘一层中存在通道孔,通道孔为圆形形状,暴露出底部的部分阴极传导层、阴极基底层、阴极增高层、阴极过渡层以及阴极牺牲层,通道孔的内侧壁垂直于阴极传导层表面;绝缘一层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘二层(10);绝缘二层的下表面为平面,和绝缘一层的上表面相接触,绝缘二层的上表面为斜坡面形状,靠近通道孔部分的绝缘二层高度低,远离通道孔部分的绝缘二层高度高,绝缘二层的斜坡型上表面前端终止于绝缘一层通道孔内侧壁与绝缘一层上表面的交接处;绝缘二层上面存在栅极传导层(11)。栅极传导层布满绝缘二层的上表面,其前端延伸到通道孔中,呈现悬空状态;栅极传导层周围存在栅极连线层(12),栅极连线层和栅极传导层是相互连通的;栅极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成绝缘三层(13),绝缘三层覆盖栅极传导层和栅极连线层;碳纳米管(14)制备在阴极牺牲层上面。
2.根据权利要求1所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器,其特征在于:所述的阴极传导层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极连线层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极基底层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极增高层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;阴极过渡层为金属铁、钴、镍之一;阴极牺牲层为金属铁、钴、镍之一;栅极传导层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;栅极连线层为金属金、银、钼、铬、铅、锡、铜、锰、铝、铟之一;栅极传导层的走向和阴极传导层的走向是相互垂直的。
3.一种如权利要求1所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于,其制作步骤如下:
1)阴极玻璃面板(1)的制作:对整体平板玻璃进行切割,制作出阴极玻璃面板;
2)分隔层(2)的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成分隔层;
3)阴极传导层(3)的制作:在分隔层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极传导层;
4)阴极连线层(4)的制作:在阴极玻璃面板上印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极连线层;
5)阴极基底层(5)的制作:在阴极传导层上面印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极基底层;
6)阴极增高层(6)的制作:在阴极基底层上面印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阴极增高层;
7)阴极过渡层(7)的制作:在阴极增高层的斜坡面以及外阴极基底环形表面上制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极过渡层;
8)阴极牺牲层(8)的制作:在阴极过渡层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成阴极牺牲层;
9)绝缘一层(9)的制作:在阴极传导层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘一层;
10)绝缘二层(10)的制作:在绝缘一层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘二层;
11)栅极传导层(11)的制作:在绝缘二层上面制备出金属层,经常规刻蚀工艺后形成栅极传导层;
12)栅极连线层(12)的制作:在栅极传导层周围印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成栅极连线层;
13)绝缘三层(13)的制作:在栅极传导层上面印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成绝缘三层;
14)斜坡型高环栅控多面阴极结构的表面清洁处理:对斜坡型高环栅控多面阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
15)碳纳米管(14)的制备:将碳纳米管制备在阴极牺牲层上面;
16)阳极玻璃面板(15)的制作:对整体平板玻璃进行切割,制作出阳极玻璃面板;
17)阳极传导层(16)的制作:在阳极玻璃面板上制备出锡铟氧化物膜层,经常规刻蚀工艺后形成阳极传导层;
18)阳极连线层(18)的制作:在阳极传导层的周围印刷银浆,经常规烘烤、烧结工艺后形成阳极连线层;
19)阳极阻挡层(19)的制作:在阳极玻璃面板上印刷绝缘浆料,经常规烘烤、烧结工艺后形成阳极阻挡层;
20)荧光粉层(17)的制作:在阳极传导层上面印刷荧光粉,经常规烘烤工艺后形成荧光粉层;
21)器件装配:将阳极玻璃面板、阴极玻璃面板、隔离支撑器(21)、玻璃边框(20)装配在一起,并将消气剂(22)安装到空室当中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺,形成成品件。
4.根据权利要求3所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤19具体为在阳极玻璃面板的非显示区域以及阳极传导层中间的空余位置印刷绝缘浆料;经过烘烤,烘烤温度:220℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟。
5.根据权利要求3所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤20具体为在阳极玻璃面板显示区域中阳极传导层上面印刷荧光粉,在烘箱当中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟。
6.根据权利要求3所述的斜坡型高环栅控多面阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤22具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
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