CN101686826B - 超声波探头及超声波诊断装置 - Google Patents

超声波探头及超声波诊断装置 Download PDF

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    • A61B8/4494—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer characterised by the arrangement of the transducer elements

Abstract

本发明提供一种超声波探头及超声波诊断装置，其使在上部电极或下部电极中产生的寄生阻抗降低，从而使交调失真降低。超声波探头包括：具有多个振动要件的cMUT芯片(20)、在cMUT芯片(20)的超声波照射侧的音响透镜(26)、在cMUT芯片(20)的背面的背衬层(22)、连接cMUT芯片(20)的配线，在该超声波探头中，cMUT芯片(20)具有多个上部电极(46)和多个下部电极(48)，下部电极(48)在2个以上的部位与配线连接。

Description

超声波探头及超声波诊断装置
技术领域
本发明涉及一种使超声波发送接收信号的超声波探头及超声波诊断装置。 
背景技术
超声波诊断装置是基于从超声波探头输出的反射回波信号而拍摄诊断图像的装置。超声波探头由多个超声波振子排列形成，其中超声波振子将驱动信号转换为超声波并将超声波传送到被检测体，且接收由被检测体产生的反射回波信号并将其转换为电信号。 
近年来，对应与超声波发送接收信号部供给的驱动信号重叠而施加的偏置电压的大小，开发有利用超声波发送接收信号灵敏度即机电耦合系数变化的cMUT的超声波探头。cMUT是指由半导体微细加工处理制造的超微细电容型的超声波振子。作为现有技术，有使上部电极和下部电极正交的偏置控制技术(例如专利文献1)。 
专利文献1：美国专利US6605043号公报。 
发明内容
超声波发送接收信号的电流为返回电流通过cMUT单元从上部电极向下部电极流动。但是，上述专利文献1的上部电极和下部电极由于只有一侧被引出，因此会产生导线电感或损失电阻等寄生阻抗。 
由此，在电流通过cMUT单元从多个上部电极流入共用的下部电极时，由于导线电感或损失电阻等寄生阻抗的影响，下部电极的阻抗变动，在超声波发送接收信号中产生交调失真。特别是，在从下部电极引出的端子中有导线电感或损失电阻的偏移时，交调失真尤其变大。另外，在上部电极中也会产生同样的现象。 
在此，本发明的目的在于，提供使用cMUT的超声波探头及超声波诊 断装置，使在上部电极或下部电极中产生的寄生阻抗降低，从而使交调失真降低。 
为解决上述问题，提供一种超声波探头，其包括：具有多个振动要件的cMUT芯片、在所述cMUT芯片的超声波照射侧的音响透镜、在所述cMUT芯片的背面的背衬层、连接所述cMUT芯片的配线，其中，所述cMUT芯片具有多个上部电极和多个下部电极，所述下部电极在两个以上的部位与配线连接。并且，所述两个以上的配线为等电位。 
设定所述下部电极的与长度方向正交的截面积，以使所述上部电极和所述下部电极之间为规定间隔以上。例如，所述上部电极和所述下部电极之间为250nm以上。 
并且，所述下部电极的两端为从所述振动要件的配置位置突出的部位。例如，该突出的宽度为200μm～1.5mm。 
进而，所述多个上部电极的端部在邻接的所述上部电极之间与不同方向的所述配线连接。 
发明效果 
本发明提供一种使用cMUT的超声波探头和超声波诊断装置，能够使在上部电极或下部电极中产生的寄生阻抗降低，从而使交调失真降低。 
附图说明
图1是表示本发明的整体结构的图。 
图2是表示本发明的超声波探头的结构的图。 
图3是示意地表示本发明的振动要件的构造的图。 
