CN101717940A - 一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺 - Google Patents
一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101717940A CN101717940A CN200910241854A CN200910241854A CN101717940A CN 101717940 A CN101717940 A CN 101717940A CN 200910241854 A CN200910241854 A CN 200910241854A CN 200910241854 A CN200910241854 A CN 200910241854A CN 101717940 A CN101717940 A CN 101717940A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- rinse bath
- deionized water
- silicon wafer
- wash tank
- washing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，它包括：经装有碱化学液的化学槽腐蚀、一个清洗槽1清洗和装有去离子水的清洗槽2清洗，清洗槽1需要加温。I号清洗液由去离子水、过氧化氢和浓氨水按一定配比混合而成。I号清洗液加热的温度为50-100℃。其中清洗槽1清洗的时间为1-50分钟，清洗槽2清洗的时间为1-30分钟。该方法不仅能有效去除黑印，简便易实施，而且可以为后续工序减少颗粒和金属污染。
Description
技术领域
本发明涉及一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，该工艺采用湿法清洗的方法。
技术背景
目前硅抛光片大致采用直拉、切片、磨片、碱腐蚀、单/双面抛光、精抛光、清洗的工艺流程。磨片之后经过碱腐蚀工艺是为了消除磨片留下的表面损伤，为后续的抛光做准备。碱腐蚀工艺过程是先将硅片泡在装有碱化学液的槽里，让硅片和碱液发生化学反应，从而达到去除损伤的目的。硅片在装有碱化学液的化学槽里反应几分钟后，转到放有去离子水的清洗槽里进行清洗。这种碱腐蚀工艺在腐蚀清洗后会留下由颗粒沾污引起的腐蚀黑印，这种腐蚀黑印不仅会影响后续的抛光质量，而且会使抛光片增加颗粒污染，增加后续清洗去除颗粒的难度。
发明内容
本发明的目的是提供一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，该方法不仅能有效去除黑印，简便易实施，而且可以为后续工序减少颗粒和金属污染。
为达到上述发明目的，本发明采用以下技术方案：
这种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，它包括以下几个步骤：经装有碱化学液的化学槽中腐蚀，一个清洗槽1中清洗和装有去离子水的清洗槽2中清洗，所述的清洗槽1需要加热。
清洗槽1中的I号清洗液由去离子水、过氧化氢和NH4OH按一定配比混合而成。
清洗液中各个组份的体积比是去离子水∶H2O2∶NH4OH＝(10～0.1)∶(10～0.1)∶1。
清洗槽1中I号清洗液需要加热的温度是50-100℃。
清洗槽1清洗的时间为1-50分钟，清洗槽2清洗的时间为1-30分钟。
I号清洗液由去离子水、过氧化氢和浓氨水按一定配比混合而成。它们的体积比是去离子水∶H2O2∶NH4OH＝(10～0.1)∶(10～0.1)∶1。
NH4OH的浓度为
H2O2的浓度为
为降低成本，槽里不加超声或兆声装置。
I号清洗液去除颗粒的原理，一是颗粒被过氧化氢氧化后溶于浓氨水中而去除，二是NH4OH的OH-离子给硅片表面和颗粒提供负电荷，从而使颗粒和硅片表面产生排斥力达到颗粒去除的目的。
本发明的优点是：该方法不仅能有效去除黑印，简便易实施，而且可以为后续工序减少颗粒和金属污染。
具体实施方式
实施例1
将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平均厚度为830微米，TTV为1.0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了110℃的装有碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30％的过氧化氢和25％的浓氨水的体积比是去离子水∶H2O2∶NH4OH＝5∶1∶1，槽液温度是80℃，在该槽清洗10分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1.5微米左右，达到了所要的效果。
实施例2
将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平均厚度为830微米，TTV为1.0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了110℃的装有碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30％的过氧化氢和25％的浓氨水的体积比是去离子水∶H2O2∶NH4OH＝5∶1∶1，槽液温度是80℃，在该槽清洗15分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1.5微米左右，达到了所要的效果。
实施例3
将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平均厚度为830微米，TTV为1.0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了110℃的装有碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30％的过氧化氢和25％的浓氨水的体积比是去离子水∶H2O2∶NH4OH＝1∶5∶1，槽液温度是80℃，在该槽清洗15分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1.5微米左右，达到了所要的效果。
实施例4
将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平均厚度为830微米，TTV为1.0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了110℃的装有碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30％的过氧化氢和25％的浓氨水的体积比是去离子水∶H2O2∶NH4OH＝0.5∶3∶1，槽液温度是80℃，在该槽清洗15分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1.5微米左右，达到了所要的效果。
Claims (5)
1.一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于：它包括以下几个步骤：经装有碱化学液的化学槽中腐蚀、一个清洗槽1中清洗和装有去离子水的清洗槽2中清洗，所述的清洗槽1需要加热。
2.根据权利要求1所述的一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于：清洗槽1中的I号清洗液由去离子水、过氧化氢和NH4OH按一定配比混合而成。
3.根据权利要求2所述的一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于：清洗液中各个组份的体积比是去离子水∶H2O2∶NH4OH＝(10～0.1)∶(10～0.1)∶1。
4.根据权利要求1所述的一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于：清洗槽1中I号清洗液需要加热的温度是50-100℃。
