CN101728071B - 变压器 - Google Patents

变压器 Download PDF

Info

Publication number
CN101728071B
CN101728071B CN2009101612894A CN200910161289A CN101728071B CN 101728071 B CN101728071 B CN 101728071B CN 2009101612894 A CN2009101612894 A CN 2009101612894A CN 200910161289 A CN200910161289 A CN 200910161289A CN 101728071 B CN101728071 B CN 101728071B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
output
resonator
transformer
range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009101612894A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101728071A (zh
Inventor
金基仲
裴孝根
南重镇
元俊九
宋泳镇
金胤锡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN101728071A publication Critical patent/CN101728071A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101728071B publication Critical patent/CN101728071B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1783—Combined LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1791—Combined LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/537—A transformer being used as coupling element between two amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

本发明提供了一种变压器，所述变压器包括：至少一条输入导线，具有分别设置为正(+)信号输入端口和负(-)信号输入端口的两端；一条输出导线，设置为与所述至少一条输入导线相邻，以与所述至少一条输入导线电磁耦合，所述一条输出导线的一端接地；第一谐振器，设置在所述一条输出导线的另一端和地之间；第二谐振器，具有与所述一条输出导线的另一端连接的一端以及设置为输出端口的另一端。

Description

变压器
本申请要求于2008年10月30日在韩国知识产权局提交的第2008-0107272号韩国专利申请的优先权，其公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种变压器，更具体地讲，涉及一种采用在互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器中使用的集成无源器件(IPD)结构的变压器。
背景技术
一般来说，功率放大器用在移动通信终端(例如便携式电话)的Tx端口，以放大Tx信号的功率。功率放大器需要将Tx信号放大到适当的功率。为控制功率放大器的输出功率，可以使用闭环方法或开环方法。对闭环方法来说，在功率放大器的输出端口的变压器检测一部分输出信号，肖特基二极管将检测的信号转换成DC电流，比较器将DC电流与参考电压进行比较。对开环方法来说，功率是通过感应被施加到功率放大器的电压或电流来调节的。
传统上使用的闭环方法，保证精确的功率控制，但电路实现复杂且由于耦合器损耗(coupler loss)导致放大器效率劣化。开环方法电路实现简单，因此被用于很多情况，但不能精确调节功率。
近来，由于组件集成到集成电路(IC)中，因此简化了在闭环方法中的电路实现。此外，随着控制芯片的性能提高，用于闭环方法的定向耦合器的耦合值显著降低，因此明显减少了耦合器损耗。值得注意的是，当前，保证精确的功率控制的闭环方法用于斜坡式曲线图被认为是重要的移动通信全球系统(GSM)通信计划中。