图4是表示本发明的第一实施方式的图。 
图5是表示本发明的超声波探头的内部结构的图。 
图6是表示本发明的能够抑制寄生阻抗的影响的机构的图。 
图7是表示本发明的能够抑制寄生阻抗的影响的机构的图。 
图8是表示本发明的第二实施方式的图。 
图9是表示本发明的第三实施方式的图。 
图10是表示本发明的第四实施方式的图。 
图中：2-超声波探头；4-发信机构；6-偏置机构；8-收信机构； 10-相位调整(整相)加算部；12-图像处理机构；14-显示机构；16-控制机构；18-操作机构；20a～20m-振子；22-背衬层；26-音响透镜；28-振动要件；40-基板；46-上部电极；48-下部电极；76-导电膜。 
具体实施方式
参照附图说明本发明适用的超声波探头2及超声波诊断装置1。图1为本发明的超声波诊断装置1的框图。 
如图1所示，超声波诊断装置由超声波探头2、发信机构4、偏置机构6、收信机构8、相位调整加算机构10、图像处理机构12、显示机构14、控制机构16和操作机构18构成。 
超声波探头2与被检测体接触，在与被检测体之间发送接收超声波。超声波探头2向被检测体发射超声波，且接收由被检测体产生的反射回波信号。 
利用发送机构4及偏置机构6对超声波探头2供给驱动信号，收信机构8接收由超声波探头2输出的反射回波信号，对应接收到的反射回波信号而实施模拟数字转换等处理。相位调整加算机构10将接收到的反射回波信号进行相位调整加算。图像处理机构12基于相位调整加算后的反射回波信号而构成诊断图像(例如，断层像、血流像等)。并且，显示机构14将图像处理后的诊断图像显示到显示画面上。控制机构16为控制上述各结构要素的机构。操作机构18为对控制机构16施加指令的机构，由光标或键盘等构成。 
接下来，参照图2详细说明超声波探头2。图2为超声波探头2的立体图及解体图。超声波探头2为多个振子20a～20m(m：自然数)排列为长方形的一元阵列型。但是，也可以采用二元阵列型、凸面型等其他的方式。在振子20a～20m的背面侧设置有背衬层22。 
在此，将聚集的振子20a～20m称为cMUT芯片。cMUT的详细情况在非专利文献(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer：IEEE Trans.Ultrason.Ferroelect.Freq.Contr.Vol45 pp.678-690 May 1998)中记述。另外，在cMUT芯片20的超声波发射侧配设有音响透镜26。并且，可以在音响透镜26和cMUT芯片20之间插入背衬层22。 
振子20a～20m(m为任意)将来自发信机构4及偏置机构6的驱动信号变换为超声波而向被检测体发射超声波。收信机构8接收由被检测体产生的超声波，转换为电气信号而使其成为反射回波信号。背衬层22吸收从振子20a～20m向背面侧发射的超声波的传播，抑制多余的振动。音响透镜26使从振子20a～20m发射的超声波波束收敛，基于1个焦点距离而确定曲率。并且，也可以在振子20a～20m和被检测体之间设置使振子20a～20m和被检测体的音响阻抗整合的整合层。 
振动要件28的机电耦合系数即发送接收信号灵敏度根据由偏置机构6施加的直流偏置的电位大小而变化，振动要件28为如下的电气·音响转换单元：基于其机电耦合系数，将由发信机构4供给的驱动信号转换为超声波而发射，且将接收的超声波转换为接收电气信号并作为反射回波信号接收。 
图3为示意地表示本发明的振动要件28的构造的图。振动要件28通过利用半导体处理的微细加工而形成，由半导体基板40、膜体44、膜体45、上部电极46、框体47、下部电极48等构成。膜体44、膜体45、框体47由半导体化合物(例如硅化合物)形成，载置于框体47的超声波发射侧的表面。在膜体44和框体47之间设置有上部电极46。在半导体基板40和膜体45之间设置有下部电极48。 