5.根据权利要求1或4所述的一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于：清洗槽1清洗的时间为1-50分钟，清洗槽2清洗的时间为1-30分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910241854A CN101717940A (zh) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910241854A CN101717940A (zh) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101717940A true CN101717940A (zh) | 2010-06-02 |
Family
ID=42432578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200910241854A Pending CN101717940A (zh) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101717940A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103165437A (zh) * | 2011-12-12 | 2013-06-19 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法 |
| CN113044805A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-29 | 杭州电子科技大学 | 一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用 |
-
2009
- 2009-12-10 CN CN200910241854A patent/CN101717940A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103165437A (zh) * | 2011-12-12 | 2013-06-19 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法 |
| CN103165437B (zh) * | 2011-12-12 | 2016-06-29 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法 |
| CN113044805A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-29 | 杭州电子科技大学 | 一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用 |
| CN113044805B (zh) * | 2021-02-09 | 2024-04-26 | 杭州电子科技大学 | 一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101700520B (zh) | 单晶/多晶硅片的清洗方法 | |
| TW419399B (en) | Post-lapping cleaning process for silicon wafers | |
| CN110681624A (zh) | 一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法 | |
| CN109004062A (zh) | 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备 | |
| WO2009128327A1 (ja) | 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム | |
| TWI630171B (zh) | 氫製造裝置、氫製造方法、氫製造用矽微細粒子及氫製造用矽微細粒子的製造方法 | |
| CN101062503A (zh) | 化学机械研磨后的晶片清洗方法 | |
| TW201235464A (en) | Cleansing liquid and cleansing method | |
| JP2008182188A (ja) | 電子材料用洗浄液および洗浄方法 | |
| CN103111434A (zh) | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 | |
| CN101974785A (zh) | 一种硅多晶原料的清洗方法 | |
| CN110335807A (zh) | 一种硅片清洗方法 | |
| CN108649098A (zh) | 一种硅片单面刻蚀抛光的方法 | |
| CN104766793B (zh) | 一种酸槽背面硅腐蚀方法 | |
| CN108597984A (zh) | 一种单晶硅片的清洗方法及其处理工艺 | |
| CN111211042A (zh) | 一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺 | |
| CN110575995A (zh) | 一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺 | |
| CN102486994B (zh) | 一种硅片清洗工艺 | |
| CN101717940A (zh) | 一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺 | |
| CN109321921A (zh) | 一种汽车模具pvd用的退镀液及其制备方法 | |
| CN107221581B (zh) | 一种黑硅制绒清洗机及其工艺 | |
| JP4482844B2 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
| CN211265420U (zh) | 一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统 | |
| CN202290646U (zh) | 一种硅片清洗机 | |
| JP2008166804A (ja) | 太陽電池用基板の洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD. Effective date: 20120221 Owner name: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: BEIJING GENERAL RESEARCH INSTITUTE FOR NONFERROUS METALS Effective date: 20120221 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20120221 Address after: 100088, 2, Xinjie street, Beijing Applicant after: GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd. Address before: 100088, 2, Xinjie street, Beijing Applicant before: General Research Institute for Nonferrous Metals Co-applicant before: GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd. |
|
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20100602 |