对有效实现控制功率放大器的输出的变压器的研究正在进行。然而，当使用变压器时，在输出信号中产生谐波分量。值得注意的是，当变压器被构造为采用CMOS功率放大器的IPD时，由于高输出功率，所述谐波分量的特性变得复杂。
发明内容
本发明的一方面提供了一种能够通过利用额外的谐振电路来去除谐波分量的变压器。
根据本发明的一方面，提供了一种变压器，所述变压器包括：至少一条输入导线，具有分别设置为正(+)信号输入端口和负(-)信号输入端口的两端；一条输出导线，设置为与所述至少一条输入导线相邻，以与所述至少一条输入导线电磁耦合，所述一条输出导线的一端接地；第一谐振器，设置在所述一条输出导线的另一端和地之间；第二谐振器，具有与所述一条输出导线的另一端连接的一端以及设置为输出端口的另一端。
第一谐振器可以在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。第一谐振器可以包括彼此串联连接的电感器和电容器。
第二谐振器可以在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。第二谐振器可以包括彼此并联连接的电感器和电容器。
变压器还可以包括在所述一条输出导线的一端和地之间串联连接的第三谐振器。
第三谐振器可以在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第二谐波分量。第三谐振器可以包括彼此串联连接的电感器和电容器。
根据本发明的另一方面，提供了一种变压器，包括：层叠基底；至少一条输入导线，设置在所述层叠基底上，具有分别设置为正(+)信号输入端口和负(-)信号输入端口的两端；一条输出导线，设置为与所述至少一条输入导线相邻，以与所述至少一条输入导线电磁耦合，所述一条输出导线的一端接地；第一谐振器，设置在所述一条输出导线的另一端和地之间；第二谐振器，具有与所述一条输出导线的另一端连接的一端以及设置为输出端口的另一端。所述至少一条输入导线的一部分设置在所述层叠基底的顶层上，所述至少一条输入导线的其余部分设置在所述层叠基底的不同的层上，在不同层上的部分通过通孔连接。所述一条输出导线的一部分设置在所述层叠基底的顶层上，所述一条输出导线的其余部分设置在层叠基底的不同层上，以不直接与所述至少一条输入导线连接，在不同层上的部分通过通孔连接。
变压器还可以包括设置在所述至少一条输入导线的一个区域处的电源焊盘。电源焊盘可以设置在所述至少一条输入导线的电子射频(RF)摆动电势为0V的部分处。
第一谐振器可以在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。第一谐振器可以包括彼此串联连接的电感器和电容器。
第二谐振器可以在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。第二谐振器可以包括彼此并联连接的电感器和电容器。
变压器还可以包括在所述一条输出导线的一端和地之间串联连接的第三谐振器。第三谐振器可以在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第二谐波分量。第三谐振器可以包括彼此串联连接的电感器和电容器。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，本发明的上述和其它方面、特征和其它优点将会被更清楚地理解，附图中：
图1是根据本发明示例性实施例的变压器的电路图；
图2是根据本发明示例性实施例的变压器的平面图；
图3是示出根据本发明示例性实施例的从变压器的输出导线输出的谐波分量的曲线图。
具体实施方式
现在，将参照附图来详细描述本发明的示例性实施例。
图1是根据本发明示例性实施例的变压器的电路图。
参照图1，根据图1的实施例的变压器100可以包括输入导线110、输出导线120、第一谐振器130和第二谐振器140。
输入导线110可以包括多条输入导线，每条输入导线具有分别设置为正(+)信号输入端口和负(-)信号输入端口的两端。在本实施例中，可以具有三条输入导线。所述三条输入导线的每条的两端可以连接到功率放大器(PA)。在根据本实施例的变压器中，输入导线可以连接到以用于移动通信终端的互补金属氧化物半导体(CMOS)的类型实现的功率放大器。