上部电极46、下部电极48与发信机构4和偏置机构6连接，其中发信机构4含有供给驱动信号的电源，偏置机构6施加直流的偏置电压(电场强度)。由框体47和膜体45区划的内部空间50为真空状态，或为填充有规定气体的状态。 
在此，说明振动要件28的动作。首先，通过上部电极46、下部电极48对振动要件28施加直流的偏置电压(Va)。通过偏置电压(Va)产生电场。由于产生的电场使膜体44紧张因而机电耦合系数变为Sa。并且，通过对上部电极46供给来自发信机构4的驱动信号，基于机电耦合系数(Sa)由膜体44发射超声波。或者，代替偏置电压(Va)，对振动要件28施加偏置电压(Vb)。这时，机电耦合系数变为(Sb)。并且，通过对上部电极46供给来自发信机构4的驱动信号，基于机电耦合系数(Sb)由膜体44发射超声波。并且，在Va＜Vb时，Sa＜Sb。在接收超声波时也同样，通过来自被检测体产生的反射回波信号激发膜体44的振动，由此内部空间50的电容变化，对应变化后的内部空间50的变化量的电气信号由上部电极46测出。
若通过改变施加到振动要件28上的偏置电压的大小而控制膜体44的紧张度，则即使输入同一振幅的驱动信号，也可以使由振动要件28发射的超声波的声压(例如振幅)变化。 
(第一实施方式) 
在此，利用图4详细说明第一实施方式、cMUT芯片20及其周边的结构。图4为超声波探头2的俯视图。并且省略膜体44的表示。 
cMUT芯片20的半导体基板40设置于背衬层22的上表面。在cMUT芯片20的半导体基板40上，上部电极46、下部电极48等振动要件28层叠地配置。 
并且，左右的柔性基板41及上下的柔性基板42固定于背衬层22的上表面、侧表面周缘。在上下的柔性基板42上，信号图案38-a～信号图案38-m和配线85-a～85-m在各上部电极46组的上下交互配设。在左右的柔性基板41上，信号图案41-1～信号图案41-4和配线86-11～86-41、信号图案39-1～信号图案39-4和配线86-12～86-42在各下部电极48的左右成对配设。 
cMUT芯片20的半导体基板40的上部电极46-a～上部电极46-m在长度方向上排列配置。上部电极46-a～上部电极46-m分别与3列的多个振动要件28连接。上下的柔性基板42的信号图案38-a～信号图案38-m在长度方向X上并列配置。上部电极46-a～上部电极46-m分别通过引线接合方式的引线86与柔性基板42上的信号图案38-a～信号图案38-m连接。并且，信号图案38-a～信号图案38-m分别与配线85-a～配线85-m连接。 
具体地说，上部电极46-a和信号图案38-a通过引线86连接，信号图案38-a从上侧的配线85-a引出。并且，上部电极46-b和信号图案38-b连接，信号图案38-b从下侧的配线85-b引出。也就是，上部电极46-N(N：a、c、e……)和信号图案38-N连接，信号图案38-N为上侧的配线85-N(N：a、c、e……)引出。并且，上部电极46-L(L： b、d、f……)和信号图案38-L连接，信号图案38-L从下侧的配线85-L(L：b、d、f……)引出。 
由于像这样信号图案38-a～信号图案38-m和配线85-a～配线85-m上下互相不同地引出，因此，例如信号图案38-a和信号图案38-c、配线85-a和配线85-c间的距离能够扩大。由此，能够降低邻接的各信号图案38、配线85间产生的交调失真。 
cMUT芯片20的半导体基板40上的下部电极48-1～下部电极48-4在宽度方向Y上并列地配置。下部电极48-1～下部电极48-4分别通过引线接合方式的引线86与信号图案41-1～信号图案41-4和信号图案39-1～信号图案39-4连接。信号图案41-1～信号图案41-4分别与配线86-11～配线86-41连接。并且，信号图案39-1～信号图案39-4分别与配线86-12～配线86-42连接。 
具体地说，信号图案41-1～信号图案41-4配置于下部电极48-1～下部电极48-4的左侧，信号图案39-1～信号图案39-4配置于下部电极48-1～下部电极48-4的右侧。并且，下部电极48-1通过来自左右两方向的引线86与信号图案41-1和信号图案39-1连接。下部电极48-2通过来自左右两方向的引线86与信号图案41-2和信号图案39-2连接。像这样，下部电极48-x(x：自然数)通过来自左右两方向的引线86与信号图案41-x和信号图案39-x连接。 
在此，由于信号图案41-x和信号图案39-x对下部电极48-x施加的电压相同，因此信号图案41-x和信号图案39-x为等电位。由于各下部电极48-x从两侧与等电位的信号图案41-x和信号图案39-x连接，因此能够抑制下部电极48产生的寄生阻抗的影响。 
图5为超声波探头2的剖面图。图5(a)为在长度方向X上的剖面图。图5(b)为在宽度方向Y上的剖面图。图5(a)为图5(b)的C-C线剖面图。图5(b)为图5(a)的B-B线剖面图。 
超声波探头2通过电缆82与超声波诊断装置1连接。在cMUT芯片20的超声波发射侧设置有音响透镜26。音响透镜26的材质例如采用硅酮橡胶。在cMUT芯片20的背面侧粘接有背衬层22。沿着背衬层22的上表面周缘及四个侧面设置有柔性基板41及柔性基板42。柔性基板41及柔 性基板42分别在宽度方向Y上及长度方向X上与背衬层22的上表面周缘粘接。 
柔性基板41及柔性基板42分别通过连接器51及连接器52与安装基板43连接。安装基板43设置有柔性基板41及柔性基板42的各端子和电缆82的导通回路。在安装基板43上，安装有电阻或电容器等电气部件54。 
来自柔性基板41的配线86-11～配线86-41和配线86-12～配线86-42通过安装基板43的连接器53与同轴电缆96的内部导体连接。来自柔性基板42的配线85-a～配线85-m通过安装基板43的连接器53与同轴电缆96的内部导体连接。 
沿着音响透镜26的内侧面及外侧面形成有导电膜61。导电膜61例如为通过蒸镀形成的Cu膜。并且，可以与导电膜61一起形成绝缘膜。此外，可以夹着导电膜61形成2层绝缘膜。 
沿着柔性基板41及柔性基板42的表面设置有绝缘构件62及导电构件63。绝缘构件62为具有绝缘性的构件。绝缘构件例如为硅氧化物或对二甲苯的绝缘带。导电构件63为具有导电性的构件。导电构件63例如为Cu带。 
导电膜61和导电构件63通过导电构件64连接。导电构件64为与导电膜61相比不易破损的可靠性高的高刚性的导电构件。导电构件64例如为Cu带。导电构件64固定在导电构件63上，其中导电构件63设置于音响透镜26的外侧面的导电膜61及柔性基板41或柔性基板42的表面。 
导电构件63与同轴电缆96的外部导体连接。同轴电缆96由电缆82包围而与超声波诊断装置1连接。 
壳体25设置于超声波探头2的四个侧面。壳体25固定于音响透镜26的四个侧面。操作者把持壳体25而操作超声波探头2。在壳体25和音响透镜26的间隙中填充有密封剂65。在壳体25和电缆82的间隙中填充有密封剂60。并且，在音响透镜26和壳体25之间填充有填充材料66。 
在此，利用图6、图7说明能够抑制在下部电极48中产生的寄生阻抗的影响的机构。图6中表示被上部电极46和下部电极48夹着的cMUT单元20间的电容C1a～Cmc的分布和下部电极48-1～下部电极48-4及半导体基板40中产生的电容C1～电容C4的分布。并且，在本实施方式中， 为简略说明，将上部电极设定为3个，下部电极设定为4个，但电极的数量不局限于此。 