输出导线120可以设置为与至少一条输入导线相邻且与至少一条输入导线电磁耦合。输出导线120可以具有与地GND连接的一端121。根据本实施例，输出导线120可以设置为与所述三条输入导线的每条电连接。
第一谐振器130可以形成在输出导线120的另一端122和地之间。第一谐振器130可以起到在预置的频率段中减小从输出导线120输出的信号的第三谐波分量的作用。根据本实施例，第一谐振器130可以包括彼此串联的电感器和电容器，以在GSM 850段中减小从输出导线120输出的信号的第三谐波分量。第一谐振器130的电路构造可以以多种方式实现，只要第一谐振器130执行前述功能即可。
第二谐振器140可以具有与输出导线120的另一端122连接的一端和设置为输出端口的另一端。第二谐振器140可以起到在预置频率段中减小从导线输出的信号的第三谐波分量的作用。根据本实施例，第二谐振器140可以包括：第一电路，包括彼此串联连接的电感器和电容器；电感器，与第一电路并联连接，以在GSM 850段中减小从输出导线120输出的信号的第三谐波分量。第二谐振器140的电路构造可以以多种方式实现，只要第二谐振器140执行前述功能即可。
第二谐振器140可以用于从输出导线120输出的信号的输出匹配(outputmatching)。输出匹配可以通过控制第二谐振器140的电感系数和电容而得到。
根据本实施例，通过添加第二谐振器140，可以更有效地减小从输出导线120输出的信号的第三谐波分量。因此，可以改善输出电压和效率。
根据本实施例的变压器100还可以包括在输出导线120的一端121和地GND之间串联连接的第三谐振器150。
第三谐振器150可以起到在预置的频率段中减小从输出导线120输出的信号的第二谐波分量的作用。根据本实施例，第三谐振器150可以被构造为陷波电路，所述陷波电路包括：第一电路，包括彼此串联连接的电感器和电容器；电感器，与第一电路并联连接，以在GSM 850段中减小从输出导线120输出的信号的第二谐波分量。第三谐振器150的电路构造可以以多种方式实现，只要第三谐振器150执行前述功能即可。
根据本实施例，通过添加第三谐振器150，可以减小从输出导线120输出的信号的第二谐波分量。因此，可以改善输出电压和效率。
图2是根据本发明另一示例性实施例的变压器的平面图。
参照图2，根据本实施例的变压器200包括层叠基底260、输入导线211、输入导线212、输入导线213、输出导线220、第一谐振器230和第二谐振器240。
层叠基底260可以为具有多个层的介电基底。根据本实施例，输入导线211、输入导线212、输入导线213和输出导线220均可具有形成在层叠基底的顶层上的一部分和形成在不同的叠层上的另一部分，从而输入导线211、输入导线212、输入导线213和输出导线220彼此均不直接接触。输入导线211、输入导线212、输入导线213和输出导线220的在不同叠层上的部分可以通过通孔连接。用于高频应用的基底可以用作层叠基底260。
输入导线211、输入导线212和输入导线213可以形成在层叠基底260上，每条输入导线均具有分别设置为正(+)信号输入端口和负(-)信号输入端口的两端。多条输入导线均具有形成在层叠基底260的顶层上的一部分，其余部分形成在不同的叠层上。对应的输入导线的在不同的叠层上的部分可以通过通孔连接。根据本实施例，可以有三条输入导线。所述三条输入导线的每条的两端可以连接到功率放大器(PA)。在本实施例的变压器中，输入导线可以连接到用于移动通信终端的CMOS功率放大器。
输出导线220可以设置为与每条输入导线211、212和213相邻，以与输入导线211、212和213电磁耦合。输出导线220的一端可以连接到地GND。
根据本实施例，三条输入导线211、212和213可以在层叠基底260上形成具有相同中心的环，输出导线220可以在层叠基底260上形成具有与输入导线211、212和213的环的中心相同的中心的环。此外，输出导线220可以设置在三条输入导线211、212和213之间以与三条输入导线211、212和213的每条电磁耦合。
输出导线220的一部分可以形成在层叠基底260的顶层上，其余部分可以形成在不同的层上，从而输出导线220不直接与输入导线211、212和213中的至少一条连接。输出导线220的在不同积层上的部分可以通过通孔连接。