下部电极48-1～下部电极48-4相对于上部电极46-a～上部电极46-c正交配置。将夹在被下部电极48-1和上部电极46-a～上部电极46-c的cMUT单元20间的电容设为C1a、C1b、C1c。同样地，将夹在被下部电极48-x和上部电极46-a～上部电极46-c之间的cMUT单元20间的电容设为Cma、Cmb、Cmc。另外，将下部电极48-1和半导体基板40间的电容设为C1。同样地，将下部电极48-2～下部电极48-4和半导体基板40间的电容设为C2～C4。 
图7中表示超声波诊断装置1和超声波探头2的连接关系和将来自半导体基板40的两端的2条配线引出的方式。超声波诊断装置1和超声波探头2通过电缆82连接。电缆82具有多个同轴电缆96。 
振动要件28的上部电极46-a～上部电极46-c分别与配线85-a～配线85c连接。配线85-a～配线85-c通过同轴电缆96-a～同轴电缆96-c的内部导体与超声波诊断装置1内的配线91-a～配线91-c连接。配线91-a～配线91-c通过发送接收分离电路98-a～发送接收分离电路98-c而分别与收信机构8内的接收放大器100-a～接收放大器100-c和发信机构4-a～发信机构4-c连接。 
并且，配线91-a～配线91-c与下拉电阻110-a～下拉电阻110-c连接，与地面108连接。该下拉电阻110-a～下拉电阻110-c为用于将上部电极46-a～上部电极46-c的DC电位稳定于地电位的电阻元件。 
并且，从下部电极48-1的两端引出的配线86-11和配线86-12与端子860接合。从端子860输出的一侧通过旁路电容112与地面108连接。旁路电容112为在AC电流从上部电极46-a～上部电极46-c向下部电极48-1流动时，用于避开来自下部电极48-1的电流的信号电流的旁路用电容元件。 
从端子860输出的另一侧从配线86引出，通过同轴电缆96-1的内部导体与超声波诊断装置1内的配线92连接。在配线92和配线93之间配置有偏置机构6。该偏置机构6使上部电极46-a～上部电极46-c和下部电极48-a之间产生电位差。并且，发信机构4对上部电极46-a～ 上部电极46-c施加作为驱动信号的交流高频电压。具体地说，上部电极46-a～上部电极46-c为：DC＝地电位(基准电位)、AC＝Vpp，下部电极48-a为：DC＝Vdc、AC＝0。 
半导体基板40与配线87连接。配线87通过同轴电缆96的外部导体与超声波诊断装置1内的配线93连接。配线93通过超声波诊断装置1的底座与地面108连接。 
当发射超声波时，通过上部电极46-a～上部电极46-c及下部电极48-a对振动要件28施加直流的偏置电压(Va)，通过偏置电压(Va)产生电场。由于产生的电场，膜体44紧张而变为规定的机电耦合系数(Sa)。由发信机构4对上部电极46-a～上部电极46-c供给驱动信号，基于机电耦合系数(Sa)由膜体44发送超声波。 
并且，若通过上部电极46-a～上部电极46-c及下部电极48-a对振动要件28施加直流的偏置电压(Vb)，则通过偏置电压(Vb)产生电场。由于产生的电场，膜体44紧张而变为规定的机电耦合系数(Sb)。由发信机构4对上部电极46-a～上部电极46-c供给驱动信号，基于机电耦合系数(Sb)由膜体44发送超声波。 
在发送接收超声波时，由于下部电极48-1为有限的大小，因此包含导线电感和损失电阻的寄生阻抗分布为电容C1a～C1c。假设，在下部电极48-1的引出为1个(仅C1a侧)的情况下，即下部电极48-1仅与配线86-12连接的情况下，下部电极48-1的端子48-1-a～端子48-1-c中的电压为下式所示。并且，该端子48-1-a～端子48-1-c与上部电极46-a～上部电极46-c对应。 
{数1}va＝C1a·i1
{数2}vb＝C1b·i2+(R+L)·i2
{数3}vc＝C1c·i3+2(R+L)·i3