第一谐振器230可以形成在输出导线220的另一端222和地之间。根据本实施例，第一谐振器230可以形成在输入导线211、212、213的环和输出导线220的环的中心区域中。第一谐振器230可以起到在预置的频率段中减小从输出导线220输出的信号的第三谐波分量的作用。根据本实施例，第一谐振器230可以包括彼此串联连接的电感器组件和电容器组件，以在GSM850段减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。第一谐振器230的电路构造可以以多种方式实现，只要第一谐振器230执行前述功能即可。
第一谐振器230的电感器组件可以被构造为形成在层叠基底260上的导电图案或被构造为导电线。第一谐振器230的电容器组件可以通过在层叠基底260的不同层上形成叠置导电图案来实现。
第二谐振器240的一端可以连接到输出导线220的另一端222，第二谐振器240的另一端设置为输出端口。第二谐振器240可以起到在预置的频率段中减小从输出导线220输出的信号的第三谐波分量的作用。根据本实施例，第二谐振器240可以包括彼此串联连接、并联连接或串联和并联混合连接的多个电感器组件和电容器组件，以在GSM 850段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。第二谐振器240的电路构造可以以多种方式实现，只要第二谐振器240执行前述功能即可。
第二谐振器240的电感器组件均可以实现为形成在层叠基底260上的导电图案或实现为导电线。第二谐振器240的电容器组件均可以通过在层叠基底260的不同层上形成叠置图案来实现。
第二谐振器240可以用于从输出导线220输出的信号的输出匹配。输出匹配可以通过控制第二谐振器240的电感系数和电容而得到。
根据本实施例，通过添加第二谐振器240，可以更有效地减小从输出导线220输出的信号的第三谐波分量。因此，可以提高输出电压和效率。
根据本实施例的变压器200还可以包括在输出导线220的一端221和地之间串联连接的第三谐振器250。
第三谐振器250可以起到在预置的频率段中减小从输出导线220输出的信号的第二谐波分量的作用。根据本实施例，第三谐振器250可以被构造为陷波电路，所述陷波电路包括彼此串联连接、并联连接或串联和并联混合连接的多个电感器组件和电容器组件，以减小在GSM 850段从输出导线输出的信号的第三谐波分量。第三谐振器250的电路构造可以以多种方式实现，只要第三谐振器250执行前述功能即可。
第三谐振器250的电感器组件均可以被构造为在层叠基底260上的导电图案或被构造为导线。第三谐振器250的电容器组件均可以通过在层叠基底260的不同层上形成叠置导电图案来实现。
根据本实施例，通过添加第三谐振器250，可以减小从输出导线220输出的信号的第二谐波分量。因此，可以提高输出电压和效率。
根据本实施例，电源焊盘271、272和273可以分别形成在三条输入导线211、212和213的部分上。电源焊盘271、272和273可设置为分别向输入导线211、212和213供电的端子。每个电源焊盘271、272和273可以位于在对应的一条输入导线211、212和213中的电子射频(RF)摆动电势为0V的部分。由于没有DC地，所以CMOS功率放大器使用AC地。因此，0V的RF摆动电势指AC地。
电源焊盘271、272和273可以这样设置，使每个电源焊盘271、272和273与输出导线220之间的间隔与输出导线220与包括电源焊盘271、272和273的输入导线211、212和213中对应的输入导线之间的间隔分别相同。
由于电源焊盘271、272和273分别直接形成在输入导线211、212和213上，因此不需要为形成电源焊盘形成单独的导电线。因此，可以避免可由其它导电线导致的不期望的电磁耦合。
图3是示出根据本发明示例性实施例的从变压器的输出导线输出的谐波分量的曲线图。
参照图3，曲线a表示从输出导线输出的信号的第二谐波分量，曲线b表示从输出导线输出的信号的第三谐波分量。在根据本实施例的变压器中，第二谐波分量和第三谐波分量在GSM 850段(即，从大约800MHz到大约900MHz的段)中不超过-10dBm，。因此，可以防止由谐波分量导致的输出劣化。
根据本发明，添加额外的谐振电路以消除谐波分量，从而可提高输出功率和效率。
虽然已经结合示例性实施例示出并描述了本发明，但对本领域技术人员来说应该清楚的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以作出修改和改变。

Claims (18)

1.一种变压器，包括：
至少一条输入导线，其中每条导线均具有分别设置为正信号输入端口和负信号输入端口的两端；
一条输出导线，设置为与所述至少一条输入导线相邻，以与所述至少一条输入导线电磁耦合，所述一条输出导线的一端接地；
第一谐振器，设置在所述一条输出导线的另一端和地之间；
第二谐振器，具有与所述一条输出导线的另一端连接的一端以及设置为输出端口的另一端。
2.如权利要求1所述的变压器，其中，第一谐振器在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。
3.如权利要求2所述的变压器，其中，第一谐振器包括彼此串联连接的电感器和电容器。
4.如权利要求1所述的变压器，其中，第二谐振器在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。
5.如权利要求4所述的变压器，其中，第二谐振器包括：
第一电感器和电容器，彼此串联连接；
第二电感器，与第一电感器和电容器并联连接。
6.如权利要求1所述的变压器，所述变压器还包括在所述一条输出导线的一端和地之间串联连接的第三谐振器。
7.如权利要求6所述的变压器，其中，第三谐振器在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第二谐波分量。
8.如权利要求6所述的变压器，其中，第三谐振器包括：
第一电感器和电容器，彼此串联连接；
第二电感器，与第一电感器和电容器并联连接。
9.一种变压器，包括：
层叠基底；
至少一条输入导线，设置在所述层叠基底上，其中每条导线均具有分别设置为正信号输入端口和负信号输入端口的两端；
一条输出导线，设置为与所述至少一条输入导线相邻，以与所述至少一条输入导线电磁耦合，所述一条输出导线的一端接地；
第一谐振器，设置在所述一条输出导线的另一端和地之间；
第二谐振器，具有与所述一条输出导线的另一端连接的一端以及设置为输出端口的另一端，
其中，所述至少一条输入导线的一部分设置在所述层叠基底的顶层上，所述至少一条输入导线的其余部分设置在所述层叠基底的不同的层上，在不同层上的部分通过通孔连接，
所述一条输出导线的一部分设置在所述层叠基底的顶层上，所述一条输出导线的其余部分设置在所述层叠基底的不同的层上，以不直接与所述至少一条输入导线连接，在不同层上的部分通过通孔连接。
10.如权利要求9所述的变压器，所述变压器还包括设置在所述至少一条输入导线的一个区域处的电源焊盘。
11.如权利要求10所述的变压器，其中，电源焊盘设置在所述至少一条输入导线的电子射频摆动电势为0V的部分处。
12.如权利要求9所述的变压器，其中，第一谐振器在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。
13.如权利要求12所述的变压器，其中，第一谐振器包括彼此串联连接的电感器和电容器。
14.如权利要求9所述的变压器，其中，第二谐振器在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第三谐波分量。
15.如权利要求14所述的变压器，其中，第二谐振器包括：
第一电感器组件和电容器组件，彼此串联连接；
第二电感器组件，与第一电感器组件和电容器组件并联连接。
16.如权利要求9所述的变压器，所述变压器还包括在所述一条输出导线的一端和地之间串联连接的第三谐振器。
17.如权利要求16所述的变压器，其中，第三谐振器在预置频率段中减小从输出导线输出的信号的第二谐波分量。
18.如权利要求17所述的变压器，其中，第三谐振器包括：
第一电感器组件和电容器组件，彼此串联连接；
第二电感器组件，与第一电感器组件和电容器组件并联连接。
CN2009101612894A 2008-10-30 2009-07-30 变压器 Expired - Fee Related CN101728071B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0107272 2008-10-30
KR1020080107272A KR101046026B1 (ko) 2008-10-30 2008-10-30 트랜스포머

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101728071A CN101728071A (zh) 2010-06-09
CN101728071B true CN101728071B (zh) 2012-05-30