例如，通过发信脉冲装置4-c发送超声波后，超声波发信信号的电流路为：发信脉冲装置4-c、发送接收分离电路98-c、配线91-c、配线85-c、上部电极46-c、端子48-1-c、寄生阻抗202、端子48-1-b、寄生阻抗200、端子48-1-a、C1//配线86-12(//为并联)、配线92、地面108。这时由于电流通过寄生阻抗202和寄生阻抗200，因此下部电 极48-1的端子48-1-a～48-1-c中产生电压变动。 
在此，在下部电极48-1的引出如图4、图7所示为2个(C1a侧、C1c侧)的情况下，即在端子48-1-a和端子48-1-c与配线86-12和配线86-11连接的情况下，在通过发信脉冲装置4-c发送超声波时，由于不分流到寄生阻抗200和寄生阻抗202因此不产生电压变动。 
并且，在通过发送脉冲装置4-b发送超声波时，在下部电极48-1的端子48-1-a～48-1-c中的电压如下式所示： 
{数4}va＝C1a·i1
{数5}vb＝C1b·i2+1/2(R+L)·i2
{数6}vc＝C1c·i3
由于分流到寄生阻抗200//寄生阻抗202，寄生阻抗的影响与下部电极48-1的引出为1个(仅C1a侧)的情况相比降低到1/2。在此，C1的电容值与Cma比较，若C1的阻抗与寄生阻抗相比足够小，则电流分流到寄生阻抗的程度能够显著减小。如此，能够抑制在下部电极48产生的寄生阻抗的影响。 
(第二实施方式) 
利用图8来说明第二实施方式。与第一实施方式的不同点为下部电极48-1的引出为3个。如图8所示，在下部电极48-1的引出为3个(C1a侧、C1b侧、C1c侧)的情况下，即端子48-1-a、端子48-1-b和端子48-1-c上分别连接有配线86-12、配线86-13和配线86-11。在通过发送脉冲装置4-b发送超声波时，下部电极48-1的端子48-1-a～端子48-1-c中的电压如下式所示： 
{数7}va＝C1a·i1
{数8}vb＝C1b·i2
{数9}vc＝C1c·i3
由于电流不流到寄生阻抗200和寄生阻抗202，因此寄生阻抗不产生影响。像这样，能够抑制在下部电极48中产生的寄生阻抗的影响。 
并且，下部电极48-1的引出也可以为4个以上，例如可以设置于上部电极的数量相等的数量的端子48-1-m及配线86-1-m。由于下部电极48-1的引出为多个，因此能够抑制在下部电极48中产生的寄生阻抗 的影响。 
(第三实施方式) 
说明第三实施方式。与第一实施方式和第二实施方式的不同点在于，变更下部电极48的与长度方向正交的截面积或长度方向的长度。 
例如，通过使下部电极48的厚度为100nm至200nm，下部电极48的与长度方向正交的截面积变为2倍。因此，通过使下部电极48的与长度方向正交的截面积变为2倍，从而能够使寄生阻抗200和寄生阻抗202减半。由此，能够使寄生阻抗200和寄生阻抗202的影响减半。 
利用图9说明下部电极48的厚度的限制。图9(a)所示的下部电极48为基准厚度，图9(b)所示的下部电极48为比图9(a)厚2倍以上的状态。在图9(b)中，下部电极48的厚度比膜体45的厚度和框体47的厚度的和更大。由此，上部电极46的跨越台阶变大，上部电极46的角部等电荷容易集中的部位接近下部电极48。成为由比框体47具有的绝缘耐压小的电场强度产生绝缘破坏的原因。因此，下部电极48的厚度设定为，使上部电极46的角部等电荷容易集中的部位不接近下部电极48。例如，下部电极48的厚度设定为使上部电极46和下部电极48之间的长度500为250nm以上。 
另外，例如，通过使下部电极48的长度(长度方向(X轴方向))设定为50mm至25mm，从而下部电极48的长度变为1/2倍。因此，通过使下部电极48的长度变为1/2倍，从而能够使寄生阻抗200和寄生阻抗202减半。本实施方式的下部电极48的两端从配置多个振动要件28的位置稍突出，以使下部电极48的长度方向的长度变短。该突出部分具有用于进行配线86的引线接合的足够的宽度，但设定为尽量使下部电极48的长度方向的长度短。例如，突出部分的宽度为左右共200μm～1.5mm左右。 
如上所述，下部电极48的寄生电阻与下部电极48的截面积成反比，与下部电极48的长度成反比。利用该特性能够降低下部电极48的寄生阻抗。 
(第四实施方式) 
利用图10说明第四实施方式。与第一实施方式～第三实施方式的不同点在于，从上下方向引出上部电极46。 
cMUT芯片20的半导体基板40上的上部电极46-a～上部电极46-m在长度方向X上并列配置。上部电极46-a～上部电极46-m分别通过引线接合方式的引线86与信号图案38-a1～信号图案38-m1和信号图案38-a2～信号图案38-m2连接。信号图案38-a1～信号图案38-m1分别与配线85-a1～配线85-m1连接。并且，信号图案38-a2～信号图案38-m2分别与配线85-a2～配线85-m2连接。 
具体地说，信号图案38-a1～信号图案38-m1配置于上部电极46-a～上部电极46-m的上侧，信号图案38-a2～信号图案38-m2配置于上部电极46-a～上部电极46-m的下侧。并且，上部电极46-a从上下两方向与信号图案38-a1和信号图案38-a2连接。上部电极46-b从上下两方向与信号图案38-b1和信号图案38-b2连接。上部电极46-m从上下两方向与信号图案38-m1和信号图案38-m2连接。 
如上所述，通过将上部电极46从上下方向引出，能够抑制在上部电极46中产生的寄生阻抗的影响。并且，由于对于寄生阻抗降低的机构与第一实施方式中说明的下部电极48为同样情况，因此在此省略说明。 

Claims (11)

1.一种超声波探头，包括：具有多个振动要件的电容型微加工超声波转换器芯片、在所述电容型微加工超声波转换器芯片的超声波照射侧的音响透镜、在所述电容型微加工超声波转换器芯片的背面的背衬层、连接所述电容型微加工超声波转换器芯片的配线，其特征在于，
所述电容型微加工超声波转换器芯片具有多个上部电极和多个下部电极，所述下部电极在两个以上的部位与所述配线连接。
2.根据权利要求1所述的超声波探头，其特征在于，
所述下部电极的两端部分别与所述配线连接。
3.根据权利要求1所述的超声波探头，其特征在于，
所述在两个以上的部位被连接的配线为等电位。
4.根据权利要求1所述的超声波探头，其特征在于，
设定所述下部电极的与长度方向正交的截面积，以使所述上部电极和所述下部电极之间为规定间隔以上。
5.根据权利要求4所述的超声波探头，其特征在于，
所述上部电极和所述下部电极之间的所述规定间隔为250nm。
6.根据权利要求2所述的超声波探头，其特征在于，
所述下部电极的两端部为从所述振动要件的配置位置突出的部位。
7.根据权利要求6所述的超声波探头，其特征在于，
该突出的宽度为200μm～1.5mm。
8.根据权利要求1所述的超声波探头，其特征在于，
所述多个上部电极的端部在邻接的所述上部电极之间与不同方向的所述配线连接。
9.根据权利要求1所述的超声波探头，其特征在于，
所述上部电极在两个以上的部位与连接所述电容型微加工超声波转换器芯片和柔性基板的配线连接。
10.根据权利要求1所述的超声波探头，其特征在于，
所述上部电极的两端部分别与所述连接所述电容型微加工超声波转换器芯片和柔性基板的配线连接。
11.一种超声波诊断装置，包括：对被检测体发送接收超声波的超声波探头；基于从所述超声波探头输出的超声波接收信号而构成超声波图像的图像处理部；显示所述超声波图像的显示部，其特征在于，
所述超声波探头为权利要求1～10中任一项所述的超声波探头。
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