Family

ID=42130671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101612894A Expired - Fee Related CN101728071B (zh) 2008-10-30 2009-07-30 变压器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8203399B2 (zh)
KR (1) KR101046026B1 (zh)
CN (1) CN101728071B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011012622A1 (de) * 2011-02-28 2012-08-30 Stolberg Hf-Technik AG Hochfrequenzleistungsvervielfacherlösung
EP2549646A1 (en) * 2011-07-21 2013-01-23 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) Transformer filter arrangement
JP6297963B2 (ja) * 2014-11-05 2018-03-20 住友電気工業株式会社 変圧装置
US9979375B2 (en) * 2015-12-22 2018-05-22 Intel IP Corporation Multi-harmonic matching networks
US9819323B2 (en) * 2016-01-12 2017-11-14 Qualcomm Incorporated Integrated circuit fields canceller system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1363940A (zh) * 2001-01-05 2002-08-14 三星电子株式会社 无磁芯超薄pcb式变压器和利用该变压器的电池充电器
CN101207368A (zh) * 2006-12-19 2008-06-25 台达电子工业股份有限公司 滤波电路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3351849A (en) 1964-04-28 1967-11-07 Lorain Prod Corp Ferroresonant voltage regulating and harmonic suppressing circuit
IT1280397B1 (it) 1995-03-14 1998-01-20 Iat Istituto Analitico Tuscane Dispositivo decalcificatore anticalcare a risonanza variabile, collegato a trasformatore del tipo a rifasamento sequenzionale
US5619080A (en) * 1995-11-02 1997-04-08 Power & Ground Systems Corporation Line filter for reducing AC harmonics
US5912553A (en) 1997-01-17 1999-06-15 Schott Corporation Alternating current ferroresonant transformer with low harmonic distortion
US5814901A (en) 1997-07-14 1998-09-29 General Electric Company Harmonic blocking at source transformer
US6842086B1 (en) * 1999-08-20 2005-01-11 Eagle Comtronics, Inc. Two-pole notch filter
US7305223B2 (en) 2004-12-23 2007-12-04 Freescale Semiconductor, Inc. Radio frequency circuit with integrated on-chip radio frequency signal coupler
TWI314329B (en) * 2006-08-16 2009-09-01 Realtek Semiconductor Corp On-chip transformer balun

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1363940A (zh) * 2001-01-05 2002-08-14 三星电子株式会社 无磁芯超薄pcb式变压器和利用该变压器的电池充电器
CN101207368A (zh) * 2006-12-19 2008-06-25 台达电子工业股份有限公司 滤波电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平6-268883A 1994.09.22

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100048219A (ko) 2010-05-11
US8203399B2 (en) 2012-06-19
US20100109806A1 (en) 2010-05-06
CN101728071A (zh) 2010-06-09
KR101046026B1 (ko) 2011-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8912865B2 (en) Power combiner, power amplifying module having the same, and signal transceiving module
CN108233881B (zh) 放大器电路和经封装的放大器电路
CN102545950A (zh) 高频模块及无线通信系统
CN101728071B (zh) 变压器
JP2006332683A (ja) 可変インダクタおよびそれを備えた高周波回路モジュール
US20070268073A1 (en) Electronic device
US8559620B2 (en) Communications circuit for reducing crosstalk
US9503030B2 (en) Radio frequency power amplifier
WO2013032545A1 (en) Transmission line for high performance radio frequency applications
EP2802075B1 (en) Dual-band semiconductor RF amplifier device
US7408405B2 (en) High-frequency power amplifier module
US20060284685A1 (en) Power amplifier of a transmitter
CN104378072A (zh) 放大器电路
US8279010B2 (en) Radio frequency power amplifier
US7675397B2 (en) Transformer
US6463267B1 (en) High frequency power amplifying apparatus having amplifying stages with gain control signals of lower amplitudes applied to earlier preceding stages
US8174323B2 (en) High frequency amplifier
US10756727B2 (en) Switching circuit and high-frequency module
CN102055414A (zh) 射频功率放大器模块及移动通信终端
WO2013021961A1 (ja) 高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を搭載した通信機能を有する電子機器
KR20130033159A (ko) 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기
WO2021199185A1 (ja) 絶縁型共振器、多層プリント基板および無線電力伝送装置
US20100033287A1 (en) Integrated passive device and ipd transformer
KR100936005B1 (ko) 집적 수동 소자
JP2007043451A (ja) 高周波電力増幅用電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120530

Termination date: 20170730